「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing composition capable of obtaining the polishing speed and polishing speed ratio of a polysilicon film, a silicon nitride film and a silicon oxide film needed for executing CMP for contact plug formation by a self alignment system by one kind of the polishing composition, reducing the manufacture cost of a semiconductor element and improving an yield.例文帳に追加

セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを、１種類の研磨用組成物で実施するために必要な、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の研磨速度と研磨速度比が得られ、かつ半導体素子の製造コスト低減、歩留まり向上が可能となる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The CMP slurry contains water, persulfuric acid or its salt, basic amino acid blended by ≥0.05 wt.% and ≤0.5 wt.%, a water insoluble complex formation agent for forming a water insoluble complex of metal, a surfactant, and colloidal silica with a primary particle diameter of ≥5 nm and ≤50 nm.例文帳に追加

水と、過硫酸またはその塩と、０．０５ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下で配合された塩基性アミノ酸と、金属の水不溶性錯体を形成する水不溶性錯体形成剤と、界面活性剤と、一次粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下のコロイダルシリカとを含有することを特徴とする。 - 特許庁

When it is determined through CMP 6199 that the same image data are present by the block, the same image data are not read by EDIT 6147, the result of the rotation processing is left in a block buffer, the image data read already are reused, and only a write address is changed.例文帳に追加

６１９９ＣＭＰにてブロック単位で同一の画像データがあると判断されているとき、６１４７ＥＤＩＴはその同一の画像データに対してはリードを行うことなく、回転処理後の結果がブロックバッファに残っている、既にリード済みの画像データを再利用して、書き込み先アドレスだけを変えるようにする。 - 特許庁

Before the trench is filled with a field insulating film, a liner insulating film 112 is formed on a trench internal wall and a recessed part of a side face of the gate oxide film below the CMP stopper film is filled with the liner insulating film 112, thereby suppressing formation of a gap (void) in the element isolation film lateral to the gate oxide film.例文帳に追加

また、トレンチ内をフィールド絶縁膜で充填する前に、ライナー絶縁膜１１２をトレンチ内壁に形成し、ＣＭＰストッパ膜の下のゲート酸化膜の側面の凹み部分をライナー絶縁膜で埋め込むことにより、ゲート酸化膜の側方の素子分離膜に空隙（ボイド）が形成されるのを抑止する。 - 特許庁

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１３に沿ってＳｉＧｅエピタキシャル膜の剥離を行ってＳｉＧｅ薄膜１４を得、さらにこのＳｉＧｅ薄膜１４の表面に最終表面処理（ＣＭＰ研磨等）を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁

There is provided a method of manufacturing an improved cerium oxide abrasive agent suitable for forming a slurry comosition which is suitable for a CMP process, wherein the cerium oxide abrasive agent is manufactured, by heat-treating a mixture of cerium precursors, under the condition of forming a yet larger secondary abrasive particle which is constituted by bonding of cerium oxide primary particles.例文帳に追加

酸化セリウム一次粒子が結合して構成されたさらに大きい二次研磨粒子を形成する条件下で、セリウム前駆体の混合物を熱処理して酸化セリウム研磨剤を製造するＣＭＰ工程に適したスラリ組成物を形成するのに適した向上した酸化セリウム研磨剤を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which can be obtained with high yield by optimizing a center line average roughness on a polishing pad surface for CMP and processing pressure at the time of polishing, reducing the total number of defects on the semiconductor substrate surface after polishing, and also reducing the ratio of scratches in the defects.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨パッド表面の中心線平均表面粗さおよび研磨時の加工圧力を適正化し、半導体基板表面の研磨後の総欠陥数を減らしかつ欠陥に占めるスクラッチの割合を低減して、高い歩留まりを得ることが可能な半導体基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for enhancing the removal rate of a metal barrier layer without affecting on the removal rate of a conductive layer from a semiconductor wafer during a CMP(chemical-mechanical polish) process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス中半導体ウェーハからの金属障壁バリヤ層及び導電層の除去を等化し、ウェーハの表面に亘っての金属及び絶縁体領域から成るフラットな表面を形成するか、又は、前述の２ステップＣＭＰプロセスにて金属障壁バリヤ層の除去レートを高める方法を創出すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with Cu wires or electrodes that suppresses occurrence of corrosion of Cu between a Cu plating step and a Cu-CMP step without the need for a huge facility investment thereby realizing the semiconductor device having the Cu wires or electrodes with high reliability.例文帳に追加

Ｃｕ配線或いは電極をもつ半導体装置の製造方法に関し、膨大な設備投資を必要とせずに、Ｃｕメッキ工程とＣｕ−ＣＭＰ工程との間でＣｕの腐食が発生することを抑止し、信頼性が高いＣｕ配線或いは電極をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To achieve cleaning with enhanced cleaning capability by effectively using two-liquid jet cleaning even when residues tightly sticks on a substrate and sufficient cleaning performance cannot be obtained only by merely applying existent two-liquid jet cleaning in the case of cleaning after CMP etc.例文帳に追加

たとえＣＭＰ後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a dresser capable of suppressing the decline of dressing capability by suppressing the deflected abrasion of abrasive grains of the dresser and to provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the generation of scratches and the generation of polishing amount fluctuation in the CMP(chemical mechanical polishing) process of the surface of a semiconductor substrate by the dresser.例文帳に追加

ドレッサの砥粒の偏摩耗を抑制することにより、ドレス能力の低下を抑制可能なドレッサを提供し、また、上記ドレッサにより、半導体基板の表面のＣＭＰ工程において、スクラッチの発生および研磨量ばらつきの発生を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加

第１の配線２上に中間メタル１０を形成し、第２の絶縁膜３、ＳＯＧ溜まり４および第３の絶縁膜５からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル１０が露出するまで、ＣＭＰにより平坦化を行い、中間メタル１０上に第２の配線１１を形成する。 - 特許庁

Terminals on one side of two calibration resistances R22 are connected to differential output terminals of an active low filter 300 having filtering and amplification functions, and two input terminals of a voltage comparator CMP and two terminals of a changeover switch SWIO are connected to the other terminals of the two calibration resistances R22.例文帳に追加

フィルタ処理と増幅機能を有するアクティブローフィルタ３００の差動出力端子に２個の校正抵抗Ｒ２２の一方の端子が接続され、２個の校正抵抗Ｒ２２の他方の端子に電圧比較器ＣＭＰの２個の入力端子と切り換えスイッチＳＷＩＯの２個の端子が接続される。 - 特許庁

To flatten a membrane that covers the upper part of a recess formed by etching on a surface of a semiconductor substrate for making a semiconductor device, by suppressing the dishing effect of a chemical-mechanical polishing (CMP) while maintaining the rules for the opening shape of the recess and freedom of wiring layout on the membrane.例文帳に追加

半導体基板の一面側にエッチングにより形成された凹部の上をメンブレンで覆ってなる半導体装置において、凹部の開口形状の規定とメンブレン上の配線レイアウトの自由度を確保しつつ、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によるディッシングを抑制してメンブレンの平坦化を確保する。 - 特許庁

To provide a polishing composition in which polishing rates of a copper film, a tantalum compound barrier layer, and an SiO_2 insulating layer are substantially the same degree, and in which dishing, flatness are improved by an excess polishing method in the CMP working process of a semiconductor device having a copper film, a tantalum compound barrier layer and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition which, when used in a CMP (chemical mechanical polishing) process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, exhibits a higher rate of polishing copper during polishing the copper surface and exhibits a lowered rate of polishing copper and a higher rate of polishing the tantalum compound during polishing the tantalum compound and to provide a polishing method using the composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供する - 特許庁

To provide a polishing liquid for metal which exhibits a high CMP rate without scratching a polished surface after unfreezing and allows to highly flatten, to reduce dishing and erosion and to form the reliable embedded pattern of a metal film, and also to provide a method of preparation of the same and a method of polishing using the same.例文帳に追加

凍結解凍後も研磨面に傷を発生させずに高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液、その調製方法及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The polishing stop film 20 remains on the semiconductor substrate 11 as a stopper of polishing (stop index) even if the interlayer insulation film 12 is removed by polishing using a CMP method when forming a conductive plug 13 in the interlayer insulation film 12 at the peripheral region of the semiconductor 11.例文帳に追加

この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、層間絶縁膜１２が当該層間絶縁膜１２内に導電性プラグ１３を形成する際のＣＭＰ法による研磨によって除去された場合においても、当該研磨のストッパー（停止指標）となって半導体基板１１上に残る。 - 特許庁

The slurry for CMP as an embodiment of the present invention is characterized by containing one kind or two kinds or more of water-soluble polymer selected from a group of polyacrylic acid, polymethacrylic acid, and salts thereof of 1,000,000 to 10,000,000 in weight-average molecular weight, β-cyclodextrin, colloidal silica and water.例文帳に追加

本発明の一態様のＣＭＰ用スラリーは、重量平均分子量が１００万以上１０００万以下のポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、及びそれらの塩からなる群より選ばれる一種または二種以上からなる水溶性高分子と、β-シクロデキストリンと、コロイダルシリカと、水を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film-forming composition which is superior in heat resistivity and dielectric constant characteristics, especially, in CMP durability for forming a silicon system film, having a proper uniform thickness suitably available as an inter-layer insulating film in a semiconductor element, and to provide a porous insulating film which uses this film-forming composition and a method for manufacturing the film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも耐熱性、誘電率特性に優れ、特にＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物、これを用いた多孔質絶縁膜、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the CMP polishing method, a surface to be polished is polished by mixing a liquid, where a liquid A containing 0.5 to 10 wt.% cerium oxide particle, 0.003 to 0.3 wt.% surface-active agent, and water, is mixed with liquid B containing a 1 to 50 wt.% surface-active agent and water, and ultrasonic waves are applied.例文帳に追加

０．５〜１０重量％の酸化セリウム粒子、０．００３〜０．３重量％の界面活性剤及び水を含有する液Ａと、１〜５０重量％の界面活性剤及び水を含有する液Ｂの二液を混合し超音波を印加した混合液で被研磨面を研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

To develop a cleaning method for cleaning polishing slurry such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) slurry by efficiently removing a metal ion from the polishing slurry, preventing metal contamination of semiconductor wafers, etc., as much as possible or further capable of recycling the polishing slurry without hindrance.例文帳に追加

ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）スラリーの如き研磨スラリーから金属イオンを効率よく除去して清浄化し、半導体ウエハなどの金属汚染を可及的に防止し、或いは更に、研磨スラリーを支障なくリサイクル使用し得るような清浄化法を開発すること。 - 特許庁

By forming electroplated alloys of copper with metals that form continuous solid solutions therewith, a deposition layer of such an alloy on the surface of a barrier metal layer allows for lowering of the selectivity of the slurry polish used during the CMP process toward the alloy.例文帳に追加

銅とともに一連の均一な固溶体を形成する金属による電気めっきされた銅合金を形成することにより、空乏金属層の表面上にあるかかる合金の堆積層により、合金に対してＣＭＰ処理を行っている間に使用されるスラリー研磨の選択性を低めることが可能となる。 - 特許庁

To provide a polishing slurry, easy to use and having high polishing selectivity to a tantalum barrier film and high surface planarity of a semiconductor material, which is a polishing composition for CMP favorably used for removing an extra barrier metal film when wiring is formed by a damascene method at manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造に当たってダマシン法により配線を形成する際に、剰余バリアメタル膜の除去に好ましく使用されるＣＭＰ用研磨組成物で、タンタル系バリア膜に対する高い研磨選択性および半導体材料の高い表面平坦性を有し、取扱いにも優れる研磨用スラリーを提供すること。 - 特許庁

A source driver 300 is equipped with a differential voltage output buffer (comparator) CMP which outputs a differential voltage between a voltage of a driving video signal output from an analog buffer BF and a voltage detected by reading out the charge accumulated in a pixel capacitor so as to charge the pixel capacitor included in a pixel forming part.例文帳に追加

ソースドライバ３００内に、画素形成部に含まれる画素容量を充電するためにアナログバッファＢＦから出力される駆動用映像信号の電圧と画素容量に蓄積された電荷の読み出しによって検出される電圧との差異電圧を出力する差異電圧出力バッファＣＭＰを備える。 - 特許庁

Then, a Cu film is formed on the interlayer insulating film with a Ta film 8 in-between in a manner that the first wiring groove 7 is embedded, and they are polished by CMP method, thereby forming a first embedded wiring 9a wherein only the first wiring groove 7 is embedded by the Cu film with the Ta film 8 in between.例文帳に追加

その後、第１配線溝７内を埋め込む状態で、層間絶縁膜上にＴａ膜８を介してＣｕ膜を形成し、これらをＣＭＰ法によって研磨することにより、第１配線溝７内のみにＴａ膜８を介してＣｕ膜を埋め込んでなる第１埋め込み配線９ａを形成する。 - 特許庁

The method comprises steps of forming an insulation film 22 on the surface of an epitaxial substrate 20 using an SiC substrate as an original substrate, coating the SiC substrate surface on the backside with a high heat-resistive material 23 such as spion glass, sintering it at about 500°C, polishing it by CMP, etc. to planarize, and removing the insulation film 22.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を元基板とするエピタキシャル基板２０の表面に絶縁膜２２を形成し、次に、裏面のＳｉＣ基板面にスピオングラス等の高耐熱材料２３を塗布し、約５００℃で焼結した後、ＣＭＰ等で研磨して平坦化し、絶縁膜２２を除去する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The CMP polishing solution contains composite particles having second inorganic abrasive grains deposited at least partially on surfaces of first inorganic abrasive grains, wherein an average secondary particle size of the composite particles is 20 to 800 nm and a mass ratio of the first inorganic abrasive grains to the second inorganic abrasive grains is 1/10 to 10/1.例文帳に追加

第１の無機砥粒の表面の少なくとも一部に第２の無機砥粒が付着した複合粒子を含有してなるＣＭＰ研磨液であって、複合粒子の平均二次粒子径は２０〜８００ｎｍであり、第１の無機砥粒の第２の無機砥粒に対する質量比が１／１０〜１０／１であるＣＭＰ研磨液。 - 特許庁

In polishing using the CMP method, the surface of a material hard to be machined such as a single-crystal substrate composed of silicon carbide SiC and gallium nitride GaN is polished by using a polishing pad including abrasive grains under the existence of oxidative polishing liquid, and high polishing efficiency can be thereby properly obtained, keeping low surface roughness.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨加工において、炭化珪素ＳｉＣや窒化ガリウムＧａＮから成る単結晶基板のような難加工材料の表面が酸化性の研磨液の存在下において砥粒内包研磨パッドを用いて研磨されるので、低い表面粗度を得つつ、高い研磨能率が好適に得られる。 - 特許庁

A gate insulating film 15A of film-thickness 2.5 nm is formed at a part exposed to the opening part 14a, a gate electrode formation film 16A comprising non-doped polysilicon of film-thickness 300 nm is so deposited as to fill the opening part 14a, and then the first mask film 14 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

次に、開口部１４ａに露出する部分に膜厚が２．５ｎｍのゲート絶縁膜１５Ａを形成し、膜厚が３００ｎｍのノンドープのポリシリコンからなるゲート電極形成膜１６Ａを開口部１４ａが充填されるように堆積した後、ＣＭＰ法を用いて第１のマスク膜１４の平坦化処理を行なう。 - 特許庁

The polishing composition for the CMP contains polishing abrasive grains of 0.1 to 20 mass%, water dispersion type polyurethane of 0.001 to 10 mass%, oxidant of 0.01 to 10 mass%, organic acid or salt of the organic acid of 0.01 to 10 mass%, and a water-soluble salt compound of 0.01 to 10 mass%.例文帳に追加

研磨砥粒０．１〜２０質量％、水分散型ポリウレタン０．００１〜１０質量部、酸化剤０．０１〜１０質量％、有機酸又は有機酸の塩０．０１〜１０質量部および水溶性塩化合物０．０１〜１０質量％を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物。 - 特許庁

By a CMP step for forming a first plug, and an etching step for forming a following second plug so as to fill a part where an insulating material film is lost by depositing the attack prevention film all over the surface after cleaning, spreading of loss of the attack prevention film to a lower part of a conductive pattern is prevented.例文帳に追加

第１プラグ形成のためのＣＭＰ工程及び洗浄後にその全面にアタック防止膜を蒸着して絶縁性物質膜が損失された部分を埋め込むようにして後続する第２プラグを形成するためのエッチング工程でアタック防止膜が導電パターンの下部に損失が広がることを防止する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can polish a copper film, barrier layer composed of a tantalum compound, and SiO_2 insulating layer at almost equal polishing speeds in a CMP process performed on a semiconductor device having the copper film, barrier layer composed of the tantalum compound, and SiO_2 insulating layer and can improve dishing and flatness than the overpolishing method does.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition hardly causing the coagulation of the abrasive grains in slurry or the deposition of the abrasive grains on the inner wall of a pipe, capable of reducing a dishing phenomenon, allowing the selective polishing of a bimetal, and having good flatness after a CMP process.例文帳に追加

スラリー中の砥粒の凝集や配管内壁への砥粒の堆積が生じにくい研磨組成物が提供するとともに、ＣＭＰ工程に用いた場合に、ディッシング現象が低減でき、バリアメタルの選択的な研磨が可能であり、かつ、ＣＭＰ工程後の平坦性が良好な研磨組成物を提供する。 - 特許庁

Thereby the element isolating oxide film 2 in the vicinities of the resistance elements 4 can be partitioned in necessary regions, and the formation of a recessed part in a central part of the element isolation oxide film 2 can be restrained, when the film 2 is polished by a CMP method, so that the dimensional accuracy of the shapes of the resistive elements 4 can be improved.例文帳に追加

抵抗素子４近傍の素子分離酸化膜２を必要な範囲に区切ることができ、ＣＭＰ法による素子分離酸化膜２の研磨の際に素子分離酸化膜２の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子４の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method which can planarize a surface without executing the polishing treatment by the CMP method and the flattening treatment by the SOG film forming, further, can flatten the surface easily without selecting substrate materials, in a semiconductor device having the structure in which a plural layers different in material and in pattern are superimposed.例文帳に追加

材料や形成されたパターンが異なる複数の層が積層された構造の半導体装置において、ＣＭＰ法による研磨処理やＳＯＧ膜成膜による平坦化処理を行わなくても平坦化でき、さらに基板材料を選ばず、簡便に平坦化を行う方法を提供することを課題とする - 特許庁

The inside of a wafer carrier 7 of the CMP equipment 1 is constituted of a retainer ring 8 for retaining a wafer 6, a guide part 10 on which a gas introducing port 9 for supplying gas to each area of the wafer 6 is arranged, and a partition part 11 for partitioning the space, formed by the wafer 6 and the guide part 10, into each area.例文帳に追加

本発明のＣＭＰ装置１のウェーハキャリア７の内部には、ウェーハ６を支持するリテーナリング８と、ウェーハ６の各エリアにガスを供給するためのガス導入口９が設けられたガイド部１０と、ウェーハ６とガイド部１０で形成された空間を各エリア毎に仕切るための仕切部１１で構成される。 - 特許庁

To provide a mounting method for connecting electronic components to a board through normal temperature jointing, without applying severe pretreatment for a connection surface due to CMP (chemical mechanical polish) or electrolytic polishing, in order to suppress dispersions in roughness or the height of connection surfaces of the electronic components, such as semiconductor chips, semiconductor packages or the like or bumps on the mounting board.例文帳に追加

半導体チップ、半導体パッケージ等の電子部品あるいは実装基板のバンプの接合面の粗度や高さのバラツキを抑えるための、ＣＭＰや電解研磨による過酷な接合面前処理を行う必要なしに、電子部品を常温接合により基板に接合する実装方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device, a shortest width 11 which is present in the top surface of its lower electrode 6 has a value such that the effect of the dishing caused by a CMP method falls within the tolerance range, and other widths which are present in the top surface of its lower electrode 6 have lengths such that they can realize the planar area, capable of holding required capacitance value.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、下部電極６の上面における最短幅１１がＣＭＰ法によるディッシングの影響が許容範囲内となる値を有しており、下部電極６の上面における他の幅は、必要な容量値を保持可能な平面積を実現する長さを有している。 - 特許庁

To obtain a detergent having a slight load on environment and high cleaning effects on impurities remaining on a semiconductor part such as a semiconductor substrate after chemomechanical polishing(CMP).例文帳に追加

環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨（ＣＭＰ）後に、半導体基板などの半導体部品上に残った不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤、および、半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for polishing and a polishing method for improving the polishing rate of a tantalum composition by increasing the polishing rate of copper at polishing the surface of copper, and reducing the polishing rate of copper at polishing the tantalum composition in a CMP working process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum composition.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供することにある。 - 特許庁

The respective wafer input to the aligner 10 is allocated to a plurality of processing stems of the aligner 10 so that the wafer processed by the same processing system of the CMP apparatus 20 may be processed by either of two processing systems 11 and 12 of the aligner 10, and the wafer is subjected to exposure in the respective processing system.例文帳に追加

露光装置１０に投入されたロットの各ウエハは、ＣＭＰ装置２０の同一の処理系で処理されたウエハは、露光装置１０の２つの処理系１１、１２のいずれか同一の処理系で処理されるように、露光装置１０の複数の処理系に割り振られ、各処理系において露光処理が行われる。 - 特許庁

To provide a polishing solution used for barrier metal CMP for chemically and mechanically polishing a barrier layer and an interlayer insulating film, especially, a polishing solution with which a superior polishing speed is obtained for the interlayer insulating film and a scratch as a defect after polishing is reducible as well.例文帳に追加

本発明は、バリア層と層間絶縁膜とを化学的機械的に研磨するバリアメタルＣＭＰに用いられる研磨液であって、特に、層間絶縁膜に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、研磨後欠陥であるスクラッチの低減を同時に実現し得る研磨液を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing a semiconductor device with guaranteed reliability, by preventing corrosion of Cu wiring caused by processing the Cu wiring by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, and suppressing an increase in a wiring resistance in the semiconductor device having a damascene wiring structure.例文帳に追加

ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。 - 特許庁

The relation between facility parameters and formed film thicknesses is mathematized in advance by using a monitor substrate, an actually formed film thickness is estimated by using a numerical formula (S14), and CMP conditions are managed according to the estimated film thickness (S15) to precisely predict a thin film thickness, thereby reducing the consumption of monitor wafers.例文帳に追加

あらかじめ、モニター基板を用いて設備パラメータと形成膜厚の関係を数式化し、この数式を用いて実際に形成された膜厚を推測し（Ｓ１４）、推測した膜厚に応じてＣＭＰ条件を管理することにより（Ｓ１５）、薄膜膜厚を精度よく予測し、モニターウエハ使用量を削減することができる。 - 特許庁