「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The steel pipe covered with highly anticorrosion metal is constituted by forming a heavy corrosion-proof layer made of polyethylene resin or polyurethane resin on a surface of the steel pipe whose base is treated, forming an intermediate resin layer having a function as a buffer layer and a bonding layer for an external force on its surface, and covering its surface with a highly anticorrosion metallic thin plate further.例文帳に追加

下地処理された鋼管表面に、ポリエチレン樹脂又はポリウレタン樹脂からなる重防食層が形成され、その表面に外力に対する緩衝層及び接着層としての機能を有する中間樹脂層が形成され、さらにその表面に高耐食性金属薄板を被覆してなる高耐食性金属被覆鋼管。 - 特許庁

The manufacturing method of a superconductive tape in an integrated process includes a process in which a substrate which is wound over a drum is heat-treated inside a reaction chamber and components composing a buffer layer including a superconductive tape supplied from the depositing chamber, a superconductive layer, a contact resistance reducing layer, and a protective layer are continuously vapor-deposited on the substrate and heat-treated.例文帳に追加

反応チャンバの内部で、ドラムに巻かれた基板を熱処理させ、蒸着チャンバから供給された超伝導テープを含む緩衝層、超伝導層、接触抵抗低減層、保護層を成す成分を前記基板上に連続的に蒸着させ、熱処理させることを特徴とする、一貫工程による超伝導テープ製造方法を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 150 restraining deterioration of carbon carrier apt to be generated at neighboring area of a boundary between a cathode (air electrode) catalyst layer 110 and a solid polymer electrolyte film 100 and elution of catalyst from the cathode catalyst layer into the solid polymer electrolyte film, is formed between the cathode catalyst layer 110 and the solid polymer electrolyte film 100.例文帳に追加

カソード（空気極）触媒層１１０と固体高分子電解質膜１００との間に、カソード触媒層１１０と固体高分子電解質膜１００との界面付近で生じやすいカーボン担体の劣化および１１０カソード触媒層から固体高分子電解質膜１００への触媒の溶出を抑制する緩衝層１５０を形成する。 - 特許庁

In the same low pressure CVD furnace, a buffer film is formed on a semiconductor wafer by introducing a first reaction gas in a step 2, an N2 gas is purged in the furnace in a step 3, and then a mask layer for oxidation resistance is formed on the buffer film.例文帳に追加

同一の減圧ＣＶＤ炉内においてステップ２の第１の反応ガス導入により、半導体ウェハ上にバッファ膜を形成し、ステップ３の炉内Ｎ_2 ガスパージ後、ステップ４において第２の反応ガス導入によって上記バッファ膜上に耐酸化用のマスク層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

Thus, the MAC layer control section 101a starts writing data of the next frame into the double buffer 104 by a DMA controller 103 without waiting the completion of data read from the double buffer 104 by a data processing section 101b, namely, can continuously transfer a plurality of frames.例文帳に追加

これにより、ＭＡＣ層制御部ａ１０１は、データ加工部１０１ｂによるダブルバッファ１０４からのデータ読み出しの完了を待機することなく、ＤＭＡコントローラ１０３によるダブルバッファ１０４への次フレームのデータ書き込みを開始すること、即ち複数フレームの連続転送を可能とする。 - 特許庁

The storage facilities in a base rock are provided with a pressure proof buffer material 14 set up to an inner surface side of a cavity part 12 formed in a base rock 10 and an air-tight material 16 of metal lining layer or the like of air tightness provided in an inner surface side of this pressure proof buffer material 14.例文帳に追加

岩盤内貯蔵設備は、岩盤１０内に形成された空洞部１２の内面側に設置される耐圧緩衝材１４と、この耐圧緩衝材１４の内面側に設けられる気密性の金属ライニング層などの気密材１６とを備えている。 - 特許庁

To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region.例文帳に追加

炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。 - 特許庁

A buffer layer 6 which has a width W wider than the width w of this progressive wave type electrode 3 and is at least partly embedded in the surface layer part of the substrate 1 is formed only in the lower part of the progressive wave type electrode 3.例文帳に追加

そして、進行波型信号電極３の下部のみに、この進行波型信号電極３の幅ωよりも広い幅Ｗを有するとともに、少なくとも一部が基板１の表層部分に埋設したバッファ層６を形成する。 - 特許庁

A first buffer layer 14 made of a metallic material, of which the mutual diffusion with respect to a material of a piezoelectric precursor layer to be a piezoelectric sheet hardly occurs rather than a metallic material forming an actuator plate 22, is formed on the whole top face of the actuator plate 22.例文帳に追加

アクチュエータプレート２２の上面全体に、圧電シートとなる圧電前駆体層の材料との相互拡散がアクチュエータプレート２２を構成する金属材料よりも生じにくい金属材料からなる第１緩衝層１４を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device, a structure in which GaN thick films 106 are laminated on the first substrate in which a GaN low- temperature buffer layer 102, a GaN layer 103 and a selective growth mask 104 composed of SiO2 are formed sequentially on a sapphire substrate 101 is formed.例文帳に追加

サファイア基板１０１上にＧａＮ低温バッファー層１０２，ＧａＮ層１０３，ＳｉＯ_2からなる選択成長マスク１０４が順次形成された第一の基板上に、ＧａＮ厚膜１０６が積層された構造となっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a Zn based buffer layer which well covers a base material and is formed at a practical reaction speed with no need of providing a fine particle layer that functions as a nucleus for crystal growth or a catalyst.例文帳に追加

下地を良好に被覆し、結晶成長の核あるいは触媒等として機能する微粒子層を設けることを必須とすることなく実用的な反応速度で成膜することができるＺｎ系バッファ層の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the existing coat or ground, a permeable buffer material 2 is laid on the upper face to newly form a permeable layer 3 in the state that the existing coats is left as it is, and the artificial lawn 4 is laid on the upper face of the permeable layer 3.例文帳に追加

既設のコート１又はグランドにおいて、前記既設コート１類はそのまま存置した状態で、その上面に透水性緩衝材２を敷設して透水層３を新たに形成し、その透水層３の上面に人工芝４を敷設する。 - 特許庁

The method grows a GeSi1-X/Ge epitaxial layer on a Si substrate by the ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) method to finally form a ZnSe thin film on a Ge buffer layer.例文帳に追加

本発明の方法においては、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶＣＶＤ）を用いることによりＳｉ基板上にＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層を成長させ、最終的にＧｅバッファ層上にＺｎＳｅ薄膜が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film excellent in reduction resistance and a method for manufacturing the same, and to provide a thin-film transistor which is capable of obtaining stable TFT characteristics without providing a buffer layer such as an oxygen-permeable membrane on a channel layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したＴＦＴ特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this, the lower part electrode 4 with the bilayered structure is made wherein a roughness of a surface of the metallic material layer 2c is moderated by the buffer thin film layer 3c, and an in-plane uniformity of a distance between the lower part electrode 4 and the light permeating upper part electrode 7 is secured.例文帳に追加

これによって、金属材料層２ｃの表面粗さを緩衝薄膜層３ｃによって緩和した二層構造の下部電極４とし、下部電極４と光透過性上部電極７との間隔の面内均一性を確保する。 - 特許庁

To solve problems that generally CuPc is used for a positive electrode buffer layer of an organic electroluminescent element and that the adhesiveness of a CuPc film with a hole transportation layer is poor because the CuPc film is formed by a vacuum evaporation method, and hole injection efficiency from a positive electrode can not be improved.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の陽極バッファー層は、一般的にＣｕＰｃが用いられており、同ＣｕＰｃ膜は真空蒸着法で成膜するため、正孔輸送層との密着性が悪く、陽極からの正孔注入効率が改善されない。 - 特許庁

The manufacturing method includes the steps of forming a SIMOX structure to a substrate 10, forming a buffer layer 12, forming a high resistance layer 13, forming a MOS gate structure, and removing at least part of the rear side of the substrate.例文帳に追加

基板１０にＳＩＭＯＸ構造を形成する工程と、バッファ層１２を形成する工程と、高抵抗層１３を形成する工程と、ＭＯＳゲート構造を形成する工程と、基板裏面の少なくとも一部を除去する工程とを具備する。 - 特許庁

In an electronic component, a buffer layer 100 constituted of a non-metallic material is provided on a base stand 11, a conducting film 12 is provided on the layer 100, grooves 13 are provided in the film 12 and the base stand 11 is provided with one pair of terminal parts 15 and 16.例文帳に追加

本発明は、基台１１上に非金属材料で構成されたバッファ層１００を設け、バッファ層１００上に導電膜１２を設け、導電膜１２に溝１３を設け、基台１１に一対の端子部１５，１６とを設けた。 - 特許庁

A light-emitting device with high light-emission intensity is constructed by providing a lattice-matched light-emitting region and a current diffusion layer on a Si substrate via a buffer layer containing phosphorus or arsenic, so that a device driving current is diffused over a wide range of the light-emitting region.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にリンまたは砒素を含む緩衝層を介して、格子整合する発光部と電流拡散層とを設け、素子駆動電流を発光部の広範囲に拡散できる様にして高発光強度の発光素子を構成する。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2 is grown as the buffer layer for extracting an n-type electrode on a sapphire substrate 1 which is an insulating substrate, and SiO_2 thin films 4 which are insulating films are vapor-deposited to form opening portions 5 as shown in (a).例文帳に追加

（ａ）で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板１上に、ｎ型電極引出しのためのバッファ層となるｎ型ＧａＮ層２を成長させ、さらに絶縁膜であるＳｉＯ_２薄膜４を蒸着して開口部５を形成する。 - 特許庁

To provide a method that directly grows nitride semiconductor devices such as nitride semiconductor light emitting device where a nitride semiconductor layer is epitaxially grown and a transistor device on a single crystal layer after the single crystal layer where both the a-axis and c-axis of the nitride semiconductor are arranged is directly formed on a substrate, without forming a low temperature-amorphous buffer layer and its nitride semiconductor single crystal layer.例文帳に追加

アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 - 特許庁

To provide: a method for manufacturing a light-emitting element that can suppress the occurrence of peeling of a buffer layer at the time of manufacturing a light-emitting element having a Ga_2O_3 substrate; and a light-emitting element.例文帳に追加

Ｇａ_２Ｏ_３基板を有する発光素子の製造時におけるバッファ層の剥離の発生を抑制することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 14 one to three times as large in surface area as an insulating board 12 is interposed and bonded between the insulating board 12 and a heat sink 13 of a power module board 11.例文帳に追加

パワーモジュール用基板１１の絶縁基板１２とヒートシンク１３との間に、絶縁基板１２の表面積の１〜３倍の表面積を有する緩衝層１４が介装接着される。 - 特許庁

The buffer material layer 12 comprises material having the nature to include air and is regulated in the flow resistance value from the surface to the backside to 40 to 800 Nsm^-3.例文帳に追加

また、緩衝材層１２は、空気を包含する性質の素材からなり、表面から裏面への流れ抵抗値が４０Ｎｓｍ^-3以上、８００Ｎｓｍ^-3以下に調整されている。 - 特許庁

The display device according to the present invention is characterized in that a transparent film and a buffer layer cover the screen of a liquid crystal panel to protect the liquid crystal panel against external scratching and corrosion by chemicals.例文帳に追加

本発明による表示装置では、透明フィルムとバッファー層とが液晶パネルの画面を覆い、外部からのスクラッチや薬品による浸食から液晶パネルを保護する。 - 特許庁

In addition, by employing the semi-insulating buffer layer, increase of a leakage current through the thermally conductive substrate, the leakage current through a substrate, and the leakage current between the light emitting cells are prevented.例文帳に追加

また、半絶縁性バッファ層を採用して熱伝導性基板を介した漏洩電流基板を通じた漏洩電流及び発光セル間の漏洩電流増加を防止することができる。 - 特許庁

A buffer tape 11 made of a flexible material is bonded on the protection resin layer 4 covering a face on which the electronic part on a ceramic substrate of the ignition unit 5 is mounted.例文帳に追加

点火ユニット５のセラミック基板の電子部品が実装されている面を覆う保護樹脂層４の上に、弾力性を有する材料からなる緩衝用テープ１１を貼り付ける。 - 特許庁

In an image processor, an image buffer of other than a layer where drawing is being performed is written in a storage device as a secondary storage device, and a main memory as a primary storage device is released.例文帳に追加

本発明の画像処理装置では、描画処理が行われているレイヤ以外のイメージバッファを二次記憶装置であるストレージデバイスに書き込み、一次記憶装置である主メモリを開放する。 - 特許庁

The buffer layer is formed so as to have a first thickness in a center region and have a second thickness less than the first thickness in a peripheral region surrounding the center region.例文帳に追加

バッファ層は、中心領域で第１の厚さを有する一方該中心領域を囲う周辺領域で第１の厚さより薄い第２の厚さを有するように形成されている。 - 特許庁

To prevent the film decrease of a bonding pad, and dispense with the formation of a buffer material layer, and enable the reduction in the number of processes, at the time of formation of the bonding pad in a solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子におけるボンディングパッド部の形成に際し、ボンディングパッド部の膜減りを防止し、バッファ材層の形成を不要にし、工程数の削減を可能にする。 - 特許庁

An LED element 12 is mounted on the wiring layers 11c and 11d of a substrate 11 and a buffer layer 13 of silicon, or the like, is provided to cover the LED element 12.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上にはＬＥＤ素子１２が搭載され、このＬＥＤ素子１２を覆うようにしてシリコン等による緩衝層１３が設けられている。 - 特許庁

Co nano-particles having particle diameters of ≤5 nm are deposited on the buffer layer by generating pulse arcs in a range of about 3-150 times by using pulse arc plasma at a vacuum degree of 1×10^-5 Torr.例文帳に追加

そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、３〜１５０回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。 - 特許庁

A first conductivity type buffer layer 15 is formed on the principal plane 13a of the semiconductor region 13, and the principal plane 13a forms an angle of 10° or more relative to the reference plane RC.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。 - 特許庁

The optical gyroscope comprises: a light waveguide 3 formed on a substrate 1 and a buffer layer 10; a linear light guide 7; an excitation light source 6 disposed on the substrate 1; and a detector 8.例文帳に追加

基板１とバッファ層１０上に形成された光導波路３、直線状の光導波路７、基板１上に配置された励起光源６、検出器８等を備えている。 - 特許庁

Thereafter, a signal electrode 5, on which an RF voltage for modulation and a DC voltage for controlling the operating point are applied, and a grounding electrode 6 are formed on the residual part of the buffer layer 3.例文帳に追加

その後、バッファ層３の残部上に変調用のＲＦ電圧及び動作点制御用のＤＣ電圧を印加する信号電極５及び接地電極６を形成する。 - 特許庁

Also, the length B of a magnetic buffer layer 32 between the diameter directions of the magnet 11 and the Faraday rotator 21 incorporated in the magnet 11 is turned to 0.005 mm to 0.300 mm.例文帳に追加

また、磁石１１と磁石１１に内蔵されるファラデー回転子２１との直径方向の間の磁気バッファー層３２の長さＢを０．００５ｍｍ〜０．３００ｍｍとする。 - 特許庁

At the time of receiving the event flag, the high-order layer stores data key inputted by the user in a DTMF buffer 20a by a first-in-first-out system (FIFO) by the DTMF signals.例文帳に追加

上位レイヤはこのイベントフラグを受け取ると、ユーザによりキー入力されたデータをＤＴＭＦ信号で、先入れ先出し方式（ＦＩＦＯ）によりＤＴＭＦバッファ２０ａに格納する。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

To provide an electroluminescent apparatus preventing air bubbles in a buffer layer or a gap in a protective film in the vicinity of a step part, etc., by reducing steps formed by an auxiliary electrode.例文帳に追加

補助電極によって形成される段差を低減し、緩衝層中の気泡や、段差部近傍の保護膜の欠損等を防止することのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供する。 - 特許庁

In step S105, a buffer layer 13 including group-III nitrides, such as GaN, AlGaN, and AlN is grown at 600°C on top of a principal surface 11a of a gallium oxide substrate 11.例文帳に追加

工程Ｓ１０５において、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮといったIII族窒化物からなるバッファ層１３を酸化ガリウム基板１１の主面１１ａ上に摂氏６００度で成長する。 - 特許庁

The presence of the buffer layer 5, having the intermediate energy band gap Eg1 significantly improves the current-voltage characteristics, and reduction in the operation voltage can be realized.例文帳に追加

この中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有するＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５の存在により、電流−電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。 - 特許庁

In some aspects of this method, the semiconductor buffer layer 206 is formed of YBa_2Cu_3O_7-X(YBCO), etc., and has a thickness in the range of 10 to 200 nanometers (nm).例文帳に追加

この方法のいくつかの局面において、半導体バッファ層２０６は、ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＹＢＣＯ）などから形成され、１０〜２００ナノメートル（ｎｍ）の範囲の厚さを有する。 - 特許庁

The buffer layer has an etching selected ratio of the sacrifice film to an etchant used when removing the sacrifice film and has a substance capable of protecting the trench sidewall when removing the sacrifice film.例文帳に追加

バッファー層は、犠牲膜を除去する時、使用されるエッチャントに対する食刻選択比を有し、犠牲膜の除去時、トレンチ側壁を保護することができる物質を有する。 - 特許庁