「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce unevenness of gate pattern density in a semiconductor device having a damascence-type or replacement-type gate and to prevent dishing from occurring in a CMP process for making an upper face of a dummy gate exposed.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

Subsequently, the surface of the interlayer insulation film 4a is polished using a CMP method until the interlayer insulation film 4 remaining on the metal wiring 3 has a predetermined thickness thus planarizing the surface of the interlayer insulation film 4a.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法を用いて、金属配線３上の層間絶縁膜４ａの残膜が所定の膜厚になるまで層間絶縁膜４の表面を研磨して、層間絶縁膜４ａの表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a metal polishing which enables the formation of the buried pattern of a highly reliable metallic film by revealing high CMP rate, and enabling the high flattening, the reduction of the quantity of dishing, and the reduction of the quantity of erosion.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨方法を提供する。 - 特許庁

Even if the groove is not perfectly filled by the first insulating film due to the presence of a foreign matter, the groove is perfectly filled by the subsequent formation of the second insulating film after removing the foreign matter by the first CMP process.例文帳に追加

異物の存在によって第１の絶縁膜で溝を完全に埋設できない場合でも、第１のＣＭＰ工程により異物を除去し、その後における第２の絶縁膜によって溝を完全に埋設する。 - 特許庁

After a multilayer structure of organic films 14 and 18, and organic SOG films 16 and 20 are formed on a substrate, a silicon oxide film becoming a CMP stopper layer, or an organic SOG film and a silicon nitride film becoming an etching film are formed.例文帳に追加

基板上に有機膜１４、１８、有機ＳＯＧ膜１６、２０の積層構造を形成した後、ＣＭＰストッパ層となるシリコン酸化膜、あるいは、有機ＳＯＧ膜、エッチングマスクとなるシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide an alignment pattern and its forming method in which a peak can be read out readily by detecting a level difference surely through scanning even when planarization is performed by CMP without requiring any extra process.例文帳に追加

新たな工程を付加することなく、ＣＭＰによる平坦化を行った場合でも、スキャンにより段差を確実に検出して容易にピークを読み取ることができる目合わせパターン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then after forming wiring grooves in the second insulating film, a copper film is deposited on the second insulating film and an embedded wire of copper film is formed by performing a third CMP of the copper film.例文帳に追加

次に、第２の絶縁膜に配線溝を形成した後、該第２の絶縁膜の上に銅膜を堆積し、その後、銅膜に対して第３回目のＣＭＰを行なって、銅膜よりなる埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for chemical and mechanical planarization or other polish capable of providing high selectivity of tantalum to copper in copper CMP and capable of carrying out adjustment relating to polish performance and a method relating thereto.例文帳に追加

銅ＣＭＰにおいて銅に対するタンタルの高い選択性を与え、研磨性能に関して調整可能な、化学的機械的平坦化または他の研磨用の組成物および関連する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous silica thin film having mechanical strength sufficiently enduring a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor element by having a low dielectric constant of the porous silica thin film.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A polysilicon film 30 is formed across the entire surface of the substrate 2, and then unnecessary portions of the polysilicon film 30 are removed by CMP using the stopper film 10 to thereby form the gate electrode 32 between the gate spacer films 28.例文帳に追加

基板２全面にポリシリコン膜３０を形成し、ストッパ膜１０を用いたＣＭＰによりポリシリコン膜３０の不要部分を除去することにより、ゲートスペーサ膜２８の間にゲート電極３２を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing composition of high selectivity that the polishing rate of a tantalum compound is small though a copper polishing rate is large in the CMP processing process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

In a CMP pad for cerium oxide polishing agent for chemically/ mechanically polishing a polishing film formed on a substrate by using cerium oxide polishing agent, fine projections of the same shape are disposed on a pad surface.例文帳に追加

基板上に形成された研磨膜を酸化セリウム研磨剤を用いて化学機械的に研磨するためのパッドにおいて、パッド表面に同一形状の微小突起が配列されている酸化セリウム研磨剤用ＣＭＰパッド。 - 特許庁

A CMP abrasive for a semiconductor insulating film contains a cerium oxide particle, a disperser, polycarboxylic acid or its derivative or its copolymer, polysulfonic acid or its derivative or its copolymer, and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸またはその誘導体またはその共重合体、ポリスルホン酸またはその誘導体またはその共重合体、ならびに水を含む半導体絶縁膜用ＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

To obtain a high-performance abrasive agent for an insulation film layer for semiconductors permitting improvement in an abrasion speed and concurrent reduction in scratch and dust on abrading an insulation film layer for semiconductors by the CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる高性能な半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit wafer having an SiOC (Carbon Doped Silicon Oxide) film as its interlayer insulating film, low in dielectric constant, excellent in adhesion to a metallic film, and free of deterioration or deformation when subjected to CMP.例文帳に追加

低誘電率で、金属膜への密着が良く、ＣＭＰ処理においても変質、変形がない、層間絶縁膜としてＳｉＯＣ膜を有する半導体集積回路ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an adherence layer and a tungstenum film are formed on the base plate and, thereafter, a conductor plug 121a, consisting of a polysilicon film, and a conductor plug 122 which consists of an adherence layer and the tungsten film, are formed simultaneously by CMP.例文帳に追加

その後、基板上に密着層及びタングステン膜を形成した後、ＣＭＰによりポリシリコン膜からなる導体プラグ１２１ａと、密着層及びタングステン膜からなる導体プラグ１２２とを同時に形成する。 - 特許庁

Thus, the silicon oxide films 7 and 8 are polished by the CMP method by making the thicknesses of the silicon oxide films 7 at the central parts thinner than the total thickness of the films 7 and 8 formed at the ends 6a of the active regions 6.例文帳に追加

このようにして、端部６ａに形成された酸化シリコン膜７と酸化シリコン膜８とを合わせた膜厚より、中央部の酸化シリコン膜７の膜厚を薄くしてＣＭＰ法による研磨を行なう。 - 特許庁

An interlayer insulating film 24 is formed on the source electrode 22 of an FET formed on a silicon substrate 1, and the upper face is flattened with CMP(chemical and mechanical polishing) or the like, and then an insulating antireflection film 26 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成したＦＥＴのソース電極２２上に層間絶縁膜２４を形成して上面をＣＭＰ等により平坦化してから絶縁性の反射防止膜２６を形成する。 - 特許庁

The slurry supply system for semiconductor CMP process supplies slurry 12 stored in a slurry storage tank 11 through a specified slurry supply line to a CMP equipment wherein the slurry supply line is provided with means 12 for transmitting ultrasonic wave to the slurry 12 in order to prevent unit particles of the slurry from being aggregated to secondary particles.例文帳に追加

半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムは、スラリ貯蔵タンク１１に貯蔵されたスラリ１２を所定のスラリ供給ラインを通じてＣＭＰ装備に供給する半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムにおいて、前記スラリ１２の単位粒子が二次粒子に凝集されないように前記スラリ供給ラインに設置されて前記スラリ１２に超音波を伝波する超音波伝波手段を含めてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a silicon single crystal wafer that simply and effectively reduces minute waviness in a nanotopography region existing on the surface of a general (mirror surface-polishing) silicon wafer, reduces the manifestation of film thickness irregularity of a thin film by the CMP polishing treatment, and has improved nanotopography flatness where reduction in performance in the CMP process is not induced when performing the STI device element separation method.例文帳に追加

ＳＴＩデバイス素子分離手法を実施するに際し、一般のミラー（鏡面研磨）シリコンウエハ表面に存在するナノトポグラフィー領域の微小うねりを簡易に、かつ、有効に減少させ、前記ＣＭＰ研磨処理により形成する薄膜の膜厚ムラの発現を減少させ、ＣＭＰ工程におけるパフォーマンス低下を誘引することがないナノトポグラフィー平坦性が改善されたシリコン単結晶ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The STO film is constituted of first and second two-layered structure, and an interface of two layers is processed so as to be a chemically and mechanically ground (CMP) surface whereby a high dielectric constant can be obtained successfully even in the STO of a thin film.例文帳に追加

本発明では、ＳＴＯ膜を第１と第２の２層構造とし、その２つの層の界面を化学的機械研磨（以下「ＣＭＰ」という。）面とすることにより、薄膜のＳＴＯにおいても、高誘電率とすることに成功した。 - 特許庁

The CMP abrasive pad in this invention is manufactured by a method of manufacture compression molding a resin granule consisting of the composition object to be further not heated by a high frequency or compression molding a resin tablet consisting of the composition object to be further heated by the high frequency.例文帳に追加

本発明のＣＭＰ研磨パッドは、該組成物からなり、かつ高周波で加熱しない樹脂顆粒、または該組成物からなり、かつ高周波で加熱した樹脂タブレットを圧縮成型する製造方法により製造される。 - 特許庁

To provide a polishing pad for CMP polishing and a polishing method excellent in view points of polishing flaw, surface roughness, surface undulation of a plane being machined, and machining speed and in which clogging and drawback of polishing are retarded.例文帳に追加

被加工面の研磨傷、被加工面の表面粗さ、被加工面の表面うねり、加工速度、等の点で優れ、かつ、目詰まりが生じにくく、研磨欠点を生じさせにくいＣＭＰ研磨用研磨パッドおよび研磨方法の提供。 - 特許庁

To uniformly flatten the entire surface of a wafer and to replace a conventional CMP process by spraying a fume of an etching liquid with high pressure to the surface of a wafer rotating at a high speed.例文帳に追加

高圧の蝕刻液の蒸気を高速で回転するウェハ表面に噴霧することで、ウェハの全面を均一に平坦化することができて、従来のＣＭＰ工程を取り替えることができるウェハの平坦化方法を提供する。 - 特許庁

A conductor film is buried in these apertures 18a and, until either of a protective film on the regions 13 and a protective film on the regions 12 is exposed, the conductor film and the plug insulating film are polished by a CMP.例文帳に追加

この開口部１８ａ内に導電体膜を埋め込み、素子分離領域１３の上の保護膜及び素子領域１２の上の保護膜のいずれか一方が露出するまで、導電体膜及びプラグ絶縁膜をＣＭＰ研磨する。 - 特許庁

To provide a forming method of slurry for CMP which is superior in grinding selection ratio with respect to polycrystalline silicon compared with an oxide film, and the forming method of a semiconductor element for forming the self aligned floating gate of a flash memory element utilizing the slurry.例文帳に追加

酸化膜に比べて多結晶シリコンに対する研磨選択比に優れたＣＭＰ用スラリー及び、前記スラリーを利用してフラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲートを形成する半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide this device/method uniforming a polishing rate, stabilizing an average polishing rate, and reducing scratch in a work surface in regard to polishing of a CMP or the like.例文帳に追加

ＣＭＰ等の研磨において、被加工面内における研磨率の均一化と面内平均研磨率の安定化、及びスクラッチの低減をはかった加工方法およびその装置並びに半導体基板の加工方法を提供することにある。 - 特許庁

For this reason, as a rough machining polishing operation and a finishing polishing operation can be carried out by a set of platen, it is possible to prevent scratches on the surface of the material to be polished without lowering the throughput in the CMP process.例文帳に追加

このため、１台のプラテン上で粗削り研磨と仕上げ研磨とを行うことができるので、ＣＭＰ工程におけるスループットを低下させることなく、被研磨材の表面に生ずるスクラッチを防ぐことができるようになっている。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which uses solid abrasive grains used for a barrier CMP (Chemical Mechanical Polishing) for polishing a barrier layer made of a barrier metal material, and can independently control polishing speeds of a TEOS layer and an SiOC layer.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、ＴＥＯＳ層とＳｉＯＣ層との研磨速度を独立的に調整し得る研磨液を提供すること。 - 特許庁

To provide a carbon film which suppresses a residual stress on the interface between a carbon film and a substrate, prevents cracks or peeling of the carbon film and stably maintains performances, a production method of the carbon film, and a CMP (chemical mechanical polishing) pad conditioner.例文帳に追加

炭素膜と基材との界面における残留応力を抑制し、炭素膜のクラックや剥離を防止し、性能が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the polishing of a semiconductor substrate at the ends of active regions can be prevented at the time of removing films formed on the active regions and having nonuniform thicknesses by the CMP method.例文帳に追加

活性領域上に形成された不均一な膜厚の膜をＣＭＰ法によって除去する際、活性領域の端部において半導体基板まで削ってしまうことを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, if the insulation layer 270 is polished by CMP, a polishing speed in the periphery of the chip 900 is suppressed by the newly generated projecting parts on the top face of the insulation layer 270, and a polished amount is also reduced.例文帳に追加

その後、絶縁層２７０をＣＭＰ法を用いて研磨すると、絶縁層２７０の上面に新たな凸部が発生したことによって、チップ９００の外周部における研磨速度が抑えられて、研磨される量も少なくなる。 - 特許庁

The liquid which is used in the polishing process using the CMP method or used in processes before and after the process, and which cleans, or rinses after cleaning is constituted by a component obtained by removing an abrasive grain component from polishing slurry used in the polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いた研磨工程またはその前後の工程において用いられ、洗浄または洗浄後のリンスを行なう液体を、研磨工程で用いる研磨スラリーから砥粒成分を除去した成分のもので構成する。 - 特許庁

To provide an abrasive material recovery device for efficiently recovering abrasive particles from waste water which contains abrasive material and is discharged out in a CMP process, which is employed in a semiconductor manufacturing factory or the like.例文帳に追加

半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁

A metal region and a polysilicon region are previously arranged right above/right below a plurality of dummy metals C1 to C5, provided so as to suppress variation of an interconnect structure of CMP, so that the dummy metals have inter-layer capacities.例文帳に追加

ＣＭＰによる配線構造のばらつきを抑えるために設けられる複数のダミーメタルＣ１〜Ｃ５それぞれが、層間容量を有するようにダミーメタルの直上・直下に予めメタル領域・ポリシリコン領域を配置する。 - 特許庁

A CMP polisher 1 has a platen 2 with a first platen 21 in which a polishing pad 21b is provided on a top face thereof, and a second platen 22 rotating this first platen 21 in which the first platen 21 is equipped on a top face thereof.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置１は、研磨パッド２１ｂが上面に設けられた第１プラテン２１と、前記第１プラテンが上面に装置され、この第１プラテンを回転させる第２プラテン２２とを備えたプラテン２を有している。 - 特許庁

After forming holes 12 in a first insulating film 11, a tungsten film 13 is deposited on the first insulating 11 including the inside of the holes 12, and plugs 14 are formed by performing a first CMP of the tungsten film 13.例文帳に追加

第１の絶縁膜１１にホール１２を形成した後、ホール１２の内部を含む第１の絶縁膜１１の上にタングステン膜１３を堆積し、該タングステン膜１３第１回目のＣＭＰを行なってプラグ１４を形成する。 - 特許庁

To provide a crystal material polishing method capable of obtaining sufficient polishing efficiency and polishing performance in polishing with a CMP method even in the case of polishing a material hard to be machined such as a single-crystal substrate composed of silicon carbide SiC and gallium nitride GaN.例文帳に追加

炭化珪素ＳｉＣや窒化ガリウムＧａＮから成る単結晶基板のような難加工材料でも、ＣＭＰ法による研磨において十分な研磨効率や研磨性能が得られる研磨加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP conditioner preventing a wafer from getting damaged by breakage of diamond abrasive grains, and eliminating variation in conditioning performance by controlling a distribution of diamond abrasive grain protrusion amounts, and also to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

本発明はダイヤモンド砥粒突出量分布を制御することにより、ダイヤモンド砥粒破壊によるウエハの損傷防止とコンディショニング性能のばらつきとを解消したＣＭＰコンディショナおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the metal remaining on an upper surface of the interlayer insulating film 3 except the contact hole 3a, and the second seed layer 6 and first seed layer 5 are removed by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method to form the plug 7A at the contact hole 3a.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜３のコンタクトホール３ａを除く上面に残存する金属、第２のシード層６及び第１のシード層５を除去することにより、コンタクトホール３ａにプラグ７Ａを形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is pressed against a polishing pad for CMP having the center line average roughness Ra of a surface of 1-3 μm by the pressure of 8-10 kPa so as to pressurize them, and a thin film formed on the semiconductor substrate is polished chemically and mechanically.例文帳に追加

表面の中心線平均粗さＲａが１〜３μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、８〜１０ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する。 - 特許庁

To solve problems of not meeting future requirements of edge shape and nano-topography and not suited for processing of a wafer of 450 mm in substrate diameter of a double-sided polishing method known in this technical field and performed before a finish CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing.例文帳に追加

当該技術分野で公知の仕上げのＣＭＰ研磨の前の両面研磨法は、エッジ形状およびナノトポグラフィーの将来的な要求を満たさず、且つ基板直径４５０ｍｍを有するウェハの加工に適していない。 - 特許庁

The arithmetic circuit 7 detects the state of the battery 1 when the output of the comparator Cmp is changed from the fourth voltage to the third or when the output of the timer 5 is changed from the second voltage to the first.例文帳に追加

演算回路７は、比較器Ｃｍｐの出力が第４の電圧値から第３の電圧値へ変化したとき、又はタイマー５の出力が第２の電圧値から第１の電圧値へ変化したとき、バッテリ１の状態を検出する。 - 特許庁

In addition, the CMP polishing liquid of the present invention contains cerium-based abrasive grains, a dispersant, a polyacrylic acid compound, a surfactant, a pH adjusting agent, a phosphate compound and water, and the content of the phosphate compound is in a prescribed range.例文帳に追加

また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 - 特許庁