「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor element having improved flatness and crystallinity of a functional laminate by effectively transferring improved crystallinity and flatness of a buffer to the functional layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

バッファで改善された結晶性および平坦性を有効に機能積層体に引き継がせることにより、機能積層体の平坦性および結晶性を向上させた半導体素子をその製造方法とともに提供する。 - 特許庁

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。 - 特許庁

To prevent the convergence of the common buffer memory of a multiport switch when performing flow control of frame export shut down for a data link layer in a multiport switch in a network system, in which stations are connected by a full duplex link.例文帳に追加

全二重方式リンクによりステーション間が接続されるネットワークシステムにおけるマルチポートスイッチに関し、データリンク層のフレーム送出停止のフロー制御を行っている際に、マルチポートスイッチの共通バッファメモリが輻輳するのを防止する。 - 特許庁

SUPERCONDUCTOR ARTICLE WITH BUFFER LAYER HAVING TEXTURE IN TWO AXIAL DIRECTIONS, POWER CABLE, POWER SUPPLY TRANSFORMER, POWER GENERATOR, POWER NETWORK, AND ELECTRONIC ACTIVE ARTICLE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ARTICLE HAVING TEXTURE IN TWO AXIAL DIRECTIONS例文帳に追加

２軸方向にテクスチャを有するバッファ層を備えた超電導体物品、電力ケーブル、電源変圧器、発電機、電力網、及び電子的に活性な物品、並びに２軸方向にテクスチャを有する物品を製造する方法 - 特許庁

The p^--type leakage stopper region 112 is formed so as to be in contact with both of an insulating film 102 and the collector electrode film 201, and is further Schottky-joined to the collector electrode film 101 together with the n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｐ^−型リークストッパ領域１１２は、絶縁膜１０２とコレクタ電極膜２０１との双方に接するように形成され、さらに、Ｎ^＋型バッファ層１０３と共にコレクタ電極膜１０１に対してショットキー接合されている。 - 特許庁

A buffer material layer 24 is provided in the region between a counter substrate 19 and the pixel electrode 14 and in the region between the metal 23 electrically connected to the pixel electrode 14 and an auxiliary capacitance wiring 17 or the gate wiring 12.例文帳に追加

対向電極１９と画素電極１４との間の領域と、該画素電極１４に電気的に接続された金属２３と補助容量配線１７またはゲート配線１２との間の領域に、緩衝材料層２４を設ける。 - 特許庁

To provide a structure of epitaxial wafer capable of achieving surface planarity, high orientation and low dislocation density when GaN thin film crystal grown on an Si substrate through an AlN single layer buffer has a film thickness of 1 μm or less.例文帳に追加

ＡｌＮ単層バッファーを介したＳｉ基板上のＧａＮ薄膜結晶が、１μｍ以下の膜厚において、表面平坦、高配向性、低転位密度を実現することのできるエピタキシャルウェハの構造を提供すること。 - 特許庁

In the area of the substrate 21 and buffer layer where a 1st ground electrode 27-1 and a 2nd ground electrode 27-2 are formed, 1st ground electrode groove parts 28-1 and 28-2 which are arcuate are formed.例文帳に追加

さらに、基板２１及びバッファ層２９の第１の接地電極２７−１及び第２の接地電極２７−２が形成されたそれぞれの領域に、円弧状の第１の接地電極溝部２８−１及び２８−２を形成する。 - 特許庁

To provide a photonic device, and its fabricating method, in which an AlGaInN buffer layer having excellent crystallinity is formed on a sapphire substrate with no crack, and an AlGaInN device multilayer film having excellent crystallinity is formed thereon with no crack.例文帳に追加

サファイア基板の上に、クラックがなく、結晶性に優れたＡｌＧａＩｎＮバッファ層を有し、その上にクラックがなく、結晶性に優れたＡｌＧａＩｎＮデバイス多層膜を成膜したフォトニックデバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To stabilize a manufacturing process and prevent a multi-layered mirror from cracking and exfoliation by improving close contact property between the multi-layered mirror and a base plate by forming a buffer layer like a highly translucent polymer or a highly translucent inorganic film.例文帳に追加

高透光性のポリマー、或いは高透光性の無機フィルム等のバッファ層を設けて、多層ミラーと基板との間の密着性を向上させ、製造工程を安定させるとともに、多層ミラーの亀裂と剥離を防止すること。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xB_yGa_1-x-yN first layers 12A and a plurality of Al_aB_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＢ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＢ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

Even if both substrates A and B are pressurized by both pressurizing plates 1 and 2 having the nonuniform thickness sizes, a buffer layer 3 existing therebetween is partially compressed and deformed, by which the uneven load produced from the difference between the thickness sizes is absorbed.例文帳に追加

厚さ寸法が不均一な加圧板１，２で両基板Ａ，Ｂを加圧しても、これらの間に位置する緩衝層３ｂが部分的に圧縮変形することにより、厚さ寸法の違いから発生する偏荷重が吸収される。 - 特許庁

A compressive force is made to operate on the contact surface between the 1st and 2nd wafers 22 and 23 through a buffer layer 24 having a 1.5 to 3.0% stress relaxation rate within a range of clamping surface pressure between 5 and 500 kg/cm^2, and the contact surface is heated in a heating furnace.例文帳に追加

締め付け面圧5〜500kg/cm^2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0％を有する緩衝膜２４を介して、第１および第２のウェハ２２，２３の接触面に圧縮力を作用させると共に、加熱炉で加熱する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate where a high-quality silicon carbide single crystal film is formed by forming a buffer layer having fewer grate mismatches to cubic crystal silicon carbide (3C-SiC), and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）に対してより格子ミスマッチの少ないバッファ層を形成することで、高品位（高品質）な炭化珪素単結晶膜を形成した半導体基板と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

Since AlN is used as a material of the buffer layer 11, pits do not occur in the crystal and variation in crystal orientation is small, even if the depth of the unevenness is 1.2 to 2.5 μm, and the inclination angle of the side surfaces of convex portions is 40 to 80°.例文帳に追加

ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 - 特許庁

The birefringence caused by the stress which is thermally induced in the process of manufacturing glass is decreased by forming an optical waveguide 1 on a waveguide base 5 formed from a buffer layer 2 built to correspond the waveguide.例文帳に追加

対応して構築されたバッファ層２から形成された導波路ベース５上に、光導波路１を製作することにより、ガラス製作工程中の熱的に誘起される応力が原因で生ずる複屈折を減少させる。 - 特許庁

To provide a substrate for an electronic device and a method of manufacturing the same which eliminate the need of processing for forming the reconstitution surface or the hydrogen terminal surface, and a buffer layer formed on the substrate is formed by epitaxial growth in (100) orientation.例文帳に追加

基板に再構成表面や水素終端表面を形成する処理が不要で、かつ、基板上に形成したバッファ層が（１００）配向でエピタキシャル成長してなる電子デバイス用基体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The buffer layer 12 preferably contains at least one kind of a metal oxide of NaCl structure and a metal oxide of fluorite structure or preferably has cubic crystal (100) orientation and is formed by epitaxial growth.例文帳に追加

バッファ層１２は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも１種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。 - 特許庁

The fuel cell is provided with a buffer layer 104 arranged between an electrolyte 101 and an air electrode 103, and structured by having a mixture of cerium oxide with praseodymium (Pr) added and at least either cobalt oxide or copper oxide.例文帳に追加

電解質１０１と空気極１０３との間に配置され、プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたセリウム酸化物とコバルト酸化物および銅酸化物の少なくとも１つとの混合体を有して構成されたバッファ層１０４を備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor growth substrate comprises a gallium oxide substrate, and a buffer layer of the nitride semiconductor which is formed on the gallium oxide substrate in the predetermined surface orientation with hydrogen carrier under the growth temperature condition of 600°C or lower.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板と、ガリウム酸化物基板上に６００℃以下の成長温度条件で、水素キャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体のバッファ層とを有する窒化物半導体成長基板とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a large remanent polarization indispensable to nonvolatile memory operation by forming a specific buffer dielectric layer between an electrode constituting the capacitor element of a semiconductor device and a capacitor insulation film.例文帳に追加

半導体装置の容量素子を構成する電極と容量絶縁膜の間に、特定のバッファー誘電体層を形成することにより、不揮発メモリ動作に不可欠な大きな残留分極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stable data buffer control method for surely and efficiently performing the initial reception processing of a leaped non-received information frame and guaranteeing the reception report of a sequential number order for all received information frames without leakage to a high-order layer.例文帳に追加

飛躍された未受信情報フレームの初めての受信処理を確実に効率良く、上位レイヤに漏れなく全ての受信情報フレームを順序番号順の受信報告を保証する安定したデータバッファ制御方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor element which can easily turn a semiconductor thin film into a p-type one even if the semiconductor thin film consisting of a zinc oxide or a zinc sulfide formed by epitaxial growth is used as a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層としてエピタキシャル成長により形成される酸化亜鉛または硫化亜鉛の半導体薄膜を用いる場合にも前記半導体薄膜のｐ型化を容易にする薄膜半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

This image processing method, sequentially reads the display attribute data set on each of the 0th to 6th display layers of a layer-setting table 15a and generates the 0th to 6th display data, on the basis of the read display attribute data, to sequentially overwrite in the display buffer memory, then display the images by reading the data in the display buffer memory.例文帳に追加

この画像処理方法は、レイヤ設定テーブル１５ａの第０〜第６の表示レイヤの各々に設定された表示属性データを順次読み出し、読み出した表示属性データに基づく第０〜第６の表示データを生成して表示バッファメモリに順次第０〜第６の順で上書きによって書き込み、表示バッファメモリ内のデータを読み出して画像表示を行う。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a network logic circuit block having a MOS transistor which performs a logic operation constituted of a pass transistor logic, a buffer circuit block which amplifies an output signal of the network logic circuit block, and MOS transistors 44 and 50 which are formed in a semiconductor layer of a fully-depleted type SOI substrate wherein the semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate 51 via a buried insulation layer 52.例文帳に追加

パストランジスタロジックにて構成される論理演算を実現するＭＯＳトランジスタを有するネットワーク論理回路ブロックと、ネットワーク論理回路ブロックの出力信号を増幅するバッファ回路ブロックとを備え、半導体基板５１上に埋込み絶縁層５２を介して半導体層が形成された完全空乏型ＳＯＩ基板の半導体層に形成されたＭＯＳトランジスタ４４、５０を有する。 - 特許庁

One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics.例文帳に追加

一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

After the nitriding process ends, the temperature is lowered to 900°C and a GaN buffer layer is grown for about 5 minutes in supplying a carrier gas substantially consisting only of H2, a GaCl gas which is a reaction product of Ga and HCl and an NH3 gas.例文帳に追加

窒化工程終了後に９００℃まで降温して、実質的にＨ2のみからなるキャリアガスと、ＧａとＨＣｌの反応生成物であるＧａＣｌガスと、ＮＨ3ガスとを供給しながら、ＧａＮバッファー層を約５分間成長させた。 - 特許庁

By forming an InP metamorphic buffer layer 2 having a thickness of 4 μm or above and a surface defect density of 10^8/cm^2 or less on the GaAs substrate 1, the InP-based semiconductor element 11 having a superior property and a high reliability can be formed on the GaAs substrate.例文帳に追加

GaAs基板１上にInPメタモルフィックバッファ層２を、厚さ４μｍ以上として、その表面の欠陥密度を１０^８／ｃｍ^２以下にすることによって、GaAs基板上に、すぐれた特性と信頼性を有する、InP系半導体素子１１を構成する - 特許庁

Therefore, the image data in the same address of a layer below it are read out, it is checked whether or not there is a mask bit in the specified column address of a mask bit buffer 222 and when the mask bit is written, the data in the column address are not read out.例文帳に追加

従って、その下層のレイヤーの同じアドレスの画像データを読み出す際、マスクビットバッファ２２２の所定の列アドレスのマスクビットの有無を調べ、マスクビットが既に書き込まれていれば、その列アドレスのデータを読み出さないように構成している。 - 特許庁

More specifically, it is preferable that the insulating board 12 be formed of AlN, Si3N4 or Al2O3, the heat sink 13 is formed of Al or Cu, and the buffer layer 14 is formed of AlSiC, a carbon board or an AlC composite material.例文帳に追加

具体的には絶縁基板１２がＡｌＮ，Ｓｉ_3Ｎ_4又はＡｌ_2Ｏ_3により形成され、ヒートシンク１３がＡｌ又はＣｕにより形成され、緩衝層１４がＡｌＳｉＣ、カーボン板又はＡｌＣ複合材により形成されることが好ましい。 - 特許庁

In this electric double layer capacitor, a capacitor element 13 and electrolytic solution (not shown in figure) which are sealed in a case 12 sealed with a sealing member 11 are disposed, and further a solid buffer 16 for restraining fluctuation of pH of the electrolytic solution is disposed in the case 12.例文帳に追加

封口体１１により封口されたケース１２内に封入されたコンデンサ素子１３および電解液（図示せず）を備え、ケース１２内に、電解液のｐＨの変動を抑制する固体バッファ１６をさらに備えた電気二重層キャパシタとする。 - 特許庁

The IGBT having a buffer layer is constructed so that a small-carriers concentration in forward conduction is higher than an impurity concentration in the region unaffected by an electric field when a break-down voltage is applied forward.例文帳に追加

また、バッファ層を有するＩＧＢＴにおいて、順方向にブレークダウン電圧が印加されたときに電界がかからない領域では、順方向導電時の少数キャリア濃度が当該領域の不純物濃度よりも高くなる構成とする。 - 特許庁

Fine powder is sprayed on a metal substrate surface contacting with an electrode structuring a unit cell of a metal separator with carrier gas from a tip of a minute hole nozzle to form a precise buffer layer, on which a conductive protection film is formed.例文帳に追加

金属セパレータの前記単位セルを構成する電極と接触する金属基材表面に、微粉末をキャリアガスとともに微小孔ノズルの先端から吹き付けて緻密なバッファ層を形成し、前記バッファ層上に導電性保護膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a CIS-based thin film solar cell with high production efficiency by which a high-resistance buffer layer of the CIS-based solar cell can be efficiently manufactured through a series of production lines and waste liquid need not be treated.例文帳に追加

本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide an SiP-type (system in package) semiconductor device which can form a buffer layer in contact printing, and can inexpensively realize formation of an alignment mark for realizing automation of dicing to reduce a manufacturing cost, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

コンタクト印刷でバッファ層を形成することが可能で、さらに製造コスト削減のためのダイシングの自動化を実現するアライメントマークの形成を安価に実現することができるＳｉＰ形態の半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

A first polysilicon film 28 and a buffer oxide film 29 are sequentially formed on a semiconductor substrate comprising an etched layer, and further a second polysilicon film 30, a polish stop film 31, and a first oxide film 32 are stacked to form a hard mask.例文帳に追加

被エッチング層を有する半導体基板上に第１ポリシリコン膜２８とバッファ酸化膜２９を順次形成し、さらに第２ポリシリコン膜３０、研磨停止膜３１及び第１酸化膜３２が積層された構造のハードマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for obtaining a photonic device, and its fabricating method, in which an AlGaInN buffer layer having excellent crystallinity is formed on a sapphire substrate with no crack, and an AlGaInN device multilayer film having excellent crystallinity is formed thereon with no crack.例文帳に追加

サファイア基板の上に、クラックがなく、結晶性に優れたＡｌＧａＩｎＮバッファ層を有し、その上にクラックがなく、結晶性に優れたＡｌＧａＩｎＮデバイス多層膜を成膜してフォトニックデバイスを得る基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In receiving a data transmission request from the CPU 21 of a portable digital audio layer 20, the CPU 12 reads the predetermined portion of digital data stored in the buffer area of the memory 14 to send the same to the portable digital audio player 20 via a DIT 16.例文帳に追加

ＣＰＵ１２は、ポータブルデジタルオーディオプレーヤ２０のＣＰＵ２１からデータ送信要求を受信すると、メモリ１４のバッファ領域に蓄積されているデジタルデータの所定分を読み出して、ＤＩＴ１６を介してポータブルデジタルオーディオプレーヤ２０へ送る。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor substrate that can form a high- resistant compound semiconductor buffer layer of reduced crystal defect on an Si substrate and can provide high-frequency devices, for example, ESFET, HEMT, or the like, of good properties formed thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に結晶欠陥の少ない、高抵抗の化合物半導体バッファ層を形成し、その上に形成されるＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴ等の高周波デバイスにおいて良好な特性を持つ化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

In a transistor operating in a bipolar mode, a thickness of an N-type buffer layer 4 is set to 20 to 40 μm or preferably 40 μm, a peak concentration is set to 1×1015-1×1016 cm-3 or preferably 1×1016 cm-3.例文帳に追加

バイポーラモードで動作するトランジスタにおいて、Ｎバッファ層４の層厚を２０μｍ〜４０μｍ、好ましくは４０μｍとし、ピーク濃度を１×１０^１５ｃｍ^−３〜１×１０^１６ｃｍ^−３、好ましくは１×１０^１６ｃｍ^−３とする。 - 特許庁

In a condition that the contact legs 16a, 16b are laid on a buffer layer 4 and kept in contact with it, a solution for pattern formation is supplied in the holes 15a, 15b surrounded by the contact legs 16a, 16b so that the solution may spread evenly in all the corners.例文帳に追加

当接脚部１６ａ、１６ｂをバッファ層４上に載置して当接させた状態で、当接脚部１６ａ、１６ｂで囲まれたパターン孔１５ａ、１５ｂ内にパターン形成用溶液が隅々にまで行き渡るように供給する。 - 特許庁

To enable reduction of crystal defect of a conventional strain- relaxation buffer layer and a burden on a growing device in III-V compound semiconductor epitaxial wafer having an operative region where a substrate crystal and a grating constant are different equal to or greater than 0.15%.例文帳に追加

基板結晶と格子定数が０．１５％以上異なる動作領域を持つIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、従来の歪緩和バッファ層の結晶の欠点と、成長装置の負担を低減することを可能とする。 - 特許庁

A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と能動層４０との間に、平面内にＩｎＡｓ核をドット状（島状）に形成し、その上にＩｎＡｓ核が埋まる程度にIII−Ｖ族化合物半導体のバッファ層２０を成長した構造を設ける。 - 特許庁