「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The method also comprises the steps of mounting the clothes 11, 12 on facing surfaces 4a of the wafer of a polishing platen 4 as a polishing tool, integrally rotating the clothes 11, 22, and supplying a slurry 10 for the CMP to the surface 11a of the cloth 11.例文帳に追加

各研磨布１１，１２を、研磨治具としての研磨定盤４のウェーハ対向面４ａ上に取り付けて一体に回転させるとともに、研磨布１１の表面１１ａにＣＭＰ用スラリー１０を供給する。 - 特許庁

After removing a resist pattern 121, a chemical-mechanical polishing(CMP) method is used to grind and polish a part of a metallic pattern 105 projecting over the surface of an interlayer insulation film 102 and to planarize the interlayer insulation film 102.例文帳に追加

レジストパターン１２１を除去した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法により、金属パターン１０５の層間絶縁膜１０２表面上に突出している部分を研削研磨し、層間絶縁膜１０２上を平坦化する。 - 特許庁

Alternatively, when there is a marking M at the outer circumference of the wafer 6 and exposure shot over the entire surface cannot be made, the HDP4, which is formed thick at the upper part of marking M, is deleted with the etching process as the other process, before the CMP processing.例文帳に追加

または、ウェーハ６外周部にマーキングＭがあり、全面に露光ショットできない場合は、マーキングＭ上方に厚く形成されるＨＤＰ４をＣＭＰ処理前の別工程のエッチングで除去を行ってＨＤＰ４を削除する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which dishing can be suppressed in the step of removing wiring layers other than a wiring layers buried in a wiring groove formed on an insulating film by polishing by using a CMP method.例文帳に追加

絶縁膜に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層以外の配線層をＣＭＰ法を使用して研磨除去する工程の際に、ディッシングを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an opening is shaped in insulation films 10, 30 and metal is made to flow, the pads 11, 31 are formed by removing an upper surface of the metal while flattening by a CMP method by using an upper surface of the insulation films 10, 30 as a stopper.例文帳に追加

これらパッド１１，３１は、絶縁膜１０，３０を開口して金属を流し込んだ後、絶縁膜１０、３０上面をストッパとしてＣＭＰ法にて同金属上面を平坦化しつつ除去することで形成される。 - 特許庁

The CMP process polishing liquid is used, which consists of abrasives (A), having a 1 to 95 nm volume mean particle size (D) and containing ≤10 particles of ≥0.56 μm in diameter per 1 ml, and water.例文帳に追加

１ｎｍ以上９５ｎｍ以下の体積平均粒径（Ｄ）を有し、直径０．５６μｍ以上の粒子数が１ｍｌあたり１０万個以下である研磨材（Ａ）と水とからなることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨液を用いる。 - 特許庁

To provide a polishing solution and polishing method for metal, which exhibits a high CMP speed and good copper/tantalum polishing selectivity, and enhances planarity of the surface to be polished by reducing the dishing while reducing occurrence of scratches.例文帳に追加

、迅速なＣＭＰ速度及び良好な銅／タンタル研磨選択性を有し、ディッシングが少なく被研磨面の平坦性を向上させることが可能であり、且つ、スクラッチの発生を低減できる金属用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

Only at a wide groove 3 with a width of 1 μm or larger among the grooves provided at an insulating film 2, a metal film 5 whose lower part is embedded in the groove 3 while its upper part protruding above the groove 3 is formed before polishing by CMP method.例文帳に追加

絶縁膜２に設けられた溝の内の、幅１μｍ以上の幅広の溝３の部分のみに、下部が溝３内に埋め込まれ、上部が溝３から突出した金属膜５を形成した後、前記ＣＭＰ法による研磨を行う。 - 特許庁

A non-inversion input terminal of the comparator CMP 1 of the reverse current prevention circuit 5 is connected to the correction voltage source V_CC1 outputting correction voltage V_C1 lower than GND, and an inversion input terminal is connected to the output part of the switching circuit 3.例文帳に追加

逆電流防止回路５のコンパレータＣＭＰ１の非反転入力端子は、ＧＮＤよりも低い補正電圧Ｖ_C1を出力する補正電圧源Ｖ_CC1に接続され、反転入力端子はスイッチング回路３の出力部に接続されている。 - 特許庁

To provide a wiring forming method and apparatus wherein flatness of a solder film is improved in the case that fine holes and large holes mingle on a surface of a substrate and CMP work which is performed after improvement of flatness is enabled in a short time while generation of dishing is prevented.例文帳に追加

基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のＣＭＰ加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにした配線形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Then, after a conductor film 23 and a metal film 24 covering the whole surface are formed, unnecessary portion on the interlayer insulating film 19 is polished and removed by CMP method to form the MISFET provided with the metal gate electrode of damascene structure.例文帳に追加

そして、全面を被覆する導電体膜２３およびメタル膜２４を形成した後、ＣＭＰ法により層間絶縁膜１９上の不要部分を研磨除去しダマシン構造のメタルゲート電極を備えたＭＩＳ型ＦＥＴを形成する。 - 特許庁

Slurry 1 for CMP contains a plurality of abrasives 4 formed by an abrasive body 2 that is in a shape of continuous length which extends along one direction, and a plurality of polishing particles 3 adhering to the surface of the abrasive body 2.例文帳に追加

ＣＭＰ用スラリー１は、一方向に沿って延ばされた長尺形状を有する研磨剤本体２と、この研磨剤本体２の表面に付着される複数個の研磨粒子３と、によって形成された研磨剤４を複数個含有している。 - 特許庁

To apply uniform polishing work over the whole surface of a base board, while uniformly supplying abrasives to the whole area including a central part of the base board, by enabling continuous work of the base board, when making polishing basically by a CMP method.例文帳に追加

基本的にＣＭＰ方式により研磨を行い場合において、基板の連続加工を可能とし、且つ研磨剤を基板の中央部を含む全域に均一に供給して、基板の全面にわたって均一な研磨加工を施すことを可能にする。 - 特許庁

In succession, a copper (Cu) as a conductive material is deposited to a thickness of 2 to 2 μm by a sputtering method over the entire surface and is then subjected to a planatarization treatment by polishing the material by CMP(chemical and mechanical polishing) until the surface of the lower shielding layer 3 thereafter is exposed.例文帳に追加

続いて、全面に導電材料として銅（Ｃｕ）をスパッタ法により２〜３μｍの厚さに堆積した後、ＣＭＰ（Chemical andMechanical Polishing : 化学的機械研磨）により下部シールド層３の表面が露出するまで研磨し、平坦化処理を行う。 - 特許庁

To provide a polymer giving an insulation film having low relative dielectric constant and excellent CMP resistance and chemical liquid resistance, a method for producing the polymer, a composition for forming an insulation film, a method for producing an insulation film, and a silica-based insulation film.例文帳に追加

比誘電率が低く、かつ、ＣＭＰ耐性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

At this time, the second and third interlayer insulating films 42, 43 are respectively subjected to planarization processing by using a CMP method, and the contact holes are made, only in the pixel regions 10a of the second and third interlayer insulating films 42, 43 subjected to the planarizing processing.例文帳に追加

その際、ＣＭＰ法を用いて第２，第３層間絶縁膜４２，４３をそれぞれ平坦化処理し、これら平坦化処理した第２，第３層間絶縁膜４２，４３に対しては画素領域１０ａのみにコンタクトホール８３，８４を開孔する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid which can inhibit aggregation and sedimentation of abrasive grains significantly when compared with prior art, even when it is kept not at low temperature but at about the room temperature, and can accommodate the process or cost reduction flexibly while having high storage convenience.例文帳に追加

低温ではなく室温程度で保管した場合でも、従来よりも砥粒の凝集・沈降を大幅に抑制することができ、保存利便性が高く、プロセスやコスト低減に柔軟に対応できるＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

To suppress dishing and erosion and realize a high smoothness when a film to be polished is formed on a semiconductor substrate with an element isolation region 11 having dummy patterns 13 defined by a plurality of trenches 12 positioned thereon and is flattened by CMP.例文帳に追加

複数のトレンチ１２により区画されるダミーパターン１３が素子分離領域１１に配置された半導体基板上に被研磨膜を形成し、これをＣＭＰにより平坦化するに際し、ディッシング及びエロージョンを抑制し、高い平滑性を実現する。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition capable of forming a silicone-based film having an appropriate uniform thickness and suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor, or the like, and excellent in heat resistance, permittivity characteristics and CMP (chemical mechanical polishing) resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一の厚さを有するシリコーン系膜が形成可能で、耐熱性、誘電率特性、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

When an opening is shaped in the insulation films 10, 30, an insulation film in a part which becomes island-like insulation films 11i, 31i is precluded from etching removal so that flattening in a CMP process can be carried out properly.例文帳に追加

ここにおいて、絶縁膜１０，３０への開口に際しては、ＣＭＰ工程における平坦化を好適に行うことを可能とすべく、島状絶縁膜１１ｉ、３１ｉとなる部分の絶縁膜はエッチング除去される対象から外される。 - 特許庁

The third interlayer insulating film 214 is so flattened by a CMP method that the surface of the third interlayer insulating film 214 is in the same plane of the upper surface of the interlayer connection metal 208 and the surface of the first interlyaer insulating film 204.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜２１４の表面が層間接続用金属２０８の上面および第１の層間絶縁膜２０４の表面と同一平面になるように、ＣＭＰ法によって第３の層間絶縁膜２１４を平坦化する。 - 特許庁

Then, after a second copper-plated film 7b is electrically plated onto the first copper-plated film 7a, polishing is made until the surface of the insulating film 2 is exposed by the CMP polishing method, thus forming groove wiring at the first wiring groove 3 and the second wiring groove 5.例文帳に追加

次いで、第１の銅めっき膜７ａ上に第２の銅めっき膜７ｂを電気めっきした後、ＣＭＰ研磨法で絶縁膜２の表面が露出するまで研磨して第１の配線溝３および第２の配線溝５に溝配線を形成する。 - 特許庁

To provide a material for forming an interlayer insulation film for a semiconductor device or the like which has a low dielectric property and enables the formation of a coating film by short-time baking if being used on a base material (or substrate), with the coating film having superior heat resistance, crack resistance, and CMP resistance.例文帳に追加

基材（又は基板）上に適用すると短時間焼成で塗膜が形成され、この塗膜は耐熱性、クラック耐性、ＣＭＰ耐性に優れ、低誘電性であり半導体素子などにおける層間絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

To maintain sharpness equal to or more than that of a conventional dresser and to improve holding power of abrasive grains and a discharging property of chips, in a dresser to dress abrasive cloth used for surface finishing of a semiconductor wafer, etc., by CMP work.例文帳に追加

ＣＭＰ加工による半導体ウエハなどの表面仕上げに用いる研磨布をドレッシングするためのドレッサにおいて、従来のドレッサと同等以上の切れ味と加工精度を維持したうえで、砥粒の保持力と切粉の排出性を向上させる。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時のガス発生の少ない多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates contaminant gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing a trench type oxide film 13 for isolation of a semiconductor substrate 12 in which surface planarity is enhanced by enhancing uniformity of polishing speed at the time of polishing an isolation oxide film 13a by a CMP method.例文帳に追加

半導体基板１２の素子分離にトレンチ型分離酸化膜１３を用いた半導体装置において、分離酸化膜１３ａをＣＭＰ法で研磨する際の研磨速度の均一性を向上して表面平坦性の良好な半導体装置を得る。 - 特許庁

A CMP apparatus may switch from a high-selectivity slurry to a low-selectivity slurry when any of the reflectance rate traces indicates initial exposure of the metal layer, and the polishing operation is stopped when all of the reflectance rate traces indicate that an oxide layer is completely exposed.例文帳に追加

ＣＭＰ装置は、反射率トレースのいずれかが金属層の初期一掃を指示する際に、高選択度スラリから低選択度スラリへ切替え、酸化物層が完全に露出されたことを全ての反射率トレースが指示する際に、研磨は停止できる。 - 特許庁

After the plating growth of Cu, Cu is irradiated with silane system gas to introduce Si to Cu, and the grain growth of Cu is carried out by anneal; Si is diffused to form SuSi alloy, and it is flattened by CMP to form wiring or via.例文帳に追加

Ｃｕのメッキ成長後、シラン系ガスを照射してＣｕ中にＳｉを導入し、その後、アニールによってＣｕをグレイン成長させると共にＳｉを拡散させてＣｕＳｉ合金とし、ＣＭＰにより平坦化して配線やビアを形成する。 - 特許庁

In this polishing method, when a soft magnetic layer made of an Fe alloy containing Si and Al is polished, CMP is performed using a first acid slurry, and then MP is performed using a second weak-acid or neutral slurry having a pH different from that of the first slurry.例文帳に追加

Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層を研磨する場合に、酸性の第１のスラリーを用いてＣＭＰを行い、次いで、第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いてＭＰを行う。 - 特許庁

To provide a polishing agent and a polishing method allowing efficient and uniform polishing at high speed without scratch and also allowing easy process management in the CMP technology of smoothening an interlayer dielectric film, BPSG film, and insulation film for shallow trench isolation.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing liquid and polishing method, which increase a polishing rate of a palladium layer in comparison with that using conventional polishing liquids while maintaining a polishing rate of a foundation metal layer and which suppress coagulation sedimentation of abrasive grains.例文帳に追加

下地金属層の研磨速度を維持しつつ従来の研磨液を用いた場合よりもパラジウム層の研磨速度を向上させると共に、砥粒の凝集沈降を抑制することができるＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

The abrasive for the CMP for polishing a polished surface in manufacturing the semiconductor device contains oxide fine particles, pullulan, water, and an antiseptic agent with a heterocyclic ring structure having a nitrogen atom and a sulfur atom in the ring.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において被研磨面を研磨するためのＣＭＰ用研磨剤であって、酸化物微粒子とプルランと水と環内に窒素原子および硫黄原子を有する複素環構造を備える防腐剤とを含有する研磨剤。 - 特許庁

In the polishing method for polishing a polishing surface with the polishing agent including the polishing particle and ionic interface activating agent using the CMP method, the polishing of the polishing surface is conducted using the polishing agent including a minus ion of 50 ppm or more.例文帳に追加

本発明では、法を用いて被研磨膜を研磨砥粒子とイオン性界面活性剤とを含有する研磨剤で研磨する研磨方法において、前記被研磨膜の研磨は、50ppm以上のマイナスイオンを含有する研磨剤を用いて行うことにした。 - 特許庁

To provide manufacturing method/device of a semiconductor device for manufacturing the highly efficient semiconductor device by improving flattening uniformity of chemical mechanical polishing by a CMP device and forming a conductor layer by metallic wiring.例文帳に追加

ＣＭＰ装置による化学機械研磨の平坦化均一性を向上せて、金属配線による導体層を形成することによって、高性能な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法とその製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a dresser of polishing cloth for a semiconductor substrate which allows manufacture of a semiconductor of long life and high quality and yield for a metal CMP using an acidic slurry, by removing the blinding of the polishing cloth and stabilizing a polishing speed.例文帳に追加

酸性スラリーを使用したメタルＣＭＰにおいて、研磨布の目詰まりを除去し、研磨速度を安定化し、長寿命であり、品質および歩留まりの高い半導体製造を可能とする半導体基板用研磨布のドレッサーを提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of attaining high planarization as well as having high polishing speed even under a low pressure condition, in a chemical mechanical polishing (CMP) method for such as a film to be processed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低圧条件下であっても、高い研磨速度を有し、且つ、高い平坦化を達成しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The method of polishing a substrate supplies the CMP polishing liquid between a metal film on the surface of the substrate and a polishing cloth to polish the metal film by relatively moving the substrate and the polishing cloth.例文帳に追加

本発明に係る基板の研磨方法は、金属膜を表面に有する基板の当該金属膜と研磨布との間に前記ＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板と研磨布とを相対的に動かすことにより金属膜を研磨する。 - 特許庁

To provide CMP equipment wherein miniaturization is enabled by forming a polishing head which also has conditioning functionality of a polishing pad, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein polishing of a wafer is enabled while conditioning of the polishing pad is performed.例文帳に追加

研磨パッドのコンディショニング機能をも併せ持つ研磨ヘッドを形成して、小型化が可能なＣＭＰ装置を提供し、研磨パッドのコンディショニングを行いつつウエハを研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-permittivity film which has a high mechanical strength, improves the CMP resistance by applying as a layer insulation film for semiconductor elements, can ensure a wide process margin, and attains a high performance, high reliability and high yield of LSI.例文帳に追加

高い機械強度を有し、半導体素子の層間絶縁膜として適用することにより、ＣＭＰ耐性が向上し、広いプロセスマージンを確保でき、ＬＳＩの高性能化、高信頼性、高歩留りが達成される低誘電率膜を提供する。 - 特許庁

After insulation spacers 52 and 54 are formed on the side wall of the gate structure 30, an insulation region that is made of a nitride blanket 60, and bonate-prosphste-silicate glass is formed, and the insulation region is polished and flattened by the CMP method up to the nitride blanket 60.例文帳に追加

ゲート構造３０の側壁上に絶縁スペーサ５２，５４を形成した後、窒化物ブランケット６０および硼燐珪酸ガラスからなる絶縁領域を形成し、絶縁領域を窒化物ブランケット６０までＣＭＰ法で研磨し平坦化する。 - 特許庁

Thus the thickness is minimized in the film deposited by the film deposition process, the amount of polishing is minimized at a stage for performing the CMP polishing of the deposited film, and throughput and suppressing costs are improved in manufacture.例文帳に追加

これにより、膜堆積プロセスで堆積する膜の厚さを最小限に抑制でき、また堆積した膜をＣＭＰ研磨する段階においても最小限の研磨量とすることができ、製造時のスループット向上とコスト抑制が可能となる。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which can enhance the polishing speed ratio of silicon oxide and silicon nitride of a polished film in the CMP technology for polishing the polished film formed on the surface of a substrate, and to provide a polishing method of a substrate using the polishing liquid.例文帳に追加

基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するＣＭＰ技術において、被研磨膜の酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁