「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

To prevent the increase in DC drift of an optical waveguide element in which opening part formed by etching a buffer layer and exposing the primary face of a substrate is located at least between electrodes on which a DC bias is applied for the purpose of controlling an operating point.例文帳に追加

バッファ層をエッチングして基板の主面を露出することにより形成される開口部が、少なくとも動作点制御のためにＤＣバイアスが印加される電極を構成する電極間に位置する構造を有する光導波路素子の、ＤＣドリフトの増大を防止する。 - 特許庁

In both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane 80 of the first electrolyte membrane and electrode structure 16a, an outer peripheral edge part 80b opposite to an inlet buffer part 52 is exposed outside, and a reinforcing film 86 smaller in thickness than a gas diffusion layer 84a is provided only in the outer peripheral edge part 80b.例文帳に追加

第１電解質膜・電極構造体１６ａの固体高分子電解質膜８０の両面では、入口バッファ部５２に対向する外周縁部８０ｂが外部に露呈し、前記外周縁部８０ｂにのみ、ガス拡散層８４ａよりも薄膜な補強フイルム８６が設けられる。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域４とＰ型ベース領域６との間の活性層３には、Ｎ型ベース領域１２が設けられ、Ｎ型ベース領域１２の表面上からＰ型ベース領域６の表面上に延在するゲート絶縁膜１４を介してゲート電極９が設けられる。 - 特許庁

To stably form a high quality thick magnetic garnet single crystal film free from the generation of a crystal defect or warp, a crack, peeling, or the like, in a high yield by liquid phase epitaxial growth by forming a buffer layer of this invention on a commercially available substrate for forming the magnetic garnet single crystal film.例文帳に追加

市販の磁性ガーネット単結晶膜形成用基板に本発明のバッファ層を形成することで、結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネット単結晶膜を、高品質で歩留まり良く、液相エピタキシャル成長により安定して、低コストで形成すること。 - 特許庁

Further, since the position of the reinforcing member can be fixed by the effect of the partial flange, the groove of the wood is formed previously more largely, and a stress buffer layer buffering the stress concentration can be easily manufactured simultaneously the bonding work by filling the part with an adhesive, rubber, etc.例文帳に追加

また、部分フランジの効果により補強部材の位置が固定できるので、木材の溝をあらかじめ大きめに作成しておき、その部分に接着剤やゴムなどを充填することで、応力集中を緩和する応力緩衝層を接着作業と同時に容易に作製することが可能である。 - 特許庁

This transmission type photodetector is composed of a transparent semiconductor electrode part 11 and a counter electrode part 12 coated with sensitizing dyestuffs and a buffer layer 13 held there between them and the counter electrode part or the transparent semiconductor electrode part is divided into a plurality of electrode cells.例文帳に追加

増感色素が塗布された透明半導体電極部１１と対向電極部１２と、両者に挟まれたバッファ層１３とからなる透過型光検出器で、対向電極部または透明半導体電極部が複数の電極セルに分割されて構成される。 - 特許庁

To provide a laminate structure, an integrated structure and a manufacturing method of them, of a CIS-based thin film solar cell, with and by which a high-resistance buffer layer of the CIS-based thin film solar battery can be efficiently manufactured with a high production efficiency through a series of manufacturing lines and waste liquid need not be treated.例文帳に追加

本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の積層構造、集積構造及びその製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

The switching portion 12 is arranged such that a connection is established through a connecting wiring 12a in an uppermost layer between a plurality of connecting terminals S0-Sn, which output inputted signals with a time delay different from each other and a connecting terminal SS which is connected to an input terminal In of an output buffer gate G0.例文帳に追加

スイッチ部１２は、入力信号が互いに異なる遅延時間で出力される複数の接続端子Ｓ０〜Ｓｎと、出力用バッファゲートＧ０の入力端子Ｉｎに接続された接続端子ＳＳとが、最上層の接続配線１２ａによって接続されている。 - 特許庁

Between a sensor chip 13 and a stage 11 of an angular velocity detector 10 provided with the stage 11 fixed to a can package 16, the sensor chip 13 and a lead wire 20 connecting the sensor chip 13 and the stage 11, an elastic vibration buffer 12 made of adhesive layer is provided.例文帳に追加

缶パッケージ１６に固定される台座１１と、台座１１に取り付けられるセンサチップ１３と、センサチップ１３と台座１１を接続するリード線２０とを備えた角速度検出装置１０のセンサチップ１３と台座１１の間に、接着剤層からなる弾性の振動緩衝部１２を設けた。 - 特許庁

The overlapping device 30 comprises: a buffer which temporarily stores a control request for the control terminal device 22 connected with the management device 40 at the lower hierarchical layer; and a judgment control part which instructs to perform the control requests respectively stored in the buffers of the overlapping device 30 and the management device 40.例文帳に追加

重畳装置３０は、下位階層の管理装置４０に接続された制御端末器２２への制御要求を一時的に保持するバッファと、重畳装置３０および管理装置４０のバッファにそれぞれ保存した制御要求の実行を指示する判断制御部を備える。 - 特許庁

To provide a new heterohelicene which is used as various materials, for example as a molecular recognition material, and in addition, which is expected to be applied to various optical devices such as an organic EL element, a fluorescent material, an organic buffer layer component, a nonlinear optical material and so on, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

各種の材料、例えば分子認識の材料として用いられる他、有機ＥＬ素子、蛍光材料、有機バッファ層構成材料、非線形光学材料などの各種の光学デバイスなどに応用することが期待される、新規なヘテロヘリセン、及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The attenuator section 3 is constituted, by forming a second optical waveguide 8 so as to be connected in series to the first optical waveguide 5 within the substrate 4 and forming a second signal electrode 9 and a second grounding electrode 10, without having to form a buffer layer.例文帳に追加

また、基板４内に第１の光導波路５と直列に接続されるように第２の光導波路８を形成し、バッファ層を形成することなく第２の信号電極９及び第２の接地電極１０を形成することによって、アッテネータ部３を構成する。 - 特許庁

In the organic thin film solar cell having the excellent electrical characteristic and durability, and its manufacturing method, a silane coupling agent which enhances in-plane conductivity of a buffer layer for obtaining high carrier output is provided by orienting main chain of polypyrrole in in-plane direction of a surface of a transparent conductive substrate.例文帳に追加

優れた電気特性と耐久性を有する有機薄膜太陽電池とその製造方法として、ポリピロールの主鎖が透明導電性基板表面に面内方向に配向し、バッファー層の面内導電率が高まりキャリアの取出しに優れる、シランカップリング剤を提示。 - 特許庁

The silicon semiconductor layer 13 includes an emitter region 14 in contact with an emitter electrode 20, a collector region 15 in contact with a collector electrode 21, and a center semiconductor region composed of a body region 17, a part of a buffer region 19, and a drift region 16.例文帳に追加

シリコン半導体層１３は、エミッタ電極２０に接しているエミッタ領域１４と、コレクタ電極２１に接しているコレクタ領域１５と、ボディ領域１７及びバッファ領域１９の一部とドリフト領域１６とからなる中央半導体領域とを備えている。 - 特許庁

A 2nd optical waveguide 8 is formed in the substrate 4 so that it is connected in series with the 1st optical waveguide 5, and the 2nd signal electrode 9 and 2nd ground electrode 10 are formed without forming a buffer layer to constitute the attenuator part 3.例文帳に追加

そして、基板４内に第１の光導波路５と直列に接続されるように第２の光導波路８を形成し、バッファ層を形成することなく第２の信号電極９及び第２の接地電極１０を形成することによって、アッテネータ部３を構成する。 - 特許庁

In a substrate 1 with electrooptic effect, a Mach-Zehnder type 1st optical waveguide is formed and after a buffer layer 36 is formed on the substrate 1, a signal electrode 4 and ground electrodes 5-1 and 5-2 are formed to constitute the optical modulation part 10.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板１内にマッハツエンダー型の第１の光導波路２を形成し、さらに基板１上にバッファ層３６を形成した後、信号電極４並びに接地電極５−１及び５−２を形成することによって、光変調部１０を構成する。 - 特許庁

The negative electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery has a composite negative active material 13 comprising silicon-containing particles 11 capable of absorbing/releasing at least lithium ions and carbon nano-fibers 12; and a mix layer containing an expansion/contraction buffer material 14 having conductivity.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２とからなる複合負極活物質１３と、導電性を有する膨張収縮緩衝材１４を含む合剤層を有する。 - 特許庁

In the preparing process, the buffer layer 110 having a melting point higher than the temperature for growing a crystal in the growing process and at least one of higher porosity, higher ductility and higher brittleness than those of a material which composes the crucible 101 is arranged.例文帳に追加

準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 - 特許庁

The optical modulation part 2 is constituted by forming a Mach- Zehnder type 1st optical waveguide 5 in a substrate 4 having electrooptic effect and forming a 1st signal electrode 6 and a 1st ground electrode 7 after forming a buffer layer 22 on the substrate 4.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板４内にマッハツエンダー型の第１の光導波路５を形成し、さらに基板４上にバッファ層２２を形成した後、第１の信号電極６及び第１の接地電極７を形成することによって、光変調部２を構成する。 - 特許庁

A hole injection buffer layer including a porphyrin compound selected from compounds expressed by at least the following general formulas (1) to (3) is interposed between an anode and a cathode.例文帳に追加

少なくとも、下記一般式（１）〜（３）で表される化合物から選ばれたポルフィリン系化合物を含有するホール注入バッファ層が、陽極と陰極との間に介在されてなり、ホール注入バッファ層は、それぞれ異種のポルフィリン系化合物を含有する２つ以上の層部分が積重されてなる。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor thin film having excellent carrier transportation characteristics and a field effect transistor having excellent high frequency operation characteristics by enhancing the planarity of an InAlAs buffer layer formed on a GaAs substrate while utilizing the characteristics of InGaAs having high electron mobility.例文帳に追加

高い電子移動度を有するＩｎＧａＡｓの特質を活かしつつ、ＧａＡｓ基板上に形成されるＩｎＡｌＡｓバッファ層の表面の平坦度を高めて、キャリア輸送特性にすぐれた化合物半導体薄膜及び高周波動作特性にすぐれた電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

In the case of the existing coat 1 previously laying the artificial lawn 5, a permeable sheet 8 is laid on the upper face after sand is supplemented to the artificial lawn 5 of the existing coat 1 to be flatly processed, and the permeable layer 3 is formed on the upper face by the permeable buffer material 2 to lay the artificial lawn 4.例文帳に追加

予め人工芝５が敷設された既設のコート１の場合、既設コート１の人工芝５に砂７を補充して平坦処理した後その上面に透水シート８を敷設し、その上面に透水性緩衝材２による透水層３を形成して人工芝４を敷設する。 - 特許庁

A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).例文帳に追加

結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12 formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another is provided on a low- resistance silicon substrate 11 one main surface 11a of which is oriented in the (111) crystal plane.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面１１ａの結晶面方位を（１１１）ジャスト面とした基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

Even when vibrations are generated and act on the frame body 1 during work or conveyance, since the buffer connection layer 8 absorbs the vibrations, lowers a generation acceleration and suppresses and prevents the transmission of the vibrations to the holding plate 6, both of the frame body 1 and the holding plate 6 are not largely deformed.例文帳に追加

作業や搬送の際、振動が生じて枠体１に作用しても、緩衝連結層８が振動を吸収して発生加速度を低くし、保持板６に振動が伝達されるのを抑制防止するので、枠体１と保持板６とが共に大きく変形することがない。 - 特許庁

To provide a photosensitive silicone-containing resin composition suitable for a buffer coat material of an LSI chip and a rewiring layer, excellent in planarizing ability, low stress property and low-temperature curability, and improved in tackiness of the material before exposure, and a photosensitive resin insulating film and a cured film using the same.例文帳に追加

ＬＳＩチップのバッファコート材料や再配線層として好適な、平坦化能、低応力性、低温キュア性に優れると同時に、露光する前の材料のタック性が改善された感光性シリコーンを含む樹脂組成物並びにそれを用いた感光性樹脂絶縁膜、キュア膜を提供する。 - 特許庁

Therefore, since several kinds of interference type filter layers are respectively arranged on the different layer through the interlayer film, the interlayer film being foundation functions as an etching stopper or an etching buffer in the case of patterning the filter layers, and dry etching can be performed to realize the scale-down of the color filter.例文帳に追加

したがって、複数種類の干渉型フィルタ層が層間膜を介してそれぞれ別々の層に配置されているため、各フィルタ層をパターニングする際に、下地の層間膜画エッチングストッパ若しくはエッチングバッファとして機能し、ドライエッチングが可能となりカラーフィルタの微細化が可能となる。 - 特許庁

A buffer layer 9 in an area corresponding to at least a float collar 3 is constituted by winding a strip of foamed material 12 and a ribbon non-foaming material 13 having a thickness of 0.9-1.0 times of that of the foamed material 12 so as to be in parallel spirally with respect to the axial direction of the hose.例文帳に追加

少なくともフロートカラー３に対応する領域のバッファ層９を、帯状の発泡材１２と、その発泡材１２の厚さの０．９〜１．０倍の厚さのリボン状の非発泡材１３とを並列にホース軸方向に対してスパイラルに巻回するようにして構成する。 - 特許庁

A roof member 4 of the toilet is constituted of the solar battery module composed of a solar battery module main body in which a translucent buffer material layer and a translucent plate are laminated on each face of surface and rear surface of a solar battery cell in this order, respectively, and a frame body holding a peripheral fringe part of the solar battery module main body.例文帳に追加

トイレの屋根材４が、太陽電池セルの表裏各面にそれぞれ透光性緩衝材層および透光板がこの順に積層された太陽電池モジュール本体と、該太陽電池モジュール本体の周縁部を保持する枠体と、からなる太陽電池モジュールで構成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film solar cell, by which the thin film solar cell capable of having a Cd-free buffer layer formed without using a wet process and is extremely low in toxicity can be manufactured inexpensively through an all-dry process of superior productivity, and which is extremely superior in practicality.例文帳に追加

ウェットプロセスを用いることなくＣｄを含まないバッファ層を形成でき、量産性に秀れるオールドライプロセスで極めて毒性の低い薄膜太陽電池をコスト安に製造可能な極めて実用性に秀れた薄膜太陽電池の製造方法の提供。 - 特許庁

The head slider, which has a hybrid carbon coated film structure in which a highly pure and highly hard carbon film is deposited on a surface opposing a medium and an amorphous carbon film containing hydrogen is further provided for stably maintaining adhesion power between the highly pure and highly hard carbon film and a slider substrate or a buffer layer, is used.例文帳に追加

媒体に対向する表面に高純度・高硬度炭素膜を有し、且つスライダー基板あるいはバッファ層との密着力を安定保持するために、水素を含有する非晶質炭素膜を更に設けるハイブリッド炭素被膜構造を有するヘッドスライダーを用いる。 - 特許庁

Then the photoluminescence of the n-type buffer layer that becomes an object to be evaluated is measured and the luminous intensity ratio between the rose-color spectrum and yellow-green spectrum is found from the obtained photoluminescence, and then, the carrier concentration corresponding to the luminous intensity ratio is read from the calibration curve (step ii).例文帳に追加

次いで評価対象となるｎ型バッファ層に対し、フォトルミネッセンス測定を行い、得られたフォトルミネッセンススペクトルから淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求め、該発光強度比に対応するキャリア濃度を検量線から読み取る（ii）。 - 特許庁

At receiving the print job clear notice, the communication protocol at the printer 1 side notifies an application layer 44 of a buffer clear request in a timing when all print data already transmitted before the print job is deleted are stored in the printer 1, and the print data stored in the printer 1 are cleared according to the start of a task.例文帳に追加

プリンタ１側の通信プロトコルは印刷ジョブクリア通知を受信すると、印刷ジョブ削除前に既に送られた印刷データがプリンタ１に全て蓄積されたタイミングで、バッファクリア要求をアプリケーション層４４に通知し、タスクの起動によりプリンタ１に蓄積された印刷データがクリアされる。 - 特許庁

A broad buffer structure is formed by irradiating proton to a semiconductor substrate and performing heat treatment, wherein the carbon concentration of a potion, in which the impurity concentration of a first semiconductor layer 1 become maximum, is 6.0×10^15 atoms/cm^3 or more and 2.0×10^17 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

第１半導体層１の不純物濃度が極大となる箇所の炭素濃度が６．０×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２．０×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下である半導体基板に、プロトンを照射して、熱処理をおこなうことでブロードバッファ構造を形成する。 - 特許庁

Regarding the lens sheet in which a lens part composed of many lens units is formed on at least either surface of a transparent base material by an active energy ray curable resin, the many lens units are formed on the transparent base material via a buffer layer with a thickness of 1 to 10 μm.例文帳に追加

透明基材の少なくとも一方の面に、活性エネルギー線硬化樹脂により多数のレンズ単位からなるレンズ部が形成されてなるレンズシートにおいて、前記透明基材上に厚さ１〜１０μｍの緩和層を介して多数のレンズ単位が形成されているレンズシート。 - 特許庁

This dielectric element comprises a substrate 1 and a dielectric thin film, KTa_xNb_1-xO_3 (0≤x≤1) formed on the substrate 1, and has a buffer layer, KTa_yNb_1-yO_3 (0≤y≤1) in which a composition (y) varies in a growth direction, between the substrate 1 and the dielectric thin film 3.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成された誘電体薄膜ＫＴａ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）からなる誘電体素子において、基板１と誘電体薄膜３との間に、成長方向において組成ｙが変化するバッファ層ＫＴａ_ｙＮｂ_１−ｙＯ_３（０≦ｙ≦１）を有する。 - 特許庁

Further, in combination with the microplates, a filter plate is used for the preparation of cell lysates wherein target cells are placed on the filter plate, and a lysis buffer is passed through the cell layer on the filter to transfer cell lysate directly to the microplate via well-to-well communication.例文帳に追加

さらに、マイクロプレートと組み合わせて、細胞溶解物の調製のためにフィルタープレートを用いて、標的細胞をこのフィルタープレート上に位置させ、溶解用緩衝液をフィルター上の細胞層を通過させて、細胞溶解物をウェルとウェルとの連通により直接にマイクロプレートに移すことができる。 - 特許庁

A fixing plate 15, on which surface trenches 13 and 14 are formed in parallel, is embedded in the buffer layer K so that the trench direction is in parallel with the peripheral direction, lead wires 11 and 12 are embedded in the trenches 13 and 14 of the fixing plate 15, and the terminals of the lead wires are introduced to the outside.例文帳に追加

表面に複数の平行な溝１３，１４を形成した固定板１５を、溝方向を周方向と平行にして緩衝層Ｋ内に埋設するとともに、固定板１５の溝１３，１４に引出し線１１，１２を配設しその端部を遮蔽層Ｓの外部に取り出す。 - 特許庁

Subsequently, a perovskite oxide thin film oriented to any one of (111), (001), and (110) is obtained by laminating the perovskite oxide thin film on the crystal orientation controlling buffer layer.例文帳に追加

基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。 - 特許庁

To obtain an cadmium sulphide film which does not need addition of aqueous ammonia in the production of CIGSSe solar cell, having a cadmium sulphide film as buffer layer, and to provide its production method.例文帳に追加

本発明は、硫化カドミウム膜をバッファ層とするＣＩＧＳＳｅ太陽電池及びその作製方法において、アンモニア水の添加を必要としない硫化カドミウム膜を得るＣＩＧＳＳｅ太陽電池の作製方法及びＣＩＧＳＳｅ太陽電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

While a compressive stress acts on the PZT piezoelectric film 64 due to the difference between the coefficients of thermal expansion of the film 64 and ZrO_2 substrate 62, the film stress of the film 64 is compensated by interposing the stress buffer layer 66 having a coefficient of thermal expansion smaller than that of PZT and an appropriate thickness.例文帳に追加

ＰＺＴ圧電膜６４にはZrO2基板６２との熱膨張係数の差等により圧縮応力が働くが、ＰＺＴよりも熱膨張係数の小さい適宜の厚みの応力バッファ層６６を介在させることで、ＰＺＴ圧電膜６４の膜応力を相殺するよういしている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

Respective communication connections are uniquely set so as to adjust a method for transmitting messages having specified transmission buffer sizes, and having specified lengths to a low-order layer, transmitting the messages to the link at a specified speed and transmitting data through the link.例文帳に追加

各通信接続は、或る特定の送信バッファサイズを有し、或る特定の長さを有するメッセージを下位層に伝送し、該メッセージを或る特定の速度でリンクへ送信し、通信接続がリンクを通じてデータを送信する方法を調整するようにユニークに設定され得る。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient of the buffer layer 12 and the thermal expansion coefficient of the upper clad 14 are set to be almost equal, and thus, the stresses applied to the cores 13a, 13b become isotropic substantially, therefore, the occurrence of birefringence can be suppressed effectively.例文帳に追加

本発明では、バッファ層１２の熱膨張率と上部クラッド１４の熱膨張率とがほぼ等しく設定されており、これによりコア１３ａ，１３ｂにかかる応力が実質的に等方性となることから、複屈折の発生を効果的に抑制することが可能となる。 - 特許庁