「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The foaming body 2 and the coating layer are stuck to each other, so the shape of the buffer 1 is retained on the back and forth of the load of internal pressure, and is unitedly transformed and restored when a shock is applied.例文帳に追加

発泡体２と被覆層３とは密着しているので、内圧の負荷の前後で、緩衝体１の形状は保持され、衝撃が加わったときに一体的に変形して復元する。 - 特許庁

Then, thin film material whose main component is PZT is applied on the buffer layer of PbTiO3, and the substrate is baked at a temperature where organic thermal decomposition hardly occurs.例文帳に追加

強誘電体薄膜としてＰＺＴ薄膜を形成するときには、ＰｂＴｉＯ_3を主成分とするバッファ層を用い、結晶化熱処理温度は４３０℃〜５００℃が好ましい。 - 特許庁

The method of processing nested message layers enables all message layers to be encoded in one formatted message buffer without causing any copy in each message layer.例文帳に追加

本発明のネステッドメッセージレイヤを処理する方法は、各メッセージレイヤにおけるコピーを生じることなしに、全てのメッセージレイヤを１つのフォーマットされたメッセージバッファにエンコードすることを可能にする。 - 特許庁

By merely adding one simple step of forming the buffer layer, the height of protrusions of the crystallized thin film can be sufficiently low in crystallization, resulting in a sufficiently thin insulating film.例文帳に追加

バッファ層成膜という単純な１工程を追加するだけで、結晶化した時点で既に突起の高さが十分低いものにすることができ、絶縁膜を十分薄くする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element in a way such that a process of forming a low-temperature buffer layer before a GaInN forming process is omitted and only a high-temperature film forming process is carried out.例文帳に追加

ＧａＩｎＮ形成工程前に必要な低温バッファ層の形成工程を省略し、高温の膜形成工程のみとする方法による発光素子の製造方法。 - 特許庁

A buffer layer 16 whose FT-IR peak height ratio is set not more than 22% and whose thickness is about 10nm is formed on the methyl group content silicon nitride film 15a.例文帳に追加

このメチル基含有窒化珪素膜１５ａ上には、ＦＴ−ＩＲ ｐｅａｋ ｈｅｉｇｈｔ比が２２％以下とされた、１０ｎｍ厚程度のバッファ層１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with sufficient heat resistance and conversion efficiency, and to provide a manufacturing method of the photoelectric conversion element uniformly forming a cathode buffer layer extremely thin.例文帳に追加

耐熱性、および変換効率が十分に高い光電変換素子並びに陰極バッファ層を極めて薄く均一に成膜する光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor-based photoelectric converting element, in which the photoelectric converting element is manufactured at low cost by suppressing time loss in film-formation of a buffer layer by a CBD method.例文帳に追加

化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。 - 特許庁

The first and second transfer electrodes 12 and 14 are buried between the n-type region 28 and the buffer layer 18 and an insulating film 30 is interposed between the electrodes 12, 14 and the n-type region 28.例文帳に追加

第１および第２の転送電極１２、１４は、ｎ型領域２８とバッファー層１８との間に埋め込まれ、ｎ型領域２８との間には絶縁膜３０が介在している。 - 特許庁

Since the buffer layer absorbs a stress being generated at the edge part of a sealing material, a conductive circuit wired on the surface of a substrate can be prevented from cracking.例文帳に追加

これにより、該緩衝層が封止材のエッジ部に発生する応力を吸収することにより、基材表面に配線された導電性回路にクラックが発生するのを防止できる。 - 特許庁

This measuring chip comprises a metal film or strip metal growing on the substrate, and a dielectric for limiting the refraction ratio on the upper and lower surfaces and a dielectric buffer layer.例文帳に追加

下地の上に成長した金属薄膜またはストリップ状金属を有し、その上下表面に屈折率を限定する誘電体と誘電体バッファ層を有する測定チップに関する。 - 特許庁

The first buffer layer 12 is epitaxially grown with a growth rate higher than the SiO_2 growth rate by irradiating the naturally oxide film coating Si with the metal plasma in the SiO sublimation region.例文帳に追加

前記第一バッファ層１２は、ＳｉＯ昇華領域で自然酸化膜被覆Ｓｉに金属プラズマを照射してＳｉＯ_２成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。 - 特許庁

The InP semiconductor region 13 can comprise an InP support base of first conductive type and an InP buffer layer of first conductive type provided on the InP support base.例文帳に追加

また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。 - 特許庁

In the area of a substrate 21 and a buffer layer where a signal electrode 26 is formed, a signal electrode groove part 25 which has the narrowest width at an intermediate part 25C is formed.例文帳に追加

基板２１及びバッファ層２９の信号電極２６が形成された領域に、溝幅が中間部２５Ｃにおいて最も小さくなるような信号電極溝部２５を形成する。 - 特許庁

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector.例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。 - 特許庁

A buffer layer 2 including phosphorous, which functions as n-type impurity on silicon, is formed on an n-type conductive silicon semiconductor substrate where n-type impurity is doped.例文帳に追加

ｎ形不純物がドープされた導電性を有するｎ形シリコン半導体基板１の上にシリコンに対してｎ形不純物として機能するリンを含むバッファ層２を設ける。 - 特許庁

To clarify what structure a buffer needs to have to stably form a continuos superior group III nitride semiconductor crystal layer on a Si single- crystal substrate.例文帳に追加

連続性のある良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層をＳｉ単結晶基板上に安定して形成するために、緩衝層が備えるべき構造を明らかにする。 - 特許庁

To improve reliability of a compound semiconductor device obtained by forming a columnar crystal structure at a nanoscale level on a substrate or buffer layer, and to facilitate the formation of an upper electrode.例文帳に追加

基板やバッファ層上にナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、信頼性を向上するとともに、上部電極の形成を容易にする。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery has a buffer layer 3 of microfine fibers provided at an interface between the solid electrolyte 4 and the positive electrode 2, and/or an interface between the solid electrolyte 4 and the negative electrode 5.例文帳に追加

固体電解質４−正極２の界面、及び／又は固体電解質４−負極５の界面に、微細ファイバーからなる緩衝層３が形成されているリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

To provide a method of forming an AlN buffer layer and a method of forming a GaN single-crystal film, which can keep the substrate temperature at a low temperature, which are safe, and which can enhance product quality.例文帳に追加

基板温度を低温に保ち、安全で、製品品質を向上させることのできるＡlＮバッファ層の作成方法およびＧaＮ単結晶膜の作成方法を提供すること。 - 特許庁

A mask 11 for selective growth is formed on a substrate 1 for growth, and an AlN buffer layer 2 is formed in the area where a part of the mask 11 for selective growth is removed.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure is provided with a sapphire substrate having processing structures of a recess portion and a projection portion on its surface in advance; a nitride semiconductor buffer layer formed on at least the projection portion on the substrate; and a nitride semiconductor layer formed on the semiconductor structure having an uneven portion by the sapphire substrate and the nitride semiconductor buffer layer.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate.例文帳に追加

単結晶基板１上に犠牲層としても機能するバッファー層２を形成する工程と、バッファー層２上に強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を形成する工程と、強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を単結晶基板１から分離する工程と、単結晶基板１から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。 - 特許庁

On a semi-insulating substrate 1 made of, for example, GaAs, a conductive semiconductor layer 3 made of n type GaAs doped with, for example, Si is provided across a buffer layer 2 made of undoped GaAs, and on the n type semiconductor layer 3, gate electrodes 7 (7a to 7f) are provided at constant intervals.例文帳に追加

たとえばＧａＡｓからなる半絶縁性基板１上に、アンドープのＧａＡｓからなるバッファ層２を介して、たとえばＳｉがドープされたｎ形のＧａＡｓからなる導電性半導体層３が設けられ、そのｎ形半導体層３上に一定間隔でゲート電極７（７ａ〜７ｆ）が設けられている。 - 特許庁

A codoped layer 13 made of GaN, in which one of silicon (Si) and germanium (Ge) as impurities serving as a donor and one of magnesium (Mg) and zinc (Zn) as impurities serving as an acceptor are codoped, is provided between a substrate 11 and a buffer layer 12, and a first n-type cladding layer 14.例文帳に追加

基板１１およびバッファ層１２と第１ｎ型クラッド層１４との間に、ドナーとして働く不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の一方およびアクセプタとして働く不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）の一方が共添加されたＧａＮよりなる共添加層１３を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor substrate 5 includes: a step of forming a carbon layer mainly containing carbon, on a surface 1a of a substrate (silicon substrate 1) with a single crystal silicon on at least one surface; and a step of irradiating the carbon layer with electromagnetic wave, heating it, and forming a carbonizing buffer layer 3 containing silicon carbide.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板（シリコン基板１）の一面１ａ上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層３を形成する工程と、を含む半導体基板５の製造方法。 - 特許庁

To provide a system and method for forming a semiconductor die contact, which can provide a better buffer, which allows more rough handling, transportation, and use, for a low-k dielectric layer, an ELK dielectric layer, and/or a ULK dielectric layer disposed at metalization layers of a semiconductor device, without causing damage, delamination, or cracking by other objects.例文帳に追加

他の物体によって損傷、剥離、または亀裂を生じることなく、より粗野な処理、運送、および使用を可能にするよりよい緩衝を、半導体デバイスの金属化層に配置された低k誘電体層、ELK誘電体層、および／またはULK誘電体層の半導体ダイのコンタクトを形成するシステム、方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

Since the buffer layer containing the plasticizer such as glycerol absorbs the stress (shock) burdened on the coloring-matter layer, the falling off of the coloring-matter layer from the inside of a wrapping material is effectively prevented even in the case where friction force or the like is burdened on the wrapping material, and the coloring matter is smoothly transferred onto the surface of food by heat cooking.例文帳に追加

グリセリンなどの可塑剤を含む緩衝層が色素層に負荷されるストレス(衝撃)の吸収体になるため、包材に摩擦力などが負荷されたとしても、色素層が包材内面から脱落することが有効に防止され、加熱調理によって色素が食品の表面にスムーズに転写される。 - 特許庁

A buffer layer 12 made of a metal oxide and a lower electrode layer 13 made of a conductive oxide having a perovskite structure are epitaxially grown on an Si single crystal substrate 11. a ferroelectric layer 14 made of SBT is further grown epitaxially with its (c) axis tilted to 45-55° from a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１１上に、金属酸化物からなるバッファ層１２、ペロブスカイト構造の導電性酸化物からなる下部電極層１３をエピタキシャル成長させ、さらにＳＢＴからなる強誘電体層１４を、そのｃ軸を基板に垂直な方向から４５〜５５°傾けてエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a power semiconductor device that makes an impurity concentration of an n-type buffer layer low to prevent a resistivity profile of an epitaxial layer from deteriorating, and enables minority carriers supplied from an p-type semiconductor substrate to an n^--type drift layer to be controlled.例文帳に追加

ｎ型バッファ層の不純物濃度の低濃度化を可能にしてエピタキシャル層の抵抗率プロファイルの劣化を防止し、かつｐ型半導体基板からｎ^−型ドリフト層に供給される少数キャリアの制御をも可能にした電力用半導体装置の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A p-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 103 whereon a microscopic crystal silicon thin film solar battery si formed on a substrate 101, a microscopic crystal buffer layer 104, an i-type hydrogenated structure, containing at least an n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106, and a reflection electrode, formed on the laminated structure, are provided.例文帳に追加

微結晶シリコン薄膜太陽電池が、基板と、該基板の上に形成された、ｐ型水素化微結晶シリコン層、微結晶バッファ層、ｉ型水素化微結晶シリコン層、及びｎ型水素化微結晶シリコン層を少なくとも含む積層構造と、該積層構造の上に形成された反射電極と、を備える。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

An optical wave guide element is installed with a conductive or a semi-conductive lower electrode 2, an epitaxial or a single-oriented buffer layer 4 set on the lower electrode 2, an epitaxial or a single oriented optical wave guide 1 provided on the buffer layer 4, and a conductive thin film or a semi-conductive thin film upper electrode 7 set on the optical wave guide 1.例文帳に追加

導電性または半導電性の下部電極２と、下部電極２上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性のバッファ層４と、バッファ層４上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の光導波路１と、光導波路１上に設けられた導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極７とを具備する光導波路素子による。 - 特許庁

A metal corrugated thin ring layer molded by winding a metal thin plate with corrugated cross section or a metal corrugated thin buffer ring layer molded by piling and winding the metal thin plate with corrugated cross section and a buffer is formed on both axial end surfaces of the gasket body made of expansion graphite or one of the both axial end surfaces.例文帳に追加

膨張黒鉛からなるガスケット本体の軸方向両端面に、または軸方向両端面のうちいずれか一方の端面に、断面が波形状の金属薄板を巻回して成形した金属波形薄板リング層、または、断面が波形状の金属薄板と緩衝材とを重ね合わせて巻回して成形した金属波形薄板緩衝リング層を形成した。 - 特許庁

A gate insulating film is formed over a gate electrode, and a microcrystalline semiconductor film which functions as a channel formation region is formed over the gate insulating film, and a buffer layer is formed over the microcrystalline semiconductor film, and a pair of source and drain regions are formed over the buffer layer, and a pair of the source and drain electrodes in contact with the source and drain regions are formed.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206.例文帳に追加

下部電極２０２を形成するステップ、下部電極２０２の上に配置される巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）メモリ膜２０４を形成するステップ、メモリ膜２０４の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層２０６（通常、金属酸化物）を形成するステップ、および半導体バッファ層２０６の上に配置される上部電極２０８を形成するステップを包含する。 - 特許庁

A growth member 7 has a plurality of growth portions 9 each equipped with a substrate 1, a buffer layer 2 formed on the substrate 1 and composed of a group III nitride, and a seed crystal film 3 formed on the buffer layer 2 and composed of a group III nitride single crystal, wherein a surface 1b of the substrate 1 is exposed between the plurality of adjacent growth portions 9.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。 - 特許庁

The method of performing transmission of a data stream between a video server 200 and a video client 300 according to a transport protocol comprises a step for monitoring the operating condition of an application layer buffer 320 in the video client 300 and a step for signaling stream control data to the video sever 200 according to the condition of the monitored application layer buffer 320.例文帳に追加

トランスポートプロトコルを用いてビデオサーバ２００とビデオクライアント３００との間でデータストリームを送信する方法であって、ビデオクライアント３００のアプリケーション層バッファ３２０の使用状態を監視するステップと、監視されたアプリケーション層バッファ３２０の状態によって、ビデオサーバ２００にストリーム制御データをシグナリングするステップと、を有する、データストリームを送信する方法。 - 特許庁

In the probe 10 of the scanning tunneling microscope and its manufacturing method, the probe 10 is formed from metal such as tungsten, a tip surface 12 of the probe 10 has a buffer layer such as a carbonization coating film, and a carbon nanotube 13 is extended from the buffer layer such as the carbonization coating film of the tip surface 12 of the probe 10.例文帳に追加

走査型トンネル顕微鏡の探針１０において、探針１０はタングステン等の金属で形成され、探針１０の先端表面１２は炭化コーティング膜等のバッファー層を有し、探針１０の先端表面１２の炭化コーティング膜等のバッファー層からカーボンナノチューブ１３が延設されている走査型トンネル顕微鏡の探針１０とその製造方法である。 - 特許庁

Thus, there is provided an SOI substrate provided with the implanted insulation layer 5 on the bottom surface of the trench 30, the P+type implanted collector layer 6, the Ntype buffer layer 7, the Ntype drift layer 8a and the like which are exposed on the substantially same level plane.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film of an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C.例文帳に追加

サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を８００℃に低下して再びｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を形成することができる。 - 特許庁

An organic EL element 1 includes: a paired light transparent electrode 12 for making visible light transmit; a reflective electrode 15 for reflecting visible light; a light-emitting layer 13 formed between the light transparent electrode 12 and the reflective electrode 15; and a buffer layer 14 formed between the light transparent electrode 12 and the light-emitting layer 13 or between the reflective electrode 15 and the light-emitting layer 13.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、対をなす、可視光を透過させる透過電極１２、及び可視光を反射する反射電極１５と、透過電極１２と反射電極１５との間に設けられた発光層１３と、透過電極１２と発光層１３との間、又は反射電極１５と発光層１３との間に設けられたバッファ層１４とを有する。 - 特許庁

More specifically, the buffer layer having the stress relaxation effect is suitably formed by making a second AlN layer using gas mixed with TMA and TMG at 600°C or less to the extent that the mixing ratio of TMA and TMG is 3/17 or more and 6/17 or less if the surface layer of the template substrate comprises the first AlN layer.例文帳に追加

特に、テンプレート基板の表面層が第１のＡｌＮ層からなる場合であれば、６００℃以下の形成温度でＴＭＡとＴＭＧの混合ガスを、ＴＭＡに対するＴＭＧの混合比を３／１７以上６／１７以下の範囲で供給して第２のＡｌＮ層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor layer which solves the problem that can not make a GaN based semiconductor layer having a uniform orientation sufficiently stable even if forming a group III GaN nitride semiconductor layer on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer, its manufacturing method, a compound semiconductor element using it, and a luminous element thereof.例文帳に追加

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。 - 特許庁