「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a position measurement device for the pad conditioner head of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) device capable of calibrating the position thereof so that the edge of the conditioner head can come accurately into contact with the edge of a platen.例文帳に追加

コンディショナヘッドの縁がプラテンの縁に正確に接するよう位置を校正できるＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装備のパッドコンディショナヘッドの位置測定装置を提供する。 - 特許庁

Then, after formation of a stopper film 53 on the entire surface, polishing is performed by CMP method until the position of the upper surface of the magnetic film 36 matches that of the upper surface of the stopper film 53 on the photoresist film 52.例文帳に追加

次いで、全面にストッパ膜５３を形成した後、磁性膜３６の上面の位置がフォトレジスト膜５２上のストッパ膜５３の上面の位置と一致するまでＣＭＰ法により研磨する。 - 特許庁

To provide a slurry supply device of a CMP device improved in polishing performance for a wafer by efficiently supplying a necessary amount of slurry to a wafer portion on a polishing pad.例文帳に追加

研磨パッド上のウェーハ部分に所要量のスラリーを効率よく供給して該ウェーハに対する研磨性能を向上させうるＣＭＰ装置におけるスラリー供給装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To get a lower electrode in specified form surely when forming the lower electrode especially by CMP method at the time of formation of the capacitive element having a capacity insulating film consisting of a ferroelectric.例文帳に追加

強誘電体からなる容量絶縁膜を持つ容量素子の形成時であって、特にＣＭＰ法により下部電極を形成する際に所定形状の下部電極を確実に得られるようにする。 - 特許庁

To provide an insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant and high heat resistance and has mechanical strength and adhesiveness high enough to be tolerable to a CMP process.例文帳に追加

低い誘電率と高い耐熱性を有し、なおかつＣＭＰ工程に充分に耐えることができる良好な機械強度と密着性能を有した半導体装置の絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that prevents scratches from being generated in CMP processing and short circuit with an adjacent plug from being generated when forming a contact plug in a semiconductor element using a low temperature silicide film.例文帳に追加

低温シリサイド膜を使用する半導体素子において、コンタクトプラグ形成時に、ＣＭＰ処理でスクラッチが発生し、隣接のプラグとの短絡が生じるのを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for semiconductor substrates having excellent cleaning properties to particular foreign materials and ionic foreign materials on the semiconductor substrates after CMP process, and excellent in temperature dependent stability.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス後の半導体基板上の粒子状異物やイオン状異物に対する優れた洗浄性を有し、かつ温度に対する安定性にも優れた半導体基板用洗浄液を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating thin film being porous silica which has low specific dielectric constant and mechanical strength sufficiently resistant to a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。 - 特許庁

The capacitor formation region 14 is a self-aligned embedded structure in which laminated layers of the lower electrode 131, a capacitive insulating film 15, and an upper electrode 16 are flattened with a CMP method, and are left behind.例文帳に追加

容量形成領域１４は、この下部電極１３１、容量絶縁膜１５、上部電極１６の積層がＣＭＰ法で平坦化され残留した自己整合的な埋め込み構造である。 - 特許庁

To provide a clean room capable of effectively preventing a metal contamination due to metal particulates inside the clean room, in regard to a clean room provided with a metal handling device such as a CMP (chemical mechanical polishing) in an interior.例文帳に追加

室内にＣＭＰなどの金属取扱装置が設けられたクリーンルームにおいて、室内における金属微粒子による金属汚染を効果的に防止できるクリーンルームを提供する。 - 特許庁

A polishing strain is reduced but not completely eleminated not to eliminate the gettering effect, and no chemical polishing solution such as CMP is used to require no cost for detoxification.例文帳に追加

研削歪みは減少するが、完全に除去されることはないため、ゲッタリング効果がなくなることはなく、また、ＣＭＰのように化学研磨液を使用することもないため、無毒化のためのコストもかからない。 - 特許庁

This polishing pad is formed by impregnating a urethane foam resin into nonwoven fabric, and polishes a polishing object by non-CMP polishing, and has a plurality of holes 2 and a plurality of grooves 3 on a polishing surface 1.例文帳に追加

不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸されて形成され、被研磨物を非ＣＭＰ研磨で研磨する研磨パッドであって、その研磨面１に複数の孔部２と複数の溝部３とを具備する。 - 特許庁

In addition, the CMP polishing liquid of the present invention contains cerium-based abrasive grains, a dispersant, a polyacrylic acid compound, a surfactant, a phosphate compound and water, and the content of the phosphate compound is in a prescribed range.例文帳に追加

また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 - 特許庁

To prevent the lowering of a polishing rate when a polishing agent includes an ionic surface activating agent in a polishing method and a manufacturing method of semiconductor device using a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method.例文帳に追加

ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いた研磨方法及び半導体基板の製造方法において、研磨剤中にイオン性界面活性剤を含有させた場合の研磨速度の低減を防止すること。 - 特許庁

Thereafter, a groove 12 is formed by etching the silicon nitride film 3 and silicon oxide film 4 using a resist pattern 11 as a mask, and an SiOC film 13 is embedded only in the groove 12 with the CMP method.例文帳に追加

その後、レジストパターン１１をマスクとしてシリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４をエッチングして溝１２を形成し、溝１２内のみにＳｉＯＣ膜１３をＣＭＰ法を用いて埋込む。 - 特許庁

After Cu is deposited over the entire surface, Cu on the insulating layer 12 is removed by CMP operation, Cu is selectively filled into the via hole 13, and the wiring groove 14 forms a Cu damascene wiring.例文帳に追加

そして、Ｃｕを全面に堆積した後、ＣＭＰを行って絶縁層１２上のＣｕを除去して、ヴィアホール１３及び配線溝１４に選択的にＣｕを埋め込んで、Ｃｕダマシン配線を形成する。 - 特許庁

Based on mask data and a measured value of remaining film thickness of a fabricated semiconductor wafer of product type "A", a parameter value included in a basic formula is determined such that properties of CMP apparatus are reproduced (S202).例文帳に追加

加工済みの製品種「Ａ」の半導体ウエハのマスクデータおよび実測残膜厚値に基づき、基礎式に含まれるパラメータの値を、ＣＭＰ装置の特性を再現するように決定する(Ｓ２０２)。 - 特許庁

Dummy patterns used in a CMP process are arranged in a field dummy area, separated by a separation insulating film in a p- well 23 which is potential-fixed by a ground electrode.例文帳に追加

接地電極により電位固定されているｐ^-ウェル２３領域内の分離絶縁膜によって分離されたフィールドダミー領域には、ＣＭＰ工程において利用されるダミーパターンが配置されている。 - 特許庁

To provide an abrasive mixing device and a feeder in a CMP (Chemical Mechanical Polishing) device eliminating aggregation and solidification of abrasives by adopting means for preventing drying of the abrasives.例文帳に追加

研磨剤の乾燥を防止する手段を採用することにより、研磨剤の凝集・凝固することをなくした、ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の調合装置及び供給装置を提供する。 - 特許庁

To provide a so-called rotary type polishing apparatus having a rotary polishing table and a polishing method, wherein a polishing pad can be automatically changed without stopping a CMP process.例文帳に追加

研磨テーブルを回転させるようにした、いわゆるロータリ型ポリッシング装置であって、ＣＭＰプロセスを停止することなく、研磨パッドを自動交換できるようにした研磨装置及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film is deposited so as to fill up the groove and then etched by chemomechanical polishing(CMP) or the like, by which a floating gate 36 buried in the groove is formed.例文帳に追加

溝を埋め込むように多結晶シリコン膜を堆積したあと、化学的機械研磨（ＣＭＰ）等によって多結晶シリコン膜をエッチングし、それによって溝に埋め込まれた浮遊ゲート３６形成する。 - 特許庁

To provide CMP abrasives capable of obtaining a highly planarized substrate by rapidly polishing, without generating polishing damages by reducing unevenness in a surface of a polishing speed, and to provide a method for polishing the substrate.例文帳に追加

研磨速度の面内バラツキを低減し、研磨傷を発生させずに高速研磨して、高平坦化された基板を得ることが可能な、ＣＭＰ研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring formation method inhibiting generation of erosion at a region where the dishing of wide wiring and concentration of wiring in the formation of copper-family groove wiring by the chemical mechanical polishing method (CMP polishing method).例文帳に追加

化学機械研磨法（ＣＭＰ研磨法）による銅系溝配線形成における広幅配線のディッシングや配線の密集する領域のエロージョン発生を抑制した配線形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, since a recessed part corresponding to the making hole 20M cannot be formed easily on the silicon oxide layer, that is to become an interlayer insulation film 4 after being subjected to CMP polishing, retention of slurry at the recessed part can be suppressed.例文帳に追加

このため、ＣＭＰ研磨されて後に層間絶縁膜４となるシリコン酸化物層にマーク用孔２０Ｍに対応した凹部が形成されにくいので、かかる凹部へのスラリーの残留が抑制される。 - 特許庁

Also this CMP treatment system can mitigate the influence that the purified water used for the optical measurement gets into the polishing cloth and reduces the density of the slurry, and can reduce changes of polishing characteristics such as degradation of polishing speed.例文帳に追加

また光学測定のために使用する純水が研磨布上に入り込んでスラリの濃度が低下するという影響を少なくし研磨速度の低下などの研磨特性の変化を少なくできる。 - 特許庁

In the dress method in the CMP, the flatness of dress is made at most 20 μm, a dress time is made at least 15 sec, dress density is made at least 120 m/m^2, a dress locus is set random, and the polishing speed is maximized.例文帳に追加

ドレスの平坦性を２０μｍ以下にしたもので、ドレス時間を１５秒以上にして、ドレス密度を１２０ｍ／ｍ^2以上でドレス軌跡をランダムにした上で、研磨速度が最大になるようにする。 - 特許庁

To provide a polishing material and a polishing method for composite films comprising a magnetic metal membrane and an insulating material film and able to carry out a CMP treatment without generating defects such as scratches and the like on the magnetic metal membrane.例文帳に追加

磁性金属膜上にスクラッチ等の欠陥を生じることなくＣＭＰ処理が可能な磁性金属膜および絶縁材料膜の複合材料膜用研磨材及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming buried metallization by a buried metallization method (damascene method) in which erosion is suppressed at the time of CMP and metal diffusion into an interlayer insulation film is prevented.例文帳に追加

ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法（ダマシン法：Damascene）による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) method capable of preventing a wafer from being cracked or getting chipped, even for a face to be polished where a step difference of unevenness of the face to be polished is 0.3 to 2.0 times a board thickness.例文帳に追加

被研磨面の凹凸段差が基板厚さの０．３〜２．０倍以上あるような被研磨面においてもウエハが割れたり欠けたりしない化学機械研磨（ＣＭＰ）方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., having small-sized voids and excellent in CMP resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

Before forming a main magnetic pole, a raised layer 23 is formed outside a position where the main magnetic pole is formed, so that the height of a CMP stopper film 27 is set to be a position higher than the main magnetic pole 13.例文帳に追加

主磁極を形成する前に、主磁極形成位置の外側にかさ上げ層２３を形成しておくことにより、ＣＭＰストッパ膜２７の高さを主磁極１３より高い位置に設定する。 - 特許庁

To provide a metal polishing method for discovering a high CMP rate, and for realizing high flattening, dishing amount reduction, and erosion amount reduction, and for realizing highly reliable metallic film embedding pattern formation.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨方法を提供する。 - 特許庁

After the residual volume averaging treatment, CMP polishing is carried out in Step S40.例文帳に追加

かかる残存体積平均化処理後にステップＳ４０でＣＭＰ研磨を施すことにより、かかる残存体積平均化処理を行わない場合に比べて格段にＣＭＰ研磨の平坦精度を上げることができる。 - 特許庁

To provide a polishing solution material for metals for manufacturing an LSI which has rapid CMP velocity, ensures uniformity on a wafer surface and generates less corrosion, scratch, thinning, dishing, erosion or the like.例文帳に追加

迅速なＣＭＰ速度を有し、ウエハー面内均一性を確保し、かつコロージョンやスクラッチ、シニング、ディッシング、エロージョンなどの発生が少ないＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液材料を提供する。 - 特許庁

A flaw on the surface formed in a grinding step like CMP is removed in a simple step with a compact apparatus, and a high quality ground product can be provided at low cost.例文帳に追加

ＣＭＰ等の研磨工程で形成された表面の微細な傷を、コンパクトな装置と簡単な工程で除去することが可能となり、低コストで高品位の被研磨製品を提供することができる。 - 特許庁

To prevent dropping-out of an edge of a main magnetic pole end and reduction of the thickness of a main magnetic pole film due to dishing for a CMP process of flattening alumina on a main magnetic pole in a trailing shield forming process.例文帳に追加

トレーリングシールド形成プロセスにおいて、主磁極上のアルミナを平坦化するＣＭＰ工程の際、ディッシングによる主磁極端部エッジの欠落及び主磁極膜厚の減少を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective liquid crystal display panel by which a level difference in film thickness caused by difference in pattern density in CMP of an interlayer insulating film can be decreased.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰでパターン密度差起因により発生する膜厚段差を低減することができる反射型液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then the laminated film on the interlayer insulating film 1, which comprises the Cu film 6, second WN film 5, W film 4, and first WN film 3, is removed by CMP method, etc., to form a channel wiring 7.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法等で、層間絶縁膜１上のＣｕ膜６、第２のＷＮ膜５、Ｗ膜４及び第１のＷＮ膜３からなる積層膜を除去し、溝配線７を形成する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP that reduces defects, such as erosion and scratches, as much as possible, and at the same time, can moreover polish a desired layer having conductivity, such as metals at sufficiently large polishing speed.例文帳に追加

エロージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、しかも十分に大きな研磨速度で、メタル等の導電性を有する所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

The top surface of the polysilicon film 3 is polished by a chemical mechanical polishing method(CMP) to remove projections of polysilicon grain boundary parts, thereby forming a flat surface in level with the top surface of the undercoat film.例文帳に追加

このポリシリコン膜の表面をケミカル−メカニカル研磨法（ＣＭＰ）法によって研磨し、ポリシリコン粒界部の突起が取り除かれアンダーコート膜の表面と同一平面に位置した平坦面とする。 - 特許庁

This composition object for a CMP abrasive pad is constituted by including (A) an epoxy resin, (B) hardening agent, (C) hardening accelerator, and (D) bulking agent consisting of (d1) organic filler material and/or (d2) inorganic filler material.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨パッド用組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、および（Ｄ）(d1)有機充填材および／または(d2)無機充填材からなる充填材、が含有されてなる。 - 特許庁

To provide a polishing pad used in a CMP method and capable of allowing high flatness and high uniformity in a surface of a wafer to be compatible and having no possibility of generating a release or the like at its using time.例文帳に追加

ＣＭＰ法で使用する研磨パッドにおいて、高い平坦度とウエハ面内での高い均一性とが両立可能であって、使用時に剥離等の生じる恐れがないものを提供する - 特許庁

An adhesive film 235 like silicon is deposited on the CMP stop layer 210, and a filling material 240 containing an oxide silicon (SiO_x) is deposited on the adhesive film 235 in contact with the adhesive film 235.例文帳に追加

シリコンのような接着膜２３５がＣＭＰ停止層２１０上に堆積され、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含む充填材料２４０が、接着膜２３５上に接着膜２３５に接して堆積される。 - 特許庁

The polishing composition for CMP of pH 5-10 which comprises polishing abrasive grains, an oxidizing agent, an organic acid, an anticorrosive, a surfactant and a pH adjuster, and a polishing method are provided.例文帳に追加

研磨砥粒、酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、およびｐＨ調整剤を含有してなり、ｐＨが５〜１０であることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物および研磨方法。 - 特許庁