「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

This polishing solution for CMP is characterized in containing 0.005-0.5 mass% of alkyl titanate represented by chemical formula: Ti(OR)_4 (R is a 1-8C alkyl group), and also containing silicon dioxide particles, an acid, an oxidizing agent, an anticorrosive of metal, and water.例文帳に追加

化学式：Ｔｉ（ＯＲ）_４（ＲはＣ_１〜Ｃ_８のアルキル基）で示されるアルキルチタネートを０．００５質量％以上０．５質量％以下含有し、さらに二酸化ケイ素粒子、酸、酸化剤、金属の防食剤及び水を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨液。 - 特許庁

In the semiconductor device having copper wiring 26b buried into an insulating film 16 and a dummy pattern 26c for CMP buried into the insulating film 16 near the copper wiring 26b, a unit pattern for composing the dummy pattern 26c is formed with a density of 10-25% per unit area.例文帳に追加

絶縁膜１６に埋め込まれた銅配線２６ｂと、銅配線２６ｂの近傍の絶縁膜１６に埋め込まれたＣＭＰ用のダミーパターン２６ｃとを有する半導体装置において、ダミーパターン２６ｃを構成する単位パターンを、単位面積あたり１０〜２５％の密度で形成する。 - 特許庁

A sample mixture of an optically transparent thin film and a thin metal film is irradiated with light, reflected light from the sample is detected and a decision is made whether the metal film remains after CMP or not based on the intensity of the reflected light thus detected or the reflectivity.例文帳に追加

光学的に透明な薄膜と金属薄膜が混在する試料に光を照射し、該光の照射により試料から発生する反射光を検出し、該検出した反射光の反射強度もしくは反射率に基づいて、ＣＭＰ後の金属膜加工残りの有無を判定する。 - 特許庁

Although irregularities of surfaces are generated by a CMP method in first copper wiring 103a of a broader width and second copper wiring 103b of a narrower width, the surface of a third insulating film 105 deposited on a second insulating film 104 is planarized by planarizing the second insulating film 104.例文帳に追加

ＣＭＰ法により幅の広い第１の銅配線１０３ａと幅の狭い第２の銅配線１０３ｂにおいて表面に凹凸が発生するが、第２の絶縁膜１０４を平坦化することにより第２の絶縁膜１０４上に堆積する第３の絶縁膜１０５の表面が平坦になる。 - 特許庁

To provide a polishing composition which has high selectivity, in which the polishing rate for copper is large but the polishing rate for a tantalum compound is small and is superior in giving smoothness of surface to a copper- film in a CMP work process for a semiconductor device, having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide metal oxide particles by which CMP capable of preventing or reducing the occurrence of polishing scratches on a silicon oxide film, a metal buried film and the like can be performed, a polishing material containing it, a method for polishing a substrate using the polishing material and a method for producing a semiconductor device manufactured by polishing.例文帳に追加

酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷の発生を防止又は低減することが可能なＣＭＰが実施できる金属酸化物粒子、これを含む研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及び研磨して得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The CMP method for polishing a conductive film (wiring film) or an insulating film is carried out in such a manner that the polishing speed around the wafer is slower than that in the center thereof after the film thickness around the wafer is made thinner than that in the center thereof.例文帳に追加

ＣＭＰによって導電膜（配線膜）或いは絶縁膜を処理するに際して、ウェハ周辺部における膜厚をウェハ中心部における膜厚より薄いものとした後、ウェハ周辺部での研磨速度をウェハ中心部での研磨速度より小さくしてＣＭＰを行う。 - 特許庁

A grinding solution transport device 1 comprises a grinding solution transport pipe 36 to transport the grinding solution 16 used for the CMP device 14, and a vibration generator 50 which is fitted to the grinding solution transport pipe 36 to apply the vibration to the grinding solution transport pipe 36.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＰ装置１４に用いられる研磨液１６を輸送するための研磨液輸送管３６と、研磨液輸送管３６に取り付けられ、該研磨液輸送管３６に振動を加える振動発生器５０とを備える研磨液輸送装置１０を特徴としている。 - 特許庁

A CMP device keeps at least one coating target selected from a group, consisting of the surface of a head section and the surface of an arm section for retaining a ground member on a grinding pad, the surface of a slurry supply pipe, and the internal wall of a device body, coated by a fluororesin.例文帳に追加

被研磨部材を研磨パッド上に保持するヘッド部表面及びアーム部表面、スラリー供給管表面、並びに、装置本体内壁よりなる群から選択される少なくとも１つの被覆対象をフッ素樹脂により被覆したことを特徴とするＣＭＰ装置。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁

When the Cu film 9 is polished by the CMP method, the polishing speed of the peripheral edge of the substrate is made lower than that of the central part of the substrate by making the pressure applied to a retainer ring 11 higher than to the silicon substrate 1 from a polish carrier, and the Cu film 9 is made to remain in the peripheral edge of the substrate.例文帳に追加

Ｃｕ膜９をＣＭＰ法により研磨する際、研磨キャリアからシリコン基板１に加わる圧力よりもリテーナーリング１１に加わる圧力を高くすることにより、基板中心部よりも基板周縁部の研磨速度を遅くして、基板周縁部にＣｕ膜９を残存させる。 - 特許庁

A CMP polishing pad is packed with an antistatic film having the surface resistivity of at most 10^7 Ω/square under the circumstances in which the relative humidity is specified to be at least 40% and the existing suspended particulate having the diameter of at least 0.3 μm is specified to be at most 1,000 particles/ft^3.例文帳に追加

相対湿度が４０％以上に規定され、及び粒子径０．３μｍ以上の浮遊粒子の存在量が１０００個／ｆｔ^３以下に規定された環境の下で、表面抵抗が１０^７Ω／□以下である帯電防止フィルムを用いて梱包されたＣＭＰ用研磨パッド。 - 特許庁

Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.例文帳に追加

容量素子の下方には、ＣＭＰ工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン８ｂと、ダミーの活性領域である活性領域１ｂとが配置され、これらは配線Ｍ１〜Ｍ５からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁

To provide polishing equipment and a polishing method in which variation in chemical reaction rate due to temperature rise on the surface of a metal film through metal based exothermic reaction is suppressed on a polishing surface when planarization polishing of wafer surface having a metallization film is performed by CMP.例文帳に追加

金属配線膜を有するウェーハ表面のＣＭＰ法による平坦化研磨を行うにあたり、メタル系の発熱反応で金属膜表面の温度が上昇し、加工面の化学的反応速度にばらつきが生じることを抑制した研磨装置、及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁

This invention is provided with divided voltage means D1, R1, R2, a comparator CMP which inputs divided voltage VCX and zero voltage GND compares both voltages, and output transistor means Q1, Q2, Q3 which output monitoring signals at an output terminal through the comparator's output.例文帳に追加

分圧手段Ｄ１，Ｒ１，Ｒ２と、分圧電圧ＶＣＸとゼロ電圧ＧＮＤを入力し、かつ両電圧を比較するコンパレータＣＭＰと、コンパレータの出力より出力端ＯＵＴに監視信号を出力する出力トランジスタ手段Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とを備える。 - 特許庁

Slurry contains potassium persulfate as an oxidizing agent, potassium dodecyl benzenesulfonate as an surface-active agent, and silica as abrasive particles and pH controlled to 8 by adding potassium hydroxide, and an unwanted Cu film 5 located outside a wiring groove 3 is removed through a CMP method by the use of the slurry.例文帳に追加

酸化剤として過硫酸カリウム、界面活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、研磨粒子としてシリカをそれぞれ含み、スラリーｐＨを水酸化カリウムにより８に制御したスラリーを用いたＣＭＰ法により、配線溝３の外部の不要なＣｕ膜５を除去する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for CMP that improves a polishing rate of a silicon oxide film and also reduces within-wafer nonuniformity of a substrate having the silicon oxide film on a surface as compared with a conventional polishing liquid, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加

従来の研磨液と比較して酸化ケイ素膜に対する研磨速度を向上させることができると共に、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の面内均一性を向上させることが可能なＣＭＰ用研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulator film having a low dielectric constant, suitably removing a film on the insulating film by CMP method during production process of a semiconductor device, having no cap layer, and suitably utilized for production of a semiconductor device having excellent reliability.例文帳に追加

誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid which improves polishing speed of a silicon oxide film and a silicon nitride film in relation to polishing speed of a polysilicon film, and is applicable to a polishing process of polishing the silicon oxide film and the silicon nitride film, with the polysilicon film as a stopper film.例文帳に追加

ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a copper which makes possible high productivity and high authenticity in the manufacture of a high performance wiring plate, etc. an abrasive powder for copper alloy, and a polishing method using it by assuring a front surface which is as smooth as high polishing speed by a CMP and does not have etching.例文帳に追加

ＣＭＰによる高い研磨速度と平滑で腐食のない表面とを確保することにより、高性能配線板等の製造における高い生産性と信頼性を可能とする銅及び銅合金用研磨剤並びにそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition and a polishing method suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor substrate, a semiconductor component such as an inter-layer insulating film, and a recording medium component and an optical component, capable of flattening a surface of a polishing object and speeding-up a polishing speed.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

A potential outputted from the dummy memory cells DMC selected by the dummy wordline DWL to a dummy bit line DBL, is monitored by a comparison circuit 24, and a comparison signal CMP of a comparison result is given to a timing signal generating circuit 22 when the potential becomes a reference voltage REF or lower.例文帳に追加

ダミーワード線ＤＷＬで選択されたダミーメモリセルＤＭＣからダミービット線ＤＢＬに出力される電位を比較回路２４で監視し、参照電圧ＲＥＦ以下になったときに比較結果の出力信号ＣＭＰをタイミング信号生成回路２２に与える。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film which is curable at ≤450°C, provides a film having proper uniform thickness, dielectric constant characteristics, water absorption characteristics, excellent CMP resistance and a small void size, useful as interlayer dielectrics in a semiconductor element.例文帳に追加

４５０℃以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、ＣＭＰ耐性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The polishing pad for the CMP includes an inner radial groove 10 elongated from the center of a circular polishing pad 1 to a region of 1/3 to 2/3 of a radius, and an outer radial groove 20 elongated from the outer periphery of the circular polishing pad to a region of 1/3 to 2/3 of the radius on the polishing surface.例文帳に追加

円形研磨パッド１の中心部から半径の１／３〜２／３の領域まで伸長された内径溝１０と、円形研磨パッドの外周部から半径の１／３〜２／３の領域まで伸長された外径溝２０とを、研磨面に有するＣＭＰ用研磨パッド。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, having high selectivity to have high abrasion rate of copper and small abrasion rate of the tantalum compound and giving a smooth surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

This abrasive recovery device for recovering the abrasives from the CMP process drain containing an organic dispersant is provided with a ceramic film separating means of monolayer honeycomb structure mainly composed of columnar β-type silicon nitride crystal into which the process drain is led.例文帳に追加

有機物系の分散剤を含有するＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、該工程排水が導入される主として柱状のβ型窒化珪素結晶からなる単層ハニカム構造のセラミック膜分離手段を備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

In a calculation period of calculating digital control signals DACS, DAC2, ..., DAC0 for DC offset voltage reduction, the voltage comparator CMP detects a calibration voltage depending on a voltage drop of one calibration resistance R22 caused by analog currents of a digital-analog converter DAC0.例文帳に追加

ＤＣオフセット電圧低減のデジタル制御信号ＤＡＣＳ、ＤＡＣ２…ＤＡＣ０を算出する算出期間で、デジタルアナログ変換器ＤＡＣ０のアナログ電流による一方の校正抵抗Ｒ２２の電圧降下に依存する校正電圧を電圧比較器ＣＭＰが検出する。 - 特許庁

To provide a polishing pad capable of suppressing a polishing characteristic change caused by the water absorption of the polishing pad and capable of exhibiting an excellent polishing characteristic at an initial stage when performing polishing called as CMP (Chemical Mechanical Polishing) for a polishing object such as glass, a semiconductor, a dielectric/metallic compound material, and an integrated circuit.例文帳に追加

ガラス、半導体、誘電／金属複合体および集積回路等の被研磨物を、ＣＭＰと呼ばれる研磨をする際に、研磨パッドの吸水による研磨特性変化を抑え、かつ、初期段階においても良好な研磨特性を発現する研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To obtain a polishing composition for use in CMP (chemical mechanical polishing) processing for semiconductor devices each having copper film and a tantalum compound, having such high selectivity that the polishing rate of copper is high but that of the tantalum compound is low, and also affording high smoothness of the surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for designing and a method for manufacturing preventing the hollow of erosion generated by the coarseness and minuteness in an area with different polishing speed to obtain a polished surface with good flatness, when forming STI structure and wiring structure using a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いてＳＴＩ構造、配線構造等を形成する場合に、研磨速度が異なる領域の疎密により生ずるエロージョン等の凹みを防止し、良好な平坦度を有する研磨面を得ることができる設計方法および製造方法を提供する。 - 特許庁

This CMP(chemical-mechanical polishing) apparatus has a wafer carrier (303) for carrying a wafer (301) whose polished surface is exposed and a polishing roller (304), which is cylindrical, has a polishing pad stuck to its surface and composed of a plurality of portions having different polishing characteristics, and is brought into line contact with the polished surface.例文帳に追加

被研磨面が露出されたウエハ（３０１）を保持するウエハ・キャリア（３０３）と、円筒形であり、複数の研磨特性が異なる部分で構成される研磨パッドが表面上に貼付され、被研磨面と線分を介して接触する研磨ローラ（３０４）とを備えているＣＭＰ装置である。 - 特許庁

By making the current (I2-I4) flow through the resistor R16, the large voltage V16 proportional to the V1-V2 (=VDS) is generated, and the voltage V5 determined by summing the voltage V16 and the voltage (V1-V2) is supplied to the comparator CMP 1 for comparing with the overcurrent determination voltage V4.例文帳に追加

そして、抵抗Ｒ１６に電流（Ｉ２−Ｉ４）を流すことにより、Ｖ１−Ｖ２（＝ＶDS）に比例した大きさの電圧Ｖ１６を発生させ、この電圧Ｖ１６と（Ｖ１−Ｖ２）を足し合わせた電圧Ｖ５を、比較器ＣＭＰ１に供給して、過電流判定電圧Ｖ４との比較を行う。 - 特許庁

The track hold circuit 12 blocks that analog voltage Vin is input in the first comparator CMP1 to the seventh comparator CMP 7 by turning a track hold switch SW-TH off in a correction mode for correcting offset of the first comparator CMP1 to the seventh comparator CMP7.例文帳に追加

トラックホールド回路１２は、第１コンパレータＣＭＰ１〜第７コンパレータＣＭＰ７のオフセットを補正する補正モードでは、トラックホールドスイッチＳＷ−ＴＨをオフすることにより、アナログ電圧Ｖｉｎが第１コンパレータＣＭＰ１〜第７コンパレータＣＭＰ７に入力されることを遮断する。 - 特許庁

Moreover, the finishing work using a polish polishing of the backside of the wafer 10 is performed, using a CMP unit and with a grinding damaged layer 28 formed newly at grinding of the backside of the wafer 10 which is removed by polishing, the wafer 10 is subjected to ultra-thin processing down to a thickness of 100 μm.例文帳に追加

更にＣＭＰ装置を用いてウェーハ１０裏面のポリッシュ研磨による仕上げ加工処理を行い、ウェーハ１０の裏面研削の際に新たに形成された研削ダメージ層２８を研磨除去すると共にウェーハ１０を厚さ１００μｍにまで超薄型加工する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer in which a device pattern can be formed with a high yield even if the shape of a wafer chuck in an aligner varies in a photolithography process, and which can be polished with a uniform polishing margin at the time of performing CMP in a device manufacturing process.例文帳に追加

デバイス製造工程において、フォトリソグラフィー工程における露光装置のウエーハチャックの形状にバラツキがあっても高い歩留りでウエーハにデバイスパターンを形成することができるとともに、ＣＭＰを行う際にウエーハを均一な研磨代で研磨することができる半導体ウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a thin groove processing machine which provides a uniform thin groove form by eliminating chips without electrostatic attachment by properly selecting a processing method of the concentric circular or cross-cut thin groove in accordance with material of a cutting material by mechanical work on a pad used for a semi-conductor CMP process.例文帳に追加

半導体ＣＭＰ加工に使用するパッドに機械加工により同心円状または碁盤目状の細溝を被削材の物性に応じた加工法を適宜選択して、静電付着なく切粉を排除して均整な溝形状を得ることができる細溝加工機械の提供。 - 特許庁

To provide a collecting apparatus for collecting reusable polishing materials from discharged water produced in polishing process including polishing material discharged from CMP(Chemical Mechanical Polishing) used in a semiconductor manufacturing plant and the like by effectively collecting polishing particle through highly concentrated operation.例文帳に追加

半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ（化学的機械研磨：ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、高濃縮運転を行って研磨材粒子を効率的に回収し、再利用することができる研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution using solid abrasive grains for barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material, for freely controlling a polishing speed on a low-k film, and preventing scratch due to aggregation of the solid abrasive grains.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、ｌｏｗ−ｋ膜に対する研磨速度を自在に抑制し、且つ、固体砥粒の凝集に起因するスクラッチの抑制を達成しうる研磨剤を提供すること。 - 特許庁

An optic/electric pulse converting circuit 100 is provided with a photodiode PD, an I/V converting circuit IV, a first differential amplifier circuit AMP1 having a DC offset cancel circuit 110, a second differential amplifier circuit AMP2, a reference voltage generating circuit REFG and a comparator circuit CMP.例文帳に追加

光−電気パルス変換回路１００は、フォトダイオードＰＤ、Ｉ−Ｖ変換回路ＩＶ、ＤＣオフセットキャンセル回路１１０を有する第１差動増幅回路ＡＭＰ１、第２差動増幅回路ＡＭＰ２、参照電圧生成回路ＲＥＦＧ、及び比較回路ＣＭＰを備える。 - 特許庁

To provide a composition for polishing that has practical polishing speed, also has high polishing selectivity to copper that is a metal wiring material, tantalum used as a barrier layer, and an insulation film that is an underlayer, suppresses the occurrence of erosion, and is used suitably for a semiconductor CMP process.例文帳に追加

実用的な研磨速度を有しつつ、金属配線材料である銅と、バリヤ層として用いられるタンタルと、下地層である絶縁膜に対して高い研磨選択性を有し、エロージョンの発生を抑制する、半導体ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid that is used for CMP to a body to be polished with a layer containing polysilicon or the like, has rapid polishing speed for a layer containing a silicon-based material other than polysilicon, and can selectively suppress the polishing of a layer containing polysilicon or the like; and to provide a polishing method using the polishing liquid.例文帳に追加

ポリシリコン等を含む層を有する被研磨体に対するＣＭＰに用いられ、ポリシリコン等以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つポリシリコン等を含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法の提供。 - 特許庁

The method for CMP polishing comprises the steps of charging a liquid A containing cerium oxide particles, a surfactant and water and a liquid B containing a surfactant and water in a container, rotary agitation blades, supplying a mixture liquid obtained by agitating the mixture in the container onto a polishing pad, and polishing a substrate.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａと、界面活性剤及び水を含有する液Ｂとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

After that, a long linear concave part 218 in a narrow direction of a gap between the capacitors 216 two dimensionally arranged in the memory cell array region is formed on the insulating film 217 so as to run through on the plurality of capacitors 216, and then the surface of the insulating film 217 is made flat by the CMP method.例文帳に追加

次に、メモリセルアレイ領域において2次元状に配置されているキャパシタ216同士の間隔が狭い方向に長いライン状の凹部218を、複数のキャパシタ216上を通るように、絶縁膜217に形成した後、絶縁膜217の表面をＣＭＰ法により平坦化する。 - 特許庁

The CMP device is configured by covering at least one object to be covered, which is selected from the group comprising: surfaces of a head and an arm for holding a workpiece on a polishing pad; a surface of a slurry feeding pipe; and an inner wall of a device body, with a fluororesin.例文帳に追加

被研磨部材を研磨パッド上に保持するヘッド部表面及びアーム部表面、スラリー供給管表面、並びに、装置本体内壁よりなる群から選択される少なくとも１つの被覆対象をフッ素樹脂により被覆したことを特徴とするＣＭＰ装置。 - 特許庁

To provide a polishing slurry for copper wiring which polishes a copper film effectively in a short period of time even at a low applied pressure and does not generate dishing, erosion or the line when the copper wiring is formed by polishing the copper film wherein a low dielectric insulating film is formed in a lower layer by CMP.例文帳に追加

下層に低誘電性絶縁膜が形成された銅膜をＣＭＰによって研磨して銅配線を形成するにあたり、低い印加圧力でも、銅膜を効率良く短時間で研磨することができ、ディッシング、エロージョンなどが生じることもない銅配線用研磨スラリーを提供する。 - 特許庁