「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, a short-circuit between the gate electrode portion 10 and the capacity contact plug 25 can be prevented when a contact plug 22 is formed by a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process and then a capacity contact hole 24 is opened by etching to form the capacity contact plug 25.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ処理を経てコンタクトプラグ２２を形成し、さらに、エッチングにより容量コンタクトホール２４を開口して容量コンタクトプラグ２５を形成した場合に、ゲート電極部１０と容量コンタクトプラグ２５とのショートを防止することができる。 - 特許庁

In the clean room 10, the CMP device 24a is provided in a booth 26 with the interior 16 partitioned by a partition 22 and having an exclusive air circulating means, and an entrance and exit booth 28 having an exclusive air circulating means is provided in the booth 26.例文帳に追加

クリーンルーム１０において、ＣＭＰ装置２４ａは室内１６をパーテーション２２で区分けした専用のエア循環手段を有するブース２６に設けられ、ブース２６には専用のエア循環手段を有する出入ブース２８が設けられる。 - 特許庁

To provide a filtration method to remove a nonremoved matter by using a filter made of a solid matter different from the nonremoved matter from drain mixed with the nonremoved matter of a semiconductor, metal, an inorganic matter, an organic matter, etc., discharged from a CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置から排出される半導体、金属、無機物または有機物等の非除去物が混入された排水から、非除去物とは異なる固形物から成るフィルタを用いて非除去物を除去する濾過方法を提供する。 - 特許庁

A thermal oxide film 4 which serves as a pad oxide film is made 5-30 nm thick on a silicon substrate 2, and a silicon nitride film which serves as a CMP stopper is accumulated to 100-300 nm, and patterning is performed by resist so that becomes a desired element isolation region.例文帳に追加

シリコン基板２に対し、パッド酸化膜となる熱酸化膜４を５〜３０ｎｍ形成し、ＣＭＰストッパーとなるシリコン窒化膜６を１００〜３００ｎｍ堆積させ、それを所望の素子分離領域になるようレジスト８にてパターニングを行う。 - 特許庁

The polishing liquid for CMP process containing polishing materials and an aqueous solvent has a characteristic presented by a relation between polishing speed (R), which is measured by a polishing-speed measuring method explained below, and the pressure of a polishing head (P) in equation (1) which is represented by a line (T).例文帳に追加

研磨材と水系溶媒とを含有してなり、下記の研磨速度測定法により測定した研磨速度（Ｒ）と研磨ヘッド圧力（Ｐ）とを直線（Ｔ）が式（１）で表されることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨液を用いる。 - 特許庁

To provide a polishing apparatus which uniformly polishes a metallic film such as a copper film formed on a surface of a substrate at a high polishing rate, thereby minimizing the load of CMP treatment, and makes the distribution of an electric field uniform, thereby more uniformly polishing and removing the metallic film; and to provide a polishing method.例文帳に追加

基板表面に形成した銅膜等の金属膜を高い研磨レートで均一に研磨してＣＭＰ処理の負荷を極力低減でき、しかも電界の分布をより均一にしてより均一に金属膜を研磨除去できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a CMP abrasive capable of reducing contamination by impurities at the step for producing a slurry of cerium oxide, capable of highly flattening a surface, and capable of allowing the surface to be ground, such as an insulating film of silicon oxide to be polished without defects at a high speed.例文帳に追加

酸化セリウムスラリーの製造工程における不純物混入を低減させ、且つ高平坦化可能であり酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能なＣＭＰ研磨剤の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an SrRuO3 film is formed 70 nm, CMP is performed with the TiO2 film 14 as a stopper to remove an excessive SrRuO3 film on the TiO2 film 14, forming a lower part electrode 16 comprising the SrRuO3 film in the channel 15.例文帳に追加

次いで、ＳｒＲｕＯ_3 膜を７０ｎｍ成膜した後、ＴｉＯ_2 膜１４をストッパとしてＣＭＰを行うことによりＴｉＯ_2 膜１４上の余分なＳｒＲｕＯ_3膜を除去し、溝１５内にＳｒＲｕＯ_3 膜からなる下部電極１６を形成する。 - 特許庁

In the CMP conditioner having single-layer super-abrasives fixed to the surface of a base, the super-abrasives contains the total 3 wt.% or more super abrasive grains each having a tetrahedral or octahedral shape.例文帳に追加

基板表面に単層の超砥粒を固着したＣＭＰコンディショナにおいて、超砥粒が四面体又は八面体の形状を有する超砥粒を合計量として３重量％以上含有することを特徴とするＣＭＰコンディショナ。 - 特許庁

The polishing liquid is used for CMP for a barrier layer and an interlayer insulating film of a semiconductor integrated circuit, and contains colloidal silica, anticorrosive, and compound containing 2,2'-bipyridyl group, and its pH is 2.0 to 5.0.例文帳に追加

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、コロイダルシリカ、防食剤、および２，２’−ビピリジル基を含有する化合物を含み、ｐＨが２．０〜５．０であることを特徴とする研磨液。 - 特許庁

The post-CMP treating liquid includes water, polyphenol, an anionic surfactant, ethylene diamine tetraacetic acid, resin particles having carboxylic group and sulfonyl group on their surfaces, a primary particle diameter thereof ranging from 10 to 60 nm, and tetramethyl ammonium hydroxide.例文帳に追加

水と、ポリフェノールと、陰イオン性界面活性剤と、エチレンジアミン四酢酸と、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子と、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを含有する処理液である。 - 特許庁

Polishing pad glazing during the CMP of the Al and Al alloy is eliminated or greatly reduced by utilizing neutral polishing slurry containing a sufficient amount of surfactant to prevent agglomeration due to the polished by-products of abrasive particles.例文帳に追加

Ａｌ及びＡｌ合金のＣＭＰ中の研磨パッドのグレージングは、研磨材粒子の研磨副産物による塊状化を防止するのに十分な量の界面活性剤を含む中性研磨スラリを利用することで除去又は大幅に減少される。 - 特許庁

Then, the protective layer 52 directly above the MTJ laminate structure 20 is selectively removed by etching after selectively removing the silicon oxide layer 53 other than an MTJ laminate structure 20 region by planarizing and polishing the entire surface by the CMP process.例文帳に追加

その後、ＣＭＰプロセスにより全面を平坦化研磨してＭＴＪ積層構造２０領域以外のシリコン酸化物層５３を選択的に除去した後、エッチングにより、ＭＴＪ積層構造２０の真上にある保護層５２を選択的に除去する。 - 特許庁

To complete planarization of all insulation separation grooves formed on a substrate or steps generated at a wiring pattern formation, in a process for embedding an insulation material into the groove or wiring gap without using a CMP technology.例文帳に追加

基板上に形成された絶縁分離用溝もしくは配線パターン形成により生じた段差を、ＣＭＰ技術を用いることなく、溝もしくは配線間隙への絶縁材料埋め込み工程段階ですべて平坦化を完了させるようにする。 - 特許庁

To provide a CMP device that can uniformize a polishing amount of each of simultaneously polished wafers and can appropriately supply abrasive slurry to the wafers even when the supplied abrasive slurry has a high flow rate.例文帳に追加

同時に研磨されるウェーハ間の研磨量を均一にすることができ、かつ、供給される研磨スラリーの流量が大きい場合にも、研磨スラリーをウェーハに対して適切に供給することができるＣＭＰ装置を提供することを課題（目的）とする。 - 特許庁

To provide an abrasive cloth for metal which is high in CMP speed, high in flatness, capable of reducing the dishing quantity and the erosion, high in reliability, and capable of forming the embedding pattern of a metal film, and a grinding method using the cloth.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨布及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide polishing liquid for CMP and a polishing method using the polishing liquid that can increase a polishing speed for a low-k film as an interlayer insulating film layer with keeping an excellent polishing speed for barrier metal of a barrier layer and silicon dioxide of a cap layer.例文帳に追加

バリア層のバリア金属とキャップ層の二酸化珪素に対する良好な研磨速度を維持しつつ、層間絶縁膜層であるｌｏｗ−ｋ膜に対する高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

Here, in order to reduce the overall level difference produced corresponding to densities of elements 201 and 209 arranged on the image display region 210a and in the peripheral region 211a respectively, for example, a time length for the CMP processing is set.例文帳に追加

ここで、画像表示領域２１０ａ及び周辺領域２１１ａの夫々に配置された素子２０１及び２０９の密度に応じて生じるグローバルな段差を低減するように、例えばＣＭＰ処理を行う処理時間を設定しておく。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which is used for platinum group metals and capable of polishing a metal film at a low polishing pressure, at a high polishing speed and in good selectivity to a substrate when a CMP is applied to a film of the platinum group metal, and to provide a method for polishing with the polishing liquid.例文帳に追加

白金族金属膜にＣＭＰを適用した際、低研磨圧力で高い研磨速度と下地に対する選択的な金属膜研磨性を持った白金族金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The wire harness Cmp is divided into a plurality of sub- assemblies Sub1 to Sub3, and a three-dimensional shape of these sub-assemblies Sub1 to Sub3 is compositely displayed on a prescribed display in a state of being laid on a harness assembling working platform 16.例文帳に追加

ワイヤーハーネスＣｍｐを複数のサブアッシーＳｕｂ１〜Ｓｕｂ３に分割し、これらのサブアッシーＳｕｂ１〜Ｓｕｂ３の三次元形状を、ハーネス組立作業台１６上に配策した状態で所定の表示ディスプレイに合成表示する。 - 特許庁

The metal film 7 and the barrier film 6 are polished by using a CMP method, and wirings 8a, 8b, 8c, 8d constituted of barrier films 6a, 6b, 6c, 6d and metal films 7a, 7b, 7c, 7d are formed in the trenches 5a, 5b, 5c, 5d, respectively.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法によって金属膜７及びバリア膜６を研磨し、溝５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ内にそれぞれバリア膜６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄと金属膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄからなる配線８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを形成する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for the CMP (chemical mechanical polishing) process which improves the problem of causing defects by damaging the surface of a material to be processed and leaving the abrasive and an abrasive residue on the surface of the processed material even after washing and to improve the filtering characteristics of the recovered composition.例文帳に追加

被加工物の表面に傷を生じたり、洗浄後も被加工物表面に研磨材や研磨屑が残存し、欠陥の原因となる問題の改良及び回収組成物の濾過性を改良するＣＭＰプロセス用研磨組成物を提供する。 - 特許庁

First the ferroelectric film 317 is deposited to be thick, and then, the ferroelectric film 317 is flattened by a CMP method with the interlayer dielectric 316 as a stopper, which can be deposited with a uniform thickness on an entire wafer, to form the ferroelectric film 317a.例文帳に追加

まず、強誘電体膜３１７を厚く堆積し、その後に、ウエハ全体で膜厚を均一に堆積可能な層間絶縁膜３１６をストッパとして、ＣＭＰ法で強誘電体膜３１７を平坦化して、強誘電体膜３１７ａを形成する。 - 特許庁

To solve the problem that shavings occurring in a field layer during CMP process of an embedded dielectric in an element separation process using an STI method cause the occurrence of the leak current and the thinner line of a gate electrode mask, and thereby cause a decrease in yield and reliability.例文帳に追加

ＳＴＩ方式を用いた素子分離工程において、埋め込み絶縁膜の平坦化研磨時にフィールド層で発生する削りこみが、リーク電流発生や、ゲート電極マスクの細線化の原因となり、歩留まり低下や信頼性低下を招いている。 - 特許庁

To provide a CMP method whereby the organic substances wherewith an interlayer insulating film is impregnated can be removed efficiently therefrom, after residual slurries and polishing residues present on the surface of a substrate are cleaned and removed therefrom by the cleaning liquid containing a surface active agent.例文帳に追加

基板表面上に残留するスラリー及び研磨残留物を界面活性剤を含む洗浄液で洗浄除去した後に、層間絶縁膜に染み込んだ有機物質を効率的に除去することが可能なＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a slurry of a metal oxide useful for a chemical and mechanical polishing treatment(CMP treatment) which is used for flattening an insulating layer of a low dielectric material which coats a conductive layer of a large scale integrated semiconductor circuit or the like.例文帳に追加

大規模集積半導体回路などの導電層を被覆する絶縁層である低誘電率材料から成る層を平面化処理するために用いられる、化学・機械的研磨処理（ＣＭＰ処理）に有用な水系金属酸化物ゾルスラリーを提供する。 - 特許庁

A system for CMP is provided by moving cyclically and relatively an abrasive cloth 42 and a wafer W on a platen 41, and the wafer W is held by an opening 59a of a ring 59, which has a wearing face 59b surrounding the opening 59a.例文帳に追加

プラテン４１上の研磨布４２とウェハＷとを周期的かつ相対的に移動させることによってＣＭＰを行うためのシステムが提供され、ウェハはリング５９の開口５９ａに保持されており、リングは開口を包囲した摩耗面５９ｂを有している。 - 特許庁

To provide a sintered body for pad conditioning which can obtain a polishing tool for conditioning a CMP polishing pad which polishes the surface of a semiconductor material for LSI etc. of an ultra high-density wiring rule of 0.35 μm rule or lower, and its manufacturing method.例文帳に追加

０．３５μｍルール以下の調高精細配線ルールのＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を実現できる、パッドコンディショニング用焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

One end of a sampling capacity Cc of respective comparators Cmp is applied with an analogue input signal Vin through a second switch SWin during a sampling period, and is applied with a corresponding reference voltage Vref through a third switch SWref during a comparison period.例文帳に追加

各比較器Ｃｍｐのサンプリング容量Ｃｃの一端には、サンプル期間に第２のスイッチＳＷｉｎを介してアナログ入力信号Ｖｉｎが印加され、比較期間に第３のスイッチＳＷｒｅｆを介して対応の参照電圧Ｖｒｅｆが印加される。 - 特許庁

Here, during a transition period between the sampling period and comparison period, after the first switch SWsd is turned off, the second and fourth switches SWin and SWref of the comparators Cmp are turned off but the third switch SWref is turned on.例文帳に追加

ここで、サンプル期間と比較期間との間の移行期間には、第１のスイッチＳＷｓｄがオフ状態になった後に、各比較器Ｃｍｐの第２および第４のスイッチＳＷｉｎ，ＳＷｒｅｆがオフ状態になり、第３のスイッチＳＷｒｅｆがオン状態になる。 - 特許庁

The method for polishing the substrate comprises steps of supplying the CMP abrasives containing cerium oxide particles, water-soluble polymer, water soluble organic fluorocompound and water, in such a manner that the surface tension is 5 mN/m to 50 mN/m for the polishing pad on the polishing platen, and polishing the surface of the substrate.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、水溶性高分子、水溶性有機フッ素化合物及び水を含む表面張力が５ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であるＣＭＰ研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、基板表面を研磨する。 - 特許庁

In a plurality of lots of which one lot is constituted of a plurality of wafers, CMP process is carried out for Δt(n) time to all of a plurality of wafers constituting an n-th lot, and a removal amount ΔToxP(n) of a polishing film on the wafer is obtained.例文帳に追加

１ロットが複数枚のウェーハより構成される複数のロットのうちで、ｎ番目のロットを構成する複数枚のウェーハに対して全てΔｔ（ｎ）時間の間ＣＭＰ工程を行い、前記ウェーハ上の被研磨膜の除去量ΔＴｏｘＰ（ｎ）を求める。 - 特許庁

When this is used to diamond dresser for CMP, the TiN or TiC content should preferably be not less than, 90% because not only a grain retaining force but an anti-corrosion property is of important as the properties required of the binder.例文帳に追加

ＣＭＰ用ダイヤモンドドレッサーとして用いる場合には、結合材に要求される性能が、ダイヤモンド砥粒の保持力だけでなく、耐食性も重要視されるので結合材の主成分である、ＴｉＮ又はＴｉＣは９０％以上とすることが好ましい。 - 特許庁

To provide a slurry for chemical and mechanical polishing, capable of achieving both of a high polishing rate and low erosion and so capable of forming high-performance wiring at a low cost, and to provide a method for producing semiconductor devices using CMP(Chemical Mechanical Polishing) utilizing the slurry.例文帳に追加

高研磨速度及び低エロージョンの両方が実現でき、その結果、低コストで高性能な配線を形成することができる化学的機械的研磨用スラリ及びこのスラリを使用したＣＭＰを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an affected layer on an insulating layer and metal wiring after a wiring metal is removed by CMP method, inhibits a rise of wiring resistance and leakage between wiring, and improves a dielectric break-down resistance.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法による配線金属除去後の絶縁膜および金属配線上の変質層を除去し配線抵抗の上昇、配線間リークを抑制し、絶縁破壊耐性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent excessive polishing (dishing) of a large-area pattern from occurring at polishing of a metal film, when in a process for manufacturing a semiconductor device, the metal film formed on an insulating film comprising a groove is polished by CMP method to form a damascene wiring.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、溝を設けた絶縁膜上に成膜した金属膜をＣＭＰ法により研磨してダマシン配線を形成するに当たり、上記金属膜の研磨時に発生する大面積パターンの過剰研磨（ディッシング）を防止する。 - 特許庁

An exposure process for patterning for making the area of the SiO_2 film to be polished by CMP uniform and exposure for patterning for imparting step-difference to an alignment mark are covered by the same exposure, thereby reducing the number of times of exposure processing to two.例文帳に追加

あるいは、ＣＭＰで研磨するＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングのための露光工程と、アライメントマークに段差を持たせることを目的としたパターニングのための露光を同一露光で賄うことで、露光工程の回数を２回に低減する。 - 特許庁

The invention provides methods of polishing a substrate including steps of (i) contacting a substrate having at least one metal layer having copper with a chemical-mechanical polishing (CMP) system and (ii) abrading at least a portion of the metal layer having copper to polish the substrate.例文帳に追加

（ｉ）銅を含む少なくとも１つの金属層を含む基材を化学機械研磨（ＣＭＰ）系と接触させる工程と、（ｉｉ）該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法が提供される。 - 特許庁

By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is polished by installing the polishing pad 40 (first pad part 40a and the second pad part 40b) to a CMP device, and when a total polishing time reaches a prescribed time, the second pad part 40b is exchanged with an exchanging second pad part 40c.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を取り付けて半導体ウェハの研磨を実施し、総研磨時間が所定の時間に到達したら、第２のパッド部４０ｂを交換用の第２のパッド部４０ｃに交換する。 - 特許庁

The adapter 2 is used for making thick the resin plate 5 as much as possible, and for preventing the mismatching of strokes in a height direction to be generated when the disposable grinding pad plate 7 having the thin resin plate 5 is mounted on a conventional CMP grinding device.例文帳に追加

アダプタ２は、なるべく樹脂製プレート５の厚さを薄くするためと、薄く形成された樹脂製プレート５を有する使い捨て研磨パッドプレート７を、従来のＣＭＰ研磨装置に取り付ける際に発生する高さ方向のストロークのアンマッチを防ぐために使用される。 - 特許庁

Embodiments include the CMP of an Al or Al alloy surface employing the slurry containing an abrasive Al2O3 particle, and a surfactant of approximately 0.02 to 5 wt.% to prevent Al2O3 abrasive slurry particles from agglomerating with Al(OH)3 polished by-products.例文帳に追加

実施形態は、研磨Ａｌ_2Ｏ_3粒子と、Ａｌ_2Ｏ_3研磨材スラリがＡｌ（ＯＨ）_3研磨副産物によって塊状化するのを防止する約０．０２から約５重量％の界面活性剤とを含むスラリを利用したＡｌ又はＡｌ合金表面のＣＭＰを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents an insulating film at an upper end of a dummy gate electrode from being lost and also prevents an insulating film at an upper end of a cell gate electrode from being removed too much when an interlayer insulating film is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって層間絶縁膜を平坦化するときに、ダミーゲート電極の上端部の絶縁膜が消失するのを防ぐと共に、セルゲート電極の上端部の絶縁膜が取り除かれ過ぎるのを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a conductor film EC1 for the first wiring, which is mainly made of copper, is formed by an electroplating method using the upper barrier conductor film et1 as a sheet layer, and the conductor film EC1 for the first wiring is embedded in the hole H1 for the first wiring by a CMP method.例文帳に追加

続いて、上部バリア導体膜ｅｔ１をシード層として、電気めっき法により、銅を主体とする第１配線用導体膜ＥＣ１を形成し、ＣＭＰ法により第１配線用導体膜ＥＣ１を第１配線用孔部Ｈ１に埋め込む。 - 特許庁

To examine a CMP polishing agent for organic material, polishing a color filter layer to be uniform in thickness in a pixel by selectively polishing a step of the color filter layer to flatten the RGB surface of the color filter layer used in a liquid crystal display and having a high polishing speed.例文帳に追加

液晶ディスプレイに使われるカラーフィルター層のRGB表面を平坦にするため、カラーフィルター層の段差を選択的に研磨して、画素内でのカラーフィルター層の厚みを均一に研磨でき、かつ研磨速度の高い有機材料用ＣＭＰ研磨剤の検討を行う。 - 特許庁