「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The SiC semiconductor is characterized in that 3C-SiC is formed by an epitaxial growth method on the surface of a Si wafer interposing a buffer layer of BP being a sphalerite-type single crystal between the 3C-SiC and the Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウェーハの表面に、ＢＰのバッファー層を介して、３Ｃ−ＳｉＣがエピタキシャル成長により形成されているＳｉＣ半導体であって、そのＢＰが閃亜鉛鉱型の単結晶である。 - 特許庁

Thereby, even when the transmission buffer of the transaction layer 153 interposes, the priority can be arbitrated while maintaining the consistency between the setting of the arbiter and the priority of the actual traffic.例文帳に追加

これにより、トランザクション層１５３の送信バッファが介在している場合であっても、アービタ１３の設定と実際のトラフィックのプライオリティの整合性を維持しつつ優先度の調停を行なうことができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element and a method of forming the same, wherein a nitride semiconductor crystal formed on a high temperature AlN buffer layer is given with good crystal quality and good reproducibility.例文帳に追加

高温ＡｌＮバッファ層上に形成される窒化物半導体結晶の結晶品質が良好なものを再現良く得ることできる窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The epitaxial growth method comprises interposing BP being the sphalerite-type single crystal as the buffer layer when the 3C-SiC is epitaxially grown on the surface of the Si wafer being the substrate.例文帳に追加

基板となるＳｉウェーハの上に３Ｃ−ＳｉＣをエピタキシャル成長させる際に、ＢＰをバッファー層として介在させるＳｉＣエピタキシャル成長方法であって、そのＢＰが閃亜鉛鉱型の単結晶である。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor element structure wherein crystal defects are reluctant to occur along the boundary between a buffer zone and a semiconductor element layer and wherein high-quality element layers are realized with stability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

バッファ層と素子層との境界において結晶欠陥が発生しにくく、ひいては高品質の素子層を安定的に実現できる半導体素子構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to alleviate the stress to be applied to the post, a stress buffer material 10 such as a metal layer having a low Young's modulus such as, for example, gold (Au), palladium (Pd) or the like is inserted to an intermediate of the post 4.例文帳に追加

ポスト４に加わる応力を緩和させるために、ポスト４の中間に例えば、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等の低ヤング率の金属層などの応力緩衝材１０を挿入した。 - 特許庁

An inclined angle A of a face (0001) (reference face S_R3 shown in Fig.5) of a GaN support substrate and a face (0001) of a buffer layer 33a is ≥0.05 degree and ≤2 degrees.例文帳に追加

ＧａＮ支持基体の（０００１）面（図５において示された参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。 - 特許庁

When the object is a directory, a prior-read command information generating section 111 records look-ahead command information acquiring the list of the object names in one lower layer and attribute information in a look-ahead command buffer 121.例文帳に追加

先読指示情報生成部１１１は、そのオブジェクトがディレクトリの場合、一下位層のオブジェクト名の一覧と属性情報を取得する先読指示情報を先読指示バッファ１２１に記録する。 - 特許庁

When the device is in a turn-on state, if a voltage is applied between the source and the drain, the concentration of an electric field in the edge of the n-type buffer layer 13 can be reduced than in the conventional method.例文帳に追加

したがって、素子がターンオフしている状態において、ソース・ドレイン間に電圧を印加した場合に、バッファ層１３のエッジ部での電界集中を従来に比べて一層防止することができる。 - 特許庁

A fine hole in a pyramid shape for which a side wall is a {111} plane is provided on the surface of the Si single crystal substrate and the buffer layer composed of the BP base material is formed on the substrate surface by a vapor growth method.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板表面に側壁を｛１１１｝面とする四角錐状の細孔を設け、該基板表面上に気相成長法によりＢＰ系材料からなる緩衝層を形成する。 - 特許庁

Further, the actuator device 3 is provided with: a buffer member 16 which is prepared in the lens holder 9 to prevent the objective lens 6 from being brought contact with the optical disc D; and a photocatalyst layer 17 containing a photocatalyst substance which is prepared on the outer surface of the buffer member 16 and is activated by the laser beam.例文帳に追加

さらにアクチュエータ装置３はレンズホルダ９に設けられかつ対物レンズ６に光ディスクＤが接触することを防止する緩衝部材１６と緩衝部材１６の外表面に設けられかつレーザ光によって活性化される光触媒物質を含んだ光触媒層１７とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor heterostructure comprises a support substrate with a first in-plane lattice parameter, a buffer structure formed on the support substrate and having on top in a lattice relaxed state a second in-plane lattice parameter, and a multi-layer stack of ungraded layers formed on the buffer structure.例文帳に追加

本発明は、第１の面内格子定数をもつ支持基板と、該支持基板上に形成されていて、上部に格子緩和状態おいて第２の面内格子定数をもつ緩衝構造と、および該緩衝構造上に形成された組成非傾斜層の多層積層とを備えた半導体ヘテロ構造に関するものである。 - 特許庁

An I/O cell 14 includes a pad 2, an output buffer and input buffer connected to the pad 2, a power supply wiring 3 formed by using the same wiring layer as that of the pad 2, and a clamp diode (an anode region 29 and a cathode region 31) being the protection element connected between the pad 2 and the power supply wiring 3.例文帳に追加

Ｉ／Ｏセル１４は、パッド２と、それに接続する出力バッファおよび入力バッファ、およびパッド２と同じ配線層を用いて形成された電源配線３と、パッド２と電源配線３との間に接続する保護素子であるクランプダイオード（アノード領域２９およびカソード領域３１）とを備える。 - 特許庁

Between the buffer layer and the emitter electrode, a buffer resistor 14 is inserted, and its resistance value is set smaller than that, which increases the voltage between the gate and emitter by the negative capacitance of the gate during a period of charging between the gate and collector by the voltage applied between the gate and emitter, when turning on the device.例文帳に追加

バッファ層とエミッタ電極との間にバッファ抵抗１４が挿入され、その抵抗値は、装置のターンオンの際に、ゲート・エミッタ間印加電圧によりゲート・コレクタ間を充電する期間において、ゲートの負性容量によりゲート・エミッタ間電圧の上昇を生じさせる抵抗値よりも小さくなるように設定される。 - 特許庁

This electroluminescence display is provided with the first glass substrate 100 having the EL element 101 on its surface, the second glass substrate 200 stuck to the first glass substrate 200 using sealing resin 150, a desiccant layer 210 formed on the surface of the second glass substrate 200, and a stress buffer layer 211 covering the surface of the desiccant layer 210.例文帳に追加

表面にＥＬ素子１０１を備えた第１のガラス基板１００と、第１のガラス基板２００とシール樹脂１５０を用いて貼り合わされた第２のガラス基板２００と、第２のガラス基板２００の表面に形成された乾燥剤層２１０と、乾燥剤層２１０の表面を被覆する応力緩衝層２１１と、を有する。 - 特許庁

In this epitaxial wafer for semiconductor device, a superlattice structure layer 12, in which un-GaAs layers 10 and un-AlGaAs layers 11 are grown alternately plural number of times between a semi-insulating GaAs substrate 1 and a subcollector layer 2 acts as a buffer layer, so that when defects exist in the semi-insulating GaAs substrate 1, the wafer is not affected by the defects.例文帳に追加

半導体デバイス用エピタキシャルウェハは、半絶縁ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間にｕｎ−ＧａＡｓ層１０とｕｎ−ＡｌＧａＡｓ層１１とを複数回交互に成長させた超格子構造層１２がバッファ層として機能するので、半絶縁ＧａＡｓ基板１に欠陥があっても影響を受けることがない。 - 特許庁

A buffer layer 3 shown by AlbGa1-bN (0≤b≤1) is formed on a nitride semiconductor substrate 1, a first nitride semiconductor layer shown by AleGa1-eN (0≤e<1) is formed on it, and then a second nitride semiconductor layer 5 is grown by a method for reducing dislocation by utilizing the lateral growth of the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体基板１上に、Ａｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層３を形成し、その上に、Ａｌ_eＧａ_1-eＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層４を形成した後、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、第２の窒化物半導体層５を成長させる。 - 特許庁

A nitride semiconductor element 40 includes a low-temperature deposition buffer layer 42 containing AlN on a substrate 41, a first nitride semiconductor single-crystal layer 43 containing the AlN with a first AlN molar fraction, and a second nitride semiconductor single-crystal layer 44 which contains the AlN with a second AlN molar fraction, and the second molar fraction is larger than the first one.例文帳に追加

本発明の窒化物半導素子（４０）は、基板（４１）上にAlNを含む低温堆積緩衝層（４２）と第一のAlNモル分率でAlNを含む第一の窒化物半導体単結晶層（４３）と第二のAlNモル分率でAlNを含む第二の窒化物半導体単結晶層（４４）とを含み、第二のAlNモル分率が第一のAlNモル分率より大きい。 - 特許庁

In a channel layer 103 made of SiGe containing C, a Ge composition is linearly changed from 0 to 50% from the end section of a silicon buffer layer side 102 toward that of the side of a silicon cap layer 104, and C is selectively contained by 0.5% in a region with 40 to 50% Ge composition, namely, a region where the Ge composition exceeds 30%.例文帳に追加

Ｃを含むＳｉＧｅからなるチャネル層１０３において、Ｇｅ組成は、シリコンバッファ層側１０２の端部からシリコンキャップ層１０４側の端部に向かって０％から５０％に直線的に変化し、ＣはＧｅ組成が４０％から５０％の領域（つまり３０％を越える領域）に選択的に０．５％含有されている。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

In this graphite sheet 1 constituted by integrating a plurality of graphite sheets, at least one graphite layer is formed of dense high heat conductive layers 2, 3, and 4 being high oriented graphites constituted by stacking the layer-shaped structures of graphites, and at least one graphite layer is formed of buffer layers 6 and 7 having foamed compositions.例文帳に追加

複数のグラファイト層を一体化したグラファイトシート１であって、前記グラファイト層の少なくとも一層をグラファイトの層状構造が積み重なった高配向性グラファイトである緻密な高熱伝導層２，３，４で形成すると共に、少なくとも一層を発泡した組成を有する緩衝層６，７で形成したグラファイトシートを提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the III nitride semiconductor light- emitting element having the high light-emitting intensity comprises the step of providing the light-emitting part having a barrier layer made of the III nitride semiconductor, containing nitrogen(N) and a group V element other than nitrogen and a light-emitting layer via a buffer layer on the Si substrate and having superior crystallinity of a lattice-matching heterojunction structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に緩衝層を介して、窒素（Ｎ）と窒素以外の第Ｖ族元素とを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる障壁層と発光層とからなる格子整合系のヘテロ接合構造の結晶性に優れる発光部を設けることにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The laminated ceramic capacitor 10 has a configuration wherein a dielectric layer is located between a first internal electrode layer 2 and a second internal electrode layer 3, and buffer conductor layers 4 and 5 which are held coming into no contact with at least either of the internal electrode layers are provided closer to the external electrodes 8 and 9 than the opposed regions each located between the internal electrodes 2 and 3.例文帳に追加

第１内部電極層２と第２内部電極層３との間に位置する誘電体層の内部で、両内部電極層２、３の対向領域よりも外部電極端子８、９側に、少なくとも一方の内部電極層と非接触に保持された緩衝導体層４、５を配設してなる積層セラミックコンデンサ１０とする。 - 特許庁

The aluminum lithographic printing material having a physical developing nucleus layer between a silver halide emulsion layer and an aluminum support has such features that the silver halide emulsion layer contains an organic acid having the buffer capacity in the range from 5.5 to 4 pH and that the surface pH of the printing material in the emulsion side after application of the silver halide emulsion is 5 to 4.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層とアルミニウム支持体の間に物理現像核層を有するアルミニウム平版印刷材料に於いて、ハロゲン化銀乳剤層にpH５．５〜４の範囲に緩衝能を持つ有機酸を含有し、該ハロゲン化乳剤塗布後の乳剤面側の表面pHが５〜４であることを特徴とするアルミニウム平版印刷材料。 - 特許庁

On an Si (100) substrate 1, a c-InN single-crystal film 4 is formed with a buffer layer 2 interposed having a superlattice structure which consists of a plurality of alternately deposited c-BP single-crystal layers 2a and Si single-crystal layers 2b, with the uppermost c-BP single-crystal layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にｃ−ＢＰ単結晶層２ａとＳｉ単結晶層２ｂとを交互に多数層積層し、かつ、最上層をｃ−ＢＰ単結晶層とした超格子構造のバッファ層２を介在してｃ−ＩｎＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁

A mask having a zigzaged shape window or a striped window is formed on a GaAs(111) substrate, a GaN buffer layer is formed at a low temperature by HVPE method or MOC method, a GaN epitaxial layer is formed thick at a high temperature by the HVPE method, and the GaAs substrate is removed.例文帳に追加

ＧａＡｓ（１１１）基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、ＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法により低温でＧａＮバッファ層を形成し、ＨＶＰＥ法により高温でＧａＮエピタキシャル層を厚く形成し、ＧａＡｓ基板を除去する。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescent) element restrained or reduced in driving voltage rise due to damage to an organic EL layer in forming an upper electrode by a high-energy film formation method, in an organic EL element including a buffer layer containing a phthalocyanine compound, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フタロシアニン化合物を含有するバッファ層を含む有機ＥＬ素子において、高エネルギー成膜法による上部電極の形成の際の有機ＥＬ層へのダメージによる駆動電圧上昇を抑制または低減化した有機ＥＬ素子及びその製造を提供すること。 - 特許庁

A sapphire substrate is used as a different kind of substrate 11, then a buffer layer (not shown in figure) having a film thickness of ≤300 Å and composed of GaN is formed on the sapphire substrate by using a MOCVD system, and a catalyst layer 12 is formed in a pattern form on the different kind of substrate 11 (a).例文帳に追加

異種基板１１としてサファイア基板を使用し、ＭＯＣＶＤ装置を用いて前記サファイア基板上に３００Å以下の膜厚でＧａＮからなるバッファー層（図示せず）を形成した後、前記異種基板１１の上に触媒層１２をパターン形成する（ａ）。 - 特許庁

This method for producing the phosphatidylethanolamine derivative is characterized in that the objective derivative is produced by reacting a phosphatidylethanolamine with a dicarboxylic anhydride by using an organic solvent free from active hydrogen, mixing the resultant product with a buffer solution having pH 3.5-7.5, separating an organic solvent layer by phase separation, and removing an organic solvent from the resultant organic solvent layer.例文帳に追加

活性水素を持たない有機溶媒を用いてホスファチジルエタノールアミンとジカルボン酸無水物を反応させた後、ｐＨ３．５〜７．５の緩衝液と混合し、分層した後、有機溶媒層より有機溶媒を除去することを特徴とするホスファチジルエタノールアミン誘導体の製造方法。 - 特許庁

This photoelectric conversion device 10 includes: a light-absorbing layer 3 containing a I-III-VI compound semiconductor, and having a part where a molar ratio of a group I-B element to a group III-B element is smaller on one principal surface side than that on the other principal surface side; and a buffer layer 4 formed on the one principal surface.例文帳に追加

光電変換装置１０は、Ｉ-III-VI化合物半導体を含み、Ｉ-Ｂ族元素のIII-Ｂ族元素に対するモル比が他方主面側よりも一方主面側において小さい部分を有する光吸収層３と、前記一方主面上に設けられたバッファ層４と、を具備する。 - 特許庁

A photoresist layer used as a pattern for forming pattern wiring is partly masked and laser is applied to the photoresist layer positioned in gaps between contact pins 21a, thereby forming the buffer agent 26 made of the photoresist packed between adjoining contact pins 21a.例文帳に追加

パターン配線を形成する際に型として用いられるフォトレジスト層に、コンタクトピン２１ａ同士の隙間に位置しているフォトレジスト層の一部にマスクを施してレーザを照射することにより、隣接するコンタクトピン２１ａ同士の隙間に充填されてフォトレジストからなる緩衝剤２６を形成する。 - 特許庁

A layer (low-reflection layer) 3a with optical reflectivity lower than that of bus lines 4a, which is patterned in the same shape as the bus lines 4a, is provided so as to cover the bus lines 4a in a buffer film 3 formed between a viewing side glass substrate 2 and an insulating film 4 where the bus lines 4a are disposed.例文帳に追加

視認側のガラス基板２とバスライン４ａを設けた絶縁膜４との間に形成したバッファ膜３に、バスライン４ａと同形状にパターニングされた、バスライン４ａよりも光反射率が低い層（低反射層）３ａを、バスライン４ａを覆うように設けている。 - 特許庁

An epitaxial growth layer 13 consisting of the group III nitride semiconductor is formed through a buffer layer 12 on a sapphire substrate 11 which has a surface A (a surface parallel to C axis of sapphire single crystals) as its main surface, and a gate electrode 16, source electrode 15, and drain electrode 17 are formed on it.例文帳に追加

Ａ面（サファイア単結晶Ｃ軸に平行な面）を主面とするサファイア基板１１上に、バッファ層１２を介してIII族窒化物半導体からなるエピタキシャル成長層１３を形成し、その上にゲート電極１６、ソース電極１５およびドレイン電極１７を形成する。 - 特許庁

The electrode films 12a and 14a which are laminated via the buffer layer 40 are baked, thereby the dielectric composite which is contained in the electrode films 12a and 14a is diffused into portion between electrode films 12a and 14a, and therefore the dielectric layer 10 is formed between the electrode films 12a and 14a.例文帳に追加

バッファ層４０を介して積層された電極膜１２ａ，１４ａを焼成し、電極膜１２ａ，１４ａに含まれる誘電体組成物を、電極膜１２ａ，１４ａの間に拡散させ、電極膜１２ａ，１４ａの間に誘電体層１０を形成する。 - 特許庁

Protrusions and recesses (or a level difference) 1a are formed on the surface of a crystal substrate 1 composed of a material different from a GaN-based semiconductor and a GaN-based crystal 2 is grown directly on the surface where protrusions and recesses are formed with no intermediary of a low temperature GaN-based buffer layer thus obtaining a GaN-based crystal layer 3.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる結晶基板１の表面に凹凸（または段差）１ａを加工し、該凹凸の加工された表面に低温ＧａＮ系バッファ層を介することなく直接的にＧａＮ系結晶２を成長させ、ＧａＮ系結晶層３とする。 - 特許庁

In this method, a substrate temperature is set to 400°C or higher, and the absorption layer 4 made of a group I-III-VI_2 compound and the buffer layer 3 made of a group II-III_2-VI_4 compound are continuously formed in the same apparatus by a vapor deposition process.例文帳に追加

当該製造方法において、基板温度を４００℃以上に設定し、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ_2族化合物からなる光吸収層４、およびＩＩ−ＩＩＩ_2−ＶＩ_4族化合物からなるバッファ層３を蒸着法により同一装置において連続的に形成する。 - 特許庁

By intentionally forming the buffer layer 32 of the air layer between the light emitting element 10 and the sub mount substrate 20 in such a manner, the thermal shock resistance of the light emitting device is improved and reliability when mounting the sub mount substrate 20 on a support body 50 or the like eutectically or the like is improved.例文帳に追加

このように発光素子１０とサブマウント基板２０との間に空気層の緩衝層３２を意図的に形成することで、発光装置の耐熱衝撃性を高め、サブマウント基板２０を共晶などで支持体５０上などに実装する際の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

Thus, a columnar polycrystalline ZnO buffer layer for which the (c) axis orientatability is high and a grain size in a horizontal direction is small within the (C) plane is formed, and a nitride based semiconductor single crystal layer less influenced by heat distortion from the Si substrate is manufactured on it.例文帳に追加

これにより、ｃ軸配向性が高くＣ面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ＺｎＯバッファ層が形成でき、この上にＳｉ基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。 - 特許庁

This fuel cell further comprises a buffer layer 6, formed of an ion conductive material having a kinetic viscoelasticity coefficient at 110°C smaller than that of the electrolytic film 1 and larger than that of the ion conductive polymer binder of the catalyst layer 5.例文帳に追加

高分子電解質膜１と、電極２，３の触媒層５との間に、１１０℃における動的粘弾性係数が高分子電解質膜１より小さく触媒層５の該イオン導伝性高分子バインダーより大きいイオン導伝性材料からなる緩衝層６を備える。 - 特許庁

A buffer layer 2 laminated between an element layer 4 and a single crystal substrate 3 so as to be butted to them is provided with at least three kinds of lamination interfaces 12 by selecting the kinds of compound semiconductors configuring two layers made adjacent with the lamination interfaces 12 interposed.例文帳に追加

素子層４と単結晶基板３とに当接するように、それらの間に積層形成されるバッファ層２が、少なくとも３種の積層界面１２を有するように、該積層界面１２を挟んで隣接する２層を構成する化合物半導体の種類を選別する。 - 特許庁

On a multilayered body (referred to a "GaN" substrate) produced by forming a GaN layer on a sapphire substrate through an AlN buffer layer and adding Mg, a metal (Pt and Ni) electrode 50 nm is (1) deposited after heating the GaN substrate at 300°C, (2) the GaN substrate is deposited at room temperature, or (3).例文帳に追加

サファイア基板上にＡｌＮバッファ層を介してＧａＮ層及びＭｇを添加した積層体（「ＧａＮ」基板をいう。）上に金属（Ｐｔ及びＮｉ）電極５０ｎｍを、▲１▼ＧａＮ基板温度を３００℃に加熱した後に蒸着、▲２▼ＧａＮ基板を室温にて蒸着した。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a hetero epitaxial wafer structured so that an element layer constituted of a compound semiconductor is hetero-epitaxially grown through a buffer layer on the main surface of a substrate capable of reducing a residual stress even when a linear expansion coefficient difference between the substrate and the element layer is large, and effectively suppressing the bending of the wafer or crystal defect generation to the element layer or the like.例文帳に追加

基板の主表面上に、バッファ層を介して化合物半導体よりなる素子層をヘテロエピタキシャル成長させた構造とされるヘテロエピタキシャルウエーハにおいて、基板と素子層との間の線膨張係数差が大きい場合にも、残留する応力を低減することができ、ひいては、ウエーハの反りや素子層への結晶欠陥発生などを効果的に抑制できるヘテロエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

An HEMT has an i-InAlAs buffer layer 2, an i-InGaAs channel alyer 3, an i-InAlAs spacer layer 4, a δ-dope sheet 5, a barrier layer 6, and an n-InGaAs cap layer 7 that are sequentially formed on an InP substrate 1, and a drain electrode 8 as well as a source electrode 8 that are formed on the n-InGaAs cap layer 7.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に順次形成したｉ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層２、ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層３、ｉ−ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４、δ−ドープシート５、バリア層６、ｎ−ＩｎＧａＡｓキャップ層７、およびｎ−ＩｎＧａＡｓキャップ層７上に形成されたソース電極８並びにドレイン電極９を有するＨＥＭＴのゲート電極１１を、バリア層６およびδ−ドープシート５を貫通してｉ−ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４に達するように形成する。 - 特許庁

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer.例文帳に追加

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 - 特許庁