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first processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5620



例文

The car washing machine is reciprocated relatively to the vehicle or moved in the fore and aft direction while riding over the vehicle, which is stopped or moved, so as to perform the first process and the third process when approaching and the second process and the fourth process when returning, or the car washing machine and the vehicle are relatively operated to travel in one way.例文帳に追加

洗車機を、車両に対し相対的に、あるいは停車又は移動している車両を跨いでその前後方向に、往復行させ、往行時に第一行程、第三行程を、復行時に第二行程、第四行程を施行させるようにしたり、あるいは洗車機と車両とを互いに相対的に一方向に走行させるのがよい。 - 特許庁

In order to purify a contaminated soil containing toxic organic materials, a first process for making a slurry by adding water to the contaminated soil, a second process for treating the slurried contaminated soil by a selective floatation, and a third process for removing toxic organic materials at least from either a floss or water or soil obtained by the second process are performed in order.例文帳に追加

毒性有機物を含有する汚染土壌を浄化するに、前記汚染土壌に水を添加してスラリー化する第一工程、スラリー化した汚染土壌を浮選処理する第二工程、前記第二工程により得られたフロスまたは水または土壌の少なくともいずれかから毒性有機物を除去する第三工程を順に行う。 - 特許庁

The halogenated organic compounds contained in the wastewater are treated in a first treatment process where the halogenated organic compounds are adsorbed to an adsorbent, a second treatment process where the halogenated organic compounds are desorbed from the adsorbent to which the halogenated organic compounds are adsorbed and a third treatment process where the halogenated organic compounds desorbed are decomposed by a wet oxidation process.例文帳に追加

排水中の有機ハロゲン化合物を処理するにあたり、吸着材に有機ハロゲン化合物を吸着させる第一処理工程、有機ハロゲン化合物が吸着した吸着材から有機ハロゲン化合物を脱離させる第二処理工程、脱離した有機ハロゲン化合物を湿式酸化法により分解する第三処理工程で処理する。 - 特許庁

There are provided a first process in which a substrate housing container 7 in which a substrate 6 is housed is transported to a transfer shelf 23, a second process in which a transferring machine 26 transports the substrate from the substrate housing container to a substrate holding device 28 by a tweezer 27, and a tweezer state confirming process for confirming adjustment state of the tweezer before the second process.例文帳に追加

基板6を収納した基板収納容器7を移載棚23に搬送する第1の工程と、移載機26がツイーザ27により前記基板収納容器から基板保持具28へ基板を搬送する第2の工程と、該第2の工程より前に前記ツイーザの調整状態を確認する為のツイーザの状態確認工程とを具備する。 - 特許庁

例文

This Gemini type fluorine-based surfactant having the azobenzene backbone as the spacer is obtained by comprising a first process of diazotizing p-aminophenol, then a second process of performing a coupling reaction to synthesize OH-azo, a third process of synthesizing Br-azo by 1,2-dibromoethane, further a fourth process of synthesizing DN-azo by dimethylamine and finally a fifth process of introducing a fluorinated carbon chain.例文帳に追加

p−アミノフェノールをジアゾ化する第1工程、次いで、カップリング反応を行い、OH−azoを合成する第2工程、1,2−ジブロモエタンによりBr−azoを合成する第3工程、さらに、ジメチルアミンによりDN−azoを合成する第4工程、最後に、フッ化炭素鎖を導入する第5工程からなることにより、アゾベンゼン骨格をスペーサーとするGemini型フッ素系界面活性剤を実現した。 - 特許庁


例文

The authentication side information process section 3 has a function for implementing an allocation process when receiving the first authentication number, a function for transmitting the access permission notice to the user side information process section 2 if a sender is a regular user, converting the first authentication number into the second authentication number based on the same conversion rule 4, and recording the second authentication number in a database 5 as the new first authentication number.例文帳に追加

認証側情報処理部3は、第一の認証用番号を受信すると、照合処理を実行する機能と、正規ユーザであればアクセス許可通知をユーザ側情報処理部2へ送信する機能と、変換則4と同じものを用いて第一の認証用番号を第二の認証用番号に変換し、第二の認証用番号を新たな第一の認証用番号としてデータベース5に記録する機能とを有する。 - 特許庁

A first connection means performs, when the first determination section determines that the connection information is stored in the first storage section, a process for establishing a connection by wireless communication to the target apparatus that is specified based on the connection target apparatus specifying information stored in the first storage section.例文帳に追加

第1接続手段は、第1判別手段によって接続情報が第1記憶部に保存されていると判別されたときに、第1記憶部に保存されている接続対象装置特定情報に基づいて特定した接続対象装置に対して無線通信による接続を確立するための処理を行う。 - 特許庁

In the lever-type connector, when fitting postures of first and second housings 10, 40 are inclined from regular postures at a final stage of a fitting process of the first and second housings 10, 40, the fitting postures of the first and second housings 10, 40 are corrected by making a pressing portion 73 of a lever 60 push a pressure-receiving portion 29 of the first housing 10.例文帳に追加

第1、第2ハウジング10、40の嵌合過程の終盤で、第1、第2ハウジング10、40の嵌合姿勢が正規から傾いていた場合に、レバー60の押圧部73が、第1ハウジング10の押圧受け部29を押圧することにより、第1、第2ハウジング10、40の嵌合姿勢が矯正される。 - 特許庁

First and second feed units 21, 22 for respectively feeding first and second metal sheets 1t, 2t, an ejection unit 30 for ejecting a joining substance between the fed first and second metal sheets, and a joining unit 25 for joining the first and second metal sheets are provided in the process chamber.例文帳に追加

工程チャンバ内には、第1及び第2の金属薄板1t、2tをそれぞれ供給する第1及び第2の供給部21,22、供給された第1及び第2の金属薄板の間に接合物質を噴射する噴射部30、及び第1及び第2の金属薄板を接合させる接合部25が備わる。 - 特許庁

例文

A first shaft 8 formed such that a tip 8a can be inserted in a rear end part 5b of the heating coil 5 is prepared, and in a first process, a first glow plug medium 90 is obtained wherein the tip 8a of the first shaft 8 is inserted into the rear end part 5b of the heating coil 5 to form an overlap part 90a.例文帳に追加

まず、先端部8aが発熱コイル5の後端部5bに挿入可能に形成された第1中軸8を用意し、第1工程において、発熱コイル5の後端部5bに第1中軸8の先端部8aを挿入して重なり部90aとした第1グロープラグ中間体90を得る。 - 特許庁

例文

A link circuit (100) included in the apparatus comprises: a first memory (302); a first and a second processing blocks (306, 308); a first shift circuit (305) which shifts data before inputting the data in the processing block (306); and a second shift circuit (309) which performs a reverse process of the first shift circuit after processing is performed in the processing block (306).例文帳に追加

装置に備わるリンク回路(100)は、第1メモリ(302)と、第1及び第2処理ブロック(306,308)と、一方の処理ブロック(306)に入力する前にデータをシフトさせる第1シフト回路(305)と、処理ブロック(306)で処理を行った後に第1シフトの逆を行う第2シフト回路(309)とを有する。 - 特許庁

The radial substrate molding process comprises the steps of: disposing a first copper foil 131 and a second copper foil 132 on both opposite sides of a first metal mold 151; inserting a precision pin 153 into a position where a first through-hole is formed; and injecting a resin 154 into the first metal mold 151.例文帳に追加

放射部基板成形工程は、第1の金型151の対向する両面にそれぞれ第1の銅箔131と第2の銅箔132とを配置するステップと、第1の貫通孔を形成する位置に精密ピン153を挿入するステップと、第1の金型151の内部に樹脂154を射出するステップとを有している。 - 特許庁

The first given time T1 is set so that the amplitude of the vibration of the rotation angle becomes smaller than the angle interval between the first positioning target angle and the dead point of the second positioning process in damped oscillation in the vicinity of the first positioning target angle by the first positioning.例文帳に追加

すなわち、第1回位置決め処理によって回転角度が第1回位置決め目標角度を中心に減衰振動する際、その振動の振幅が、第2回位置決め処理によっては回転角度を変化させることのできない角度(デッドポイント)と第1回位置決め目標角度との間の角度間隔未満となる時間とする。 - 特許庁

In the process, the control device drives a first counter weight at a velocity in accordance with the weight of the stage WST and the first counter weight 79, and thereby the reaction force can be canceled by the reaction force of the driving force of the first counter weight.例文帳に追加

このとき、制御装置が、ステージWSTと第1のカウンタウェイト79との重量に応じた速度でその第1のカウンタウェイトを駆動することにより、その第1のカウンタウェイトの駆動力の反力により、前記反力を相殺することが可能となる。 - 特許庁

This process includes: exposing a first layer 106 to an active radiation through a patterned photomask to develop it and forming a first resist pattern 106' (Fig. 1B), heat-treating the formed resist pattern (Fig. 1C), and treating the surface of the first resist pattern with a substance effective for alkalization (Fig. 1D).例文帳に追加

第1の層106を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光・現像して第1のレジストパターン106’を形成した(図1B)後、熱処理し(図1C)、第1のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理する(図1D)。 - 特許庁

The production method of the catalyst layer includes, at the least, the steps of forming a first layer including a catalyst precursor on a substrate by a vapor phase process; forming cracks in the first layer; and reducing the first layer having the cracks formed therein.例文帳に追加

基材に、触媒前駆体からなる第1の層を気相法により形成する工程と、前記第1の層にクラックを形成する工程と、前記クラックが形成された第1の層を還元する工程と、を少なくとも有する触媒層の製造方法。 - 特許庁

A first process gas admixture equipped with a silicon source gas and a first dilution gas mixture equipped with H_2 gas and inactive gas are made to flow into a deposition chamber at a first temperature, and thereby a polycrystalline silicon film 408 is formed on the amorphous silicon film.例文帳に追加

シリコンソースガスを備える第1のプロセスガス混合物と、H_2及び不活性ガスを備える第1の希釈ガス混合物とを第1の温度で堆積チャンバ内に流入させることによって、多結晶シリコン膜408が該非晶質シリコン膜上に形成される。 - 特許庁

The clearance measurement system 12 also includes a processing unit 198 constituted to process the first and second signals, based on a measurement difference between the first and second sensed parameters, for the purpose of estimating the clearance between the first and second objects 14, 16.例文帳に追加

クリアランス測定システム(12)はまた、第1と第2の物体(14、16)の間のクリアランスを推定するために、第1および第2の感知パラメータの間の測定差に基づいて、第1および第2の信号を処理するように構成された処理ユニット(198)を含む。 - 特許庁

A first semiconductor substrate having a structure in which a release layer is not formed at a position on which a first dividing process is performed is used so that the release layer is not exposed at an edge face of a second semiconductor substrate when the second semiconductor substrate is cut out of the first semiconductor substrate.例文帳に追加

第1の半導体基板から第2の半導体基板を切り出す際に第2の半導体基板端面に剥離層が露出しないように、第1の分断処理を施す箇所に剥離層が形成されない構造の第1の半導体基板を用いる。 - 特許庁

A bump shaping process is performed for the one electronic component out of the first and second electronic components so that each tip of the plurality of first bumps is formed into a shape decentered in a direction from the center of the first electronic component toward the outer periphery thereof (step S3).例文帳に追加

第1,第2電子部品のうち、一方の第1電子部品について、その複数の第1バンプの先端がそれぞれ第1電子部品の中央から外周に向かう方向に偏心した形状となるように、バンプ成型処理を行う(ステップS3)。 - 特許庁

The method includes a process of changing the first trench 52 into a narrow first trench 52a by thermally oxidizing the SOI layer 20 exposed on a sidewall of the first trench 52, and forming the isolation trench region R2 filled with the thermal oxide film 60.例文帳に追加

第1トレンチ52の側壁に露出しているSOI層20を熱酸化することで、第1トレンチ52を幅狭第1トレンチ52aに変化させると共に、内部が熱酸化膜60により充填されている分離トレンチ領域R2を形成する工程を備える。 - 特許庁

The process of forming the tantalum carbide coating film includes: a first forming step of forming a first tantalum carbide coating film on a surface of the carbon substrate; and a second forming step of forming a new tantalum carbide coating film more than once on the first tantalum carbide coating film.例文帳に追加

炭化タンタル被覆膜形成工程は、炭素基材の表面に第1炭化タンタル被覆膜を形成する第1形成工程と、第1炭化タンタル被覆膜上に1回以上新たな炭化タンタル被覆膜を形成する第2形成工程とを有する。 - 特許庁

The process comprises providing first polymer particles, adding a hydrophobic polymerization blocker or a styrenic monomer polymerization blocker to the aqueous medium containing the first polymer particles and preparing second polymer particles in the presence of the first polymer particles.例文帳に追加

この方法は、第一ポリマー粒子を提供する工程;疎水性重合ブロッカーまたはスチレンモノマー重合ブロッカーを、第一ポリマー粒子を含む水性媒体に添加する工程;および第一ポリマー粒子の存在下で第二ポリマー粒子を調製する工程を含む。 - 特許庁

The surface treatment method for the titanium-containing base material includes a first treatment process of treating the surface of the titanium-containing base material by an aqueous solution including either one or both of alkali carbonate or alkali hydrogencarbonate, and a second treatment process of treating the base material surface subjected to the first treatment process by an aqueous acidic solution in this order.例文帳に追加

本発明のチタン含有基材の表面処理方法は、チタン含有基材表面をアルカリ炭酸塩又はアルカリ炭酸水素塩のいずれか一方又はその双方を含むアルカリ性水溶液により処理する第1処理工程と、第1処理工程を施した基材表面を酸性水溶液により処理する第2処理工程とをこの順に含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the liquid fuel comprises a first process of performing the hydroisomerization treatment of the paraffin-based hydrocarbon by using a prescribed catalyst, and a second process of performing the hydrocracking treatment on the treated material obtained in the first process by using a catalyst containing a crystalline alminosilicate having50 molar ratio of silica/alumina.例文帳に追加

本発明の液体燃料の製造方法は、パラフィン系炭化水素について、所定の触媒を用いて水素化異性化処理を行う第1の工程と、第1の工程で得られる被処理物について、シリカ/アルミナ比がモル比で50以上の結晶性アルミノシリケートを含有する触媒を用いて水素化分解処理を行う第2の工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

This method includes: a first process to hold the mold 40 to this base material 16 to bend the tip of the rib 32 formed on the edge of the injecting part of the resin member 20 in the base material 16; and a second process that injects the molten resin M from the mold 40 in the state of folding the rib 32 bent by the first process.例文帳に追加

この方法には、基材16における樹脂部材20の射出部位の縁に形成されているリブ32の先端を折り曲げるように、この基材16に対して金型40を押し当てる第1の工程と、この第1の工程によって折り曲げたリブ32の折り曲げ状態のまま金型40から溶融樹脂Mを射出する第2の工程とを備えている。 - 特許庁

The method for treating a waste liquid containing a tetraalkylammonium hydroxide includes a first concentrating process to freeze and concentrate the waste liquid containing the tetraalkylammonium hydroxide to obtain a concentrated waste liquid having ≥0.3 wt.% concentration of TAAH and a second concentrating process to vaporize and concentrate the obtained concentrated waste liquid in the first concentrating process.例文帳に追加

本発明に係る水酸化テトラアルキルアンモニウム含有廃液の処理方法は、水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有する廃液を凍結濃縮して該水酸化テトラアルキルアンモニウムの濃度が0.3重量%以上の濃縮廃液を得る第一濃縮工程及び上記第一濃縮工程で得られた濃縮廃液を蒸発濃縮する第二濃縮工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a process in which, after the bonding process is carried out for a first region 15 of a work 10 at a first stage 30, the work 10 is transferred to a second stage 40 by being revolved with one point of its outside as a center axis and the bonding process is carried out for a second region 17 of the work 10 at the second stage 40.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ワーク10の第1の領域15に対して第1のステージ30でボンディングプロセスを行った後、ワーク10をその外側の一点を中心軸として公転させることによって第2のステージ40に搬送し、ワーク10の第2の領域17に対して第2のステージ40でボンディングプロセスを行う工程を含む。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第1電圧を印加する第1過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第2過程と、前記非選択のワードラインには第2電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第3電圧を印加する第3過程とを備える。 - 特許庁

The method for producing a crystal 10 by a sublimation method includes: a process for arranging a ground substrate made of a material different from the crystal 10; a process for growing a first crystal 11 on the ground substrate by raising the temperature to a set temperature; and a process for growing a second crystal 12 on the first crystal 11 at a temperature equal to or higher than the set temperature.例文帳に追加

結晶の製造方法は、昇華法により結晶10を製造する方法であって、結晶10と異なる材料の下地基板を配置する工程と、設定温度まで昇温することで、下地基板上に第1の結晶11を成長する工程と、設定温度以上の温度で、第1の結晶11上に第2の結晶12を成長する工程とを備えている。 - 特許庁

This method of making cheese emulsified product composed of polyglycerol fatty acid ester, fresh cheese and water, includes: a first process of dispersing polyglycerol fatty acid in water and dispersing the water to form vesicle having the average particle size of 10-600 nm; and a second process of adding fresh cheese to the polyglycerol fatty acid ester dispersed aqueous solution prepared by the first process and emulsifying the same.例文帳に追加

ポリグリセリン脂肪酸エステル、フレッシュチーズ及び水から構成され、ポリグリセリン脂肪酸エステルを水に分散させ平均粒子径10〜600nmのベシクルを形成させるよう水に分散させる第一工程と前記第一工程によって調製されたポリグリセリン脂肪酸エステル分散水溶液にフレッシュチーズを添加し乳化する第二工程から調製することで上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the uncured cement composition includes: a first kneading process of preparing the uncured cement composition by performing kneading by using a polycarboxylic-based water-reducing agent; and a second kneading process of performing kneading by adding a naphthalene-based water-reducing agent or a melamine-based water-reducing agent to the uncured cement composition obtained in the first kneading process.例文帳に追加

本発明は、ポリカルボン酸系減水剤を用いて練り混ぜを行うことにより未硬化セメント組成物を調製する第1混練工程と、該第1混練工程にて得られた未硬化セメント組成物にナフタレン系減水剤又はメラミン系減水剤を添加して練り混ぜを行う第2混練工程とを実施することを特徴とする未硬化セメント組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The analyzing method includes a first process for depolymerizing polyester which is hardly soluble in the organic solvent and obtained by polymerizing a known monomer in a bisulfuric acid and a second process for measuring the ^1H-NMR spectrum of the depolymerized matter obtained in the first process by a nuclear magnetic resonance spectroscopic method and quantifying the content of the structural unit in polyester from the measured result.例文帳に追加

有機溶媒に難溶であり、既知のモノマーを重合して得られるポリエステルを、重硫酸中で解重合させる第1工程と、第1工程で得られた解重合物を核磁気共鳴分光法によって^1H−NMRスペクトルを測定し、測定結果から前記ポリエステル中の構造単位の含有量を定量する第2工程とを含む分析方法。 - 特許庁

The soil purifying method includes a first process for performing the decomposition treatment of the oil component by chemical oxidation or microbial metabolism with respect to a target polluted region including soil polluted with the oil component and a second process for performing the inclusion treatment of the residual oil component using a treatment liquid containing an inclusion agent with respect to the target pollution region after the first process.例文帳に追加

本発明の土壌の浄化方法は、油分により汚染された土壌を含む対象汚染領域について、化学酸化又は微生物の代謝により油分の分解処理を行う第1工程と、第1工程後の対象汚染領域について、包接剤を含有する処理液により残存油分の包接処理を行う第2工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The ion-exchangeable layered silicate particles are prepared by a method of manufacturing ion-exchangeable layered silicate particles characterized by including a first granulation process for manufacturing granules having a surface area of 40 m^2/g or more by granulating the ion-exchangeable layered silicate, and a second granulation process for pulverizing the granules prepared in the first granulation process and re-granulating them, to manufacture granules.例文帳に追加

イオン交換性層状珪酸塩を造粒して表面積が40m^2/g以上である造粒体を製造する第1の造粒工程と、第1の造粒工程で得られた造粒体を粉砕してから再度造粒して造粒体を製造する第2の造粒工程と含むことを特徴とするイオン交換性層状珪酸塩粒子の製造方法による。 - 特許庁

The focusing comprises a first focusing process of providing an image substantially focused on the chamfered part; an area determination process of determining a specified area containing the chamfered part end on the basis of the image obtained by the first focusing; and a second focusing process of providing a focused image precisely focused on the chamfered part end on the basis of the evaluation of the image within each specified area.例文帳に追加

焦点調整は、面取加工部に概ね合焦した画像を得る第1の焦点調整工程と、第1の焦点調整により得られた画像に基づき面取加工部端を含む特定領域を決定する領域決定工程と、各特定領域内の画像の評価に基づき面取部端に精密に合焦した合焦画像を得る第2の焦点調整工程とを備える。 - 特許庁

This invention is also a process for producing the copolymer in the presence of a catalyst, (B) an organo-aluminum compound and (C) an organo-silicon compound by 2 polymerization reaction processes and in the first process, a suspension medium is simultaneously a monomer and the first reaction process constitutes 20-80% of total polymer giving a polypropylene having a viscosity of 500-1,400 ml/g.例文帳に追加

また本発明は、触媒、有機アルミニウム化合物(B)および有機ケイ素化合物(C)の存在下での上記コポリマーの製造方法であって、重合を2反応工程で行い、その際、第1工程の懸濁媒質は同時にモノマーであり、第1反応工程では全ポリマーの20〜80%の割合を構成する、500〜1400ml/gの粘度を有するポリプロピレンが製造される。 - 特許庁

A method comprises the steps of forming a gate oxide film and an amorphous silicon layer on a semiconductor substrate, changing an amorphous silicon layer into a first polysilicon layer with large grain by carrying out an SPG process, forming a nitride film on a first polysilicon layer, and forming a second polysilicon layer for floating gates by carrying out an element segregation process and a nitride film elimination process.例文帳に追加

半導体基板上にゲート酸化膜及び非晶質シリコン層を形成する段階と、SPG工程を行って非晶質シリコン層をグレインの大きい第1ポリシリコン層にする段階と、第1ポリシリコン層上に窒化膜を形成する段階と、素子隔離工程及び窒化膜除去工程を行い、フローティングゲート用第2ポリシリコン層を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The control part 5 repeats the first process of recognizing the rotating direction of the shooting handle HD and the second process of changing the level of the shooting strength signals by supplying the appropriate number of change pulses to the strength setting part 11 corresponding to the rotating direction recognized in the first process at every prescribed interval of time on the basis of two-phase signals received from the encoder 15.例文帳に追加

制御部5は、エンコーダ15から受ける二相信号に基づいて、発射ハンドルHDの回転方向を把握する第一処理と、第一処理で把握された回転方向に対応して、強度設定部11に適当個数の変更パルスを供給することで発射強度信号のレベルを変更させる第二処理と、を所定時間毎に繰り返している。 - 特許庁

This manufacturing method of the light emitting element in which the composite dielectric layer composed of the perovskite compound and the spinel compound and the luminescent layer are laminated and provided has a first process to form the precursor of the composite dielectric layer, and a second process to form the composite dielectric layer by cooling the precursor under an oxygen partial pressure equal to or higher than that in the first process.例文帳に追加

ペロブスカイト化合物とスピネル化合物からなる複合誘電体層と発光層が積層して設けられている発光素子の製造方法において、該複合誘電体層の前駆体を形成する第1の工程と、該前駆体を第1の工程と同等以上の酸素分圧の下で冷却して、該複合誘電体層を形成する第2の工程とを有する発光素子の製造方法。 - 特許庁

A fluorine-containing water treatment method has a first fluorine removing process where calcium fluoride produced by adding a water-soluble calcium compound to the fluorine-containing water is separated from the water, and a second fluorine removing process where a water-soluble phosphorus compound is added to outflow water from the first fluorine removing process and the water is brought into contact with calcium-containing solids in the presence of calcium ions to remove fluorine.例文帳に追加

フッ素含有水に水溶性カルシウム化合物を添加して生成したフッ化カルシウムを水から分離する第1のフッ素除去工程と、該第1のフッ素除去工程からの流出水に水溶性リン化合物を添加し、カルシウムイオンの存在下にカルシウム含有固形物と接触させてフッ素を除去する第2のフッ素除去工程とを備えてなるフッ素含有水の処理方法。 - 特許庁

The method for recovering wastewater includes: a first refining process of refining the acid wastewater by an activated carbon tower 11 filled with the activated carbon derived from plants or using a resin; and a second refining process of refining the acid wastewater refined by the first refining process by an anion exchange resin tower 12 filled with an anion exchange resin.例文帳に追加

酸性排水を、原料として植物由来または樹脂を使用した活性炭を充填した活性炭塔11にて精製する第1の精製工程と、第1の精製工程により精製された酸性排水を、アニオン交換樹脂が充填されたアニオン交換樹脂塔12にて精製する第2の精製工程と、を有することを特徴とする排水の回収方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a composite structure includes a process for arranging a removable adhesive material 14 in contact with a first surface of a reusable composite structure 12; a process for arranging a first surface of a disposal composite structure 16 in contact with the removable adhesive material 14 to form an assembly 10 of the composite structures; and a process for hardening the assembly 10 of the composite structures.例文帳に追加

除去可能な接着材料14を再利用可能な複合構造12の第一の面に接して配設すること、使い捨て可能な複合構造16の第一の面を前記除去可能な接着材料14に接して配設することで複合構造アセンブリ10を形成すること、および前記複合構造アセンブリ10を硬化することを含む複合構造を製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of diffraction lens array mold comprises a process (a) of producing a single diffraction lens mold by utilizing a Ni shim, a process (b) of producing a first diffraction lens array mold by using a UV irradiator in which the single diffraction lens mold is mounted and a process (c) of producing a second diffraction lens array mold having a reverse image to the first diffraction lens array mold.例文帳に追加

(a)Niシムを利用して単一回折レンズモールドを製造する段階と、(b)前記単一回折レンズモールドを装着したUV照射器を用いて、第1回折レンズアレイモールドを製造する段階と、(c)前記第1回折レンズアレイモールドと逆像を有する第2回折レンズアレイモールドを製造する段階と、を含む回折レンズアレイモールドの製造方法である。 - 特許庁

The method of subjecting the acoustic resonator to batch processing includes a process step of depositing a first electrode on the surface of a substrate, a process step of depositing a layer of a dielectric material on the first electrode and depositing a second electrode on the layer of the piezoelectric material and a process step of reducing the thickness of the substrate (200) by removing the material from the base surface of the substrate (200).例文帳に追加

本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第1の電極を堆積させる工程と、第1の電極上に圧電材料の層を堆積させ、圧電材料の層上に第2の電極を堆積させる工程と、基板(200)の底面から材料を除去して基板(200)の厚さを少なくする工程を含む。 - 特許庁

The industrial wastewater treatment method comprises the first decomposition process for injecting ozone into the industrial wastewater containing a metal cyanide complex and irradiating the wastewater with ultraviolet light to generate free cyanogen mainly from the metal cyanide complex, and the second decomposition process for injecting ozone into the free cyanogen-containing water generated in the first process to decompose the free cyanogen into nitrogen and carbon dioxide.例文帳に追加

金属シアン錯体を含有する産業排水中にオゾンを注入するとともに紫外線を照射し、主として前記金属シアン錯体から遊離シアンを生成する第1分解工程と、該第1工程で生成した遊離シアン含有水にオゾンを注入して前記遊離シアンを窒素と二酸化炭素とに分解する第2分解工程とを含んでいる。 - 特許庁

This method for heating the fluid food 1 comprises a first heating process of heating the fluid food 1 through pouring into a liquid passage 4 irradiated with high-frequency wave and constituted by insulating partitions, and a second heating process of heating the fluid food heated in the first heating process to nearly upper limit critical temperature (denaturation temperature or the like), and having a heat reserving tank 6 keeping the temperature for a prescribed time.例文帳に追加

流動食品1を高周波が照射され絶縁性隔壁で構成された液流路4の内部に流して加熱する1次加熱工程と、前記1次加熱工程で加熱された流動食品を上限臨界温度(変性温度等)付近の温度まで加熱し所定時間その温度を維持する保温タンク6を有する2次加熱工程とを具備する。 - 特許庁

A manufacturing method of an actuator includes: a first process for forming a sheet body 1 by alternately overlapping a plurality of dielectric elastomer layers 5 and a plurality of conductive rubber layers 6 (6a and 6b) in a thickness direction; and a second process for making the sheet body 1 in a spirally wound state by winding the sheet body 1 formed by the first process around a core material 9.例文帳に追加

アクチュエータの製造方法には、複数の誘電エラストマー層5と複数の導電ゴム層6(6a,6b)とをそれらの厚さ方向に交互に重ねることでシート体1を形成する第1工程と、同第1工程により形成されたシート体1を芯材9の周りに巻き付けることによりシート体1を渦巻き状に巻かれた状態にする第2工程と、が含まれる。 - 特許庁

Furthermore, a semiconductor wafer W is disposed in a vertical hermetic process tube 1 and is heated by a first heater 2, provided outside an outer periphery of the process tube 1; and the sublimation gas is then introduced from an introduction port 1a which is provided in a part to be heated by the first heater 2 of the process tube 1 at heating and is connected hermetically to the heating tube 3.例文帳に追加

さらに、縦型の密閉可能なプロセスチューブ1内に半導体ウェハWを配置して、そのプロセスチューブ1の外周外方に設けた第1のヒータ2で加熱するとともに、その加熱時に、プロセスチューブ1の第1のヒータ2によって加熱される部分に設けられ、上記加熱チューブ3を気密に連結された導入口1aから上記昇華ガスを導入する。 - 特許庁

例文

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁




  
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