「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer in which the increase of resistance components caused by the rapid discontinuity of a band gap in the interface between an AlGaInP clad layer and a GaAs buffer layer is suppressed, and a photoelement of higher output can be obtained, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とＧａＡｓバッファ層との界面における急激なバンドギャップ不連続による抵抗成分増加を抑制し、より高出力の光素子を得ることができる化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To easily and freely design a material of a light absorption layer having a band gap suitable to an absorption wavelength band to be detected, and to provide a high-sensitivity quantum type infrared sensor adapted to respective uses without using a buffer layer other than InSb.例文帳に追加

検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a distortion semiconductor substrate, capable of forming a distortion semiconductor layer on the surface of a semiconductor substrate having a crystal structure, without installing a distortion buffer layer, thus capable of manufacturing a distortion semiconductor substrate easily at a low cost.例文帳に追加

歪み緩和バッファ層を設けることなく、結晶構造を有する半導体基板の表面に歪み半導体層を形成でき、したがって、簡単かつ低コストで歪み半導体基板を作製できる歪み半導体基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The hole injection buffer layer is formed by laminated two or more layer parts including respectively different kinds of porphyrin compounds.例文帳に追加

ホール注入バッファ層における互いに隣接する層部分のうち、陰極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物が、陽極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物よりも高い最高被占軌道のエネルギー準位を有するものであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminate structure of a group III nitride semiconductor for obtaining a crystal layer as an excellently uniform buffer layer, and, upon manufacturing a group III nitride semiconductor crystal structure, for ensuring an excellent crystallinity film.例文帳に追加

均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることが出来るＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

A retransmission control section 111 grasps the number of times of retransmission, in the TCP layer, of the TCP segment constituted of each of NRT data in an NRT retransmission buffer 108 based on the number of times of retransmission of the TCP segment and preferentially instructs transmission for NRT data with the great number of times of retransmission in the TCP layer.例文帳に追加

再送制御部111は、前記TCPセグメントの再送回数を元に、NRT再送バッファ108内の個々のNRTデータが構成するTCPセグメントの、TCPレイヤにおける再送回数を把握し、TCPレイヤにおける再送回数の大きなNRTデータに対して優先的に送信指示を行う。 - 特許庁

The electrode films 12a, 14a laminated with the buffer layer 40 in between are burned, then the dielectric composition included in the electrode films 12a, 14a is diffused between the electrode films 12a, 14a to form the dielectric layer 10 between the electrode films 12a, 14a.例文帳に追加

バッファ層４０を介して積層された電極膜１２ａ，１４ａを焼成し、電極膜１２ａ，１４ａに含まれる誘電体組成物を、電極膜１２ａ，１４ａの間に拡散させ、電極膜１２ａ，１４ａの間に誘電体層１０を形成する。 - 特許庁

In the substrate penetration etching method, a buffer layer 62 and a metal layer 64 are formed on a first surface of the substrate 50, an etching mask pattern is formed on a second surface of the substrate facing the first surface, and the substrate 50 is subjected to the penetration etching with the pattern as the etching mask.例文帳に追加

基板貫通エッチング方法は、基板５０の第1面上にバッファ層６２と金属層６４を形成し、前記第1面と反対となる前記基板の第2面上にエッチングマスクパターンを形成した後、これをエッチングマスクとして前記基板５０を貫通エッチングする。 - 特許庁

A buffer film for multi-chip packaging has a structure in which a heat resistant resin layer having a linear expansion coefficient of 80 ppm/°C or less and a flexible resin layer formed of a resin material whose Shore A hardness in JIS-K6253 is 10 to 80 are laminated.例文帳に追加

マルチチップ実装用緩衝フィルムは、８０ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数を有する耐熱性樹脂層と、ＪＩＳ−Ｋ６２５３によるショアＡ硬度が１０〜８０である樹脂材料から形成された柔軟性樹脂層とが積層された構造を有する。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

Even if the surface of the N-InP substrate 1 is mechanically distorted, the mechanical distortion of the N-InP substrate 1 is absorbed by the thick N-InP buffer layer 2, and the InGaAsP multi-quantum well layer 4 can be selectively grown by keeping it from dislocation.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１の表面に機械的な歪が生じた場合であっても，厚いｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，かかる歪が吸収されることになり，転位の少ないＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４を選択成長させることが可能となる。 - 特許庁

When a list display instruction is inputted from the input part 101, the memo data stored in the memo data buffer 105 are reduced overlapping and listed at a display part 102 and overlapping parts are displayed so that lower-layer data have lower luminance than that of upper-layer data.例文帳に追加

入力部１０１から一覧表示指示がされたときには、前記メモデータバッファ１０５に記憶されているメモデータを表示部１０２に一部分を重ねて縮小一覧表示し、重なった部分は下層データの輝度を上層データの輝度より低くして表示する。 - 特許庁

PP yarn 13, making a cushioning layer, is contained and arranged so as to be flattened against a center between 4 double-twisted wires 15, whereby the cushioning layer is interposed between sites where the 4 double- twisted wires 15 adjoin one another, to buffer them, and the respective double- twisted wires are contained therein.例文帳に追加

４本の対撚線１５を緩衝層となるＰＰヤーン１３を中心に押しつぶすようにして収容配置することで、４本の対撚線１５同士が接近する部位に緩衝層が介在して緩衝するとともに各対撚線を内包する。 - 特許庁

The drawing processing part 202 includes a software composition means 2021 which composes a plurality of images stored in a drawing buffer corresponding to each image in a software manner and outputs the resulting image onto a single frame buffer assigned to a certain display layer; and a hardware composition means 2022 which assigns the drawing buffer corresponding to each image to a plurality of display layers, and performs superimposition of the images by use of the function of hardware.例文帳に追加

当該描画処理部２０２は、各画像に対応する描画バッファに格納された複数の画像を、ソフトウェア的に合成し、ある表示レイヤに割り当てられている単一のフレームバッファ上に出力するソフトウェア合成手段２０２１と、各画像に対応する描画バッファを複数の表示レイヤに割り当て、ハードウェアの機能を利用して前記画像の重ね合わせを行うハードウェア合成手段２０２２とを有する。 - 特許庁

Two or more buffer parts 61 for dividing a vacuum space part 63 for adjusting the liquid crystal amount of a liquid crystal layer by partitions 62 inside are arranged in a non-display area 8 located outside a screen part 7.例文帳に追加

画面部７の外方に位置した非表示領域８に、液晶層４の液晶量調整用の真空状の空間部63を隔壁62により内部に区画するバッファ部61を複数設ける。 - 特許庁

Facial vibration of the plane speaker 21 is transmitted to a vibration face of the oil pan 40 through the buffer layer 22, and vibration of the vibration face is accurately reduced at a prior step for transmitting into a three-dimensional space.例文帳に追加

平面スピーカ２１の面振動は、緩衝層２２を介してオイルパン４０の振動面に伝達され、当該振動面の振動は、三次元空間に伝播する前段階で的確に低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate in which a high-quality thin film having a different lattice constant from that of a substrate is formed industrially stably and inexpensively by using a buffer layer that is extremely thin compared to a conventional one.例文帳に追加

従来に比べ極めて薄いバッファ層を用いて、工業的に安定でかつ低コストで、基板と格子定数の異なる良質の薄膜を形成した半導体基板を提供すること。 - 特許庁

A Young's modulus, a geometrical moment of inertia, a joint impedance and a mechanical impedance (hereinafter referred to as Young's modulus and the like) of the buffer layer 21 are smaller than the Young's modulus and the like of a housing 12 and the Young's modulus and the like of the mounting portion 100.例文帳に追加

緩衝層２１のヤング率、断面２次モーメント、合成、機械インピーダンスなど（以下、ヤング率等という）が、筐体１２のヤング率等および取付部位１００のヤング率等よりも小さい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III nitride semiconductor capable of obtaining a semiconductor excellent in crystallinity of GaN or the like laminated thereon by forming a buffer layer of AIN or the like excellent in crystallinity on the group III semiconductor, particularly a substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体、特に基板上に結晶性のよいＡｌＮ等のバッファ層を形成することにより、その上に積層されるＧａＮ等の結晶性の優れた半導体を得ること - 特許庁

On an Si-off substrate 100, an SiCMOS switching transistor 107 is formed, and an AlGaN/GaN field-effect transistor 103 is integrally formed via a GaN buffer layer 90.例文帳に追加

Ｓｉオフ基板１００上には、ＳｉＣＭＯＳスイッチングトランジスタ１０７を形成すると共に、ＧａＮバッファ層９０を介してＡｌＧａＮ・ＧａＮ電界効果トランジスタ１０３を一体に形成している。 - 特許庁

A contact hole is formed in a gate insulating film 12 formed of SiO_2 and a laminated inter-layer insulating film 13 formed on SiN thereupon by etching using buffer hydrofluoric acid.例文帳に追加

ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing easily and at low cost an Si_3N_4 heteroepitaxial buffer layer having a uniform thickness over a whole surface of a silicon substrate, and being stable in quality.例文帳に追加

シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ_3Ｎ_4へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The polishing head is provided with a head body 2B for preventing a work from being flawed, damaged, etc., and for attracting the magnetic abrasive grain 6, and a buffer layer 3 for preventing a work from being flawed, damaged, etc., and attracting the magnetic abrasive grain 6.例文帳に追加

研磨ヘッド１Ｂは、磁性砥粒６を吸着するヘッド本体２Ｂと、ワークに傷、損傷等が生じることを防止し、かつ磁性砥粒６を吸着する緩衝層３とを有する。 - 特許庁

To provide a printing mask capable of suppressing the resin inflow into a scribe line and the exposure of wiring upon buffer layer printing, and to provide a direction for use of the printing mask and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

バッファ層印刷時にスクライブラインへの樹脂の流れ込み及び配線の露出を抑制できる印刷用マスク、印刷用マスクの使用方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Although it is necessary to form the cathode by deposition because it affects the organic layer physically when it is formed by sputtering, it can be formed by sputtering because the cathode becomes a buffer in the protection membrane on the cathode.例文帳に追加

陰極をスパッタで形成すると有機層に物理的影響を与えるため蒸着で形成する必要があるが、陰極上の保護膜は陰極がバッファとなるためスパッタで形成できる。 - 特許庁

Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁

An Si substrate where an SiGeC crystal is deposited is subjected to heat annealing, thus relieving the SiGeC crystal, at the same time, depositing an SiC microcrystal for reducing defect density, and hence manufacturing the thin, relaxation buffer layer with less defects.例文帳に追加

SiGeC結晶を堆積したSi基板を熱アニールすることで、SiGeC結晶を緩和させると同時に、SiC微結晶を析出させて欠陥密度を低減し、薄くても欠陥の少ない緩和バッファ層を製造する。 - 特許庁

To obtain a GaN layer having a small number of lattice defects by reducing the difference of a lattice constant in an axial direction between ZnO buffer and GaN layers in an InxGayAlzN-based semiconductor light emitting diode.例文帳に追加

ＩｎxＧａyＡｌzＮ系の半導体発光素子において、ＺｎＯバッファ層とＧａＮ層とのａ軸方向の格子定数の差をより小さくすることにより、格子欠陥の少ないＧａＮ層を得る。 - 特許庁

To provide an optical waveguide device capable of reducing a surge phenomenon generated due to instantaneous DC drift without utilizing a buffer layer and capable of preventing a thinned substrate from being damaged.例文帳に追加

バッファ層を利用することなく、瞬間的なＤＣドリフトによって発生するサージ現象を低減し、薄板化された基板の破損を防止することが可能な光導波路素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film laminate that has a buffer layer having a function for forming an epitaxial ferroelectric thin film with an excellent crystallizability on an Si substrate, and a ferroelectric thin-film element.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つバッファ層を備える薄膜積層体および強誘電体薄膜素子を提供する。 - 特許庁

A group III-V semiconductor device comprises a compositionally graded body 108 disposed over a substrate 102 and below a buffer layer 110 supporting an active area 112 of the group III-V semiconductor device.例文帳に追加

III−Ｖ族半導体装置は、基板１０２の上およびIII−Ｖ族半導体装置の活性領域１１２を支持するバッファ層１１０の下に配置された組成傾斜本体１０８を備える。 - 特許庁

The frame analysis processing part 21 performs CRC verification of a frame received from a lower layer, and writes an analysis result in the analysis result data storing part 22 and writes a packet in the FIFO buffer memory 23.例文帳に追加

フレーム解析処理部２１は、下位レイヤから受け取ったフレームのＣＲＣ検証等を行い、解析結果を解析結果データ格納部２２に書き込むとともに、パケットをＦＩＦＯバッファメモリ２３に書き込む。 - 特許庁

A buffer layer 32 composed of glass frit in which titanium oxide or zinc oxide particles having a volume mean diameter of 10 nm to 5 μm are dispersed is intercalated between the face plate 26 and the spacer 31.例文帳に追加

フェースプレート２６とスペーサ３１との間に、体積平均粒径が１０ｎｍ乃至５μｍの酸化チタン又は酸化亜鉛からなる粒子をガラスフリットに分散させてなる緩衝層３２を介在させる。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region of the second conductivity type, a drift region of the second conductivity type that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region of the first conductivity type.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第２の導電型の第１の領域と、バッファ層の上面に隣接する第２の導電型のドリフト領域と、第１の導電型のボディ領域とを含む。 - 特許庁

Heat is blocked by the buffer layer 13 at the time of sealing the sealing member 14 and temperature variation before and after sealing can be prevented from having a thermal effect on the LED element 12.例文帳に追加

緩衝層１３により、封止部材１４の封止時の熱が緩衝層１３によって遮られ、ＬＥＤ素子１２による熱的影響がＬＥＤ素子１２に及ばないようにすることができる。 - 特許庁

The positive electrode 2 and the negative electrode 5 are adjacent to the solid electrolyte 4 via the buffer layer 3, without being in direct contact with the solid electrolyte 4.例文帳に追加

該正極２は直接固体電解質４と接することなく該緩衝層３を介して配置され、該負極５は直接固体電解質４と接することなく該緩衝層３を介して配置されている。 - 特許庁

A buffer layer 10 composed of an oxide film of a first metallic material is formed on an insulative base 5 by spraying a first precursor solution containing the first metallic material toward the insulative base 5.例文帳に追加

絶縁性の基体５に向けて第１の金属材料を含有する第１の前駆体溶液を噴霧することによって、その第１の金属材料の酸化膜からなるバッファ層１０を形成する。 - 特許庁

A resistive thin film 13 is provided via an oxide film 12 in a trench 11 provided at a part sandwiched between a p-body region 4 and an n-buffer region 7 in a surface layer of an n-drift region 3.例文帳に追加

ｎドリフト領域３の表面層のｐボディ領域４およびｎバッファ領域７に挟まれた部分に設けられたトレンチ１１に、酸化膜１２を介して、抵抗性薄膜１３が設けられている。 - 特許庁

Co nano-particles having particle diameters of ≤5 nm are deposited on the buffer layer by generating pulse arcs in a range of about 100-300 times by using pulse arc plasma at a vacuum degree of 1×10^-5 Torr.例文帳に追加

そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、１００〜３００回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。 - 特許庁

During crystallization by the melt heating, a buffer layer 3 buffering the volume change of the amorphous thin film 4 when crystallized by being melt at least its surface side and solidified is provided below the thin film 4.例文帳に追加

アモルファス薄膜４の下層に、溶融結晶化に際し、少なくとも表層側が溶融してアモルファス薄膜４が結晶化されて凝固する際の体積変化を緩和するバッファ層３を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another, is provided on a low- resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The lens group 110 includes: a first lens element 111, a buffer layer 112; a transparent body 113; and a second lens element 114, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 130.例文帳に追加

レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１３０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、バッファ層１１２、透明体１１３と、第２レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁

To restrain accumulation of carrier in an interface between an InAlAs buffer layer and an InP substrate in an epitaxial wafer of an n-type InAlAs/InGaAs system HEMT structure using InP in a substrate.例文帳に追加

基板にＩｎＰを用いたｎ型ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造のエピタキシャルウェハにおいて、ＩｎＡｌＡｓバッファ層とＩｎＰ基板との界面におけるキャリアの蓄積を抑制することを可能とする。 - 特許庁

The buffer sheet for adsorptive fixation 4 is produced by forming a homogeneous, permeable, and anti-static adhesive layer 3 on one face of a porous sheet 2 having permeability and anti-static property.例文帳に追加

通気性および帯電防止性を有する多孔質シート２の片面に、均一な通気性を有する粘着剤層３を設けたことを特徴とする吸着固定用緩衝シート４である。 - 特許庁

By the applied energy, hydrogen is dissociated at low temperatures, a grid interval difference between silicon and zinc oxide is narrowed, and a thin film buffer layer 130 where amorphous form and fine crystallite reside mixedly is formed.例文帳に追加

このエネルギーにより、水素を低温で解離させるとともに、シリコンと酸化亜鉛との格子間隔の差を緩和させて、非晶質と微結晶が混在した薄膜のバッファ層１３０を形成する。 - 特許庁