「element pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, the unwanted oxidation of the polysilicon film 11 is suppressed by means of the impurity-element containing layer 18 at the growing and forming of the element isolation oxide film by forming the pattern of a silicon nitride film 12.例文帳に追加

この後、窒化シリコン膜１２パターンを形成して、熱処理による素子分離酸化膜の成長形成時に、高濃度不純物元素含有層１８によって不要な酸化を抑制する。 - 特許庁

To provide a display device using a planar light emitting element divided into a plurality of light emission areas to emit light, simplifying a driving circuit when a pattern is displayed by the planar light emitting element.例文帳に追加

複数の発光領域に区分けされて発光する面状発光素子を用いた表示装置において、面状発光素子によりパターン表示する際、その駆動回路を簡略化する。 - 特許庁

To provide a method for producing an optical element by which various three-dimensional shapes can be formed with good machining accuracy and an optical element capable of reducing film thickness and having a micro- rugged pattern is obtained.例文帳に追加

種々の３次元形状を加工精度がよく形成でき、薄膜化できるマイクロ凹凸パターンを有する光学素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a circuit element evaluating circuit pattern which enable the easy and appropriate adjustment of the contacting state of the probes of an evaluating device with a circuit element to be evaluated for electric characteristic possible.例文帳に追加

電気特性を評価する回路素子に対して、評価装置のプローブの接触状態を容易にかつ適切に調整することを可能にした回路素子評価回路パターンを提供する。 - 特許庁

The laser diode and the optical waveguide element are arranged so that the major axis direction of a near field pattern of the laser exited by the laser diode becomes vertical to the substrate of the optical waveguide element.例文帳に追加

レーザダイオードが射出するレーザのニアフィールドパターンの長軸方向が光導波路素子の基板に対して垂直になるように、レーザダイオードと光導波路素子を配置する。 - 特許庁

Optical axis directions +Z of the first electro-optic element 21 and the second electro-optic element 22 are directed so as to be in the same direction mutually along the clockwise direction of the conductive pattern 16.例文帳に追加

導体パターン１６の時計回り方向に沿って相互に同一方向となるように、第１電気光学素子２１及び第２電気光学素子２２の光学軸方向＋Ｚが向いている。 - 特許庁

To realize an automatic player which is capable of changing over a certain accompaniment element to another accompaniment element at the flip of a switch even under accompaniment pattern reproduction on edition and a method for the same.例文帳に追加

伴奏パターン再生中や編集中にかかわらず、ある伴奏エレメントから他の伴奏エレメントにワンタッチで切り換え可能な自動演奏装置およびその方法を実現する。 - 特許庁

Moreover, inclination of the first circuit element 15A can be controlled, to further improve the positional accuracy, by allocating the first circuit element 15A on the divided fine dummy pattern.例文帳に追加

また、細分割化したダミーパターン上に第１の回路素子１５Ａを配置することで、第１の回路素子１５Ａの傾きを抑止することができ、更なる位置精度の向上が可能となる。 - 特許庁

A chip element 12 is put on a mounting board 14 in face-down manner, and a bump 13 provided on the surface of the chip element 12 is jointed to a wiring pattern electrode 15 of the mounting board 14.例文帳に追加

実装基板１４の上にチップ素子１２をフェイスダウンで乗せ、チップ素子１２の表面に設けられたバンプ１３を実装基板１４の配線パターン電極１５に接合する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup element for preventing the overlap deviation of a color pattern caused by a manufacture error of a reticle in a manufacturing process of the color filter of the solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子のカラーフィルタの製造工程において、レチクルの製造誤差に起因するカラーパターンの重ね合わせずれを防止できる固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An element isolation trench is formed in a semiconductor device via a mask pattern, the element isolation trench is embedded by a dielectric, and subsequently an unneeded dielectric is removed by chemical-mechanical polishing.例文帳に追加

半導体基板中にマスクパターンを介して素子分離溝を形成し、さらに前記素子分離溝を絶縁膜で埋め込んだ後、化学機械研磨して余計な絶縁膜を除去する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element for a light-emitting element module in which a plurality of light-emitting elements are arrayed linearly, with no horizontal stripe occurring in light distribution pattern, being excellent in uniformity of brightness.例文帳に追加

配光パターンに横縞が生じない複数の発光素子を直線状に配列してなる輝度の均一性に優れた発光素子モジュールのための発光素子を提供する。 - 特許庁

Then, the laser beams, reflected by the polarization control element 3, are condensed by a condensing optic element 7, and the condensed laser beams are used for pattern machining of an object 8 to be machined.例文帳に追加

そして、偏光制御素子３で反射されたレーザー光を集光光学素子７で集光し、集光されたレーザー光を用いて被加工物８のパターン加工を行う。 - 特許庁

Connecting wiring 8 connected with a wiring pattern 4 is formed on an insulating film 3, and a semiconductor element surface bump 7 is formed on a semiconductor element 1 excepting a circumferential part of the same.例文帳に追加

絶縁性フィルム３上に、配線パターン４と接続した接続用配線８を形成し、半導体素子１上の周辺部以外にも半導体素子表面バンプ７を形成する。 - 特許庁

An insulative hexahedron chip 12 is provided with a thick resistance of an electric conduction exothermic element 20, a fusible alloy of a temperature sensing fusing element 30 and pattern electrodes 14, 16, 18 having both sides.例文帳に追加

絶縁六面体チップ１２に通電発熱エレメント２０の厚膜抵抗、感温溶断エレメント３０の可溶合金、および表裏両面のパターン電極１４，１６，１８を設ける。 - 特許庁

The subject instrument contains the piezoelectric device having a piezoelectric element consisting of a piezoelectric material and a plurality of electrodes each of which is arranged on both sides of the piezoelectric element and formed by a thin metallic film pattern.例文帳に追加

本発明の機器は、圧電材料からなる圧電素子と該圧電素子の両面に設けられ金属薄膜パターンによって形成された複数の電極とを有する圧電デバイスを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes the semiconductor element 1, an organic film 4 arranged in a range including the active surface of the semiconductor element 1, and the wiring pattern 5 arranged on the organic film 4.例文帳に追加

半導体素子１と、半導体素子１の能動面を含む範囲上に配置された有機膜４と、有機膜４上に配置された配線パターン５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A switching position is set according to a test pattern which is formed by recording by using one recording element selected in the overlapped area of the adjacent head modules and a recording element of the other head module.例文帳に追加

隣接するヘッドモジュールの重複領域において選択された１つの記録素子と他のヘッドモジュールの記録素子で記録した記録したテストパターンから切換位置を設定する。 - 特許庁

To provide a polarizing element preventing over-etching of a grid pattern and having a high aspect ratio, and to provide a method for manufacturing the polarizing element, a liquid crystal device, and a projection display device.例文帳に追加

グリッドパターンのオーバーエッチが防止されるとともに高いアスペクト比を有する偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

In this case, emission of light of the light emitting element 53 of the color sensor 3000 and charge accumulating time of the light receiving element 54a are varied in accordance with color of concentration of image pattern detected.例文帳に追加

その際に、前記読み取った画像パターンの色又は濃度に応じて、カラーセンサ３０００の発光素子５３の発光量、及び受光素子５４ａの電荷蓄積時間を変更する。 - 特許庁

To enable to reduce a stress effect undergoing from an element isolation film by an element formation region by a dummy pattern provided to flatten the front surface of a substrate in which the element isolation film is formed, and to enable to improve the operating characteristic of the element by controlling positively the stress effect.例文帳に追加

素子分離膜が形成された基板表面の平坦化を図るために設けるダミーパターンによって、素子形成領域が素子分離膜から受ける応力効果を低減できるようにし、また、応力効果を積極的に制御して素子の動作特性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer for which erroneous fault dotting is not performed by having a characteristic checking device and a marking device recognize the same element as a reference element regardless of the arrangement of an element pattern inside the wafer and even in the case that an element size is reduced, and its manufacturing method.例文帳に追加

ウエハ内の素子パターンの配置によらず、又、素子サイズが縮小化された場合でも特性チェック装置とマーキング装置とが同一の素子を基準素子と認識することにより、誤った不良打点を行うことのない半導体ウエハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

Concretely, when the feature is a taper, the angle formed by the designated pattern element (designated element) and the axial direction of the taper, or the smaller one of the angle formed by the designated element and the vertical direction and the angle formed by the designated element and the horizontal direction is taken as the angle dimension of the taper.例文帳に追加

具体的には、フィーチャがテーパであるときには、指定された図形要素（指定要素）とテーパの軸方向とがなす角度、又は、指定要素と鉛直方向とがなす角度及び指定要素と水平方向とがなす角度のうち小さい方が、テーパの角度寸法とされる。 - 特許庁

The composite IC package is designed with an arrangement pattern of the power element and the electric elements except the power element matched to the arrangement pitch P1 of the bumps 50, and the positions of taking-out electrodes 11 and 12 of the power element and taking-out electrodes of the electric elements except the power element match the positions of the bumps 50 corresponding to each taking-out electrode.例文帳に追加

バンプ５０の配列ピッチＰ１に合わせてパワー素子およびそれ以外の電気素子の配置パターンが設計されており、パワー素子の取り出し電極１１、１２およびそれ以外の電気素子の取り出し電極と、各取り出し電極に対応するバンプ５０とが一致した位置にある。 - 特許庁

A first sensing wiring pattern 34a and a second sensing wiring pattern 34a which pass a detection signal corresponding to the detection vibration of a vibrating body in the sensor element 31 caused by the Coriolis force are extened and formed in respectively opposite directions from the sensor element 31.例文帳に追加

コリオリ力に起因した振動型センサ素子３１の振動体の検出振動に応じた検出信号を通す第１検出用配線パターン３４ａと第２検出用配線パターン３４ｂを振動型センサ素子３１からそれぞれ逆向きに伸長形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。 - 特許庁

The antenna device includes: a loop pattern 20 which emits and/or receives a prescribed high-frequency signal; a plane conductor 25 which has a plane approximately perpendicular to a winding axis of the loop pattern 20 and arranged opposite to the loop pattern 20; and a capacitive element which capacitatively couples the plane conductor 25 to the loop pattern 20.例文帳に追加

所定の高周波信号を放射及び／又は受信するループパターン２０と、ループパターン２０の巻回軸に対して略垂直な平面を有し、ループパターン２０と対向配置された平面導体２５と、平面導体２５とループパターン２０とを容量的に結合するキャパシタンス素子と、を備えたアンテナ装置。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition with which a pattern with a low refractive index, excellent film strength and few development defects can be formed at high resolution, a pattern forming material, as well as a photosensitive film using it, a pattern forming method, a pattern film, a low refractive index film, an antireflection film, an optical device and a solid state imaging element.例文帳に追加

本発明は、屈折率が低く、更には、膜強度に優れ、現像欠陥が少ないパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

Further, the element is manufactured by a method comprising the stages of: (1) manufacturing the transparent substrate, having the transparent conductive film provided with the resist pattern; (2) forming an auxiliary electrode pattern film, by coating the transparent substrate with the transparent conductive film with auxiliary electrode pattern forming paint and drying; and (3) removing the resist pattern part.例文帳に追加

また（１）レジストパターンを施した透明導電膜を有する透明基板を作製する工程、（２）該透明導電膜を有する透明基板上に補助電極パターン形成用塗料を塗布、乾燥して、補助電極パターン被膜を形成する工程、（３）レジストパターン部分を除去する工程からなる方法により製造する。 - 特許庁

To form a finer pattern by appropriately adhering and fixing a dot pattern of an injection solution to a desired location on a substrate, when manufacturing an organic EL light-emitting element by utilizing an ink jet injection principle.例文帳に追加

インクジェット噴射原理を利用して有機ＥＬ発光素子を製作する際、噴射溶液のドットパターンを基板上の所望の場所に正しく付着／定着させ、より高精細なパターンを形成する。 - 特許庁

When a user selects a light emission pattern of the light-emitting element 10 by referring to an index sheet 6, an image designating part 52 designates an image, designated by the selected light-emission pattern, as the print image.例文帳に追加

ユーザがインデックスシート６を参照して発光素子１０の発光パターンを選択すると、画像指定部５２は、選択された発光パターンによって特定される画像をプリント画像に指定する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine pattern of a semiconductor element, which removes a problem that a critical dimension due to an overlay and forms a fine pattern of all forms by the DEET method.例文帳に追加

オーバーレイによって臨界寸法が不良になる問題を除去すると共に、ＤＥＥＴ方法で全形態の微細パターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法の提供。 - 特許庁

Through exposure and development steps, an external connection terminal part pattern 7 is formed on the first photosensitive insulation resin layer 5, while a semiconductor element connection terminal part pattern 8 is formed on the second photosensitive insulation resin layer 6.例文帳に追加

露光、現像工程を通して第一の感光性絶縁樹脂層５に外部接続端子部パターン７を、第二の感光性絶縁樹脂層６に半導体素子接続端子部パターン８を形成する。 - 特許庁

On the ceramic substrate 10 whereon the conductor pattern 11 and the heating circuit element 30 are formed, the thermoplastic resins 20a and 20b are stacked wherein a conductor pattern 21 and an interlayer connecting portion 22 are formed.例文帳に追加

また、導体パターン１１及び発熱回路素子３０が形成されたセラミック基板１０上には、導体パターン２１及び層間接続部２２が形成された熱可塑性樹脂２０ａ、２０ｂを積層される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element that can prevent a defect of a print pattern by forming a print pattern formed on a cliche so that its depth varies with the line width.例文帳に追加

クリシェに形成される印刷パターンを、その線幅によって深さが異なるように形成することによって、印刷パターンの不良を防止できる液晶表示素子の製造方法を提供しようとする。 - 特許庁

The printed board 1 has recessed trenches 4 opened on the surface having the wiring pattern formed thereon in the vicinity of a wiring pattern region connectable with the semiconductor element 2.例文帳に追加

また、本発明に係るプリント基板１では、半導体素子２と接続可能な配線パターンの領域の近傍で、配線パターンが設けられた面に開口する凹形状の溝４が形成されている。 - 特許庁

A plateau area of a distribution pattern of a power density in a diffracted image on the photocathode is larger than that of a distribution pattern of a power density in a cross section of the laser beam before entering the optical diffraction element.例文帳に追加

フォトカソードの表面上における回折像のパワー密度分布の頂部の平坦な部分が、回折光学素子入射前のレーザビームのビーム断面内におけるパワー密度分布のそれより広い。 - 特許庁

The surface of a conductor pattern 3 except the lower electrode forming region 17 of a thin film capacitor element 12 is covered with a first resist film 13, and a metal film layer 5 is formed on all the surface of the conductor pattern 3.例文帳に追加

導体パターン３の表面を、薄膜コンデンサ素子１２の下部電極形成領域１７を除いて、第１のレジスト膜１３で覆い、導体パターン３の全面に金属被膜層５を形成する。 - 特許庁

When the first photomask is used in the first step and the second photomask is used in the second step, such a positional relation is set that the light shielding pattern 14 covers the pattern 140 for monitoring element dimensions.例文帳に追加

第１フォトマスクを第１工程において用い、第２フォトマスクを第２工程において用いるとき、素子寸法をモニタするパターン１４０を、遮光パターン１４が覆うような位置関係にある。 - 特許庁

A bias magnet 50 for applying magnetic field to the sensor pattern 20 is directly or through adhesive attached to the back side of a magnetoresistance element 10 with the sensor pattern 20 formed on its substrate front surface.例文帳に追加

基板表面にセンサパターン２０を形成してなる磁気抵抗効果素子１０の裏面に、センサパターン２０に磁界を印加するバイアス磁石５０を直接又は接着剤によって取り付ける。 - 特許庁

A third reflector 32 and a fourth reflector 34 respectively form a third separate light-distribution pattern PH3 and a fourth separate light-distribution pattern PH4 by reflecting light from the second semiconductor light-emitting element 24.例文帳に追加

第３リフレクタ３２および第４リフレクタ３４は、第２半導体発光素子２４からの光を反射して第３個別配光パターンＰＨ３および第４個別配光パターンＰＨ４を形成する。 - 特許庁

A first reflector 28 and a second reflector 30 respectively form a first separate light-distribution pattern PH1 and a second separate light-distribution pattern PH2 by reflecting light from the first semiconductor light-emitting element 22.例文帳に追加

第１リフレクタ２８および第２リフレクタ３０は、第１半導体発光素子２２からの光を反射して第１個別配光パターンＰＨ１および第２個別配光パターンＰＨ２を形成する。 - 特許庁

On the ceramic substrate 10, a conductor pattern 11 is formed and the heating circuit element 30 such as MOSFET which generates heat in a conducting state is mounted via the conductor pattern 11.例文帳に追加

セラミック基板１０上には、導体パターン１１が形成されると共に、ＭＯＳＦＥＴなどの通電状態において発熱する発熱回路素子３０が導体パターン１１を介して実装される。 - 特許庁

Since a circuit element 8 is shielded electromagnetically by the magnetic insulating layer 21, electromagnetic interference to a wiring pattern layer 1 above it and the wiring pattern layer 1 itself is suppressed.例文帳に追加

これにより、回路素子８は磁性絶縁層２１にて電磁的に遮蔽される為、その上層の配線パターン層１や当該配線パターン層１に実装される回路素子への電磁干渉を抑止する。 - 特許庁

On the rear surface of the antenna substrate 11, a second element 21-1 of an elongated rectangular pattern having a length resonant with the working frequency band is formed to overlap the pattern of the antenna body.例文帳に追加

アンテナ基板１１の裏面には、アンテナ本体部のパターンに重なるように、使用周波数帯域に共振する長とされた細長い矩形状のパターンを有する第２エレメント２１−１が形成されている。 - 特許庁