「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The projected part of the interlayer insulating film 3 between the approximated contact holes is planarized with CMP method or the like, and thereby the interlayer insulation film 3 between the approximated contact holes, where the projected part is eliminated and the plug 6 from which the upper surface are planarized can be formed.例文帳に追加

近接コンタクトホール間層間絶縁膜の尖り部分がなくなるまでＣＭＰ法等により平坦化し、尖りのとれた近接コンタクトホール間層間絶縁膜および上表面が平坦化されたプラグを形成する。 - 特許庁

The cupper film polishing method comprises a step of forming a copper film on a substrate, and a step of polishing the copper film in a chemical mechanical polishing (CMP) process using a slurry allowing a copper film polishing speed of at least 10,000 Å/min or higher.例文帳に追加

基板上に銅膜を形成する段階と、前記銅膜を銅膜の研磨速度が少なくとも１００００Å／分以上になるようなスラリを用いた化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程にて研磨する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a polishing agent for a barrier layer which uses solid abrasive grains for use in a barrier CMP which polishes a barrier metal material and which can suppress an erosion and a scratch.例文帳に追加

本発明の課題は、バリア金属材料を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、エロージョンの抑制とスクラッチの抑制とを両立しうるバリア層用研磨剤を提供することである。 - 特許庁

To solve the problem in generation of peeling and crack which are generated in the CMP process to form damascene and in the heat cycle, by eliminating mismatch of dynamics characteristic among inorganic system insulation films used for copper diffusion preventing layer, wiring layer and via layer.例文帳に追加

銅拡散防止層と配線層、ビア層に用いられる無機系絶縁膜間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるＣＭＰ工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する。 - 特許庁

Here, in the formula (1) and the formula (2), (d) denotes 1/2 of a thickness of the semiconductor wafer, β denotes 1/2 of a center angle of the circular arc of the end surface of the semiconductor wafer, and α denotes the absolute value of a maximum angle of inclination of the semiconductor wafer at the time of CMP polishing.例文帳に追加

Ｒ＝ｄ／ｓｉｎβ （１）α＜β≦２α （２）ただし、ｄ：半導体ウェハの厚さの１／２、β：半導体ウェハの端面の円弧の中心角の１／２、α：ＣＭＰ研磨時の半導体ウェハの最大傾斜角の絶対値。 - 特許庁

A diffusion preventing film 106 and the interlayer insulating film 108 are formed on the lower-layer wirings 104, 105 and, thereafter, the interlayer insulating film is ground to flatten the same with a grinding amount in accordance with the amount of dishing of the lower-layer wiring 105 through CMP.例文帳に追加

下層配線１０４，１０５上に拡散防止膜１０６、層間絶縁膜１０８を形成した後、ＣＭＰにより下層配線１０５のディッシング量に応じた研磨量で層間絶縁膜を研磨し平坦化する。 - 特許庁

The conditioner for CMP is manufactured by bonding super- abrasives to the acting face of a base metal through at least a single layer of a solder material wherein at least the rear side of the acting face of the base metal is also coated with the solder material.例文帳に追加

金属製台金の作用面に、少なくとも単層の超砥粒がロウ材により固着されたＣＭＰ用コンディショナであって、該台金の作用面の少なくとも裏面にもロウ材を被覆してなるＣＭＰ用コンディショナである。 - 特許庁

To provide a CMP (chemical mechanical polishing) method using general-purpose polishing solution, by which recesses and seams in a wiring part can be minified, and which can finish a surface with oxidation resistance, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

汎用性のある研磨液を用い、配線部のリセスおよび、シームを縮小することができ、且つ、酸化耐性のある表面状態に仕上げることのできるＣＭＰ方法および、半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the laminating process, before required magnetic characteristics are effected by the lowering in the flatness of the laminated film, the film forming operation is temporarily interrupted, and the surface of the insulating layer 14 is polished and flattened with a CMP device.例文帳に追加

前記積層過程において、積層膜の平坦性の低下が、所望の磁気特性に影響を与える前に、成膜作業を一時中断し、ＣＭＰ装置により絶縁層１４の表面を研磨して平坦化処理を施す。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

As the result of the actual measurement, when variations of the film thickness are large, a layout of a circuit pattern, an area rate or layout of a dummy pattern, and a layout, a film forming amount and a polishing amount of a reverse pattern are optimized to materialize the flatness after the CMP process.例文帳に追加

実測の結果、膜厚のばらつきが大きい場合は、回路パターンの配置、ダミーパターンの面積率や配置、リバースパターンの配置及び成膜量、研磨量を最適化して、ＣＭＰ加工後の平坦化を実現する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which reduces variation in polishing speed in a chemical mechanical polishing process (CMP process) for polishing the surface of a film provided on a semiconductor substrate by a polishing pad, and facilitates the process control.例文帳に追加

半導体基板上に設けられた膜の表面を、研磨パッドによって化学機械的に研磨するプロセス（ＣＭＰプロセス）における研磨速度のバラツキを低減し、プロセス制御が容易な半導体基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The counter values cnt1 and cnt2 are inputted to a comparator circuit 10, and if the counter value cnt1 is greater than the counter value cnt2 by 1 or more, then the comparator circuit 10 outputs a signal of an L-level as a comparison result cmp.例文帳に追加

カウンタ値ｃｎｔ１，ｃｎｔ２は、比較回路１０に入力され、カウンタ値ｃｎｔ１がカウンタ値ｃｎｔ２よりも１以上大きくなると、比較回路１０は比較結果ｃｍｐとしてＬレベルの信号を出力する。 - 特許庁

The second pixel separation part PS2 is formed by forming a trench TR and then burying a conductive material in the trench TR through CMP processing for film thinning, the conductive material being not easily polished as compared with a substrate 101.例文帳に追加

第２画素分離部ＰＳ２の形成においては、トレンチＴＲの形成後、薄膜化におけるＣＭＰ処理において、基板１０１よりも研磨されにくい導電性材料を、トレンチＴＲの内部に導電材料を埋め込む。 - 特許庁

To provide a CMP ring in which a crystallization distortion of a molded component is further suppressed, compared with a conventional thermoplastic polyester, the molded component has less volatilization constitution, and thereby contamination of a silicon wafer, due to the volatilization constitution, is suppressed.例文帳に追加

本発明は、従来の熱可塑性ポリエステルよりも成型品の結晶化歪が抑えられ、成形品からの揮発成分が少なく、揮発成分によるシリコンウェハーの汚染が抑制されたＣＭＰリングを提供することにある。 - 特許庁

That is, the polishing platen of the CMP apparatus which supports a pad while being rotated is made up of upper and lower metallic plates having different thermal expansion coefficients.例文帳に追加

すなわち、半導体ウエハがＣＭＰ工程が行われる時に回動されつつ、パッドを支持するＣＭＰ装置の研磨プラテンを、熱膨張係数が異なる上部金属板と下部金属板とを付着して構成したことを特徴とする。 - 特許庁

Subsequently, a non-magnetic layer 8 and a lower magnetic pole 9 are selectively formed by polishing the entire body by a CMP method until at least the frame pattern 50 is exposed and patterning the precursory non- magnetic layer and the precursory lower magnetic pole layer.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法によって少なくともフレームパターン５０が露出するまで全体を研磨し、前駆非磁性層および前駆下部磁極層をパターニングすることにより、非磁性層８および下部磁極９を選択的に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress dishing and erosion in a step of removing a wiring layer in an electrode pad region buried in a wiring groove formed on an insulating film by polishing by using a CMP method.例文帳に追加

絶縁膜に形成されている配線用の溝に埋め込まれている電極パッド領域の配線層をＣＭＰ法を使用して研磨除去する工程の際に、ディッシングやエロージョンを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composition having low dielectricity, heat resistance, chemical resistance and high mechanical strength capable of withstanding CMP, and capable of forming an insulating coating film having high adhesion when an inorganic insulating film layer is provided as an upper layer thereof.例文帳に追加

低誘電性、耐熱性、耐薬品性およびＣＭＰに耐え得る高い機械強度を有し、さらに、上層として無機系絶縁膜層が設けられた場合に密着性が高い絶縁被膜を形成することができる組成物の提供。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant and a mechanical strength sufficient for enduring a CMP step in a copper wiring step of a semiconductor element and generating little pollutant gas at via-hole formation.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

A copper through-hole conductor 5 and a grounded interconnection layer 6 become depressed like a dish through being polished by a CMP method, forming a dishing part 17, because they have lower hardness than that of a through-hole insulator 11 formed of nitride silicon.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨によって、銅からなるスルーホール導電体５および接地配線層１０は、窒化シリコンからなるスルーホール絶縁体１１よりも硬度が低いため、皿状に窪んで低くなって、ディッシング部１７が生じる。 - 特許庁

The CMP device 11 has a top ring 46 for holding a semiconductor wafer 44 by sucking it, a retainer ring 45 for guiding the side face of the semiconductor wafer 44, a polishing pad 41 for polishing the semiconductor wafer 44, and a CCD camera 42.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１１は、半導体ウエハ４４を吸着して保持するトップリング４６と、半導体ウエハ４４の側面をガイドするリテーナリング４５と、半導体ウエハ４４を研磨する研磨パッド４１と、ＣＣＤカメラ４２とを有する。 - 特許庁

After a step of the CMP process of polishing the formed film on the semiconductor wafer by the polishing cloth, while the slurry containing polishing particles is supplied, a step of hydrophile-processing the surface of the polishing cloth is executed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするＣＭＰ処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。 - 特許庁

To provide technology for CMP with little occurrence of flaking of a film, high efficiency in polishing, and further excellence in in-plane uniformity of polishing speed, little polishing unevenness, and advantages in polishing property for obtaining a wafer excellent in flatness.例文帳に追加

ＣＭＰに際して、膜の剥離が起き難く、研磨効率が高く、更には研磨速度の面内均一性に優れ、研磨ムラが起き難く、平坦性に優れたウェハが得られると言った研磨特性に優れた技術を提供することである。 - 特許庁

At the time of measuring the film thickness of the sample after CMP processing, the relatively detailed in-plane film thickness distribution of the sample is found in a short time by moving the sample and continuously detecting the spectroscopic waveform of reflected light from the moving sample.例文帳に追加

ＣＭＰ加工後、膜厚を計測する際、試料を移動し、移動中の試料からの反射光の分光波形を連続的に検出することにより、短時間で比較的詳細な試料面内の膜厚分布を求める。 - 特許庁

After the silicon dioxide film 4 is removed, the uneven surface of the polysilicon film 3 is polished and flattened by a CMP(chemical-mechanical polishing) method, and the surface of the polysilicon film 3 is oxidized again to form a thin silicon dioxide film 4a.例文帳に追加

次に、二酸化シリコン膜４を除去した後、多結晶シリコン膜３の表面の凹凸をＣＭＰ法により研磨して平坦化し、再度多結晶シリコン膜３の表面を酸化して、薄い二酸化シリコン膜４ａを形成する。 - 特許庁

The thickness of the copper-plated film 13 at the central region of the wide wiring groove is increased by the slit groove pattern 5b, thus suppressing the decrease (dishing) in the film of the copper- plated film at the central region of the wide groove wiring 15 in the CMP polishing.例文帳に追加

スリット溝パターン５ｂにより広幅配線溝中央部領域の銅めっき膜１３の厚さが増加し、ＣＭＰ研磨における広幅溝配線１５中央部領域の銅めき膜１３の膜減り（デッシング）が抑制できる。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant porous silica film suited to layer insulation films which stably reveals a low dielectric constant and has a mechanical strength durable against the latest high degree integration process, including the CMP method and various chemicals resistances.例文帳に追加

低誘電率を安定的に示すと共に、ＣＭＰ法をはじめとする最新の高集積化プロセスに耐えうる機械的強度と各種の耐薬品性を兼ね備えた層間絶縁膜に適した多孔質シリカ質膜を提供すること。 - 特許庁

After an embedded oxide film 8 is formed by embedding into the groove 6 and the opening 3a through high density plasma chemical vapor deposition(CVD), the embedded oxide film 8 on the SiN film 3 is removed and flattening is performed by chemical-mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

高密度プラズマＣＶＤ法により、溝６および開口３ａの内部に埋め込むようにして、埋め込み酸化膜８を形成した後、ＳｉＮ膜３上の埋め込み酸化膜８を除去し、ＣＭＰ法により平坦化を行う。 - 特許庁

A CMP (chemical mechanical polishing) apparatus comprises a head 103 for holding a wafer 100, a cylinder 104 for applying pressure to the wafer 100, on which a head 103 is mounted, and an air line 105 connected to the cylinder 104.例文帳に追加

ＣＭＰ装置は、ウェハ１００を保持するためのヘッド１０３と、ヘッド１０３が取り付けられ且つウェハ１００に圧力を印加するためのシリンダー１０４と、シリンダー１０４に接続されたエアーライン１０５とを備えている。 - 特許庁

In the CMP treatment, polishing wastes of metal films, oxide films, etc., and polishing grains and chemicals, such as solvents, etc., in a slurry remain on the polishing cloth and they are accumulated over a long lapse of time to deteriorate a polishing rate.例文帳に追加

ＣＭＰを行うと研磨布上にメタル膜や酸化膜等の研磨屑、スラリ中の研磨粒子や溶媒等の薬品が付着し、これらは研磨時間が長くなるにつれて蓄積していくことにより研磨レートの低下を引き起こす。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a highly reliable electrical connection can be achieved by reliably jointing conductors directly to each other even if joint faces are polished by a CMP method to be planarized and then are solid-state bonded.例文帳に追加

接合面をＣＭＰ法で研磨して平坦化して、固相接合しても、導電体同士を確実に直接接合して、信頼性の高い電気接続ができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The fixing method of the pad for CMP contains fixing wherein (1) the pad fixing agent is positioned between a surface of the pad and a surface of the polishing plate, and (2) the pad is fixed to the polishing plate by heating and fusing the fixing agent.例文帳に追加

ＣＭＰ用パッドの固定化方法は（１）上記のパッド固定化剤をＣＭＰ用パッド表面と定盤表面の間に位置せしめ、（２）該固定化剤を加熱して溶融させて該パッドを該定盤に固定する固定を含む。 - 特許庁

Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 - 特許庁

To provide a treating method of waste liquid which can efficiently treat waste liquid discharged from in a chemical mechanical polish process (CMP waste liquid), containing colloidal silica, copper compounds, hydrogen peroxide, and COD components, and stably obtain high-quality treated water at a low cost.例文帳に追加

コロイド状シリカ，銅化合物，過酸化水素およびＣＯＤ成分を含有するＣＭＰ廃液等を効率よく処理でき、安定して、安価で高品質な処理水を得ることができる廃液の処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of preventing a dummy pattern from bending and preventing a part of the dummy pattern from missing even if a mechanical stress is applied to the dummy pattern during CMP processing and the pattern layout method thereof.例文帳に追加

ＣＭＰ処理においてダミーパターンに機械的ストレスが作用しても、ダミーパターンが折れ曲がったり、ダミーパターンの一部が欠落したりすることを抑制できる半導体集積回路およびそのパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent and a high speed polishing method, by which a high speed polishing is realized with sufficient planarity as it is without causing a polishing scratch, in a CMP (chemical mechanical polishing) technology for flattening an interlayer insulating film and a shallow trench separation insulating film and the like.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜などを平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生させず、平坦性が良いまま高速研磨を行うことを可能にする研磨剤及び研磨法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where a layer is improved in uniformity through its surface so as to be enhanced in performance and reliability when the layer in a disused region is polished in a process where a CMP(chemical mechanical polishing) method is used.例文帳に追加

ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の層を研磨する工程を有する場合、面内均一性が向上できて、層の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive recovery device for recycling by efficiently recovering abrasive grains from polishing process drain containing abrasives drained from a CMP process used in a semiconductor manufacturing plant or the like.例文帳に追加

半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にＣｕ配線を形成するＣＭＰ処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Deposition of the film 117, a CMP(chemical and mechanical polishing) and the like are performed to form a surface flattened film 122 of the flat surface and hydrogen of a required dose for the adjustment of the threshold voltages, is ion-implanted in the film 122 from over the film 122.例文帳に追加

絶縁膜の堆積とＣＭＰ（化学的機械研磨）等を行って表面が平坦な表面平坦化膜１２２を形成し、その上からしきい値電圧調整に必要なドーズ量の水素をイオン注入する。 - 特許庁

To provide an aqueous polishing slurry having a high CMP rate and less scratch and dishing, and enabling fabrication of an LSI having improved flatness, and to provide a chemical mechanical polishing method employing the aqueous polishing slurry.例文帳に追加

保存性に優れ、迅速なＣＭＰ速度を有し、スクラッチが少なく、平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする水系研磨液、及び、前記水系研磨液を用いた化学機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

Using a polishing solution containing a polishing compound, deionized water, a pH controlling agent and a polyethylene imine enabines adjustment of a removing ratios of a silicon oxide film and a silicon nitride film, which are simultaneously exposed at the time of CMP polishing of a conductive layer, such as a polysilicon layer.例文帳に追加

研磨剤、脱イオン化水、ｐＨ調節剤及びポリエチレンイミンを含む研磨液を使用すれば、ポリシリコン層のような導電層のＣＭＰ時に同時に露出されるシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の除去率を調節できる。 - 特許庁

A Damascene interconnection is formed by removing excess metallic film and liner film on the outside of an interconnection trench by CMP method using slurry containing a polishing agent produced by cementing a plurality of active particles (silica) 1 through an inactive body (PMMA) 12.例文帳に追加

複数の活性粒子（シリカ）１１を不活性体（ＰＭＭＡ）１２で固めた構成の研磨剤を含むスラリーを用いたＣＭＰ法によって、配線溝の外部の余剰な金属膜およびライナー膜を除去し、ダマシン配線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for polishing a substrate having an end point detecting method enabling a high quality of polishing, which can increase an end point detecting accuracy of polishing operation, in a chemical mechanical polishing(CMP) method with the detected end point less fluctuated.例文帳に追加

ＣＭＰ法における研磨処理の終了点検出の精度を高め、検出された終了点のばらつきが少なく、高品質の研磨が可能な終了点検出方法を有する基板研磨方法を提供する。 - 特許庁