「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The sticky buffer layer 2 is formed of a rubber component such as diene rubber or the like and a tackifier such as a rosin resin or the like and the ratio (weight ratio) of both of them may be about former/latter=30/70-100/0.例文帳に追加

粘着性緩衝層２は、ジエン系ゴムなどのゴム成分とロジン系樹脂などの粘着付与剤とで形成され、かつ両者の割合（重量比）が、前者／後者＝３０／７０〜１００／０程度であってもよい。 - 特許庁

The second lens group 120 includes: a fourth lens element 121, a second transparent body 122; a second buffer layer 123; and a fifth lens element 124, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 140.例文帳に追加

第２レンズ群１２０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第４レンズエレメント１２１と、第２透明体１２２と、第２バッファ層１２３と、第５レンズエレメント１２４と、を含む。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for dicing, which includes a base sheet having polyvinyl chloride as a principal component, the adhesive sheet having improved long-term storage stability of tack strength without including a buffer layer.例文帳に追加

ポリ塩化ビニルを主成分とする基材シートを備えたダイシング用粘着シートにおいて、バリア層を設けることなく、粘着力の長期保存安定性を向上させたダイシング用粘着シートを提供する。 - 特許庁

A base material for electron emitters 10 has attached with it a graphite-containing film 12 as a buffer layer suitable for conditions of carbon film forming by direct current plasma on the surface of a conductive wire 11 as a raw material example.例文帳に追加

本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emission device for compatibly improving light emission efficiency and reducing element resistance by totally eliminating the resistance of a buffer layer formed between a substrate and a formed film and contriving the shape.例文帳に追加

基板と成膜した膜との間に形成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫することにより、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立した半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, trimethylgallium, ammnonia and silane are introduced, while the substrate temperature of 1,050°C and pressure in the furnace are maintained at 1,050°C and 30 kPa, respectively, and a GaN buffer layer 3 of 1 micrometer thickness is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁

A first polycrystalline silicon film 31 provided on a first relatively thin insulating film 30 under a gate bonding pad 26 functions as a stress buffer layer for buffering stress applied to the first insulating film 30.例文帳に追加

ゲートボンディングパッド２６下の比較的薄い第１の絶縁膜３０上に設けられた第１の多結晶シリコン膜３１は、第１の絶縁膜３０に印加される応力を緩衝する応力緩衝層として機能する。 - 特許庁

The radiation of radical oxygen is then stopped so that the buffer layer of the substrate surface is not affected by oxygen (S3), and the temperature of the substrate is raised up to the growth temperature of the desired ZnO oxide semiconductor (S4).例文帳に追加

ついで酸素ラジカルの照射を止め、酸素が基板表面のバッファ層に影響しないようにし（Ｓ３）、目的とするＺｎＯ系酸化物半導体の成長温度まで基板温度を上昇させる（Ｓ４）。 - 特許庁

In addition 20 to 100 mol % of PZT precursor adding excess Pb is used with lead titanate as a buffer layer to permit the use of the substrate inexpensive and having a low melting point such as glass and Al metal.例文帳に追加

また、チタン酸鉛をバッファー層として使用し、２０〜１００ｍｏｌ％のＰｂ過剰添加のＰＺＴ前駆体ゾルを使用し、ガラス、金属Ａｌ等の安価で低融点の基板を使用することを可能とする。 - 特許庁

To provide: a semiconductor wafer allowing a compound semiconductor layer to be thickly formed on a substrate, and capable of reducing parasitic capacitance generated in a buffer region; a semiconductor element; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion element 1, buffer layers 13a and 13b each formed of a mixture body of magnesium silicide and a metal material are formed between the thermoelectric conversion layer 11 and the electrode layers 12a and 12b.例文帳に追加

本発明に係る熱電変換素子１は、熱電変換層１１と電極層１２ａ，１２ｂとの間にマグネシウムシリサイドと金属材料との混合体からなるバッファ層１３ａ，１３ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加

従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

This case has a storage opening at part of a box type consisting of layers of a facing material 1 and a buffer layer 2, and the portable electronic equipment is fixed to the storage opening with a band 3 fitted with 'Magic Tape(R)' 4.例文帳に追加

外装材１と緩衝材２の複数の層からなる箱型の一部に収納口を有し、その収納口にマジックテープ４を取り付けたバンド３で携帯型電子機器を固定する構造を持つケース。 - 特許庁

After the wafer 10 for the temperature measurement is charged in a plasma CVD device, an FSG film 30 sedimented on the protection film 12 and the protection film 12 are removed by buffer hydrofluoric acid to expose the second semiconductor layer 11b.例文帳に追加

温度測定用ウェハ１０をプラズマＣＶＤ装置に投入した後、保護膜１２上に堆積したＦＳＧ膜３０と保護膜１２とをバッファードフッ酸により除去して、第２の半導体層１１ｂを露出する。 - 特許庁

A heat cleaning step is carried out within the range from 680 to 720°C, and afterwards a GaAs buffer layer 16 is formed on the surface of the substrate 10, so the dull of the top between V grooves that became dull by the heat cleaning step is recovered.例文帳に追加

６８０℃から７２０℃の範囲内で熱クリーニングし、その後、基板１０の表面上にＧａＡｓバッファ層１６を形成することで、熱クリーニングにより鈍ったＶ溝間の頂部の当該鈍りを回復させる。 - 特許庁

A GaN (0001) or an AlN (0001) single crystal film, or a super-lattice structure of the GaN (0001) and the AlN (0001) is formed on a Si (110) substrate via a 2H-AlN buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 - 特許庁

In the static induction thyristor 14, the impurity concentration or thickness in a base region and a buffer layer region is determined so that a peak voltage V_D attained by a peak current I_p in a punch-through status does not exceed a withstand voltage of the static induction thyristor 14.例文帳に追加

SIThy１４は、パンチスルー状態となるピーク電流Ｉ_ｐによって実現されるピーク電圧Ｖ_ＤがSIThy１４の耐電圧を超えないようにベース領域とバッファ層領域の不純物濃度や厚みが決定される。 - 特許庁

In a process S108, a material gas G1 containing hydrogen, trimethyl aluminum and ammonia in addition to nitrogen is supplied to a growth furnace 10 at time t5 to grow the AlN buffer layer 13 on a principal surface 11a.例文帳に追加

工程Ｓ１０８では、時刻ｔ５において、窒素に加えて、水素、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを含む原料ガスＧ１を成長炉１０に供給して、主面１１ａ上にＡｌＮバッファ層１３を成長する。 - 特許庁

To provide a power module substrate with a heat sink and a power module with a heat sink capable of increasing junction reliability during a heat cycle, by preventing the concentration of stress at the corner of a buffer layer and also by reducing the heat resistance.例文帳に追加

緩衝層の角部の応力集中を抑え、また熱抵抗を低減して、熱サイクル時における接合信頼性を高めることができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュールを提供する。 - 特許庁

The growth member 7 is subjected to wet etching to etch the buffer layer 2 from end parts of each growth portion 9, and then, a group III nitride single crystal is grown on the seed crystal film 3 by a flux method.例文帳に追加

育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 - 特許庁

An upsampling module 314 transmits a notification signal to a DMA (Direct Memory Access) 311 for a high-resolution line, when a DMA 313 for a low resolution line stores a background layer read from a main memory 7 into a line buffer.例文帳に追加

アップサンプリングモジュール３１４は、低解像度ライン用ＤＭＡ３１３がメインメモリ７から読み出した背景レイヤー７２をラインバッファに格納すると、通知信号を高解像度ライン用ＤＭＡ３１１へ送出する。 - 特許庁

The filter structure creates flow resistance in a direction of the plasma 1 and a propagating direction of the radiation, the increased gas pressure of the buffer gas 5 remains limited to a predetermined volume layer of the debris filter to the pressure of a vacuum chamber, and the buffer gas 5 coming from the filter structure of the debris filter is suctioned from the vacuum chamber by a vacuum pump.例文帳に追加

フィルタ構造はプラズマ１の方向および放射線の伝播方向において流れ抵抗を生成し、真空室における圧力に対して、緩衝ガス５の増大したガス圧力がデブリフィルタの所定の体積層に制限されたままであり、デブリフィルタのフィルタ構造から出る緩衝ガス５は真空ポンプによって真空室から吸引される。 - 特許庁

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer, when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer; and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The organic FET 1 is provided with a gate electrode 2 at one side of a gate insulating film 4 and the source electrode 10 as well as the drain electrode 12, both of which are arranged in other side of the insulating film 4 above the organic semiconductor layer 6 with a given space and, further, provided with a buffer layer 8 formed between both electrodes 10, 12 and the organic semiconductor layer 6.例文帳に追加

有機ＦＥＴ１は、ゲート絶縁膜４の一側にゲート電極２を有しており、ゲート絶縁膜４の他側には有機半導体層６、及びその上方に一定の間隔をおいて配置されたソース電極１０及びドレイン電極１２を有しており、さらに両電極１０，１２と有機半導体層６との間にバッファ層８が形成されている。 - 特許庁

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer, and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer for realizing improved characteristics by preventing a highly conductive part (conductive layer) from being formed in a buffer layer due to the mixture of conductive impurities in the epitaxial layer, when manufacturing an electronic device, such as a field effect transistor and a hetero junction bipolar transistor including a high electron mobility transistor, on the semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

When the Ge-doped compound semiconductor such as a Ge-doped GAN layer 4 is formed on an AIN high-temperature buffer layer 2 and an undoped GAN base layer 3 which are stacked on a sapphire substrate 1, an organic germanium compound is used as an impurity source which contains at least one selected from a group composed of tetramethylgermanium and tetraethylgermanium as the additional source of germanium.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡＩＮ高温緩衝層２，アンドープＧＡＮ下地層３とを積層した上にたとえばＧｅドープＧＡＮ層４のようなＧｅドープ化合物半導体を形成する際に、ゲルマニウム添加源としてテトラメチルゲルマニウムおよびテトラエチルゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む有機ゲルマニウム化合物を不純物源として用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer used suitably in case of preventing a part (conductive layer) from being formed in high conductivity into a buffer layer by mixing a conductive dopant into an epitaxial layer, and, as a result, realizing to produce, a field effect transistor with high property (FET, HEMT, etc.).例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

In the buffer member 5, a conductive connection layer 7 comes in contact with a hard disk drive 2 and the storing section 1a, accordingly the static electricity charged in the hard disk drive 2 and electromagnetic wave noise can be discharged to the storing section 1a or a chassis of a notebook PC1 that conducts a current to the storing section 1a, through conductive connection layer 7.例文帳に追加

緩衝部材５はハードディスク装置２と格納部１ａに対し導電接続層７が接触しているため、ハードディスク装置２に帯電する静電気や電磁波ノイズを導電接続層７を通して格納部１ａ又は格納部１ａと導通するノートＰＣ１の筐体へ逃がすことができる。 - 特許庁

Each sound absorbing body 2 includes a porous body 21 of a flat plate shape and a waterproof layer 22 provided on an outer face of the porous body 21, and a buffer body 23 of a plate shape as a pressure absorbing means is arranged in parallel with a side face of the porous body 21, between the porous body 21 and the waterproof layer 22.例文帳に追加

各セル構造の吸音体２は、平板状の多孔質体２１と、多孔質体２１の外面に設けられた防水層２２とを備えており、多孔質体２１と防水層２２との間には圧力吸収手段としての板状の緩衝体２３が多孔質体２１の側面と平行に配設されている。 - 特許庁

The scattered light, generated on the rear surface of the InP substrate 1, is prevented from reaching the light receiving section adjoining that to which light is made incident by absorbing the light by inserting an InGaAs scattered light preventing layer 7 sandwiched between InP buffer layers 9 and 10 between the substrate 1 and an InGaAs light-absorbing layer 5.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１とＩｎＧａＡｓ光吸収層５の間に、ＩｎＰバッファー層９、１０間に挟まれたＩｎＧａＡｓ散乱光防止層７を挿入し、ＩｎＰ基板の裏面で生じた散乱光を吸収させ、光が入射した受光部に隣接する受光部へ散乱光が到達しなくした。 - 特許庁

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。 - 特許庁

When one of the objects in one lower layer of the above-mentioned object is selected by the operation section 101, the main thread 103 does not access the server 152 at that timing, but reads the list of the object names in one lower layer of the corresponding object and the attribute information from the processing result buffer 122, and displays them on a display 102.例文帳に追加

操作部１０１により、上述したオブジェクトの一下位層のいずれかのオブジェクトが選択されると、メインスレッド１０３は、そのタイミングでサーバ１５２にはアクセスせず、対応するオブジェクトの一下位層のオブジェクト名の一覧と属性情報を処理結果バッファ１２２より読み出してディスプレイ１０２表示する。 - 特許庁

Thereafter, the metal board under the insulating resin layer 12 is etched, whereby outer terminals 19, a board reinforcing bodies 20, and mount reinforcing bodies 21 are formed on the underside of the insulating resin layer 12, and buffer metal layers 25 to 27 and a pad 18 are formed on the metal-exposed part of a circuit board 11.例文帳に追加

この後、絶縁樹脂層１２の下面の金属板をエッチングすることで、絶縁樹脂層１２の下面に外部端子１９と基板補強体２０と搭載部補強体２１を同時に形成した後、回路基板１１の金属露出部に、無電解メッキ等によりバッファメタル層２５〜２７とパッド１８を形成する。 - 特許庁

In the data link transmitting part in a wireless packet communication system, a plurality of IP packets are stored in one data link frame and transmitted by a buffer 12 so that overhead due to a header and error correction code to be added in a data link layer and a physical layer can be reduced, and through-put can be improved.例文帳に追加

無線パケット通信システムのデータリンク送信部において、複数のＩＰパケットをバッファ１２で、１つのデータリンクフレームに格納して、送信することにより、データリンク層ならびに物理層で付加されるヘッダならびに誤り訂正符号によるオーバーヘッドを少なくし、スループットを向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor layers 3a, 3b are formed to local areas on the buffer layer 2, and a channel layer 4 is formed in the dopant concentration lower than the semiconductor layers 3a, 3b using the same semiconductor material as the semiconductor substrate 1 on the opposing edges of the semiconductor layers 3a, 3b, or between the opposing edges thereof.例文帳に追加

そして、緩衝層２上に夫々局所的に半導体層３ａ及び３ｂを形成し、この半導体層３ａ及び３ｂの対向する端部上及びこれらの間に、半導体基板１と同じ半導体材料を使用し、半導体層３ａ及び３ｂよりもドーパント濃度が低いチャネル層４を形成する。 - 特許庁

The indicating element indicating a specified shape is composed of an organic electroluminescence element formed by laminating a transparent anode, an organic EL compound layer, a cathode buffer layer patterned in approximately the same shape as a specified shape, and a cathode on a transparent insulating substrate in the order.例文帳に追加

所定形状を表示する表示素子であって、透明絶縁基板上に、透明陽極と、有機ＥＬ化合物層と、該所定形状と略同一形状にパターニングされた陰極バッファー層と、陰極とがこの順序で積層された有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 is grown without using conditions of a V/III ratio less than 1,000 and without interposing a buffer layer on the surface of the GaN monocrystal board 1 by using conditions of the V/III ratio of 1,000 or more as the ratio (a mole ratio) of a nitrogen raw material to a gallium raw material in this case.例文帳に追加

この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor element 1 has the gate insulating film 17 formed between a channel layer 14 laminated over a substrate 11 via a buffer layer 13 and made of a p-type GaN-based compound semiconductor, and a gate electrode G, wherein the gate insulating film 17 is an SiO_2 film formed by a normal-pressure CVD method.例文帳に追加

基板１１上にバッファ層１３を介して積層されたｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなるチャネル層１４とゲート電極Ｇとの間にゲート絶縁膜１７が形成されたＧａＮ系半導体素子１において、ゲート絶縁膜１７が、常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ_2膜である。 - 特許庁

By controlling an epitaxial growth temperature and a supply amount of an n-type impurity doping gas with supplying organic metal gallium as a material gas on a substrate, carbon resulting from the organic metal gallium is subjected to doping and epitaxial growth by serving a nitride gallium layer that achieves an intended resistance as a buffer layer.例文帳に追加

基板上に、原料ガスとして有機金属ガリウムを供給しながら、エピタキシャル成長温度とｎ型不純物のドーピングガスの供給量を制御することにより、有機金属ガリウムに起因する炭素がドーピングされて所望の抵抗率となる窒化ガリウム層をバッファ層としてエピタキシャル成長する。 - 特許庁

The semiconductor multilayer structure 24 comprises a buffer layer 22 of a III nitride based semiconductor containing at least boron (B), and a GaN based semiconductor layer 23 formed sequentially on the crystal substrate 21.例文帳に追加

本発明の半導体積層構造は、結晶基板２１上に、少なくともホウ素（Ｂ）を含むＩＩＩ族窒化物系半導体からなる緩衝層２２と、ＧａＮ系半導体層２３を順次積層し、この緩衝層２２とＧａＮ系半導体層２３により半導体積層構造２４を構成したことを特徴とする。 - 特許庁

Before an outermost coil 4 is covered by a shielding layer S, the periphery of the outermost coil 4 is covered by an insulating plate 7 from four internal, external and both side directions and a buffer layer H is formed by orderly winding, while duplicating a clamping tape 8 having an absorbing property for heat hardening resin, on the periphery of the insulating plate 7.例文帳に追加

最外部の巻線４を遮蔽層Ｓで覆う前に、最外部巻線４の周囲を内・外および両側面の４方向から絶縁板７で覆い、その絶縁板７の周囲に熱硬化性樹脂に対して吸収性を有する締め付けテープ８を順に重複させながら巻き付けて緩衝層Ｋを形成する。 - 特許庁

The piezoelectric actuator is provided with base layers (31, 20) of SiO_2 or Si ((100) orientation or (110) orientation), a buffer layer (41) constituted of strontium ruthenate (SRO), and the piezoelectric layer (44) constituted of a relaxation dielectric (PMN-PT) of (001) orientation, which belongs to the rhombohedral system or pseudo-isometric system at room temperature.例文帳に追加

本圧電アクチュエータは、ＳｉＯ_２またはＳｉ（（１００）配向または（１１０）配向）の基層（３１、２０）、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳＲＯ）で構成されるバッファ層（４１）、リラクサ系誘電体（ＰＭＮ−ＰＴ）で構成された（００１）配向で室温で菱面体晶系または疑似立方晶系の圧電体層（４４）を備えている。 - 特許庁

The IBML buffers copies of OSI layer-3 packets that is transmitted via lower layers (205, 215) of the communications interface and manages the buffer contents using indications the IBML receives from one or more of the lower layers.例文帳に追加

ＩＢＭＬは通信インタフェースの低位層（２０５，２１５）を介して伝送されているＯＳＩ第３層パケットのコピーをバッファするとともに、１つ以上の低位層からＩＢＭＬが受信する表示を用いてバッファの内容を管理する。 - 特許庁

At the edge part of a sealing material for securing a mounting component to a substrate, a buffer layer of any one of polyester based resin, rubber based resin and acryl based resin or a combination thereof is formed by printing, e.g. screen printing.例文帳に追加

実装部品を基材に固定する封止材のエッジ部に、ポリエステル系樹脂、ゴム系樹脂、アクリル系樹脂のいずれか一つまたはそれらの組み合わせからなる緩衝層をスクリーン印刷等の印刷法により形成する。 - 特許庁