「crystallization point」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an anti-freezing cement composition capable of continuing normal crystallization reaction without the freezing of cement concrete even under an outside temperature below the freezing point.例文帳に追加

氷点下の外気温においても、セメントコンクリートが凍結することなく、正常な結晶反応を持続する。 - 特許庁

It is preferable that the softening point temperature of the glass is lower than the crystallization temperature of the compound.例文帳に追加

また、前記ガラスの軟化点温度が、前記化合物の結晶化温度よりも低い圧電材料とすればより好ましい。 - 特許庁

To provide a crystallization method for a film, where an end point is set in a point in which an amorphous region disappears completely by monitoring a crystallization process or a uniform ferroelectric characteristic is provided in an region of a ferroelectric film on a substrate.例文帳に追加

結晶化過程をモニターしアモルファス領域が完全に消滅したところで終点とする、あるいは基板上の強誘電体成膜のどの領域でも一様な強誘電特性を有する成膜の結晶化方法を提供することにある。 - 特許庁

The method for producing crystallized glass includes at least a step preceding crystallization of thermally treating raw glass in a temperature range of At(°C) to (At+120)°C, wherein At(°C) is the deformation point of the raw glass; and a crystallization step of thermally treating, after the step preceding crystallization, the resulting glass at a temperature higher than that in the step preceding crystallization.例文帳に追加

結晶化ガラスの製造方法であって、原ガラスの屈伏点をＡｔ（℃）とする時、原ガラスをＡｔ（℃）から（Ａｔ＋１２０）℃の温度範囲で熱処理する結晶化前工程と、結晶化前工程の後、前記結晶化前工程より高い温度で熱処理する結晶化工程と、を少なくとも含む結晶化ガラスの製造方法。 - 特許庁

The wholly aromatic liquid crystal polyester whose melting point Tm and temperature-falling crystallization temperature Tc satisfy following formula [1], 42<Tm-Tc<45.例文帳に追加

融点Ｔｍと降温結晶化温度Ｔｃとが下式［１］の範囲となることを特徴とする全芳香族液晶性ポリエステル。 - 特許庁

The relative phase-data are used to execute polymer analysis, for example, to calculate a glass transition temperature, a melting-point temperature, and a crystallization temperature of polymer.例文帳に追加

この相対的位相データを用いて、ポリマーの解析、例えばポリマーのガラス転移温度や融点の温度や結晶化温度を求める。 - 特許庁

The melting point (Tm) of the copolyamide is preferably 280 to 320°C and the heating crystallization temperature (Tc1) thereof is preferably 90 to 140°C.例文帳に追加

共重合ポリアミドの融点（Ｔｍ）は２８０〜３２０℃であり、昇温結晶化温度（Ｔｃ１）は９０〜１４０℃であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a propylene polymer composition produced in the presence of a metallocene catalyst and having a high melting point, a high crystallization temperature and excellent transparency.例文帳に追加

融点および結晶化温度が高く、透明性に優れた、メタロセン触媒によるプロピレン重合体の組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a propylene-cyclic olefin copolymer having a low melting point and a high crystallization temperature, and a wide distribution of crystalline.例文帳に追加

低い融点と高い結晶化温度、および広い結晶性分布を持つプロピレン−環状オレフィン共重合体を提供すること。 - 特許庁

The heat adhesive fiber is composed of a crystalline low-melting polyester having 80-140°C crystallization starting temperature and 130-200°C melting point.例文帳に追加

結晶開始温度８０〜１４０℃、融点１３０〜２００℃である結晶性低融点ポリエステルからなることを特徴とする熱接着性繊維。 - 特許庁

One crystallization small region 8 is selected on a power monitor substrate 1, and a first measurement is performed in a direction Y relative to the selected crystallization small region 8 to specify the measurement candidate point 9 of a laser radiation position.例文帳に追加

パワーモニタ基板１上の一つの結晶化小領域８を選択し、この選択結晶化小領域８について方向Ｙへ第１測定を行って、最大値を呈するレーザ照射位置の測定候補点９を特定する。 - 特許庁

The junction material made of crystallized glass or ceramic composition is obtained by fusing the composition, lowering its temperature to a point lower than a crystallization temperature area of the composition, and then, heating it to the crystallization temperature area.例文帳に追加

接合材が結晶化したガラスまたはセラミック組成物からなり、組成物を溶融した後、組成物の結晶化温度領域より低い温度にまで温度降下し、次いで結晶化温度領域で加熱することに接合材を得る。 - 特許庁

To introduce a flux pinning point into an oxide superconductor while controlling water vapor partial pressure in a temperature rising process in crystallization heat treatment.例文帳に追加

結晶化熱処理の昇温過程において水蒸気分圧を制御するとともに、酸化物超電導体中に磁束ピンニング点を導入する。 - 特許庁

To obtain a phenylcarbazole compound having a high glass transition point and preventing crystallization, and to provide an organic electroluminescence device using the compound.例文帳に追加

高いガラス転移点を有し，結晶化を防止することができるフェニルカルバゾール化合物，及びそれを利用した有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

A base film 11 is formed on a substrate 10, a grain-filter 12 is used as the starting point of the crystallization of a semiconductor film, and the semiconductor film is formed.例文帳に追加

基板１０上に下地膜１１を形成し、半導体膜の結晶化の起点部となるグレイン・フィルタ１２を形成し、半導体膜を形成する。 - 特許庁

By mixing a polymethacrylate and/or a polybutene with this base oil, an appropriate viscosity range as the chain saw oil is secured, and the crystallization point can be lowered.例文帳に追加

これに、ポリメタアクリレート及び／又はポリブテンを混合することにより、チェーンソー油として適正粘度範囲を確保し、結晶点を低くすることができる。 - 特許庁

This rubber composition for the tire tread comprises 100 pts.wt. diene rubber component and 1-20 pts.wt. polynorbornene crosslinked powered rubber having a crystallization point Tc of ≤-10°C, and the tanδ peak temperature Tpeak of the diene rubber component is higher than the crystallization point Tc of the powdered rubber.例文帳に追加

ジエン系ゴム成分１００重量部に対し、結晶化点Ｔｃが−１０℃以下のポリノルボルネン架橋粉末ゴムを１〜２０重量部配合し、かつジエン系ゴム成分のｔａｎδピーク温度Ｔｐｅａｋが当該粉末ゴムの結晶化点Ｔｃよりも高いことを特徴とするタイヤトレッド用ゴム組成物。 - 特許庁

The transparent film is produced by heat-treating the cellulose acylate film at a temperature higher than its crystallization point but lower than its melting point, and then cooling while conveying at a conveyance tension of 0.1-500 N/m, or stretching at the temperature set in the above heat treatment or below.例文帳に追加

セルロースアシレートフィルムを結晶化温度以上、融点未満の温度で熱処理し、その後０．１〜５００Ｎ／ｍの搬送張力で搬送しながら冷却するか、熱処理時に設定した温度以下で延伸する。 - 特許庁

GaSb-BASED PHASE CHANGING TYPE RECORDING FILM WITH LOW MELTING POINT AND LOW CRYSTALLIZATION TEMPERATURE AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE GaSb-BASED PHASE CHANGING TYPE RECORDING FILM例文帳に追加

融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

This polyamide resin composition is characterized by having 25-45°C temperature difference between melting point (Tm) and crystallization temperature (Tc) and 1-30 μeq/g terminal amino group concentration.例文帳に追加

融点（Ｔｍ）と結晶化温度（Ｔｃ）との差が２５℃〜４５℃の範囲であり、かつ末端アミノ基濃度が１〜３０μｅｑ／ｇであることを特徴とするポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

To provide an injection molding method of a crystalline thermoplastic resin whereby productivity is improved by shortening a molding cycle while a degree of crystallization is increased to the point where the desired heat resistance is obtained by accelerating a rate of crystallization up.例文帳に追加

結晶性熱可塑性樹脂の射出成形において、樹脂の結晶化速度を速めることによって目的とする耐熱性を得られる程度まで結晶化度を高めながら成形サイクルを短縮して生産性を向上させる射出成形法を提供する。 - 特許庁

Since the optical glass includes the Bi_2O_3 component, the glass transition point (Tg) becomes much lower in comparison with the crystallization starting temperature (Tx) to make higher the thermal durability of the optical glass.例文帳に追加

この光学ガラスによれば、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を加えることによって、ガラス転移点（Ｔｇ）が結晶化開始温度（Ｔｘ）に比べて大きく下がり、ガラスの熱的耐久性が高められる。 - 特許庁

To provide a GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point and a low crystallization temperature and a sputtering target for forming the GaSb-based phase changing type recording film.例文帳に追加

融点および結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point and a low crystallization temperature, and a sputtering target for forming the GaSb-based phase changing type recording film.例文帳に追加

融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The thermal durability of the optical glass is enhanced by being added with the Bi_2O_3 ingredient because a glass transition point (Tg) descends significantly comparing with a crystallization starting temperature (Tx).例文帳に追加

この光学ガラスによれば、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を加えることによって、ガラス転移点（Ｔｇ）が結晶化開始温度（Ｔｘ）に比べて大きく下がり、ガラスの熱的耐久性が高められる。 - 特許庁

To provide a crystal growth apparatus and a laser irradiation monitoring method, capable of confirming whether or not a suitable laser irradiation condition is satisfied at the point of time of executing crystallization.例文帳に追加

結晶化を行なった時点において好適なレーザ照射条件を満たしているかどうかを確認できる結晶成長装置およびレーザ照射モニター方法を提供する。 - 特許庁

To provide a joined body which is small in ΔT(=Tx-Tg) (Tx: crystallization temperature, Tg: glass point) and in which a joined surface is not crystallized in an amorphous metal or metal glass.例文帳に追加

ΔＴ（＝Ｔｘ−Ｔｇ）（Ｔｘ：結晶化温度、Ｔｇ：ガラス点）が小さい、アモルファス金属もしくは金属ガラスについて、接合面が結晶化していない接合体を提供する。 - 特許庁

It has a melting point of 150-200°C and a peak present when crystallized by lowering the temperature, contains at least 0.2 wt.% inert particles with a mean diameter of 5 μm or smaller, and has a constant-temperature crystallization half time of at most 6 min at a hold temperature of 90-130°C.例文帳に追加

この樹脂は、平均粒径５μｍ以下の不活性粒子を 0.2wt％以上含有し、等温結晶化ハーフタイムがホールド温度90〜 130℃において６分以下である。 - 特許庁

To prevent the crystallization of a biodegradable lubricating oil at low temperatures by lowering the pour point and to improve the stability against heat, oxidation, light and the like to prevent resinification.例文帳に追加

生分解性潤滑油において、流動点を低くすることにより低温での結晶化を防止し、熱、酸化、光等に対する安定性を向上させ、樹脂化を防止する。 - 特許庁

A pretreated liquid containing a solvent and a crystallization 3 of a lyotropic liquid crystalline compound in the solvent is heated to or above the melting point of the crystallization 3 to produce an isotropic solution, and the isotropic solution is next cooled to or below the temperature in which a liquid crystal phase 4 is developed to produce a liquid crystalline coating liquid.例文帳に追加

溶媒と溶媒中のリオトロピック液晶化合物の結晶体３とを含む前処理液を結晶体３の融解点以上に加熱処理して等方性溶液を作製し、次に等方性溶液を液晶相４が発現する温度以下に冷却処理して液晶性コーティング液を得る。 - 特許庁

To provide a crystallizer for shortening the time required for crystallization by starting the crystal growth process at the point of time when a predetermined amount of a concentrated liquid is stored in a concentrated liquid storage chamber having a small volume.例文帳に追加

小容積の濃縮液収容室に所定量の濃縮液が溜まった時点から結晶成長プロセスを開始することにより晶析に要する時間を短縮できる、晶析装置提供する。 - 特許庁

Fe-Si-B-Cr-C based Fe-based amorphous soft magnetic alloy powder, glass powder having a softening point lower than the crystallization temperature of the amorphous soft magnetic alloy powder, and a binding resin are mixed.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ−Ｃ系のＦｅ系非晶質軟磁性合金粉末と、軟化点が前記非晶質軟磁性合金粉末の結晶化温度より低いガラス粉末と、結着性樹脂を混合する。 - 特許庁

During or after the formation of the piezoelectric film 8, the deformation of the glass diaphragm 6 is prevented during heat treatment by crystallizing the piezoelectric film 8 at a crystallization temperature not higher than the strain point of the glass diaphragm 6.例文帳に追加

圧電膜８の成膜中または成膜後に、ガラス振動板６の歪み点より低い結晶化温度で圧電膜８を結晶化させることで、加熱処理中のガラス振動板６の変形を防ぐ。 - 特許庁

To provide a heat storage material composition comprising a sugar alcohol heat storage material whose melting point can be controlled without an appreciable sacrifice of the latent heat of crystallization and also a heat storage-type hot water supplying apparatus using same.例文帳に追加

糖アルコール系蓄熱材の融点を結晶化潜熱を大きく犠牲にすることなく、調整することができる蓄熱材組成物及びそれを用いる蓄熱式給湯器の提供。 - 特許庁

A specified region prone to have disturbance in crystallinity including a starting point (referred to "grain filter") 52 of crystallization is removed from a silicon film 16 employed for forming the channel region 26, and the like.例文帳に追加

チャネル領域２６等の形成に用いられるシリコン膜１６は、結晶化の際の起点となるべき起点部（グレイン・フィルタ）５２を含む結晶性に乱れを生じ易い所定範囲が除去される。 - 特許庁

The method for producing the cellulose acylate film includes heat-treating the cellulose acylate film having haze at temperature T (°C) satisfying the condition of the following formula: Tc≤T<Tm_0, wherein Tc denotes crystallization temperature (°C) of the cellulose acylate film before heat treatment and Tm_0 denotes melting point (°C) of the cellulose acylate film before heat treatment.例文帳に追加

ヘイズを有するセルロースアシレートフィルムをＴｃ≦Ｔ＜Ｔｍ_0を満たす温度Ｔで熱処理する［ＴｃとＴｍ_0は、熱処理前のセルロースアシレートフィルムの結晶化温度と融点を表す］。 - 特許庁

After heating a mold having an upper mold member 3 and a lower mold member 4 to a temperature in a supercooled liquid range (ΔT=Tx-Tg) of an amorphous metal having a glass transition point (Tg) and a crystallization temperature (Tx), hot molding is started, and then stress is released at a (Tg-10K) point or lower.例文帳に追加

上型部材３と下型部材４とを有する金型を、ガラス遷移点(Ｔｇ)と結晶化温度(Ｔｘ)を持つ非晶質金属の過冷却液体域（ΔＴ＝Ｔｘ−Ｔｇ）の温度に加熱して、熱間成形を開始し、(Ｔｇ−１０Ｋ)点以下で応力を除荷する。 - 特許庁

Next, a second measurement is performed in a direction Y relative to a specified measurement candidate row 10 including the specified measurement candidate point 9, and an optimum laser energy set value is specified on the basis of the laser energy set value of the crystallization small region 8 under which the measurement candidate point 9 showing a maximum value falls.例文帳に追加

次に、この特定測定候補点９を含む特定測定候補列１０について方向Ｘへ第２測定を行って、最大値を呈する測定候補点９が属する結晶化小領域８のレーザエネルギ設定値に基づいて、最適レーザエネルギ設定値を特定する。 - 特許庁

The recorder records the information by making the time when a light spot passes one point on a medium in recording the information always shorter than the crystallization time of a phase transition material constituting the recording layer of the information recording medium.例文帳に追加

記録装置は、情報記録時に光スポットが媒体上の一点を通過する時間を、情報記録媒体の記録層を構成する相変化材料の結晶化時間よりも常に短くして情報を記録する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor thin film in which a semiconductor film is deposited surely in micropores when melting crystallization of the semiconductor film is performed using the micropore as a starting point of the crystal growth.例文帳に追加

微細孔を結晶成長の起点として半導体膜の溶融結晶化を行う場合において当該微細孔内に半導体膜を確実に堆積させることを可能とする技術を提供すること。 - 特許庁

In the optical glass, the thermal stability of the glass is enhanced because the difference between a glass transition point (Tg) and a crystallization starting temperature (Tx) becomes large by containing the SiO_2 ingredient and the B_2O_3 ingredient in the glass.例文帳に追加

この光学ガラスによれば、ＳｉＯ_２成分及びＢ_２Ｏ_３成分をガラス中に含有することにより、ガラス転移点（Ｔｇ）と結晶化開始温度（Ｔｘ）の差が大きくなり、ガラスの熱的安定性が高められる。 - 特許庁

A seed section 6 which functions as the crystallization starting point of a high-dielectric or ferroelectric thin film 4 is only formed in one very small region on the surface of a lower electrode 3 and one crystal grain of the thin film 4 can be grown around the region where the seed section 6 exists by starting the crystallization from the section 6.例文帳に追加

下部電極３表面の微小な一つの領域にのみ高誘電体または強誘電体薄膜４の結晶化の起点として機能するシード部６を形成し、そこから結晶化を行うことにより、シード部６が存在する領域を中心とした高誘電体または強誘電体薄膜４の一つの結晶粒を生成させることができる。 - 特許庁

The elastic fabric includes polyurethane elastic fiber which is formed by copolymerizing polytrimethylene ether glycol having crystallization energy of 10J/g or more and crystallization temperature of -60 to -40°C diisocyanate and diamine chain extender, which has DSC melting point falling in a range of 120-150°C, and in which enthalpy in a range of 120-150°C is 5.5J/g or more.例文帳に追加

結晶化エネルギーが１０Ｊ／ｇ以上であり、結晶化温度が−６０〜−４０℃であるポリトリメチレンエーテルグリコールとジイソシアネートとジアミン鎖伸長剤とから重合された、１２０℃から１５０℃の範囲にＤＳＣ融点を有し、かつ、１２０℃から１５０℃の範囲のエンタルピーが５．５Ｊ／ｇ以上であるポリウレタン弾性糸を含むことを特徴とする弾性布帛。 - 特許庁

A mixing process is constituted to mix the first amorphous soft magnetic alloy powder having 30-100 μm of average particle size, the second amorphous soft magnetic alloy powder having 1-15 μm of average particle size, zinc stearate as a lubricating resin, and low-melting point glass of which the softening point is a crystallization temperature or less of each amorphous soft magnetic alloy powder.例文帳に追加

混合工程では、平均粒径が３０〜１００μｍが第１の非晶質軟磁性合金粉末と、平均粒径が１〜１５μｍの第２の非晶質軟磁性合金粉末と、潤滑性樹脂としてステアリン酸亜鉛と、軟化点が前記非晶質軟磁性合金粉末の結晶化温度以下の低融点ガラスを混合する。 - 特許庁

The adhesive material 12 is a curing-agent unused type of hardly-dissolving-solvent solubility with crystallization improved, and has a lower melting point comparing with the base material 7 and the organic coat material 13; it is a different organic material from the resistor 10.例文帳に追加

接着性材料１２は、結晶化度を高めた難溶剤溶解性の硬化剤未使用タイプであり、基材７および有機性コート材１３と比較して融点が低く、抵抗体１０とは異なる有機材料である。 - 特許庁