「force microscope」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A cantilever 12 having a probe 12a for characteristic measurement is resonated by an exciting section 5, the vibration of the cantilever 12 is detected by a vibration detecting section 6, and AFM (Atomic Force Microscope) observation of a sample is determined based on the detection result by a control/arithmetic section 9.例文帳に追加

特性計測用プローブ１２ａが形成されたカンチレバー１２を励振部５により共振させ、カンチレバー１２の振動を振動検出部６で検出し、その検出結果に基づいて試料のＡＦＭ観察を制御・演算部９で求める。 - 特許庁

In a glass substrate for an information recording medium, variability of surface roughness (Ra), which is calculated from measurement results of surface roughness (Ra) obtained from 10 or more fields of 10 μm square using an atomic force microscope, is less than 3%.例文帳に追加

情報記録媒体用ガラス基板は、原子間力顕微鏡を使用して、表面粗さ（Ｒａ）を１０μｍ四方の視野で１０視野以上測定した測定結果より算出される表面粗さ（Ｒａ）のばらつき率は、３％以下である。 - 特許庁

In this defect inspecting method for the color filter, a surface potential of the color filter is measured by an atomic force microscope, and a defect in the surface is inspected based on a difference between the maximum value and the minimum value in the surface potential.例文帳に追加

カラーフィルターの欠陥検査方法であって、カラーフィルターの表面電位を原子間力顕微鏡で測定し、表面電位の最大値と最小値の差から表面の欠陥を検査することを特徴とするカラーフィルターの欠陥検査方法。 - 特許庁

A ferro-dielectric thin film 12 is attached onto a base board 11 which forms a work to be processed, and patterns are formed on the thin film using atomic force microscope which has an electroconductive probe 13 so that the desired nano-circuit pattern is partitioned.例文帳に追加

加工物を形成する基板１１上に強誘電体薄膜１２を付着し、次に、導電性探針１３を有する原子間力顕微鏡を用いて、強誘電体薄膜上にパターンを形成して、所望のナノ回路パターンを画定する。 - 特許庁

Then, before actually exposing the pattern of a reticle R onto the wafer W, is the pattern of the reticle R is illuminated with an EUV beam EL to measure a latent image formed on the resist subjected to silylation with the atomic force microscope(AFM).例文帳に追加

そして、レチクルＲのパターンをウエハＷ上に本露光するに先立って、レチクルＲのパターンをＥＵＶ光ＥＬで照明することによってシリル化レジストに形成された潜像を、原子間力顕微鏡ＡＦＭで計測する構成とした。 - 特許庁

An atomic force microscope with a probe in its light condensing system is installed in the cathode luminescence composite device which detects light from a sample irradiated by a electron beam.例文帳に追加

試料に電子線を照射して、その電子線照射により試料から発生した光を検出するカソードルミネッセンス装置において、集光システムとして探針をプローブとする原子間力顕微鏡を設けたことを特徴とするカソードルミネッセンス複合装置。 - 特許庁

To provide a method for controlling the probe in a scanning probe microscope that properly controls the twisted condition of the probe that is caused from a reaction force, applied from the inclination portion of unevenness on the surface of a sample to the top end of the probe.例文帳に追加

試料表面の凹凸の傾斜部から探針先端に加わる反力に起因して生じる探針の捩れ状態を適切に制御して計測データの誤差を低減する走査型プローブ顕微鏡の探針制御方法を提供する。 - 特許庁

In the evaluation method of the co-flocculation capacity of bacteria, external force is applied to a capsule 11 for submerged observation containing at least two kinds of bacteria becoming an evaluation target, the co-flocculation states of bacteria before and after external force is applied is observed by a scanning electron microscope and the co-flocculation capacity of bacteria is evaluated on the basis of the observation result.例文帳に追加

本発明の細菌の共凝集能の評価方法は、評価対象となる二種以上の細菌を含む液中観察用カプセル１１に外力を加え、外力を加える前と加えた後の前記細菌の共凝集状態を走査型電子顕微鏡により観察し、その観察結果に基づいて前記細菌の共凝集能を評価する。 - 特許庁

In the probe 10 for the magnetic force microscope having a magnetic region at its pointed end part 12 and detecting the magnetic force caused by allowing the magnetic region to approach the surface of a sample, the magnetic region of the pointed end part 12 of the probe 10 is formed of a dia-ferromagnetic single crystal to micronize the self-magnetic field leaked from the magnetic region.例文帳に追加

尖端部１２に磁性体領域を有し、この磁性体領域を試料表面に接近させることにより生じる磁気力を検出する磁気力顕微鏡用プローブ１０であって、プローブ尖端部１２の磁性体領域が反強磁性単結晶で形成されるようにして、磁性体領域から漏れ出る自己磁場を微小にする。 - 特許庁

To provide a technique capable of measuring accurately a topograph relative to even the sample surface whose accurate surface topograph measurement is difficult by a conventional method, by overcoming a defect that the accurate surface topograph can not be measured because an attraction detected by a cantilever tip includes both an interatomic force and an electrostatic force when executing the surface topograph measurement by a conventional noncontact type atomic force microscope.例文帳に追加

本発明は、従来の非接触型原子間力顕微鏡による表面トポグラフ計測の際に、カンチレバー先端で検出される引力には原子間力と静電気力の両方が含まれるために正確な表面トポグラフを計測できないという欠点を克服し、従来法では正確な表面トポグラフ計測が困難であった試料表面に対しても、そのトポグラフを正確に計測する技術を提供するものである。 - 特許庁

In the method for inspecting the compound semiconductor substrate, the surface roughness Rms of the compound semiconductor substrate is measured by using an atomic force microscope at pitches of 0.4 nm or less in a visual field in a square of 0.2 μm or less.例文帳に追加

化合物半導体基板の検査方法は、化合物半導体基板の表面の検査方法であって、０．２μｍ以下四方の視野で、０．４ｎｍ以下のピッチで、原子間力顕微鏡を用いて化合物半導体基板の表面粗さＲｍｓを測定する。 - 特許庁

Next, the humidity-adjusting pin 14 of the measuring cell 8 is loosened to expose the surface of the resin base material 1 of the sample 7 to a high-humidity atmosphere and the surface shape of the same place as a dry state measured first by the atomic force microscope 20 is measured, after a fixed interval.例文帳に追加

次に、測定セル８の湿度調整ピン１４を緩め、試料７の樹脂基材１の表面を高湿雰囲気に晒し、一定時間後に原子間力顕微鏡２０により始めに測定した乾燥状態と同じ箇所の表面形状を測定する。 - 特許庁

The tunnel barrier 12 has such a quantum thin line constriction structure that a silicon oxide film 17 as an electric boundary supporting oxide film formed using an interatomic force microscope or the like is formed by oxidizing the quantum thin line from its surface to its nearly central part.例文帳に追加

トンネル障壁部１２は、原子間力顕微鏡等を用いて形成された電界支援酸化膜であるシリコン酸化膜１７が量子細線１１の表面からそのほぼ中心部まで酸化して形成された量子細線コンストリクション（＝くびれ）構造を有している。 - 特許庁

A static eliminator 4 and a charge monitor 3 are arranged and the charge monitor 3 is controlled on the basis of the position of the probe 2 of the atomic force microscope by a monitor position control means 7 so as to measure the charge quantity in the periphery of the position of the probe 2 of the sample 1.例文帳に追加

除電装置４と、帯電モニタ３を配置し、原子間力顕微鏡の探針２の位置に基づいて、試料１の探針２の位置周辺の帯電量が測定されるように帯電モニタ３をモニタ位置制御手段７により制御する。 - 特許庁

The cross section of chemically treated hair, which is obtained by twice treating hair with a commercial high bleaching agent, and that of treated hair obtained by treating hair with a 2% amino acid aqueous solution are respectively measured by an atomic force microscope to obtain an amplitude image shown in Fig.1 and a phase image shown in Fig.2.例文帳に追加

毛髪を市販のハイブリーチ剤で２回ブリーチ処理を行った化学処理毛と、更に２％アミノ酸水溶液で処理したトリートメント処理毛との断面を、それぞれ、原子間力顕微鏡で測定し、図１に示すamplitude像と、図２に示すphase像とを得た。 - 特許庁

To provide a wafer-working method/apparatus for efficiently working a wafer, by measuring a surface shape by an inter-atom force microscope, without having to clean the wafer polished by CMP and cleaning the wafer.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＰで研磨されたウェーハを、洗浄することなく原子間力顕微鏡で表面形状を測定し、この後にウェーハを洗浄することにより、効率よくウェーハを加工することができるウェーハ加工方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

An uneven film whose average surface roughness measured by an atomic force microscope is 2 nm or less is inserted as an intermediate layer between a low anchoring layer and ITO, thereby influence of panel-dependent ITO-film surface shapes on the low anchoring layer can be avoided, and switching characteristics are stabilized.例文帳に追加

低アンカリング層とＩＴＯ間に中間層として、原子間力顕微鏡で計測した平均表面粗さが２ｎｍ以下の凹凸膜を挿入することにより、パネルごとに異なるＩＴＯ膜の表面形状に低アンカリング層が影響を受けるとなく、スイッチング特性が安定した。 - 特許庁

The substrate for an information recording medium is characterized in that a cycle of the microscopic waviness falls within 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% PV value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

(2) The modified cross-sectional regenerated cellulose fiber characterized by having a degree of modification of 1.1 to 10 and a fiber surface roughness parameter Ra of 10 to 50 nm measured with an interatomic force microscope and containing fine powder having a 50% average particle diameter of 0.05 to 10 μm in an amount of 0.2 to 5 wt.%.例文帳に追加

(2) 繊維の異型度が１．１〜１０で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメータＲａが１０〜５０ｎｍであり、かつ５０％平均粒径が０．０５〜１０μｍである微粉末を０．２〜５重量％含有する異型断面再生セルロース繊維。 - 特許庁

The cantilever for processing, for processing a micropattern by use of an atomic force microscope (AFM), has a great number of probes as cutting blades provided at the top end of a lever part of a cantilever, and has the probes integrally formed with a common base material.例文帳に追加

原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を利用して微細パターンの加工を行うための加工用カンチレバーについて、切れ刃となるプローブ（探針）がカンチレバーの１本のレバー部先端に多数設けられていることであり、上記プローブが共通の基材と一体に形成されていること。 - 特許庁

In an atomic force microscope wherein an optical lever system is adopted, a light emitting element 8 is provided on the back side of a cantilever 5, and a light receiving device 9 is directly irradiated with light from the light emitting element 8, to thereby suppress decline of light receiving sensitivity of the light receiving device 9 caused by reflection of unintended light.例文帳に追加

光てこ方式を採用した原子間力顕微鏡において、発光素子８をカンチレバー５の背面側に設け、発光素子８から直接受光装置９に光を照射することで、意図しない光の反射による受光装置９の受光感度の低下を抑制する。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは１５〜２５ｎｍの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上の突起密度は１〜５０個／ｍｍ^2の範囲である。 - 特許庁

A measuring mode is set to a tapping mode, when observing the semi-solid substance in the semi-solid state with the solid substance existing by an atomic force microscope, and a shape and a state of the solid substance existing in the semi-solid substance are evaluated based on phase information obtained by the tapping mode.例文帳に追加

固体物質が存在する半固体状態のままの半固体状物質を原子間力顕微鏡にて観察する場合、測定モードをタッピングモードに設定し、半固体状物質中に存在する固体物質の形状および状態をタッピングモードにより得られる位相情報で評価する。 - 特許庁

When the surface form of the substrate 21 is measured in the measurement range of four quarters whose one side is 5μm by using an atomic force microscope, the number of ridges of textures which are observed at a position higher than the average line of measured roughness curve by 1.5nm is 200 or less.例文帳に追加

同情報記録媒体用ガラス基板２１の表面形状を、原子間力顕微鏡を使用し、１辺が５μｍ四方の測定範囲内で測定したとき、測定された粗さ曲線の平均線よりも１．５ｎｍ高い位置で観測されるテクスチャーの尾根の数は２００個以下である。 - 特許庁

In the separator material for fuel cell, the Au plating layer 2-20 nm in thickness and 0.5-1.5 nm in arithmetic surface roughness (Ra) measured in a crystal grain of a metal substrate by an atomic force microscope is formed on a surface of the metal substrate.例文帳に追加

金属基材の表面に、厚み２〜２０ｎｍで、かつ前記金属基材の結晶粒内において原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ｒａ）が０．５〜１．５ｎｍであるＡｕめっき層が形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 - 特許庁

To perform the measurement of mm-class wide scanning with high reproducibility and measuring accuracy without causing such problems as probe wear excluding undesirable force to the sample surface being applied to the probe with a scanning probe microscope for observing a μm-class fine target.例文帳に追加

μｍ級の微小対象物の観察を行える走査型プローブ顕微鏡で、探針に加わる好ましくない試料表面に平行な力を除き、ｍｍ級の広域走査の測定を探針摩耗等の問題を起こすことなく高い再現性、測定精度で行えるようにする。 - 特許庁

To provide an NC-AFM capable of stably performing approach and the surface observation of a sample with proper resolving power even with respect to any sample in a non-contact atomic force microscope and the operation program thereof.例文帳に追加

本発明は非接触原子間力顕微鏡及び非接触原子間力顕微鏡の動作プログラム関し、どのような試料においても、適した分解能で安定にアプローチ及び試料表面観察をすることができるＮＣ−ＡＦＭを提供することを目的としている。 - 特許庁

(2) Alternatively, the composite yarn comprises the modified cross-section regenerated cellulose fibers having 1.1-10 degree of modified cross section of the fibers, 10-50 nm fiber surface roughness parameter Ra measured under the atomic force microscope and containing 0.2-5 wt.% of a fine powder having 0.05-10 μm 50% average particle diameter.例文帳に追加

(2) 繊維の異型度が１．１〜１０で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメーターＲａが１０〜５０ｎｍであり、５０％平均粒径が０．０５〜１０μｍである微粉末を０．２〜５重量％含む異型断面再生セルロース繊維を含有する複合糸。 - 特許庁

Residual magnetization Φr of the magnetic layer is 5 to 50 mA and a ratio (Sds/Sac) of an average area Sdc of a magnetic cluster in DC magnetized state measured by a magnetic force microscope (MFM) and an average area Sac of the magnetic cluster in an AC demagnetized state is 0.8 to 2.0.例文帳に追加

前記磁性層の残留磁化Φｒが５〜５０ｍＡであり、かつ磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）で測定したＤＣ磁化状態の磁気クラスターの平均面積ＳｄｃとＡＣ消磁状態の磁気クラスターの平均面積Ｓａｃとの比（Ｓｄｃ／Ｓａｃ）が０．８〜２．０である。 - 特許庁

The scanning probe microscope comprises a probe holding mechanism A for pushing to hold a probe B having fixed a cantilever 6 provided with a probe 5 at its end by a lever 21 by a force acting equally on three clamp surfaces 3a, 3b, and 3c in a lower surface of a clamp body 1.例文帳に追加

本発明の走査型プローブ顕微鏡は、先端に探針５を設けたカンチレバー６を固着したプローブＢを、クランプ本体１の下面の３つのクランプ面３ａ，３ｂ，３ｃに等しく作用する力でレバー２１によって押し付けて保持するプローブ保持機構Ａを備えている。 - 特許庁

The period of micro waviness of this substrate for an information recording medium is 2 μm to 4 mm, and the main surface of the substrate has a wa of 5 nm or less and an Rmax of 12 nm or less, where wa (95% PV value) is the maximum height of the microwaviness and Rmax is the maximum height measured by an atomic force microscope.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

This substrate for information recording medium is characterized in that the period of the microscopic waviness is in 2 μm to 4 mm, wa of the substrate main surface is 5 nm or less and Rmax is 12 nm or less, where a maximum height of this microscopic waviness is wa (95% peak value) and a maximum height measured by an atomic force microscope is Rmax.例文帳に追加

情報記録媒体用基板は、微小うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍであって、この微小うねりの最大高さをwa（95％PV値）とし、原子間力顕微鏡によって測定した最大高さをRmaxとしたとき、該基板主表面のwaが5nm以下、Rmaxが12nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

There is provided the CVD coated cutting tool insert including: a TiCxNy layer having a low tensile stress level of 50-390 Mpa; and Al_2O_3 having surface smoothness having a high average Ra of 0.12 μm or lower measured by an interatomic force microscope (AFM) technology.例文帳に追加

本発明は、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具インサートに関する。 - 特許庁

In the atomic force microscope that separates the light from a light source 21 into S-polarized light and P-polarized light by a lotion prism 28 to measure the relative displacement of the article 1 to be inspected and the cantilever 12, the function for measuring the displacement of the cantilever 12 by using a reference mirror 63 as a measurement standard is provided.例文帳に追加

光源２１からの光をローションプリズム２８によってＳ偏光とＰ偏光に分離して、被検物１とカンチレバー１２との相対変位を計測する原子間力顕微鏡において、参照ミラー６３を計測基準としてカンチレバー変位を計測する機能を設ける。 - 特許庁

The method of evaluating the vapor deposition film measures a phase change by scanning vibratingly a probe of an atomic force microscope on a vapor deposition film surface of an optical member having the vapor deposition film on a base material, and evaluates the vapor deposition film, based on the measured phase change.例文帳に追加

基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a magnetic force of a specimen using a scanning probe microscope, capable of automatically obtaining an optimal applied voltage for cantilever vibration when a lift amount is optionally determined.例文帳に追加

本発明は走査プローブ顕微鏡を用いた試料の磁気力測定方法及び装置に関し、任意のリフト量を設定した際、最適なカンチレバ加振電圧を自動的に求めることができる走査プローブ顕微鏡を用いた試料の磁気力測定方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To discover a new equibration system of a type to obstruct the undesirable equibration operation by bearing power by performing the equibration operation when the accessories of the microscope are changed without using intricate or costly force sensors or stroke sensors and as immediately as possible and rapidly in such a manner that a surgery interruption is averted without preliminarily carrying out the operation to measure physical quantities (for example, force, deformation, etc.).例文帳に追加

複雑なまたは高価な力センサまたはストロークセンサを使用せず、顕微鏡のアクセサリを変更した場合には直ちに、物理量（例えば、力、変形など）の測定操作を事前に行うことなく、手術中断が回避されるようできる限り直ちに且つ迅速に平衡化操作を行い、支持力による望ましくない平衡化操作が阻止される形式の新規の平衡化システムを見出すこと。 - 特許庁

A surface of a glass substrate containing SiO_2 as main component is polished by a polishing slurry including colloidal silica having an average primary particle size of at most 50 nm, an acid and water, and having pH adjusted to be in a range of 0.5-4, so that the surface roughness Rms measured by an atomic force microscope becomes not higher than 0.15 nm.例文帳に追加

平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 - 特許庁

In the transparent conductive base material, where the base material, a reflection prevention film, and the transparent conductive film are laminated in this order, the reflection prevention film is made of aluminum-doped zinc oxide, and the average surface roughness (Ra) of the reflection prevention film by an atomic force microscope is 1.0 nm or smaller.例文帳に追加

基材、反射防止膜及び透明導電膜が、この順で積層されてなる透明導電性基材であって、前記反射防止膜がアルミドープ酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電性基材。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

The texture 13 of a low frequency component obtained by measuring a 10 μm square range by an atomic force microscope has 10 to 200 nm width W, 2 to 10 nm height H and the ratio (Rp/RMS) of the maximum height Rp to root-mean-square roughness RMS of not more than 15.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で１０μｍ四方の範囲を測定して得られる低周波成分のテクスチャー１３の幅Ｗは１０〜２００ｎｍ、テクスチャー１３の高さＨは２〜１０ｎｍ、テクスチャー１３の自乗平均粗さＲＭＳに対する最大山高さＲｐの比（Ｒｐ／ＲＭＳ）は１５以下である。 - 特許庁

In the piezoelectric power generating element, a pair of electrodes is arranged on a piezoelectric ceramics layer formed of a ceramics in a range of average grain size of 0.01-0.1 μm by observation using a scanning electron microscope, and the piezoelectric ceramics layer subjected to polarization processing is applied with an external force different from the polarization direction, thereby generating electric potentials.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡観察により平均粒径０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下の範囲のセラミックスで形成されている圧電セラミックス層に対電極を配置し、分極処理した圧電セラミックス素子に、分極方向と異なる外力を与え電荷を発生することを特徴とする圧電発電素子。 - 特許庁

To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁