「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

After insulation spacers 52 and 54 are formed on the side wall of the gate structure 30, an insulation region that is made of a nitride blanket 60, and bonate-prosphste-silicate glass is formed, and the insulation region is polished and flattened by the CMP method up to the nitride blanket 60.例文帳に追加

ゲート構造３０の側壁上に絶縁スペーサ５２，５４を形成した後、窒化物ブランケット６０および硼燐珪酸ガラスからなる絶縁領域を形成し、絶縁領域を窒化物ブランケット６０までＣＭＰ法で研磨し平坦化する。 - 特許庁

After an SrRuO3 film is formed 70 nm, CMP is performed with the TiO2 film 14 as a stopper to remove an excessive SrRuO3 film on the TiO2 film 14, forming a lower part electrode 16 comprising the SrRuO3 film in the channel 15.例文帳に追加

次いで、ＳｒＲｕＯ_3 膜を７０ｎｍ成膜した後、ＴｉＯ_2 膜１４をストッパとしてＣＭＰを行うことによりＴｉＯ_2 膜１４上の余分なＳｒＲｕＯ_3膜を除去し、溝１５内にＳｒＲｕＯ_3 膜からなる下部電極１６を形成する。 - 特許庁

Thus the thickness is minimized in the film deposited by the film deposition process, the amount of polishing is minimized at a stage for performing the CMP polishing of the deposited film, and throughput and suppressing costs are improved in manufacture.例文帳に追加

これにより、膜堆積プロセスで堆積する膜の厚さを最小限に抑制でき、また堆積した膜をＣＭＰ研磨する段階においても最小限の研磨量とすることができ、製造時のスループット向上とコスト抑制が可能となる。 - 特許庁

A non-inversion input terminal of the comparator CMP 1 of the reverse current prevention circuit 5 is connected to the correction voltage source V_CC1 outputting correction voltage V_C1 lower than GND, and an inversion input terminal is connected to the output part of the switching circuit 3.例文帳に追加

逆電流防止回路５のコンパレータＣＭＰ１の非反転入力端子は、ＧＮＤよりも低い補正電圧Ｖ_C1を出力する補正電圧源Ｖ_CC1に接続され、反転入力端子はスイッチング回路３の出力部に接続されている。 - 特許庁

To provide a wiring forming method and apparatus wherein flatness of a solder film is improved in the case that fine holes and large holes mingle on a surface of a substrate and CMP work which is performed after improvement of flatness is enabled in a short time while generation of dishing is prevented.例文帳に追加

基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のＣＭＰ加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにした配線形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

After depositing an Ni film 205 on the entire surface of a substrate containing a silicon gate 202, the silicon gate 202 is removed partially by CMP treatment, or the like, thus allowing an Ni layer 206 that has a flat upper surface and is uniform in thickness to remain directly above the silicon gate 202.例文帳に追加

シリコンゲート２０２を含む基板全面上にＮｉ膜２０５を堆積後、ＣＭＰ処理等によってシリコンゲート２０２の一部を除去し、上面が平坦で膜厚が均一なＮｉ層２０６をシリコンゲート２０２の直上に残す。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which can enhance the polishing speed ratio of silicon oxide and silicon nitride of a polished film in the CMP technology for polishing the polished film formed on the surface of a substrate, and to provide a polishing method of a substrate using the polishing liquid.例文帳に追加

基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するＣＭＰ技術において、被研磨膜の酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

When the entire seed film 5 on the outside of the recessed part 3 is removed, as shown in figure (h), and the surface 2a of the insulation film 2 on the outside of the recessed part 3 is exposed, the CMP process is finished, thereby a pattern for a metal wiring 7 is obtained.例文帳に追加

そして、図１(h) に示すように、凹部３外のシード膜５がすべて除去されて、絶縁膜２の凹部３外の表面２ａが露出した時点で、このＣＭＰ処理を終了することにより、金属配線７のパターンを得ることができる。 - 特許庁

To provide a material for forming an interlayer insulation film for a semiconductor device or the like which has a low dielectric property and enables the formation of a coating film by short-time baking if being used on a base material (or substrate), with the coating film having superior heat resistance, crack resistance, and CMP resistance.例文帳に追加

基材（又は基板）上に適用すると短時間焼成で塗膜が形成され、この塗膜は耐熱性、クラック耐性、ＣＭＰ耐性に優れ、低誘電性であり半導体素子などにおける層間絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition capable of forming a silicone-based film having an appropriate uniform thickness and suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor, or the like, and excellent in heat resistance, permittivity characteristics and CMP (chemical mechanical polishing) resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一の厚さを有するシリコーン系膜が形成可能で、耐熱性、誘電率特性、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

To complete planarization of all insulation separation grooves formed on a substrate or steps generated at a wiring pattern formation, in a process for embedding an insulation material into the groove or wiring gap without using a CMP technology.例文帳に追加

基板上に形成された絶縁分離用溝もしくは配線パターン形成により生じた段差を、ＣＭＰ技術を用いることなく、溝もしくは配線間隙への絶縁材料埋め込み工程段階ですべて平坦化を完了させるようにする。 - 特許庁

To provide a CMP device that can uniformize a polishing amount of each of simultaneously polished wafers and can appropriately supply abrasive slurry to the wafers even when the supplied abrasive slurry has a high flow rate.例文帳に追加

同時に研磨されるウェーハ間の研磨量を均一にすることができ、かつ、供給される研磨スラリーの流量が大きい場合にも、研磨スラリーをウェーハに対して適切に供給することができるＣＭＰ装置を提供することを課題（目的）とする。 - 特許庁

Then, the protective layer 52 directly above the MTJ laminate structure 20 is selectively removed by etching after selectively removing the silicon oxide layer 53 other than an MTJ laminate structure 20 region by planarizing and polishing the entire surface by the CMP process.例文帳に追加

その後、ＣＭＰプロセスにより全面を平坦化研磨してＭＴＪ積層構造２０領域以外のシリコン酸化物層５３を選択的に除去した後、エッチングにより、ＭＴＪ積層構造２０の真上にある保護層５２を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide an abrasive cloth for metal which is high in CMP speed, high in flatness, capable of reducing the dishing quantity and the erosion, high in reliability, and capable of forming the embedding pattern of a metal film, and a grinding method using the cloth.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨布及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide polishing liquid for CMP and a polishing method using the polishing liquid that can increase a polishing speed for a low-k film as an interlayer insulating film layer with keeping an excellent polishing speed for barrier metal of a barrier layer and silicon dioxide of a cap layer.例文帳に追加

バリア層のバリア金属とキャップ層の二酸化珪素に対する良好な研磨速度を維持しつつ、層間絶縁膜層であるｌｏｗ−ｋ膜に対する高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

Here, in order to reduce the overall level difference produced corresponding to densities of elements 201 and 209 arranged on the image display region 210a and in the peripheral region 211a respectively, for example, a time length for the CMP processing is set.例文帳に追加

ここで、画像表示領域２１０ａ及び周辺領域２１１ａの夫々に配置された素子２０１及び２０９の密度に応じて生じるグローバルな段差を低減するように、例えばＣＭＰ処理を行う処理時間を設定しておく。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which is used for platinum group metals and capable of polishing a metal film at a low polishing pressure, at a high polishing speed and in good selectivity to a substrate when a CMP is applied to a film of the platinum group metal, and to provide a method for polishing with the polishing liquid.例文帳に追加

白金族金属膜にＣＭＰを適用した際、低研磨圧力で高い研磨速度と下地に対する選択的な金属膜研磨性を持った白金族金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The wire harness Cmp is divided into a plurality of sub- assemblies Sub1 to Sub3, and a three-dimensional shape of these sub-assemblies Sub1 to Sub3 is compositely displayed on a prescribed display in a state of being laid on a harness assembling working platform 16.例文帳に追加

ワイヤーハーネスＣｍｐを複数のサブアッシーＳｕｂ１〜Ｓｕｂ３に分割し、これらのサブアッシーＳｕｂ１〜Ｓｕｂ３の三次元形状を、ハーネス組立作業台１６上に配策した状態で所定の表示ディスプレイに合成表示する。 - 特許庁

The metal film 7 and the barrier film 6 are polished by using a CMP method, and wirings 8a, 8b, 8c, 8d constituted of barrier films 6a, 6b, 6c, 6d and metal films 7a, 7b, 7c, 7d are formed in the trenches 5a, 5b, 5c, 5d, respectively.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法によって金属膜７及びバリア膜６を研磨し、溝５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ内にそれぞれバリア膜６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄと金属膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄからなる配線８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを形成する。 - 特許庁

The invention provides methods of polishing a substrate including steps of (i) contacting a substrate having at least one metal layer having copper with a chemical-mechanical polishing (CMP) system and (ii) abrading at least a portion of the metal layer having copper to polish the substrate.例文帳に追加

（ｉ）銅を含む少なくとも１つの金属層を含む基材を化学機械研磨（ＣＭＰ）系と接触させる工程と、（ｉｉ）該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an increase in series resistance being suppressed while wiring reliability is secured by avoiding damage to a low-dielectric-constant film surface exposed after a CMP process of a trench constituting copper multi-layered wiring having a damascene structure.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、ダマシン構造を有する銅多層配線を構成するトレンチのＣＭＰ工程後に露出した低誘電率膜表面のダメージを回避して配線信頼性を確保するとともに、直列抵抗の増大を抑制する。 - 特許庁

To enable a metal plating film to be subjected uniformly to CMP processing in an after process by a method, wherein the metal plating film buried in an insulating film to serve as a wiring material is formed uniformly on a semiconductor substrate.例文帳に追加

絶縁膜中に埋め込まれる配線材料となる金属めっき膜を半導体基板上に均一に形成し、後工程のＣＭＰ処理を均一に行うことができる半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Diamond abrasive grains which are bonded on a conditioning face 2 contacting opposed to the polishing pad of the CMP device are bonded so that (111) face of the crystal faces is directed in the direction where the conditioning face 2 is opposed in approximately parallel to the conditioning face 2.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の研磨パッドと対向して接触するコンディショニング面２に固着されるダイヤモンド砥粒を、その結晶面のうち１１１面がコンディショニング面２と略平行にこのコンディショニング面２が対向する方向に向けられるように固着する。 - 特許庁

Embodiments include the CMP of an Al or Al alloy surface employing the slurry containing an abrasive Al2O3 particle, and a surfactant of approximately 0.02 to 5 wt.% to prevent Al2O3 abrasive slurry particles from agglomerating with Al(OH)3 polished by-products.例文帳に追加

実施形態は、研磨Ａｌ_2Ｏ_3粒子と、Ａｌ_2Ｏ_3研磨材スラリがＡｌ（ＯＨ）_3研磨副産物によって塊状化するのを防止する約０．０２から約５重量％の界面活性剤とを含むスラリを利用したＡｌ又はＡｌ合金表面のＣＭＰを含む。 - 特許庁

The adapter 2 is used for making thick the resin plate 5 as much as possible, and for preventing the mismatching of strokes in a height direction to be generated when the disposable grinding pad plate 7 having the thin resin plate 5 is mounted on a conventional CMP grinding device.例文帳に追加

アダプタ２は、なるべく樹脂製プレート５の厚さを薄くするためと、薄く形成された樹脂製プレート５を有する使い捨て研磨パッドプレート７を、従来のＣＭＰ研磨装置に取り付ける際に発生する高さ方向のストロークのアンマッチを防ぐために使用される。 - 特許庁

By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is polished by installing the polishing pad 40 (first pad part 40a and the second pad part 40b) to a CMP device, and when a total polishing time reaches a prescribed time, the second pad part 40b is exchanged with an exchanging second pad part 40c.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を取り付けて半導体ウェハの研磨を実施し、総研磨時間が所定の時間に到達したら、第２のパッド部４０ｂを交換用の第２のパッド部４０ｃに交換する。 - 特許庁

To provide a CMP treatment system which can prevent dehydration, solidification of residual slurry and dehydration of an abrasive cloth and a cleaning apparatus, and can reduce consumption of purified water by putting the inside of the housing into a wet condition, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the same.例文帳に追加

筐体内を湿潤雰囲気にすることによって、残留スラリの乾燥固化、研磨布及び洗浄装置の乾燥を防止し純水使用量削減を実現するＣＭＰ処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated polishing pad having a transparent window for optically detecting a polishing endpoint in a CMP, free from delamination between the laminated pads brought about by the polishing process and also free from the deterioration in an optical detection performance caused by reduction of the transparency of the window.例文帳に追加

ＣＭＰ中の研磨の終点を光学的に検出するため、光通過窓を有する積層研磨パッドにおいて、研磨に伴う積層パッド間の離層がなく、窓の透明度の低下による光学検出性能の劣化の無い積層研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To improve holding power of abrasive grains and a discharging property of cutting chips while maintaining a cutting rate and working precision equal to or more than that of a conventional dresser, a dresser to dress a polishing cloth to be used for surface finish of a semiconductor wafer by CMP work.例文帳に追加

ＣＭＰ加工による半導体ウエハなどの表面仕上げに用いる研磨布をドレッシングするためのドレッサにおいて、従来のドレッサと同等以上の削れレートと加工精度を維持したうえで、砥粒の保持力と切粉の排出性を向上させる。 - 特許庁

To examine a CMP polishing agent for organic material, polishing a color filter layer to be uniform in thickness in a pixel by selectively polishing a step of the color filter layer to flatten the RGB surface of the color filter layer used in a liquid crystal display and having a high polishing speed.例文帳に追加

液晶ディスプレイに使われるカラーフィルター層のRGB表面を平坦にするため、カラーフィルター層の段差を選択的に研磨して、画素内でのカラーフィルター層の厚みを均一に研磨でき、かつ研磨速度の高い有機材料用ＣＭＰ研磨剤の検討を行う。 - 特許庁

To provide a polishing composition which has the sufficiently larger polishing rate of a tantalum compound than that of copper and substantially almost not polish SiO_2, in the CMP processing process of a semiconductor device having the barrier layer of the tantalum compound and the insulating layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide polishing slurry for copper CMP and the manufacturing method for a semiconductor apparatus using the same that has a fast polishing speed and polishing stability, and can prevent the occurrence of erosion and a defect on a wafer surface.例文帳に追加

研磨速度が速く、エロージョンが生ずることを防止出来、しかも研磨安定性に優れ、ウエハ面に欠陥を生じさせない高性能の研磨を行うことを可能とする銅のＣＭＰ用研磨スラリーおよびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The polishing method is the one for polishing the substrate having the silicon oxide film on the surface, and includes a step of polishing the silicon oxide film with a polishing pad while supplying the polishing liquid for CMP between the silicon oxide film and polishing pad.例文帳に追加

本発明に係る研磨方法は、表面に酸化ケイ素膜を有する基板を研磨する方法であって、上記ＣＭＰ用研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える。 - 特許庁

To provide a slurry for chemical and mechanical polishing, capable of achieving both of a high polishing rate and low erosion and so capable of forming high-performance wiring at a low cost, and to provide a method for producing semiconductor devices using CMP(Chemical Mechanical Polishing) utilizing the slurry.例文帳に追加

高研磨速度及び低エロージョンの両方が実現でき、その結果、低コストで高性能な配線を形成することができる化学的機械的研磨用スラリ及びこのスラリを使用したＣＭＰを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, during a transition period between the sampling period and comparison period, after the first switch SWsd is turned off, the second and fourth switches SWin and SWref of the comparators Cmp are turned off but the third switch SWref is turned on.例文帳に追加

ここで、サンプル期間と比較期間との間の移行期間には、第１のスイッチＳＷｓｄがオフ状態になった後に、各比較器Ｃｍｐの第２および第４のスイッチＳＷｉｎ，ＳＷｒｅｆがオフ状態になり、第３のスイッチＳＷｒｅｆがオン状態になる。 - 特許庁

When this is used to diamond dresser for CMP, the TiN or TiC content should preferably be not less than, 90% because not only a grain retaining force but an anti-corrosion property is of important as the properties required of the binder.例文帳に追加

ＣＭＰ用ダイヤモンドドレッサーとして用いる場合には、結合材に要求される性能が、ダイヤモンド砥粒の保持力だけでなく、耐食性も重要視されるので結合材の主成分である、ＴｉＮ又はＴｉＣは９０％以上とすることが好ましい。 - 特許庁

To prevent excessive polishing (dishing) of a large-area pattern from occurring at polishing of a metal film, when in a process for manufacturing a semiconductor device, the metal film formed on an insulating film comprising a groove is polished by CMP method to form a damascene wiring.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、溝を設けた絶縁膜上に成膜した金属膜をＣＭＰ法により研磨してダマシン配線を形成するに当たり、上記金属膜の研磨時に発生する大面積パターンの過剰研磨（ディッシング）を防止する。 - 特許庁

The method for polishing the substrate comprises steps of supplying the CMP abrasives containing cerium oxide particles, water-soluble polymer, water soluble organic fluorocompound and water, in such a manner that the surface tension is 5 mN/m to 50 mN/m for the polishing pad on the polishing platen, and polishing the surface of the substrate.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、水溶性高分子、水溶性有機フッ素化合物及び水を含む表面張力が５ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であるＣＭＰ研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、基板表面を研磨する。 - 特許庁

In a plurality of lots of which one lot is constituted of a plurality of wafers, CMP process is carried out for Δt(n) time to all of a plurality of wafers constituting an n-th lot, and a removal amount ΔToxP(n) of a polishing film on the wafer is obtained.例文帳に追加

１ロットが複数枚のウェーハより構成される複数のロットのうちで、ｎ番目のロットを構成する複数枚のウェーハに対して全てΔｔ（ｎ）時間の間ＣＭＰ工程を行い、前記ウェーハ上の被研磨膜の除去量ΔＴｏｘＰ（ｎ）を求める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an affected layer on an insulating layer and metal wiring after a wiring metal is removed by CMP method, inhibits a rise of wiring resistance and leakage between wiring, and improves a dielectric break-down resistance.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法による配線金属除去後の絶縁膜および金属配線上の変質層を除去し配線抵抗の上昇、配線間リークを抑制し、絶縁破壊耐性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An exposure process for patterning for making the area of the SiO_2 film to be polished by CMP uniform and exposure for patterning for imparting step-difference to an alignment mark are covered by the same exposure, thereby reducing the number of times of exposure processing to two.例文帳に追加

あるいは、ＣＭＰで研磨するＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングのための露光工程と、アライメントマークに段差を持たせることを目的としたパターニングのための露光を同一露光で賄うことで、露光工程の回数を２回に低減する。 - 特許庁

The gate electrode 6 is composed of silicide formed by removing one portion of a mask layer formed on polysilicon up to a position, where the polysilicon is not exposed by a CMP method, then, by removing the mask layer for exposing the polysilicon layer, and by silicifying the polysilicon layer.例文帳に追加

ゲート電極６は、ＣＭＰ法によりポリシリコンが露出しない位置まで、ポリシリコン上に形成されたマスク層の一部を除去し、その後、マスク層を除去してポリシリコン層を露出し、ポリシリコン層をシリサイド化して形成したシリサイドで構成されている。 - 特許庁