「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

The CMP waste liquid, which contains colloidal silica, copper compounds, hydrogen peroxide, and COD components, and the like are treated with primary pH adjustment, membrane separation, and secondary pH adjustment in sequence.例文帳に追加

コロイド状シリカ，銅化合物，過酸化水素およびＣＯＤ成分を含有するＣＭＰ廃液等を、１次ｐＨ調整，膜分離，２次ｐＨ調整の順に処理することを特徴としている。 - 特許庁

When the comparator CMP 32 outputs the high level signal to the stop input of the driver 13, the driver 13 stops switching operations to field effect transistors PNM1, PPM1, PNM2, PPM2.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰ３２からハイレベル信号が出力され、ドライバ１３の停止入力に供給されると、ドライバ１３は、電界効果トランジスタＰＮＭ１，ＰＰＭ１，ＰＮＭ２，ＰＰＭ２に対するスイッチング動作を停止する。 - 特許庁

To provide such a pad conditioner for CMP device used in semiconductor substrate machining that prevents the drop of diamond abrasive grain and contamination of a silicone wafer due to elution of binder and a base metal unit.例文帳に追加

半導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がなく、かつ結合材、台金の溶出によるシリコンウエハの汚染がないものを提供する。 - 特許庁

To provide a CMP slurry, capable of simultaneously achieving high polishing speed, low erosion and few scratches and/or little surface roughness, even with respect to aluminum layer.例文帳に追加

アルミニウム層に対してさえ、高い研磨速度と、低いエロージョン、少ないスクラッチおよび／または少ない表面ラフネスとを同時に達成することができる化学的機械的研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

The insulating film 4 on the semiconductor substrate 1 is eliminated by CMP, so that a trench isolating structure, wherein the insulating film 4 is embedded in the trench for trench isolation, can be formed (Figure 1(e)).例文帳に追加

そして、半導体基板１上の絶縁膜４をＣＭＰにより取り除くことにより、トレンチ分離用の溝に絶縁膜４が埋め込まれたトレンチ分離構造が形成できる（図１（ｅ））。 - 特許庁

To provide a pad conditioner capable of preventing long-time elution of metal of the pad conditioner by polishing liquid in conditioning a polishing pad for CMP by the pad conditioner.例文帳に追加

パッドコンディショナーでＣＭＰ用研磨パッドのコンディショニングを行う際に、長時間にわたりパッドコンディショナーの金属が研磨液により溶出するのを防止できるパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

The precise prediction of the variations in the topography for designing the specific mask is performed at a die level by using the existing pattern density and CMP (Chemical Mechanical Polishing) planarization length characteristics to the individual patterns.例文帳に追加

既知のパターン密度、および個々のパターンに対するＣＭＰ平坦化長特性を使用して、特定のマスク設計用のトポグラフィのばらつきの精確な予測をダイ・レベルで行う。 - 特許庁

To provide cache degeneracy when mounting a CPU in a different system or adopting a CMP micro-architecture without changing system hardware or an OS and adding a computer architecture.例文帳に追加

ＣＰＵを異なるシステムに搭載する場合や、ＣＭＰマイクロアーキテクチャを採用する場合に、システムハードウェア、ＯＳの変更、コンピュータアーキテクチャの追加を必要とせずに、キャッシュ縮退を可能にする。 - 特許庁

A W film 3 is polished with CMP technique, a slurry including thermally fused particles of PMMA 1 (organic particles) and manganese dioxide 2 (inorganic particles) is used as an abrasive.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いてＷ膜３を研磨する際に、スラリーとして、ＰＭＭＡ１（有機粒子）と二酸化マンガン２（無機粒子）とが熱接着してなる研磨粒子を含むものを使用する。 - 特許庁

According to this configuration, since the trench 5a can be formed shallowly, the generation of the dishing in the surface of the isolation insulating film 7 filled to the trench 5a during a CMP can be inhibited.例文帳に追加

本構成によれば、トレンチ５ａを浅く形成することができるため、ＣＭＰの際にトレンチ５ａに充填された分離絶縁膜７表面にディッシングが生じることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a composition for polishing which polishes preferentially a copper film in the CMP working process of a semiconductor device including the copper film and a barrier metal film, and to manufacture the semiconductor device efficiently.例文帳に追加

銅膜、バリアメタル膜を含む半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて銅膜を優先的に研磨可能な研磨用組成物が得られ、半導体デバイスを効率的に製造すること。 - 特許庁

Since the plasma silane film of high scratch resistance is provided, the plug is not bent and the short circuit with the adjacent plug is not generated in the CMP processing after forming the tungsten film.例文帳に追加

スクラッチ耐性の高いプラズマシラン膜を設けたので、タングステン膜を成膜した後のＣＭＰ処理において、プラグに曲がりが発生せず、隣接のプラグとの短絡が生じない。 - 特許庁

To provide a water-based slurry composition having excellent planarization performance that can be used for chemical mechanical planarization (CMP) for a layer formed in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中に形成される層の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）に使用され得る、優れた平坦化性能を有する水性スラリー組成物の提供。 - 特許庁

To provide a composition and the like for forming a silica-based coating film capable of forming a silica-based coating film having mechanical strengths such as sufficient CMP resistance, and excellent in low dielectric properties and adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer 3, an element isolation insulating film 6, a silicon oxide film 7 are formed, then a polycrystalline silicon film to be a floating gate electrode 15 is deposited, and then the surface thereof is planarized by a CMP method.例文帳に追加

拡散層３、素子分離絶縁膜６、酸化シリコン膜７を形成後、フローティングゲート電極１５となる多結晶シリコン膜を堆積し、ＣＭＰにより表面を平坦にする。 - 特許庁

The fuse forming area 14 is formed as a self-aligned structure which is allowed to remain after the lamination of the lower electrode 131, a fuse film 15, and an upper electrode 16 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズ形成領域１４は、この下部電極１３１、ヒューズ膜１５、上部電極１６の積層がＣＭＰ法で平坦化され残留した自己整合的なダマシン構造である。 - 特許庁

To provide a composition for forming an interlayer insulating film and so on whereby an insulating film can be formed with high mechanical strength such as sufficient CMP resistance, a low dielectric property, and high adhesion.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れる絶縁膜を形成できる層間絶縁膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a rotary type polishing device including a polishing table which is rotated, in which a polishing pad can be replaced automatically without interrupting the CMP process.例文帳に追加

研磨テーブルを回転させるようにした、いわゆるロータリ型ポリッシング装置であって、ＣＭＰプロセスを停止することなく、研磨パッドを自動交換できるようにしたポリッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silica-based film forming composition and the like, which forms a silica-based film excellent in mechanical strength such as sufficient CMP (chemical mechanical polishing) resistance, low dielectric properties, and adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

Related to a manufacturing method for a thin-film magnetic head, a lower part shield layer 16 together with a dummy layer 54 are formed, which are coated with alumina, and the surface is polished by CMP to form a flattened layer 24.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層１６と共にダミー層５４を形成した後アルミナで被覆し、ＣＭＰにより表面研磨して平坦化層２４を形成する。 - 特許庁

To prevent nonconformity of variations in cutting amount of a Cu wiring in the plane of a wafer, when the surface of wafer is scrub-cleaned after the Cu wiring is formed by a CMP(chemical-mechanical polishing) method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法によってＣｕ配線を形成した後、ウエハの表面をスクラブ洗浄する際に、Ｃｕ配線の削れ量がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device which can suppress dishing in a pad region through a CMP step to realize suitable photolithography and etching step, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＰ工程を経るパッド領域におけるディッシングを抑制し、適正なフォトリソグラフィ及びエッチング工程が行える高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After an STI implanted insulation film 17 is deposited and planarized by CMP, a flat surface is obtained by etching of the stopper nitride film 16 and the insulation film 17 by constant velocity RIE, and a second polycrystalline silicon film 18 is deposited on the flat surface (e).例文帳に追加

シリコン膜１３、第１の多結晶シリコン膜１５の側面に逆テーパー面（テーパー角θが鈍角）が形成されるようにエッチングして素子分離溝を形成する。 - 特許庁

A fourth insulation film 109 and a third insulation 108 film are polished and planarized, applying a CMP method so that the top of the plug 106 and the contact layer 106a is not exposed.例文帳に追加

プラグ１０６と密着層１０６ａの上面が露出しないように、第４の絶縁膜１０９および第３の絶縁膜１０８をＣＭＰ法により研磨して平坦化する。 - 特許庁

The height d1 of a step formed along the crystal surface of the silicon carbide of a silicon carbide layer 1 having an off angle is adjusted to be ≤1nm by polishing the top surface of the silicon carbide layer 1 by the CMP method etc.例文帳に追加

オフ角を有する炭化珪素層１の上面をＣＭＰ法等により研磨して、炭化珪素の結晶面に沿った方向におけるステップ高さｄ１を１ｎｍ以下にする。 - 特許庁

This method for CMP contains the steps of forming a CMP slurry containing ceric oxide, adding a slurry reform to a slurry, namely polishing a low structure region at substantially zero rate with the slurry reform for polishing a high structure region at a rate close to a blanket polishing rate, and polishing a structure by the use of the slurry containing a reform.例文帳に追加

ＣＭＰの方法は、酸化セリウムを含有するＣＭＰスラリーを形成する工程と、スラリー改質剤をスラリーに添加する工程であって、スラリー改質剤が、実質的にゼロレートで低構造領域を研磨し、ブランケット研磨レートに近いレートで高構造領域を研磨する、工程と、改質剤を含有するスラリーを用いて構造体を研磨する工程とを包含する。 - 特許庁

To accurately detect the finish point of a CMP process for a second metal film in the case that the second metal film is accumulated on a first metal film and thereafter the CMP method is performed for the laminated film of the first metal film and the second metal film after the first metal film is accumulated on the bottom face and the wall face of a recess part formed on the insulation film and the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に形成された凹部の底面及び壁面並びに絶縁膜の上に第１の金属膜を堆積した後、該第１の金属膜の上に第２の金属膜を堆積し、その後、第１の金属膜と第２の金属膜との積層膜に対してＣＭＰ法を行なう場合に、第２の金属膜に対するＣＭＰ工程の終点を精度良く検出できるようにする。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive which enables a highly planarized polishing surface and polishes a surface of a silicon oxide insulation film, etc., at a high rate, without scratches, and is improved in store stability.例文帳に追加

研磨面の高平坦化が可能で、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することが可能なことに加えて、保存安定性を改良したＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

To improve chemical resistance by forming a perfect film on the front surface of a grinding wheel having protrusions and recesses, in an electrodeposition grinding wheel for dressing of a polisher to be used for high-precision finishing such as CMP working.例文帳に追加

ＣＭＰ加工などの精密仕上げ加工に用いられるポリッシャのドレッシング用電着砥石において、凹凸が存在する砥石表面に完全な成膜を形成して耐薬品性を高める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which prevents a protruding part of a polished film from breaking and turn into a foreign material during polishing by a CMP method, while suppressing increase in the manufacturing cost.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨中に被研磨膜の凸部が折れて異物となることを抑制でき、かつ製造コストが増加することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reflector 21 is formed, after forming a MOS transistor, insulation films 14, 15, 18 and 19, and connecting plugs 16a and 20a on a silicon substrate 11 and performing CMP polishing of the surface of the insulation film 19.例文帳に追加

シリコン基板１１にＭＯＳトランジスタ、絶縁膜１４，１５，１８，１９及び接続プラグ１６ａ，２０ａを形成し、絶縁膜１９の表面をＣＭＰ研磨した後、反射電極２１を形成する。 - 特許庁

Afterwards, the BPSG films 27 and 40 are ground by the method of CMP using a silicon nitride film 26 as a stopper, and all the BPSG films 27 and 40 on a control gate are removed.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜２６をストッパーに用いたＣＭＰ法によりＢＰＳＧ膜２７、４０の研磨を行い、制御ゲート上のＢＰＳＧ膜２７、４０を全て除去することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing an anti-corrosive for azole-based copper in anti-corrosive-containing water for the azole-based copper such as waste water in the CMP step of a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体デバイス製造プロセスにおけるＣＭＰ工程の排水等のアゾール系銅用防食剤含有水中のアゾール系銅用防食剤を効率的に除去する方法を提供する。 - 特許庁

Cu metallization is treated to reduce defects and effect passivation, and to reduce leakage between lines, by removing surface defects subsequent to CMP and barrier layer removal.例文帳に追加

欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Ｃｕメタライゼーションは、ＣＭＰおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which is free of such defects as short-circuiting caused by the deformation of the periphery, etc., when precisely by CMP method or the like.例文帳に追加

ＣＭＰ法等により多層薄膜配線部の各層を精密に平坦化して積層して形成する際に、外周部の変形に起因するショートの発生等の不具合のない多層配線基板を提供する。 - 特許庁

A wiring groove 52 is formed in a first insulating film 51 constituted of a carbon content silicon oxide film, and then tantalum nitride 53a and copper 53b are accumulated, and first metallic wiring 53 is formed by a CMP method.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜５１に配線溝５２を形成後、タンタルナイトライド５３ａ、銅５３ｂを堆積した後、ＣＭＰ法により第１の金属配線５３を形成する。 - 特許庁

Then, a conductor layer, the barrier film, and the cap insulating film are polished by second CMP using slurry having higher wettability for the conductive material than for the low-dielectric-constant film.例文帳に追加

次に、導電性材料に対する濡れ性が低誘電率膜に対する濡れ性よりも高いスラリーを用いた第２のＣＭＰにより、導電体層、バリアメタル膜およびキャップ絶縁膜を研磨する。 - 特許庁

A copper film is deposited on the copper film 17 by sputtering to fill a recessed part (wiring channel 15), and an excessive copper film and titanium nitride film other than the wiring channel 15 are removed by a CMP method to form a wiring.例文帳に追加

さらに銅膜１７上にスパッタ法により銅膜を堆積して凹部（配線溝１５）を埋め込み、配線溝１５以外の余分な銅膜、窒化チタン膜をＣＭＰ法により除去して配線を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a second copper thin film having sufficient thickness is formed through sputtering on the film 5 in a short time, and then flattened on its surface by a CMP process to form a copper wiring.例文帳に追加

続いてスパッタ法により第１銅薄膜５上に短時間で十分な膜厚の第２銅薄膜６を形成した後、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of stably forming a fine pattern which is 50 nm or less by minimizing nonuniformity generated at the time of CMP in the step of forming the fine pattern.例文帳に追加

微細パターンの形成工程におけるＣＭＰ時に生じる不均一性を最小化し、５０ｎｍ以下の微細パターンを安定的に形成可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an annealing process preceding CMP, temperature in the range from room temperature (RT) to about 50°C is thrown into heat treatment equipment and organic materials in the metal are not carbonized but discharged to the outside.例文帳に追加

ＣＭＰ前のアニール工程において、熱処理装置内への投入する温度を室温（ＲＴ）から５０℃程度の範囲の低温で投入して、金属内の有機物を炭化させないで、外部放出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof such that the factor of a decrease in yield such as variance in film thickness after CMP which is caused in a manufacturing process can be removed in a stage of designing.例文帳に追加

製造工程で生じるＣＭＰ後の膜厚ばらつき等の歩留まり低下要因を設計段階で取り除くことができる半導体集積回路及びそのレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

The metal contaminated sample of the silicon wafer is fabricated performing CMP (chemical mechanical polishing) on the silicon wafer used as a sample to cause heavy metal contamination by using a polishing slurry added with a heavy metal.例文帳に追加

重金属を添加した研磨スラリーを用い、試料用のシリコンウェーハにＣＭＰ（化学機械研磨）を施して重金属を汚染させることにより、シリコンウェーハの金属汚染試料を作製する。 - 特許庁

A silicon oxide film is polished using a polishing solution for CMP, the polishing solution containing an abrasive grain, an additive containing a 3-carbonyl-2H-pyran-2,4(3H)-dione compound expressed by the following general formula (1), and water.例文帳に追加

砥粒と、下記一般式（１）で表される３−カルボニル−２Ｈ−ピラン−２，４（３Ｈ）−ジオン系化合物を含む添加剤と、水と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用い、酸化ケイ素膜を研磨する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a conductive member is prevented from remaining on an interlayer insulating film when a planarization process is performed by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による平坦化工程を行う際に、層間絶縁膜上に導電部材が残存することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁