「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A polishing device CMP comprises the wafer holder 12 for holding the wafer W, and the abrasive pad 2, and polishes a polished surface of the wafer W by pressing the abrasive pad 2 against the wafer W held by the wafer holder 12 and at the same time rotatively moving them both.例文帳に追加

研磨装置ＣＭＰは、ウエハＷを保持するウエハ保持装置１２と、研磨パッド２とを備えて構成され、研磨パッド２をウエハ保持装置１２に保持されたウエハＷに当接させながら両者を回転移動させてウエハＷの被研磨面の研磨を行う。 - 特許庁

To enable a manufacture of a multilayer wiring structure, having a small wiring delay and hence which will not disturb high-speed operation by enabling embedding of a narrow gap and realizing a low permittivity insulating film, having a high resistance to a CMP.例文帳に追加

多層配線形成方法に関し、狭ギャップの埋め込みが可能であって、且つ、ＣＭＰに対する耐性が高い低誘電率絶縁層を実現し、配線遅延が少なく、従って、高速動作の妨げにならない多層配線構造体を作製できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electroplated tool constituted on a grinding surface of the electroplated tool such as a conditioner for CMP at a rough abrasive density of superabrasive, arbitrarily and regularly arranging the abrasive, and contacting with a ground material at a sharp edge portion of the abrasive.例文帳に追加

ＣＭＰ用コンディショナなどの電着工具の研削面に超砥粒の砥粒密度を疎に構成し、且つ、その砥粒を任意的且つ規則的に配列し、更に、砥粒の鋭いエッジ部分が被削材に当接する電着工具を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The post-CMP cleaning liquid composition contains one or two or more kinds of fat polycarbon acid and one or two or more kinds selected out of a group composed of glyoxylic acid, ascorbic acid, glucose, fructose, lactose and mannose and its pH is <3.0.例文帳に追加

脂肪族ポリカルボン酸類を１種または２種以上とグリオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、フルクトース、ラクトースおよびマンノースからなる群から選択される１種または２種以上とを含有し、ｐＨが３．０未満であることを特徴とする、ＣＭＰ後洗浄液組成物。 - 特許庁

An apparatus for manufacturing the semiconductor includes a support 8 to support a semiconductor wafer 6 delivered and received from CMP equipment, and an evacuating portion 12 to evacuate from a support 8 side only at a region 20 which is outside a predetermined radius from a center of the semiconductor wafer 6.例文帳に追加

半導体製造装置は、ＣＭＰ装置から受け渡された半導体ウエハ６を支持する支持部８と、半導体ウエハ６の中心から所定の半径よりも外側の領域２０のみで支持部８側から真空引きする真空引き部１２とを備える。 - 特許庁

The method of removing contaminants of 0.3micron (μm) in size or smaller generated after chemical-mechanical polishing (CMP) cleans the surface of a semiconductor wafer, metal, dielectric film, or the like, with aqueous and cryogenic enhanced (ACE) cleaning.例文帳に追加

機械化学研磨（ＣＭＰ）後に生じた、０．３ミクロン（μｍ）またはそれ以下の大きさの汚染物質を除去する方法において、半導体ウエハ、金属、または誘電体フィルム等の表面を水性系及び極低温による強化されたＡＣＥ洗浄を行う。 - 特許庁

A method of abrading a substrate comprises pressing a substrate on which a film to be abraded has been formed to the abrasive cloth of an abrasion surface plate, pressurizing the substrate, and operating the substrate and the abrasion surface plate while supplying the CMP abrasive material between the film to be abraded and the abrasive cloth to effect the abrasion of the film.例文帳に追加

研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、ＣＭＰ研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for the CMP (chemical mechanical polishing) process which improves the problem of causing defects by damaging the surface of a material to be processed and leaving the abrasive and an abrasive residue on the surface of the processed material even after washing and to improve the filtering characteristics of the recovered composition.例文帳に追加

被加工物の表面に傷を生じたり、洗浄後も被加工物表面に研磨材や研磨屑が残存し、欠陥の原因となる問題の改良及び回収組成物の濾過性を改良するＣＭＰプロセス用研磨組成物を提供する。 - 特許庁

First the ferroelectric film 317 is deposited to be thick, and then, the ferroelectric film 317 is flattened by a CMP method with the interlayer dielectric 316 as a stopper, which can be deposited with a uniform thickness on an entire wafer, to form the ferroelectric film 317a.例文帳に追加

まず、強誘電体膜３１７を厚く堆積し、その後に、ウエハ全体で膜厚を均一に堆積可能な層間絶縁膜３１６をストッパとして、ＣＭＰ法で強誘電体膜３１７を平坦化して、強誘電体膜３１７ａを形成する。 - 特許庁

To provide a slurry of a metal oxide useful for a chemical and mechanical polishing treatment(CMP treatment) which is used for flattening an insulating layer of a low dielectric material which coats a conductive layer of a large scale integrated semiconductor circuit or the like.例文帳に追加

大規模集積半導体回路などの導電層を被覆する絶縁層である低誘電率材料から成る層を平面化処理するために用いられる、化学・機械的研磨処理（ＣＭＰ処理）に有用な水系金属酸化物ゾルスラリーを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that shavings occurring in a field layer during CMP process of an embedded dielectric in an element separation process using an STI method cause the occurrence of the leak current and the thinner line of a gate electrode mask, and thereby cause a decrease in yield and reliability.例文帳に追加

ＳＴＩ方式を用いた素子分離工程において、埋め込み絶縁膜の平坦化研磨時にフィールド層で発生する削りこみが、リーク電流発生や、ゲート電極マスクの細線化の原因となり、歩留まり低下や信頼性低下を招いている。 - 特許庁

One end of a sampling capacity Cc of respective comparators Cmp is applied with an analogue input signal Vin through a second switch SWin during a sampling period, and is applied with a corresponding reference voltage Vref through a third switch SWref during a comparison period.例文帳に追加

各比較器Ｃｍｐのサンプリング容量Ｃｃの一端には、サンプル期間に第２のスイッチＳＷｉｎを介してアナログ入力信号Ｖｉｎが印加され、比較期間に第３のスイッチＳＷｒｅｆを介して対応の参照電圧Ｖｒｅｆが印加される。 - 特許庁

To provide a CMP method whereby the organic substances wherewith an interlayer insulating film is impregnated can be removed efficiently therefrom, after residual slurries and polishing residues present on the surface of a substrate are cleaned and removed therefrom by the cleaning liquid containing a surface active agent.例文帳に追加

基板表面上に残留するスラリー及び研磨残留物を界面活性剤を含む洗浄液で洗浄除去した後に、層間絶縁膜に染み込んだ有機物質を効率的に除去することが可能なＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sintered body for pad conditioning which can obtain a polishing tool for conditioning a CMP polishing pad which polishes the surface of a semiconductor material for LSI etc. of an ultra high-density wiring rule of 0.35 μm rule or lower, and its manufacturing method.例文帳に追加

０．３５μｍルール以下の調高精細配線ルールのＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を実現できる、パッドコンディショニング用焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A system for CMP is provided by moving cyclically and relatively an abrasive cloth 42 and a wafer W on a platen 41, and the wafer W is held by an opening 59a of a ring 59, which has a wearing face 59b surrounding the opening 59a.例文帳に追加

プラテン４１上の研磨布４２とウェハＷとを周期的かつ相対的に移動させることによってＣＭＰを行うためのシステムが提供され、ウェハはリング５９の開口５９ａに保持されており、リングは開口を包囲した摩耗面５９ｂを有している。 - 特許庁

Next, the surface of the underlayer insulating film 28a is polished by the CMP method to expose the shading film 27 on the large-diameter wiring M1b and further, the shading film 27 on the large-diameter wiring M1b is polished to be removed, followed by depositing an overlayer insulating film 28b thereon.例文帳に追加

続いて下層絶縁膜２８ａの表面をＣＭＰ法により研磨して太い配線Ｍ１ｂの上の遮光膜２７を露出させ、さらに太い配線Ｍ１ｂの上の遮光膜２７を研磨して除去した後、上層絶縁膜２８ｂを堆積する。 - 特許庁

In this manufacture, a polishing cloth 11 for use in CMP processing a semiconductor wafer is surface-processed with a chemical solution, a surface-active agent, or the like having oxidation action such as a hydrogen peroxide solution, a potassium permanganate, a nitric acid, a nitrous acid, ozone water, ion water, or the like, and the surface is made hydrophile.例文帳に追加

半導体ウェーハをＣＭＰ処理に用いられる研磨布１１に過酸化水素水、過マンガン酸カリウム、硝酸、亜硝酸、オゾン水、イオン水などの酸化作用を有する薬液や界面活性剤等で表面処理を行い、その表面を親水化する。 - 特許庁

By putting the inside of the housing into a wet condition, this CMP treatment system can prevent dehydration, solidification of residual slurry and drying out of the abrasive cloth and the cleaning apparatus, improve cleanness, and reduce consumption of purified water due to the reduction or the elimination of a dummy dispense.例文帳に追加

このように筐体内を湿潤雰囲気にすることによって、残留スラリの乾燥固化及び研磨布及び洗浄装置の乾燥を防止し、クリーン度のアップ及びダミーディスペンス量低減あるいは廃止による純水使用量削減を実現する。 - 特許庁

To prevent generation of a micro scratch on a polished object resulting from chipping of abrasive grains by reducing dispersion in the projection height and contact surface of the abrasive grains, in a dresser for dressing abrasive cloth used in surface finishing of a semiconductor wafer and the like by CMP machining.例文帳に追加

ＣＭＰ加工による半導体ウエハなどの表面仕上げに用いる研磨布をドレッシングするためのドレッサにおいて、砥粒の突出高さおよび接触面のばらつきを低減して、砥粒の欠けに起因する被研磨物のマイクロスクラッチの発生を防止する。 - 特許庁

First, a base insulating layer having a recessed part for magnetic pole formation recessed to a shape corresponding to a main magnetic pole layer is formed, and a stop film for polishing by CMP is formed so as to embed the recessed part for the magnetic pole formation and thereafter, a magnetic layer is formed on the stop film.例文帳に追加

まず、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成し、ＣＭＰで研磨するときの停止膜を、磁極形成用凹部を埋めるようにして形成した後、停止膜の上に磁性層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents excessive polishing in the vicinity of an orientation flat (OF) when an interlayer insulation film formed of a silicon oxide film on a metal pattern is flattened and polished by a CMP method, and excels in uniformity of the thickness of the insulation film.例文帳に追加

金属パターン上のシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜をＣＭＰ法で平坦化研磨するとき、オリエンテーションフラット（ＯＦ）近傍において過剰研磨がなく、絶縁膜の膜厚均一性がよい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, when a film of Cu layer/Cu alloy layer/Cu plated buried layer 6 is formed, by conducting this at a room temperature, with the result that a close adhesion between the respective laminated layers have full strength, and a leveling process by a CMP in a next step can be executed.例文帳に追加

またＣｕ層／Ｃｕ合金層／Ｃｕメッキ埋め込み層の成膜時の基板温度は何れも室温で行うことで、各積層間の密着性は十分な強度をもつものとなり、次工程のＣＭＰによる平面化処理を実施することができる。 - 特許庁

The manufacturing method basically includes steps of forming a Cu plating film 6 to a wafer, covering the surface of the Cu plating film 6 with a protection film 11 just after forming the Cu plating film 6, and removing the protection film 11 just before start of the CMP applied to the Cu plating film 6.例文帳に追加

ウェーハにＣｕメッキ膜６を形成する工程、Ｃｕメッキ膜６の形成直後に表面を保護膜１１で覆う工程、Ｃｕメッキ膜６のＣＭＰが開始される直前に保護膜１１を除去する工程とが含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

In step S7004, a thick-width wiring or a region with a high wiring density that tends to easily generate a level difference at CMP is specified, by using a wiring width/wiring density condition 7005 to be determined by a process, based on the sensing results of step S7003.例文帳に追加

そして、工程Ｓ７００４において、前記工程Ｓ７００３の検出結果に基づいて、プロセスによって決まる配線幅・配線密度条件７００５を用いて、ＣＭＰの際に段差が発生しやすい太幅配線や配線密度の高い領域を特定する。 - 特許庁

An electrically insulating film 103 is deposited to cover the edge part of an electric conductor 105 being the first electrode of the light emitting element and then polished by a chemical mechanical polishing (CMP) method so that the surfaces of the conductor 105 and a flattened insulating layer 106 form the same plane.例文帳に追加

発光素子の電極となる導電体１０５の端部を覆うように絶縁膜１０６を形成した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて研磨し、第１の電極１０５及び平坦化絶縁層１０６の表面が同一平面を有する構造を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing, having a sufficiently large polishing rate of a tantalum compound compared to that of copper and substantially hardly causing polishing of SiO_2 in a CMP processing process of a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of the tantalum compound and an insulation layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution containing solid abrasive grains to be used in barrier CMP for polishing a barrier layer made of a barrier metal material, which can obtain an excellent polishing speed for the barrier layer and can arbitrarily control the polishing speed of an insulating film.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、絶縁膜の研磨速度の任意に制御を可能とする研磨剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer-working method/apparatus for efficiently working a wafer, by measuring a surface shape by an inter-atom force microscope, without having to clean the wafer polished by CMP and cleaning the wafer.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＰで研磨されたウェーハを、洗浄することなく原子間力顕微鏡で表面形状を測定し、この後にウェーハを洗浄することにより、効率よくウェーハを加工することができるウェーハ加工方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The CMP slurry 7 comprises the dispersion medium 25, the polishing particles 18 which are dispersed in the dispersion medium 25 and develop photocatalytic action, when light is radiated and a nonionic surfactant dissolved in the dispersion medium 25.例文帳に追加

本発明の化学的機械的研磨用スラリー７は、分散媒２５と、前記分散媒２５中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子１８と、前記分散媒２５中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where various kinds of processing conditions such as a polishing time in a CMP step can be always set for wafers of a product lot suitably even if an error occurs in a film thickness or the like in the preceding CVD step or the like.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における研磨時間などの種々の処理条件を、それに先立つＣＶＤ工程などで膜厚等に誤差が生じても、製品ロットのウェハに対して常に最適に設定することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for polishing a substrate comprises pressing the substrate having formed a film to be polished against a polishing cloth of a polishing fixed plate, pressurizing the polishing cloth and relatively moving the substrate from the polishing fixed plate and polishing the film to be polished while supplying the CMP abrasive between the film to be polished and the polishing cloth.例文帳に追加

研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、ＣＭＰ研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を相対的に動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。 - 特許庁

Subsequently, after cleaning and ammonia plasma treatment are performed, the CMP surface of a wafer 1W is exposed to an inorganic silane compound gas, such as mono- silane or the like, so as to subject a microvolume of silicon to a solid solution in the outer layer of the main conductive film 18a in the embedded second layer wirings L2.例文帳に追加

続いて、洗浄処理およびアンモニアプラズマ処理を経た後、ウエハ１ＷのＣＭＰ面をモノシラン等のような無機系シラン化合物ガスに晒すことにより、埋込第２層配線Ｌ２の主導体膜１８ａの表層に微量のシリコンを固溶させる。 - 特許庁

A low saturation compressing unit 532 sets non-compressibility (r) in accordance with a luminance signal Y and composes, in accordance with the non-compressibility (r), a compressed color difference signal obtained by compressing a color difference signal of a fixed level th-cmp or lower and a non-compressed color difference signal.例文帳に追加

低彩度圧縮部５３２は、輝度信号Ｙに応じて非圧縮率ｒを設定し、一定のレベルｔｈ＿ｃｍｐ以下の色差信号を圧縮した被圧縮色差信号と、圧縮していない色差信号とを非圧縮率ｒに応じて合成する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for use in a CMP process for a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of a tantalum compound and a SiO_2 insulation layer so as to be sufficiently greater in the polishing rate of the tantalum compound than copper and hardly cause SiO_2 polishing.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., being an uniform coating film and excellent in CMP resistance, and also excellent in storage stability.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、塗膜が均一で、さらにＣＭＰ耐性に優れた低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

The dummy layer 70 for the second CMP includes: dummy first to the fourth word line conductive layers 72a to 72d which are parallel to the semiconductor substrate Ba and are laminated, and are formed in the same manner that the first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are formed; and a dummy memory protection insulating layer 74.例文帳に追加

第２ＣＭＰ用ダミー層７０は、半導体基板Ｂａに平行で且つ積層されて第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄと同層に形成されたダミー第１〜第４ワード線導電層７２ａ〜７２ｄ、ダミーメモリ保護絶縁層７４を備える。 - 特許庁

To provide a method for significantly reducing, and in most instances eliminating, the dishing of copper during chemical mechanical polishing(CMP) process by the use of electroplated alloys of copper where alloying metal forms a continuous solid solution with the copper.例文帳に追加

金属を合金化することにより銅とともに一連の均一な固溶体を形成する、電気めっきされた銅合金を使用することにより、化学・機械的研磨（ＣＭＰ）中における銅のディッシングを著しく低減し、場合によっては除去する方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, ferroelectric material and upper electrode material are formed on the semiconductor substrate 1, and these ferroelectric material and upper electrode material are processed by using the CMP method, thereby forming a ferroelectric 5 isolated every memory cell.例文帳に追加

その後、半導体基板１上に強誘電体材料および上部電極材料を形成し、これら強誘電体材料および上部電極材料をＣＭＰ法を用いて加工することにより、メモリセル毎に分離された強誘電体５を形成する。 - 特許庁

The cerium oxide abrasive obtained by heat-treating the mixture of a cerium precursor compound and a secondary metal compound has reduced mechanical strength, thereby the possibility of damaging substrate surfaces in the CMP process using the above abrasive reduces.例文帳に追加

セリウム前駆体化合物と二次金属化合物との混合物を熱処理して得られる酸化セリウム研磨剤は、その機械的強度が減少し、それにより、前記研磨剤を使用するＣＭＰ工程中に基板表面が損傷する可能性が減少する。 - 特許庁

This method for producing cytidine 5'-triphosphate (CTP) from cytidine 5'-monophosphate (CMP) is characterizedby using cytidine 5'- monophosphate kinase, polyphosphate kinase and polyphosphate without adding adenosine 5'-triphosphate (ATP) and adenosine 5'-diphosphate (ADP) to the reaction system.例文帳に追加

反応系にアデノシン５’−トリリン酸（ＡＴＰ）及びアデノシン５’−ジリン酸（ＡＤＰ）を添加することなく、シチジン５’−モノリン酸キナーゼ、ポリリン酸キナーゼ及びポリリン酸を使用してシチジン５’−モノリン酸（ＣＭＰ）からシチジン５’−トリリン酸（ＣＴＰ）を製造する方法に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electric resistance measurement pattern which is suitable for specifying places where a film thickness is thinned in a wiring of a Cu wiring or the like, for example, by a CMP treatment without increasing any chip size, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

チップサイズを増大させることなく、Ｃｕ配線等の配線における例えばＣＭＰ処理による膜厚の薄膜化が起こった箇所を特定するのに好適な電気抵抗測定パターンを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とＣＭＰ処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁

Then a copper main conductor film 20 is formed on the copper seed film 19 as to fill the opening 16, and the CMP method is used to polish the main conductor film 20, the copper seed film 19, the copper seed film 18, and the conductive barrier film 17 until the insulation film 15 is exposed.例文帳に追加

その後、シード膜１９上に、開口部１６内を埋めるように銅の主導体膜２０を形成し、ＣＭＰ法で主導体膜２０、シード膜１９、シード膜１８および導電性バリア膜１７を絶縁膜１５が露出するまで研磨する。 - 特許庁

To provide a polishing composition to be used in a CMP process of a semiconductor device with a copper layer, a barrier layer of a tantalum compound and an insulating layer of SiO_2, showing a sufficiently large polishing rate of the tantalum compound compared with that of the copper and essentially little polishing of SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for precisely carrying out formation by recognizing an alignment mark for aligning a pattern to be formed in the upper layer even if a CMP(chemical mechanical polishing) method is used for forming buried wiring.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械的研磨）法を用いて埋め込み配線を形成する場合であっても、その上層に形成するパターンを位置合わせするためのアライメントマークを認識できるかたちで的確に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁