「cmp」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

This abrasive mixing device or this feeder 10 in the CMP device is provided with a tank 12 for mixing or feeding the abrasives, a humidity sensor 14 disposed in the tank, and humidified air feeding means 16 feeding the humidified air to the tank inside.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の調合装置又は供給装置１０であって、研磨剤調合用又は供給用のタンク１２と、タンク内部に配設される湿度センサ１４と、タンク内に加湿空気を供給する加湿空気供給手段１６と、を有する。 - 特許庁

To provide a copper damassin structure wherein the mismatch of dynamical characteristics between inorganic insulating layers used for a copper diffusion prevention insulating layer, a wiring layer, and a via layer is eliminated, and troubles such as exfoliation and cracking ocurring in a CMP process in damascene formation and upon a heat cycle are solved.例文帳に追加

銅拡散防止用絶縁層と配線層、ビア層に用いられる無機絶縁層間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるＣＭＰ工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する銅ダマシン構造体を提供する。 - 特許庁

A plurality of dummy patterns 8c for CMP formed on the interlayer insulating film 6 are connected to the first and second conductive impurity regions 5c, 5d for discharge via the first and second connecting holes 6c, 6d, respectively, and these are also connected with each other.例文帳に追加

層間絶縁膜６上に形成された複数のＣＭＰ用ダミーパターン８ｃは、第１及び第２の接続孔６ｃ、６ｄそれぞれを介して第１導電型及び第２導電型の放電用不純物領域５ｃ，５ｄそれぞれに接続し、また互いに接続している。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce process margin necessary for control adjustment of CMP polishing by preventing exposure of a capacitor and short circuit of wiring which become a problem in a surface flattening process of a multilayer wiring type semiconductor device having a DRAM region and a logic region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域とロジック領域とを有する多層配線型の半導体装置の表面平坦化工程で問題となるキャパシタの露出および配線のショートを防止し、ＣＭＰ研磨の制御調整に要するプロセスマージンを低減できる半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

Erosion is generated in a comparatively dense contact hole forming area by forming a comparatively dense contact hole in one region in the interlayer insulating film, forming a comparatively coarse contact hole in the other region, and implementing CMP to the surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中の一方領域においてコンタクトホールを比較的密に形成し、他方領域においてはコンタクトホールを比較的疎に形成して、層間絶縁膜の表面にＣＭＰを施すことにより、比較的密なコンタクトホールの形成部分にエロージョンを発生させる。 - 特許庁

After having formed a second insulating film 103 consisting of a silicon oxide film on the silicon substrate 100, the second insulating film 103 is planarized and made into a thin film by polishing using CMP method, and the second insulating film 103 made into the thin film is then formed on the first insulating film 101.例文帳に追加

シリコン基板１００の上にシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜１０３を形成した後、ＣＭＰ法による研磨により第２の絶縁膜１０３を平坦化及び薄膜化して、第１の絶縁膜１０１の上に、薄膜化された第２の絶縁膜１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device where an anticorrosion coating film composed of BTA is easily eliminated, after a Cu buried wiring has been formed by using a CMP method and before an oxidation protective film composed of SiN or the like is formed, so that peeling of the oxidation protective film is prevented after film formation.例文帳に追加

ＣＭＰによりＣｕ埋込み配線を形成した後、ＢＴＡからなる防食被膜をＳｉＮのような酸化防止膜を成膜する前に容易に除去して、前記酸化防止膜の成膜後の剥離を防止した電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of polishing barrier metal, the Ta-based films and Ti-based metallic films contained in a copper-based metallic wiring layer as a barrier metal layer are selectively polished by polishing a semiconductor wafer substrate etc., containing the copper-based metallic wiring layer by CMP by using the polishing solution containing at least aminobenzoic acid and abrasive grains.例文帳に追加

少なくともアミノ安息香酸と研磨砥粒を含んでなる研磨液を用い、Ｔａ系、Ｔｉ系金属膜をバリア金属層とする銅系金属配線層を含む半導体ウエハ基盤等をＣＭＰ研摩すことによって、Ｔａ系、Ｔｉ系金属膜を選択的に研磨加工する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition easily improving film thickness uniformity of, for example, silicon oxide after polishing according to CMP technique which planarizes an interlayer dielectric insulating film, a BPSG film, an insulating film for shallow trench separation; and to provide a method for polishing a substrate using the same.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨後の膜厚均一性向上を容易に行うことができる、研磨剤組成物及びこの研磨剤組成物を用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide metal oxide particles by which CMP capable of preventing or reducing the occurrence of polishing scratches on a silicon oxide film, a metal buried film and the like can be performed, a polishing material containing it, a method for polishing a substrate using the polishing material and a method for producing a semiconductor device manufactured by polishing.例文帳に追加

酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷の発生を防止又は低減することが可能なＣＭＰが実施できる金属酸化物粒子、これを含む研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及び研磨して得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The CMP method for polishing a conductive film (wiring film) or an insulating film is carried out in such a manner that the polishing speed around the wafer is slower than that in the center thereof after the film thickness around the wafer is made thinner than that in the center thereof.例文帳に追加

ＣＭＰによって導電膜（配線膜）或いは絶縁膜を処理するに際して、ウェハ周辺部における膜厚をウェハ中心部における膜厚より薄いものとした後、ウェハ周辺部での研磨速度をウェハ中心部での研磨速度より小さくしてＣＭＰを行う。 - 特許庁

When the Cu film 9 is polished by the CMP method, the polishing speed of the peripheral edge of the substrate is made lower than that of the central part of the substrate by making the pressure applied to a retainer ring 11 higher than to the silicon substrate 1 from a polish carrier, and the Cu film 9 is made to remain in the peripheral edge of the substrate.例文帳に追加

Ｃｕ膜９をＣＭＰ法により研磨する際、研磨キャリアからシリコン基板１に加わる圧力よりもリテーナーリング１１に加わる圧力を高くすることにより、基板中心部よりも基板周縁部の研磨速度を遅くして、基板周縁部にＣｕ膜９を残存させる。 - 特許庁

A grinding solution transport device 1 comprises a grinding solution transport pipe 36 to transport the grinding solution 16 used for the CMP device 14, and a vibration generator 50 which is fitted to the grinding solution transport pipe 36 to apply the vibration to the grinding solution transport pipe 36.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＰ装置１４に用いられる研磨液１６を輸送するための研磨液輸送管３６と、研磨液輸送管３６に取り付けられ、該研磨液輸送管３６に振動を加える振動発生器５０とを備える研磨液輸送装置１０を特徴としている。 - 特許庁

A CMP device keeps at least one coating target selected from a group, consisting of the surface of a head section and the surface of an arm section for retaining a ground member on a grinding pad, the surface of a slurry supply pipe, and the internal wall of a device body, coated by a fluororesin.例文帳に追加

被研磨部材を研磨パッド上に保持するヘッド部表面及びアーム部表面、スラリー供給管表面、並びに、装置本体内壁よりなる群から選択される少なくとも１つの被覆対象をフッ素樹脂により被覆したことを特徴とするＣＭＰ装置。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁

Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.例文帳に追加

容量素子の下方には、ＣＭＰ工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン８ｂと、ダミーの活性領域である活性領域１ｂとが配置され、これらは配線Ｍ１〜Ｍ５からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁

A CMP polishing pad is packed with an antistatic film having the surface resistivity of at most 10^7 Ω/square under the circumstances in which the relative humidity is specified to be at least 40% and the existing suspended particulate having the diameter of at least 0.3 μm is specified to be at most 1,000 particles/ft^3.例文帳に追加

相対湿度が４０％以上に規定され、及び粒子径０．３μｍ以上の浮遊粒子の存在量が１０００個／ｆｔ^３以下に規定された環境の下で、表面抵抗が１０^７Ω／□以下である帯電防止フィルムを用いて梱包されたＣＭＰ用研磨パッド。 - 特許庁

This CMP(chemical-mechanical polishing) apparatus has a wafer carrier (303) for carrying a wafer (301) whose polished surface is exposed and a polishing roller (304), which is cylindrical, has a polishing pad stuck to its surface and composed of a plurality of portions having different polishing characteristics, and is brought into line contact with the polished surface.例文帳に追加

被研磨面が露出されたウエハ（３０１）を保持するウエハ・キャリア（３０３）と、円筒形であり、複数の研磨特性が異なる部分で構成される研磨パッドが表面上に貼付され、被研磨面と線分を介して接触する研磨ローラ（３０４）とを備えているＣＭＰ装置である。 - 特許庁

To obtain a polishing composition for use in CMP (chemical mechanical polishing) processing for semiconductor devices each having copper film and a tantalum compound, having such high selectivity that the polishing rate of copper is high but that of the tantalum compound is low, and also affording high smoothness of the surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for designing and a method for manufacturing preventing the hollow of erosion generated by the coarseness and minuteness in an area with different polishing speed to obtain a polished surface with good flatness, when forming STI structure and wiring structure using a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いてＳＴＩ構造、配線構造等を形成する場合に、研磨速度が異なる領域の疎密により生ずるエロージョン等の凹みを防止し、良好な平坦度を有する研磨面を得ることができる設計方法および製造方法を提供する。 - 特許庁

By making the current (I2-I4) flow through the resistor R16, the large voltage V16 proportional to the V1-V2 (=VDS) is generated, and the voltage V5 determined by summing the voltage V16 and the voltage (V1-V2) is supplied to the comparator CMP 1 for comparing with the overcurrent determination voltage V4.例文帳に追加

そして、抵抗Ｒ１６に電流（Ｉ２−Ｉ４）を流すことにより、Ｖ１−Ｖ２（＝ＶDS）に比例した大きさの電圧Ｖ１６を発生させ、この電圧Ｖ１６と（Ｖ１−Ｖ２）を足し合わせた電圧Ｖ５を、比較器ＣＭＰ１に供給して、過電流判定電圧Ｖ４との比較を行う。 - 特許庁

Moreover, the finishing work using a polish polishing of the backside of the wafer 10 is performed, using a CMP unit and with a grinding damaged layer 28 formed newly at grinding of the backside of the wafer 10 which is removed by polishing, the wafer 10 is subjected to ultra-thin processing down to a thickness of 100 μm.例文帳に追加

更にＣＭＰ装置を用いてウェーハ１０裏面のポリッシュ研磨による仕上げ加工処理を行い、ウェーハ１０の裏面研削の際に新たに形成された研削ダメージ層２８を研磨除去すると共にウェーハ１０を厚さ１００μｍにまで超薄型加工する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer in which a device pattern can be formed with a high yield even if the shape of a wafer chuck in an aligner varies in a photolithography process, and which can be polished with a uniform polishing margin at the time of performing CMP in a device manufacturing process.例文帳に追加

デバイス製造工程において、フォトリソグラフィー工程における露光装置のウエーハチャックの形状にバラツキがあっても高い歩留りでウエーハにデバイスパターンを形成することができるとともに、ＣＭＰを行う際にウエーハを均一な研磨代で研磨することができる半導体ウエーハを提供する。 - 特許庁

A CMP polishing agent for removing an excess silicon oxide film contains cerium oxide particles, a water-soluble polymer, a complex forming agent with cerium selected from β-diketone, and water, and has a concentration of the complex forming agent with cerium of 0.1 wt.% or more and 10.0 wt.% or less.例文帳に追加

余分の酸化珪素膜を除くためのＣＭＰ研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が０．１重量％以上１０．０重量％以下であるＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device having multilayer wiring which provides the wiring structure having removed the discrepancy of dimensions and film thickness between a groove wiring congested section and an isolated section and also solves the problem of the erosion in chemical mechanical polishing(CMP) of metallic material at the same time.例文帳に追加

溝配線の配線密集部分と孤立部分の寸法・膜厚のズレを無くした配線構造を提供するとともに、金属材料のＣＭＰにおけるエロージョンの問題も同時に解決する多層配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This contributes to reducing the possibility that a mechanical strength is deteriorated due to the existence of incompletely oxidized cerium in the structure of the cerium oxide primary particles and/or secondary abrasive particles, thereby damaging the surface of a substrate during CMP process using the abrasive agent.例文帳に追加

これにより、酸化セリウム一次粒子の構造及び／または二次研磨粒子内の不完全に酸化されたセリウムの存在によってその機械的強度が低下し、それにより研磨剤を使用するＣＭＰ工程中に基板表面が損傷される可能性が低下する。 - 特許庁

To provide a polishing pad of a monolayer integrally molded by reaction injection molding suitably used for Chemical Mechanical Polishing (CMP) of a semiconductor wafer, and attaining superior level difference relieving performance and in-plane uniformity.例文帳に追加

例えば半導体ウェハ等の化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）に好適に使用されると共に、優れた段差緩和性および面内均一性を達成し、反応射出成形により一体的に成形されている単層の研磨用パッドを提供する。 - 特許庁

After the foregoing process, a plasma TEOS film is formed on the residual ozone TEOS film so as to be planarized by CMP.例文帳に追加

本願発明はプリ・メタル工程において、エッチ・ストップ膜上にオゾンＴＥＯＳ膜を形成後、一旦、ゲート構造上のエッチ・ストップ膜が露出するようにオゾンＴＥＯＳ膜をエッチバックし、その後、残存オゾンＴＥＯＳ膜上にプラズマＴＥＯＳ膜を成膜し、このプラズマＴＥＯＳ膜をＣＭＰにより、平坦化するものである。 - 特許庁

After a conductive material has been embedded in a wiring groove, when an excess portion of the conductive material is removed with a CMP method, a polishing agent is dispersed through a groove formed by the dummy pattern 41, so that polishing amounts of the conductive material and the third interlayer insulation film become uniform.例文帳に追加

配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming a polished film 200 on a substrate 100, and a step of polishing by the CMP method the polished film 200, by rotating a polishing pad 310 at a first speed relative to the polished film 200.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、基板１００に被研磨膜２００を形成する工程と、研磨パッド３１０を第１の速度で被研磨膜２００に対して相対的に回転させることにより被研磨膜２００をＣＭＰ法で研磨する工程とを備える。 - 特許庁

Thus, a decouping capacitor formed of the field dummy areas, the gate insulating film dummy patterns 21a and the gate electrode dummy patterns 31a in the p- well 23 is connected to a main electronic circuit in parallel, by using the dummy pattern used in the CMP process.例文帳に追加

上記の構成により、ＣＭＰ工程において用いられるダミーパターンを利用することによって、ｐ^-ウェル２３内のフィールドダミー領域、ゲート絶縁膜ダミーパターン２１ａおよびゲート電極ダミーパターン３１ａからなるデカップルコンデンサが主たる電子回路に並列に接続されることとなる。 - 特許庁

A polishing pad for use in CMP processing has a plurality of recesses or grooves arranged regularly at predetermined intervals, and further a plurality of recesses generated as a result of selectively eliminating the defective parts and existing not corresponding to the above regularity, on the surface thereof contacting with a workpiece to be polished.例文帳に追加

ＣＭＰ処理用研磨パッドとして、被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹部或いは溝と共に、前記欠陥部位を選択的に除去した結果生じて前記規則に一致することなく配設された凹部を具備してなる研磨パッドを用いる。 - 特許庁

After a resin film 104 is removed selectively by photolithography and a protrusion pattern 104a is formed, the part of the protrusion pattern 104a projecting above the surface of an interlayer film 102 is ground and polished in chemical mechanical polishing(CMP) to planarize the interlayer film 102.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術により樹脂膜１０４を選択的に除去して凸パターン１０４ａを形成した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法により、凸パターン１０４ａの層間膜１０２表面上に突出している部分を研削研磨し、層間膜１０２上を平坦化する。 - 特許庁

After the formation of the CVD layer 8 to serve as a wiring material, an additional wiring material layer 9, which is as thick as a wiring trench is deep, is formed by ECD (electrochemical deposition), and the additional wiring material layer 9 and the CVD layer 8 are removed by CMP for the formation of a wiring layer 40.例文帳に追加

配線材となるＣＶＤ層８の成膜の後、ＥＣＤによってほぼ配線溝深さと同等の配線材追加成膜層９の成膜を行い、配線材追加成膜層９とＣＶＤ層８６とをＣＭＰによって除去し、配線層４０を形成する。 - 特許庁

Polishing is carried out using an aqueous composition useful for CMP of a semiconductor wafer containing a metal and comprising an oxidizing agent, a nonferrous inhibitor, a nonferrous complexing agent, modified cellulose, 0.001-10 wt% of copolymer blend of first copolymer and second copolymer, and the remainder of water.例文帳に追加

金属を含有する半導体ウェーハのＣＭＰに有用な水性組成物であって、酸化剤、非鉄金属のインヒビター、非鉄金属の錯化剤、改質セルロース、第一のコポリマーと第二のコポリマーとのコポリマーブレンド０．００１〜１０重量％及び残余としての水を含む組成物を使って研磨する。 - 特許庁

In the CMP conditioner and its manufacturing method; an abrasive grain layer 3 wherein abrasive grains 6 are adhered to each other by a metal bonding phase 7 is formed on the surface of a substrate 1, and a protection film 9 fabricated by sol-gel method is formed on the surface of the abrasive grain layer 3.例文帳に追加

基体１の表面に、金属結合相７によって砥粒６が固着されてなる砥粒層３が形成されたＣＭＰコンディショナおよびその製造方法であって、砥粒層３の表面に、ゾル−ゲル法によって生成させられた保護被膜９を形成する。 - 特許庁

To provide a process and a device for manufacturing an integrated circuit element on a substrate (for example, a silicon wafer), which enable an FSG layer to be flattened by a CMP processing process, and besides keep the stability of this FSG layer in the subsequent processing.例文帳に追加

本発明は、ＦＳＧ層がＣＭＰ処理工程によって平滑化されることを可能にし、且つ後続の処理工程の時になお、これらＦＳＧ層の安定性を維持する、基板（例えばシリコンウェハ）上に集積回路素子を製造するためのプロセスと装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid employing solid abrasive grains which are used in barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material and exhibiting excellent polishing speed for the barrier layer while suppressing scratch resulting from aggregation of solid abrasive grains.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、固体砥粒の凝集に起因するスクラッチの抑制を達成しうる研磨液を提供すること。 - 特許庁

Then, the surface of the conductive reflective material 73a before flattening is polished by a CMP method to form a relay layer 92 in the first hole 92a and a conductive reflective film 73 in the concave 93a from the conductive reflective material 73a before flattening.例文帳に追加

次に、平坦化前の導電性反射材料７３ａ上から平坦化前の導電性反射材料７３ａの表面をＣＭＰ法によって研磨することによって、第１穴部９２ａに中継層９２を形成すると共に、凹部９３ａに導電性反射膜７３を形成する。 - 特許庁

In a box mark area or an alignment mark area, a range from a trench 2 to an active area is etched to form a dummy pattern 7 around the trench 2 and CMP is applied to an insulating film 3 to form a step 8 within the trench 2 where the insulating film 3 is to be buried.例文帳に追加

ボックスマーク領域あるいはアライメントマーク領域において、トレンチ２からアクティブ領域にかかる範囲をエッチングすることにより、トレンチ２の周囲にダミーパターン７を形成し、絶縁膜３のＣＭＰを行うことにより、絶縁膜３が埋め込まれるトレンチ２内に段差８を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film and an optical part such as a recording medium part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing the polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

By controlling the crystal orientation of polycrystalline silicon, performing CMP (Chemical Mechanical Polishing) using a masking reagent, and providing an SiO_2 oxide film thickness on the principal plane of the substrate, a low-cost polycrystalline silicon dummy wafer with planarity and excellent in mechanical strength, thermal shock resistance, etc. is provided.例文帳に追加

多結晶シリコンの結晶方位を制御することとマスキング剤を使用したＣＭＰ研磨を行うことと基板の主面上に、ＳｉＯ_2酸化膜厚を備えることにより、平坦性を持ち機械的強度や耐熱衝撃性等に優れ、安価な多結晶シリコンダミーウェハを提供する。 - 特許庁

While slurry is supplied to the conductor which is electrically connected through the pn junction, CMP is carried out (S101, 102), slurry and metal chips are removed (S103), an electrolyte is supplied (S104), and while the electrolyte sticks on the surface of a wafer, the wafer is detached from a wafer carrier (S105).例文帳に追加

ｐｎ接合を介して電気的に接続する導電体に対してスラリーを供給しつつＣＭＰ処理を行う（Ｓ１０１，１０２）、スラリー及び研磨屑を除去する（Ｓ１０３）、電解水を供給する（Ｓ１０４）、ウェハの表面に電解水が付着した状態で、ウェハをウェハキャリアから取り外す（Ｓ１０５）。 - 特許庁

The polishing slurry for the copper CMP includes a first complexing agent including a heterocyclic compound forming a water-insoluble complex with copper, and a second complex agent including a heterocyclic compound forming a slightly water-soluble or water-soluble complex to leave one and more a ligand after forming the complex.例文帳に追加

銅と水不溶性錯体を形成するヘテロ環化合物を含有する第１の錯体化剤と、銅と水難溶性ないし水可溶性錯体を形成し、錯体形成後に１個以上の配位子を余すヘテロ環化合物を含有する第２の錯体化剤とを含むことを特徴とする銅のＣＭＰ用研磨スラリー。 - 特許庁

By setting up values for divided voltage resistors R1, R2 equalized to the partial differential of temperature between the forward voltage of diode D1 and the offset voltage of the comparator CMP, the temperature characteristic of the threshold voltage VTH can be set off and the stable monitoring of power source voltage regardless of the changes in temperature is enabled.例文帳に追加

ダイオードＤ１の順方向電圧と、コンパレータＣＭＰのオフセット電圧ＶＯＳとの温度による偏微分を等しくするように分圧用抵抗Ｒ１，Ｒ２の値を設定することで、しきい値電圧ＶＴＨの温度特性を相殺し、温度変化にかかわらず安定した電源電圧の監視が可能。 - 特許庁