「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a table for a wafer polishing device, capable of efficiently performing polishing even when CMP is performed and obtaining the suitable polishing state, and excellent in chemical resistance and abrasion resistance.例文帳に追加

ＣＭＰを行った場合でも効率よく研磨を行うことができかつ好適な研磨状態が得られ、しかも耐薬品性及び耐磨耗性に優れたウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device which has the dummy pattern has a real dummy pattern W formed on the wiring layer to constitute circuit wiring and the dummy pattern D formed on the wiring layer to be used for the CMP method.例文帳に追加

本発明のダミーパターンを有する半導体装置は、配線層に形成され回路配線を構成する実パターンＷと、配線層に形成されＣＭＰ法に用いるダミーパターンＤとを備えている。 - 特許庁

To provide a polishing device, a polishing pad, and a polishing method, which polish a semiconductor substrate while discharging slurry used to polish the semiconductor substrate in a satisfactory condition by a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ法により半導体基板を研磨する際に用いるスラリーが、良好に排出されながら半導体基板を研磨することができる研磨装置、研磨パッド、研磨方法を提供する。 - 特許庁

N register units (11 to 1n) are in cascade connection and the respective register units compare sizes of data inputted from a data bus 102 with those of data being stored and outputs comparison results CMP.例文帳に追加

ｎ個のレジスタユニット（１１〜１ｎ）が縦続に接続され、各レジスタユニットはデータバス１０２から入力されるデータと現在格納中のデータとの大小を比較し、比較結果ＣＭＰを出力する。 - 特許庁

To provide a drive device for a table or a polisher for polishing and CMP having large output torque and high rotating speed precision, of low vibration and low noises, hollow, compact and light.例文帳に追加

大きな出力トルクと高い回転速度精度を有し、且つ、低振動、低騒音で、更に中空であるコンパクトで、軽量なポリッシング、ＣＭＰ用テーブルまたはポリッシャの駆動装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for simply and efficiently synthesizing cytidine 5'-triphosphate (CTP) from inexpensive cytidine 5'-monophosphate (CMP), and a method for producing a compound by utilizing an enzymatic reaction that consumes CTP.例文帳に追加

安価なシチジン５’−モノリン酸（ＣＭＰ）から簡便かつ効率的にシチジン５’−トリリン酸（ＣＴＰ）を合成する方法およびＣＴＰを消費する酵素反応を利用した化合物の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a device capable of accurately adjusting the concentration of adjusting agent such as ammonia or hydrogen peroxide for stabilizing the abrasive grain dispersibility and the grain diameter in abrasives to be used for chemical and mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）に使用される研磨剤において、砥粒分散性、及び、粒径を安定させるアンモニアや過酸化水素等の調整剤濃度を正確に調整できる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the influence of a stress applied by an upper wiring layer on the semiconductor device, and maintaining the effect obtained by providing a dummy wiring pattern and applying a CMP technology.例文帳に追加

上部配線層が半導体素子に与えるストレスの影響を低減すると共に、ダミー配線パターンを設けてＣＭＰ技術を適用した効果を維持し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the rear surface of the semiconductor wafer 10 is rendered hydrophilic by forming a silicon oxide film, dust particles can be prevented from adhering to the rear surface of the semiconductor wafer 10 during CMP processing.例文帳に追加

半導体ウエハ１０の裏面には酸化シリコン膜が形成され親水性とされているので、ＣＭＰ処理の際に半導体ウエハ１０の裏面に異物が付着するのを防止することができる。 - 特許庁

By using the polishing pad having recesses generated as a result of selectively eliminating the defective parts and existing not corresponding to the above regularity on its polishing surface, CMP processing can be performed efficiently at low cost.例文帳に追加

欠陥部位を選択的に除去することにより形成され、前記規則に一致することなく配設された凹部を有する研磨パッドは、ＣＭＰ処理の低コスト化、効率化を図ることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing a CMP liquid includes a filtering process which filters a dispersing liquid containing cerium oxide particles, a dispersant and water, with a filtration rate less than 75 L/(min x m^2).例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨液の製造方法は、酸化セリウム粒子と分散剤と水とを含む分散液を７５Ｌ／ｍｉｎ・ｍ^２以下のろ過速度でフィルタを用いてろ過するろ過工程を備える。 - 特許庁

The first super-abrasives 4 contain blocky super-abrasives 6 and angular super-abrasives 7, and the angular super-abrasives 7 is 3 mass % or more of the super-abrasives 3 of the CMP conditioner 1.例文帳に追加

第１超砥粒４は、ブロッキーな超砥粒６と、アンギュラーな超砥粒７とを含有し、アンギュラーな超砥粒７がＣＭＰコンディショナ１の超砥粒３に対して３質量％以上である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the method includes a means for sufficiently removing foreign matter such as polishing wastes positioned in recesses formed on a polishing surface of a polishing pad, and to provide a CMP device.例文帳に追加

研磨パッドの研磨面に形成された凹み内に位置する研磨屑などの異物を十分に取り除く手段を備えた半導体装置製造方法及びＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a flat membrane by a CMP technique without generating a dishing in a sacrificial layer, in an infrared ray sensor consisting of the membrane and a cavity section below the membrane, which are formed on one side of a silicone substrate.例文帳に追加

シリコン基板の一面側からメンブレンおよびメンブレン下の空洞部を形成してなる赤外線センサにおいて、犠牲層のディッシングを起こすことなくＣＭＰ技術により平坦なメンブレンを得る。 - 特許庁

Only in the upper portion of the W layer 8 protruding from an interlayer insulation film 2, a Ti layer 9 and a TiN layer 10 are removed by a CMP method, and then an Al alloy layer 11 is formed to form an interconnection pattern.例文帳に追加

層間絶縁膜２から突出したＷ層８の上部のみＴｉ層９、ＴｉＮ層１０をＣＭＰ法で除去し、その後にＡｌ合金層１１を形成して配線パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a means to remove any deposit or prevent generation of any deposit in advance in a grinding solution transport pipe such as a feed pipe and a discharge pipe of a grinding solution to a CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に対する研磨液の供給管や排出管のような研磨液輸送管内における付着物の除去又は付着物発生の未然防止のための手段を提供することにある。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which has high CMP speed, has less dishing, can improve the planarity of a surface to be polished and is stable when being condensed, and to provide a polishing method employing the same.例文帳に追加

迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングが少なく被研磨面の平坦性を向上させることが可能で、濃縮しても安定な金属用研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an image sensor capable of performing fine patterning while enhancing a fill factor even if roughness or uniformity is not improved by a CMP or WET process.例文帳に追加

本発明は、フィルファクターを高めながら、ＣＭＰやＷＥＴ工程による粗さやユニフォーミティの改善を施さなくても、微細パターニングすることができるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polisher with a small foot print in which the exhaustion of the surface of a polishing pad is progressed uniformly in the pad surface by a simple control, even if the diameter of the polishing pad is not enlarged, in the CMP polisher.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置に於いて、研磨パッドの径を大きくしなくも、ウェハの被研磨面の各点に於ける研磨パッドの相対速度が均一、従って研磨速度の均一性が良く、研磨経過時間毎に複雑に変化させる揺動を行うための特別な複雑な制御を行わなくても、簡単な制御で研磨パッドの表面の消耗がパッド面内で均一に進行するフットプリントが小さいＣＭＰ研磨装置を提供することである。 - 特許庁

The other version of this method comprises carrying out reaction by adding, to a reaction system including GlcNAc and CMP, yeast cells, microbial cells having GlcNAc-6P 2-epimerase activity or a treated product thereof, microbial cells having NeuAc synthase activity or a treated product thereof, and microbial cells having CMP-NeuAc synthase activity or a treated product thereof.例文帳に追加

また、本発明は、ＧｌｃＮＡｃおよびＣＭＰを含有する反応系に、酵母菌体、ＧｌｃＮＡｃ−６Ｐ ２−エピメラーゼ活性を有する菌体またはその処理物、ＮｅｕＡｃシンセターゼ活性を有する菌体またはその処理物およびＣＭＰ−ＮｅｕＡｃシンセターゼ活性を有する菌体またはその処理物を添加し、反応させることを特徴とする、ＣＭＰ−ＮｅｕＡｃの製造法に関する。 - 特許庁

The collecting apparatus for collecting polishing material from discharged water in the CMP process comprises a concentrating section for introducing the discharged water in the CMP process in batch-wise way to concentrate the concentration of the polishing material to the extent of given concentration with filtration film and a washing section for adding washing water to the concentrated water obtained by the concentrating section.例文帳に追加

ＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、ＣＭＰ工程排水が回分的に導入され、ろ過膜により研磨材濃度が所定濃度まで濃縮される濃縮部、及び、濃縮部で得られた濃縮水に洗浄水が加えられ、ろ過膜により不純物が除去されるとともに、研磨材濃度が所望濃度まで濃縮される洗浄部とを備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

The HDP-NSG film 16 which is flat and has little dispersion in a remaining film is subjected to wet etching, dry etching or CMP in good plane uniformity, and the HDP-NSG film 16 is thinned.例文帳に追加

次に、この平坦でかつ残膜ばらつきの少ないＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６に、面内均一性のよい条件でウェットエッチング、ドライエッチングまたはＣＭＰを施し、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６を薄膜化する。 - 特許庁

One part of the insulation film 11 is removed together with the unwanted part of a metal 14 for plug by using a CMP technique until a level in which an edge region (of diameter d2) larger than the substantial diameter d1 of a via hole 12 disappears.例文帳に追加

ＣＭＰ技術を利用しビアホール１２の実質的な径ｄ１より大きい縁部領域（径ｄ２）がなくなるレベルまで、層間絶縁膜１１の一部をプラグ用金属１４の不要部分と共に除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein variation in film thickness of an inter-layer insulating film, variation in polishing of a CMP, variation in rate of dry-etching, and the like are absorbed, for avoiding excessive etching and damage to a semiconductor substrate.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜厚バラ付き、ＣＭＰの研磨バラ付き、ドライエッチングのレートバラ付きなどを吸収し、半導体基板上への過剰なエッチング、ダメージを回避できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the CMP method, when cleaning the surface of a substrate by the cleaning liquid containing a surface active agent to remove residual slurries and polishing residues therefrom, an interlayer insulating film 3 is impregnated with organic substances present in the cleaning liquid containing the surface active agent.例文帳に追加

界面活性剤を含む洗浄液で洗浄して、残留するスラリーと研磨残留物を除去すると、界面活性剤を含む洗浄液中の有機物が層間絶縁膜３の中に染み込む。 - 特許庁

Thereafter, unnecessary parts of the film 7 for a Cu interconnection and the TaN film 4 on the insulation film 2 are polished and removed by CMP to form a Cu interconnection 7a and barrier layers 4a in the trenches 3 for interconnections.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて絶縁膜２上の不要なＣｕ配線用膜７及びＴａＮ膜４を研磨除去することにより、配線用溝３内にＣｕ配線７ａ及びバリア層４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a polishing material for an insulation film layer of a semiconductor capable of improving a polishing speed in the abrasion of an insulation film layer of a semiconductor by CMP method, at the same time, capable of reducing scratch and dust, and having excellent quality.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMR layer of a CMOS integrated circuit by a method that can be commercially achieved in a manufacturing method of the CMR layer in the CMOS integrated circuit, including CMP of the CMR layer in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程にＣＭＲ層のＣＭＰを含むＣＭＯＳ集積回路中のＣＭＲ層の製造方法であって、商業的に実現可能な方法でＣＭＯＳ集積回路のＣＭＲ層を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method, which enable the high speed polishing and a high flatness level in a CMP technology, which can plavarize an interlayer insulation film and a shallow trench isolating insulation film, without producing abrasive flaws.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生することなく高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for supplying a polishing agent in a CMP polishing device which is an effective coping means to the occurrence of flaws of a wafer, the drop of the quality or the like, and the drop of the yield of the wafer or the like.例文帳に追加

ウェーハの傷の発生、ウェーハの品質の低下、ウェーハの歩留りの低下等に対し有効な対処手段となり得るＣＭＰ研磨装置における研磨剤の供給装置及び供給方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing end point detector and a CMP apparatus equipped therewith, capable of improving the throughput of a polishing process by detecting the polishing end point of the identical film type more exactly in a substrate to be polished.例文帳に追加

被研磨基板の同一膜種の研磨終点をより的確に検出することにより、研磨工程のスループットを向上できる研磨終点検出装置及びそれを備えたＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

Since the height of the SiO_2 protruding part 14 agrees with the total thickness of the dielectric film 18 and the upper electrode film 20, the lower electrode film 16 is exposed from the SiO_2 protruding part 14 by a CMP process.例文帳に追加

ＳｉＯ_２凸部１４の高さが、誘電体膜１８及び上部電極膜２０の合計の厚さと一致しているため、ＣＭＰプロセスにより、ＳｉＯ_２凸部１４上に下部電極膜１６が露出するようになる。 - 特許庁

In this case, the surface of the insulating film 2 between the wiring grooves 3 is scratched in the CMP process, and a portion of the conductive film 5(conductive film materials 6) are embedded in the scratch, and a short status may be generated between wiring.例文帳に追加

ここで、ＣＭＰ時に配線溝３間の絶縁膜２表面に傷が付き、その傷中に導電膜５の一部分（導電膜材料６）が埋め込まれ、配線間でショート状態となる場合がある。 - 特許庁

In the CMP conditioner for fixing abrasive grains by electrodeposition technology, abrasive grains with large protrusion amounts of diamond abrasive grains are removed, and thereby protrusion amounts are arranged evenly without damaging the diamond abrasive grains.例文帳に追加

電着技術により砥粒を固着するＣＭＰコンディショナにおいて、ダイヤモンド砥粒の突出量が高い砥粒を除去することによって、ダイヤモンド砥粒に損傷を与えることなく突出量をそろえる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

The stopper films 26 in lower polishing rate by CMP process than that of the copper film 25 are formed on the surface of the copper film 24 (a) and (d) so as to polish the copper film 25 and the stopper films 26.例文帳に追加

銅膜２５の表面にそのＣＭＰ法による研磨速度が銅膜２５の研磨速度よりも小さいストッパ膜２６を形成し（（ａ）および（ｄ））、ＣＭＰ法により銅膜２５およびストッパ膜２６を研磨する。 - 特許庁

Thereafter, the copper film and the barrier metal layer 21 in the region other than the wiring grooves 20 are removed by a CMP method, and the wiring lines 22 serving as a second wiring layer whose main conductor layer is formed of the copper film are formed inside the wiring grooves 20.例文帳に追加

その後、配線溝２０以外の領域の銅膜およびバリアメタル層２１をＣＭＰ法により除去して、配線溝２０の内部に銅膜を主導体層とする第２配線層の配線２２を形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 29 is formed after a plate electrode 28 is formed, and a CMP operation is carried out, using the plate electrode 28 on an SiO2 film 34 formed in a peripheral circuit region 56 as a stopper to make the surface flat.例文帳に追加

プレート電極２８の形成後に層間絶縁膜２９を形成し、周辺回路領域５６に形成されたＳｉＯ_２膜３４上のプレート電極２８をストッパーにＣＭＰを行い、平坦化している。 - 特許庁

When manufacturing the semiconductor, it is plasma processed by a non-nitriding atmosphere after being polish processed by CMP to form a damage layer on an upper layer portion of the second interlayer insulating film 3 and on an upper layer portion of the conductive layer 5.例文帳に追加

またその製造に際しては、ＣＭＰによる研磨処理の後に、非窒化性雰囲気でプラズマ処理を行い、第２の層間絶縁膜３の上層部および導体膜５の上層部にダメージ層を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for a CMP in which polishing slurry is held suitably between a surface to be polished and the polishing pad, and which can obtain a polishing rate in the surface to be polished uniformly without the excess consumption of the polishing slurry.例文帳に追加

被研磨面と研磨パッドとの間に研磨スラリーが適切に保持されて、研磨スラリーの余分な消費がなく、被研磨面内での研磨レートを均一にできるＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

After a silicon nitride film 6 is formed as an oxygen transmission preventing film on the first interlayer insulating film 2 and a barrier metal 5, the silicon nitride film 6 is ground by the CMP method, until the surface of the barrier metal 5 is exposed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２及びバリアメタル５上に酸素透過防止膜として、窒化シリコン膜６を形成した後、ＣＭＰ法によりバリアメタル５上表面が露出するまで、窒化シリコン膜６を研磨する。 - 特許庁

To provide a polishing compound in which reliable embedded pattern of a metal film can be formed efficiently by fully decreasing etching rate while maintaining high CMP speed, and to provide a polishing method therefor.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができる、ＣＭＰ用研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

This load cup 4 of a CMP device 1 has a pedestal 12 supporting a wafer W, and three substrate grip members 23 gripping the wafer W by pressing an edge of the wafer W are arranged on a side of the pedestal 12.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１のロードカップ４は、ウェハＷを支持するペデスタル１２を有し、このペデスタル１２の側方には、ウェハＷのエッジを押し付けてウェハＷを把持する３つの基板把持部材２３が配置されている。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a diamond film where a recessed part is easily formed without performing masking and etching on the surface of the diamond film and to provide a CMP pad conditioner using the diamond film for a cutting blade.例文帳に追加

ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁