「gnd」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface of a main body 21 of an imaging device is covered with a transparent conductive member 26 comprised of a transparent conductive paste resin or the like, and this is electrically connected with a ground potential GND.例文帳に追加

撮像素子本体部２１の表面を透明な導電性ペースト樹脂などからなる透明導電性部材２６で覆って、これに接地電位ＧＮＤと電気的に接続する。 - 特許庁

On the other hand, p^+ diffusion regions P1, P2 are formed on two places of regions interposing the gate electrode 3 on the surface of the n-well NW1 in a plan view, while they are connected to a ground potential wiring GND commonly.例文帳に追加

また、平面視でＮウエルＮＷ１の表面におけるゲート電極３を挟む２ヶ所の領域に、夫々ｐ^＋拡散領域Ｐ１及びＰ２を形成し、これを接地電位配線ＧＮＤに共通接続する。 - 特許庁

A GND terminal 74 is extended to the inside of a package 7 and has a part extended laterally (laterally extended part) from the extended part (longitudinal extension part).例文帳に追加

ＧＮＤ端子７４は、パッケージ７の内部に延伸し、さらに、延伸した部分（縦方向延伸部分）から横方向に延びる部分（横方向延伸部分）を有する。 - 特許庁

To obtain the reception performance equal to that of receiving a control signal after correcting variations in the voltage of the control signal even when the voltage of the control signal is fluctuated due to variations in a GND potential in the case of conducting simultaneous transmission and reception.例文帳に追加

同時送受信時にＧＮＤ電位変動により制御信号の電圧値が変動しても、該変動分を補正して受信時のみの場合と同等の受信性能を得る。 - 特許庁

The power supply voltage VDD is impressed, and when the voltage of the gate of a PMOS 24 is beyond a threshold voltage, the voltage of a node N3 is turned to be higher than that of the ground GND as much as the threshold of the PM0S 24.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤにより、ＰＭ０Ｓ２４のゲートにかかる電圧が閾値電圧を越える場合には、ノードＮ３はグランドＧＮＤに対して該ＰＭＯＳ２４の閾値分だけ高い電圧となる。 - 特許庁

The GND wiring 94 lets through motor current Im passed through the second fan motor 81 and the driving current Id leveled by the current leveling unit 93.例文帳に追加

ＧＮＤ配線９４には、第２ファンモータ８１に通電されたモータ電流Ｉｍと電流平準化部９３により平準化された駆動電流Ｉｄとが流れる。 - 特許庁

The FET in an on state at all times becomes a source of supply for the power supply potential VDD and the ground potential GND and is provided in order to reduce the variation in the delay time caused by variations in manufacturing and changes of environmental temperature.例文帳に追加

更に、製造上のバラツキ又は環境温度の変化に伴う遅延時間の変動を抑制させるべく、上記した電源電位ＶＤＤ又は接地電位ＧＮＤの供給元となり、かつ常時オン状態のＦＥＴを設ける。 - 特許庁

The transistor T6A is connected to the VA and the transistor T6B is connected to the VB, and the AC power source supplies the L level in the ON period of the respective transistors and supplies a ground potential GND that is a midpoint potential between an H level and the L level during the OFF period of the respective transistors.例文帳に追加

Ｔ６ＡはＶＡに、またＴ６ＢはＶＢに接続され、それぞれのオン期間には交流電源はＬレベルを供給し、オフ期間にはＨレベルとＬレベルとの中間電位である接地電位ＧＮＤを供給する。 - 特許庁

Transistor QP 13 is connected between the node NY and the bit line BL and becomes conductive when the potential of the bit line BL becomes higher than the grounding potential GND.例文帳に追加

トランジスタＱＰ１３は、ノードＮＹとビット線ＢＬとの間に接続されビット線ＢＬの電位が接地電位ＧＮＤよりも大きくなった場合に導通する。 - 特許庁

Radiation noise from the motor section M is absorbed by the shield plate 30 and flows, as a noise current, to the earth through the leaf spring member 31 and the ground (GND) part of the circuit board 23.例文帳に追加

そして、モータ部Ｍからの放射ノイズがシールド板３０により吸収され、ノイズ電流となって板ばね部材３１及び回路基板２３のグランド（ＧＮＤ）部を介してアースに流れる。 - 特許庁

The comparator 30 outputs the output signal OUT of ground voltage GND, when the signal S10 is higher than the signal S20; if it is reverse to this, it outputs a power supply voltage VDD and an output signal OUT.例文帳に追加

比較器３０は、信号Ｓ１０が信号Ｓ２０よりも高いときに、接地電圧ＧＮＤの出力信号ＯＵＴを出力し、逆の時には電源電圧ＶＤＤの出力信号ＯＵＴを出力する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of evading the influence of variation of a power source or GND resulting from providing a concurrent shutter function through all-pixel concurrent resetting operation.例文帳に追加

全画素一括リセット動作により一括シャッター機能をもたせることによる電源あるいはＧＮＤの変動による影響を回避できるようにした固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In a mode A, first and second clocks CKa and CKb are set to ground voltage (GND), a first switching element SW1 is turned on and second and third switching elements SW2 and SW3 are turned off.例文帳に追加

モードＡにおいて、第１及び第２のクロックＣＫａ，ＣＫｂを接地電圧（ＧＮＤ）に設定すると共に、第１のスイッチング素子ＳＷ１をオンし、第２及び第３のスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ３をオフする。 - 特許庁

Moreover, DEV[1] performs the pulse signal only once at start by a start trigger terminal ST being set to for example, a grounding voltage GND.例文帳に追加

また、ＤＥＶ［１］は、スタートトリガ端子ＳＴが例えば接地電圧ＧＮＤに設定されることで、起動時に一度だけ前述したパルス信号の生成を行う。 - 特許庁

An inverter circuit includes IGBT3, 4 connected in series between a power supply potential Vcc and a GND potential, and HVIC1 and LVIC2 for controlling driving of the IGBT3, 4.例文帳に追加

インバータ回路は、電源電位ＶｃｃとＧＮＤ電位との間で直列に接続されたＩＧＢＴ３，４と、ＩＧＢＴ３，４の駆動をそれぞれ制御するためのＨＶＩＣ１及びＬＶＩＣ２とを備えている。 - 特許庁

When output terminals 16, 18 are flooded at submersion, GND leak is generated on the output terminals 16, 18 and leak resistances RLUP, RLDN are generated on each of the output terminals 16, 18.例文帳に追加

水没時に出力端子１６，１８が浸水すると、出力端子１６，１８にＧＮＤリークが発生し、出力端子１６，１８の各々にリーク抵抗ＲLUP ，ＲLDN が生じる。 - 特許庁

In a certain frame, the voltage V4 is connected to the output terminal 2, the voltage V1 is connected to the output terminal 3, the voltage V0 is connected to the output terminal 4, and the output terminal 5 is connected to the ground GND.例文帳に追加

あるフレームでは、電圧Ｖ４を出力端子２に接続し、電圧Ｖ１を出力端子３に接続し、電圧Ｖ０を出力端子４に接続し、出力端子５を前記ＧＮＤに接続する。 - 特許庁

Transistor QN13 is connected between the node NX and the bit line BL and becomes conductive when the potential of the bit line BL becomes lower than the grounding potential GND.例文帳に追加

トランジスタＱＮ１３は、ノードＮＸとビット線ＢＬとの間に接続されビット線ＢＬの電位が接地電位ＧＮＤよりも低くなった場合に導通する。 - 特許庁

To provide an ink-jet printer in an electrically stable grounded state without a sliding part by providing a metal protecting member of a printing head electrically connected with a tube guide for ground connection with an external GND.例文帳に追加

印字ヘッドの金属製の保護部材を、チューブガイドに電気的に接触させ、外部ＧＮＤにアース接続することで、摺動部を介さずに、安定した電気的にアース状態のインクジェットプリンタを提供する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device has a basic buffer circuit 14 and a transistor resistance region 13 fitted in an approximately rectangular region using a GND wiring 11 and a part of a VDD wiring 12 as two sides respectively.例文帳に追加

ＧＮＤ配線１１とＶＤＤ配線１２の一部を２辺とする略矩形の領域にそれぞれ設けられた基本バッファ回路１４と、トランジスタ抵抗領域１３とを備える。 - 特許庁

To prevent a decrease of an area of a scintillator layer due to connection of a GND terminal to a conductive reflecting layer of a wavelength conversion base unit and form a scintillator moisture resisting protective film, in an indirect-type radiation detector.例文帳に追加

インダイレクト方式の放射線検出器において、波長変換基体の導電性反射層にＧＮＤ端子を接続することによるシンチレータ層の面積減少を防止すると共にシンチレータ耐湿用保護膜を形成する。 - 特許庁

At the falling of the output, the source electrode of the PchFET 1a has the VDH potential and the gate electrode has the GND potential at the initial stage, then, the gate-to-source voltage is set as VDH at the initial stage.例文帳に追加

出力の立ち下がり時には、初期段階でＰｃｈＦＥＴ１ａのソース電極はＶＤＨ電位、ゲート電極はＧＮＤ電位となり、初期段階でゲート・ソース間の電圧をＶＤＨとすることができる。 - 特許庁

The transformer 12, the LC filter circuit 16 and the rectifying elements 21a, 21b are mounted on a heat sink functioning as a GND through an insulating layer.例文帳に追加

トランス１２、ＬＣフィルタ回路１６及び整流用素子２１ａ，２１ｂは、ＧＮＤとして機能するヒートシンク上に絶縁層を介して実装されている。 - 特許庁

A GND is arranged at a position (opposite position) which overlaps with the critical signal S302 of the array A in a cable of an array B, here at the N-th pole number in the array B.例文帳に追加

またＢ列のケーブルにおいて、Ａ列のクリティカル信号Ｓ３０２と重なり合う位置（対向する位置）、ここでは、Ｂ列内において、Ｎ番目の極数には、ＧＮＤを配列させることを特徴とする。 - 特許庁

The low-potential and high-potential power supply lines of (n) sets of internal constitution components which constitute the semiconductor device, are connected sequentially between an earth voltage GND and the power supply VDD.例文帳に追加

半導体装置を構成するｎ個の内部構成部品の低位側及び高位側電源配線を接地電圧ＧＮＤと電源ＶＤＤ間に順に直列接続する。 - 特許庁

In the transistor Q1, a drain is connected to a power supply voltage 1, a gate and a source are connected to an output voltage terminal 3, and a substrate is connected to a GND potential 5.例文帳に追加

トランジスタＱ１は、ドレインが電源電圧１に接続され、ゲートとソースが出力電圧端子３に接続され、基板がＧＮＤ電位５に接続されている。 - 特許庁

A lead terminal 100 includes a signal lead pin 200 and a GND lead pin 250, and the signal lead pin 200 connects a signal pattern 310 of a flexible substrate 300 with a signal pattern 410 of a rigid substrate 400.例文帳に追加

リード端子１００は、信号用リードピン２００とＧＮＤ用リードピン２５０を備え、信号用リードピン２００は、フレキシブル基板３００の信号パタン３１０と、リジッド基板４００の信号パタン４１０とを接続する。 - 特許庁

By closing the power supply switch 9, the base electric potential of transistor Tr becomes GND level, and the transistor Tr works off-action then the electric current is not passed to the relay coil 7a and the relay contact 7b is opened.例文帳に追加

電源スイッチ９が閉じると、トランジスタＴｒのベース電位がＧＮＤレベルとなり、トランジスタＴｒがオフ動作し、リレーコイル７ａに電流が流れなくなり、リレー接点７ｂが開く。 - 特許庁

The receptacle, defined a given standard of an interface transferring data using differential signals and connected to a plug to transfer signals, has a feature of comprising a power terminal VBUS, a ground terminal GND, first and second differential signal terminals DP and DM for transferring first and second differential signals, and at least one of protection element prepared between the power terminal VBUS and the ground terminal GND.例文帳に追加

差動信号を用いてデータ転送を行う所与のインターフェース規格によって定義され、プラグと接続されることで信号を伝達するためのレセプタクルであって、電源端子ＶＢＵＳと、グランド端子ＧＮＤと、第1、第2の差動信号を伝達するための第1及び第２の差動信号端子ＤＰ、ＤＭとを有し、前記電源端子ＶＢＵＳと前記グランド端子ＧＮＤの間に設けられる少なくとも一つの保護素子を含むことを特徴とするレセプタクル。 - 特許庁

In an address period, a scan reference waveform (-Vsc) of a ground voltage (GND) level and less is applied to scan electrodes and a negative scan waveform (-Vy) whose voltage level is lower than the scan reference waveform and higher than a negative sustain waveform (-Vs) is applied.例文帳に追加

アドレス期間では、スキャン電極にグラウンド電圧(ＧＮＤ)レベル以下であるスキャン基準波形（−Ｖｓｃ）が印加され、スキャン基準波形より電圧レベルが低くて負極性サステイン波形（−Ｖｓ）より高い電圧レベルの負極性スキャン波形（−Ｖｙ）が印加される。 - 特許庁

In the circuit substrate of a recording head, protective diodes 13 against static electricity are connected between the VDD and the transfer line 12 of clock signal CLK and image data signal DATA and between the transfer line 12 and the GND.例文帳に追加

記録ヘッドの回路基板には、クロック信号ＣＬＫ、画像データ信号ＤＡＴＡの転送ライン１２における、ＶＤＤと転送ライン１２の間、及び転送ライン１２とＧＮＤの間に静電気に対する保護ダイオード１３が夫々接続されている。 - 特許庁

Even when the voltage of the voltage source VDD is lower than the sum of threshold voltages of the EPMOS and the DNMOS, the DNMOS is always in conductive state to fix an output of the output circuit 14 to the voltage of the low voltage source GND.例文帳に追加

高電位源ＶＤＤの電圧がＥＰＭＯＳとＤＮＭＯＳのしきい値の合計電圧よりも低い電圧の場合でも、ＤＮＭＯＳは常時オン状態となり、出力回路１４の出力を低電位源ＧＮＤの電位レベルに固定する。 - 特許庁

The intermittent switch 44 transmits an intermittent signal from the controller 45 to the relays 42a-42d when the intermittent operation is performed, and transmits the intermittent signal from the controller 45 to a GND 46 side when the continuous operation is performed.例文帳に追加

間欠スイッチ４４は、間欠動作を行う場合にはコントローラ４５からの間欠信号をリレー４２ａ〜４２ｄに対して送信するとともに、連続動作を行う場合にはコントローラ４５からの間欠信号をＧＮＤ４６側へと送信する。 - 特許庁

The input unit 100 includes: an operation body 120 and a metal body 130 movable in multiple directions; and detection electrodes 142a and 144a, and annular detection electrode 140b and GND electrode 150 placed concentrically on a surface of an insulation substrate 110.例文帳に追加

入力部１００は、多方向に移動可能な操作体１２０及び金属体１３０と、絶縁基板１１０の面上に同心円状に配設された検出電極１４２ａ、１４４ａ、環状の検出電極１４０ｂ及びＧＮＤ電極１５０とを有する。 - 特許庁

A power line 7a for feeding a stress voltage in a burn-in test and a GND line 7b for feeding the ground potential are formed on each of dicing regions 5 between semiconductor chips 3, 3 on a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウエハー１上の半導体チップ３，３間のダイシング領域５に、バーンインテスト時にストレス電圧を供給するための電源ライン７ａ及び接地電位を供給するためのＧＮＤライン７ｂがそれぞれ１本ずつ形成されている。 - 特許庁

To provide a signal playback apparatus in which it can be prevented that an output signal is captured a GND level and a waveform is distorted and play-ability is deteriorated, even if a signal having deviation in a waveform by playback of an asymmetry disk or the like.例文帳に追加

アシンメトリディスクの再生等により波形に偏りがある信号が入力された場合においても、出力信号がＧＮＤレベルに張り付いて波形が歪み、プレイアビリティが悪化することを防ぐことのできる信号再生装置を提供する。 - 特許庁

A charging control IC11 monitors a battery voltage VBATT of a lithium ion battery 10, by measuring the terminal voltage of the lithium ion battery 10 connected between a VDD terminal and a GND terminal, and controls the gate/source voltage VGS of a transistor Q2 on the basis of the measured results.例文帳に追加

充電制御用ＩＣ１１は、ＶＤＤ端子とＧＮＤ端子間に接続されたリチウムイオン電池１０の端子電圧を測定することにより、リチウムイオン電池１０の電池電圧ＶＢＡＴＴを監視し、その測定結果に基づき、トランジスタＱ２のゲート・ソース間電圧ＶＧＳを制御する。 - 特許庁

Where, a resistor element 56 is electrically connected between a voltage output circuit 54 for outputting voltage to be applied to the common electrode and the common electrode and a capacitor element 58 is electrically connected between the common electrode and ground potential Gnd.例文帳に追加

ここで、共通電極に印加すべき電圧を出力する電圧出力回路５４と共通電極との間に抵抗素子５６を電気的に介挿するとともに、共通電極と接地電位Ｇndとの間に容量素子５８を電気的に介挿する。 - 特許庁

Since the GND of the impedance matching circuit has a same potential with that of the shield frame with a wide ground area in terms of high frequencies, the ground characteristics of the antenna is made stable and the highly reliable and stable transmission reception can be maintained.例文帳に追加

このためインピーダンス整合回路のＧＮＤが接地面積の広いシールドフレームと高周波的に同電位となることから、アンテナのグランド特性が安定し、信頼性の高い安定した送受信動作を維持することができる。 - 特許庁

To provide a camera constituted to facilitate connection between the outside armor member in double structure constituted of the armor member made of conductive material and an inner cover made of non-conductive material and GND potential inside the camera and to obtain high reliability.例文帳に追加

導電性材料製の外装部材と非導電性材料製のインナーカバーで構成される２重構造の外観部材の外装部材とカメラ内部のＧＮＤ電位との接続を容易とすると共に高い信頼性が得られる構成のカメラを提供する。 - 特許庁

To provide an overcurrent protection circuit of a semiconductor integrated circuit for preventing an overcurrent generated at abnormal time such as the case that an output terminal is erroneously short-circuited to the GND and preventing the heat generation and destruction of a semiconductor element in an output drive circuit.例文帳に追加

出力駆動回路において、出力端子が誤ってＧＮＤにショートした場合などの異常時に発生する過電流を防止し、半導体素子の発熱、破壊を防止する半導体集積回路の過電流保護回路を提供する。 - 特許庁

A sample and hold section 108 samples and holds the black level signal on the basis of a signal from the section 105, and a signal shift section 101 shifts the entire of the superimposed signal on the basis of the sample and hold value so that the black level becomes GND level.例文帳に追加

そして、後縁検知部１０５からの信号に基づきサンプルホールド部１０８がブラックレベル信号のサンプルホールドを行い、信号シフト部１０１がそのサンプルホールド値に基づき重畳信号全体をシフトさせてブラックレベル信号がＧＮＤレベルになるようにする。 - 特許庁

Consequently, the NMOS 42 turns off and the NMOS 40 turns on in the standby mode to prevent a leakage current from the protecting circuit 33 and also to reduce the power consumption during the standby mode by discharging a photocurrent generated by the photodiode 30 to a ground GND.例文帳に追加

そのため、待機時には、ＮＭＯＳ４２がオフ状態になると共に、ＮＭＯＳ４０がオン状態になり、保護回路３３からのリーク電流を防止できると共に、ホトダイオード３０に発生した光電流をグランドＧＮＤへ放電することで、待機時の消費電力を低減できる。 - 特許庁

Since the impedance between the base mount 12 and the cover 13 is low for an electromagnetic wave, the electromagnetic wave can be released as a noise current to a GND circuit 23 and an electronic component 21 can be shielded electromagnetically from the outside of the housing 11.例文帳に追加

また、電磁波に対して、基台１２とカバー１３との間が低インピーダンスとなるため、電磁波をノイズ電流としてＧＮＤ回路２３に逃がすことができ、電子部品２１を筐体１１外部と電磁気的に遮蔽することができる。 - 特許庁

The M number of electrodes IN1-IN320 corresponding to the M lines are discretely exposed in the longitudinal direction on the rear surface of the electronic paper, and a power supply line Vs and a grand line GND are exposed respectively as single continuous lines in the longitudinal direction.例文帳に追加

電子ペーパの裏面には、Ｍ行に対応するＭ個のＹ方向電極ＩＮ１〜ＩＮ３２０が、長さ方向に離散的に露出している一方、電源ラインＶｓ及びグランドラインＧＮＤは、長さ方向に連続する各一本のラインで露出している。 - 特許庁