「gnd」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The second voltage conversion circuit 12 is supplied with the power supply potential VDDH, and outputs an output signal having an amplitude between the power supply potential GND and the power supply potential VDDH in response to a voltage signal output from the first voltage conversion circuit 11.例文帳に追加

第２の電圧変換回路１２は、電源電位ＶＤＤＨが供給されると共に、第１の電圧変換回路１１から出力された電圧信号に応じて電源電位ＧＮＤと電源電位ＶＤＤＨとの間の振幅を有する出力信号を出力する。 - 特許庁

This invention is provided with divided voltage means D1, R1, R2, a comparator CMP which inputs divided voltage VCX and zero voltage GND compares both voltages, and output transistor means Q1, Q2, Q3 which output monitoring signals at an output terminal through the comparator's output.例文帳に追加

分圧手段Ｄ１，Ｒ１，Ｒ２と、分圧電圧ＶＣＸとゼロ電圧ＧＮＤを入力し、かつ両電圧を比較するコンパレータＣＭＰと、コンパレータの出力より出力端ＯＵＴに監視信号を出力する出力トランジスタ手段Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とを備える。 - 特許庁

In a package GND layer 44 below a land 43 of the solder ball 42, an opening 45 is formed which has the same diameter with the land diameter and is filled with air or a substrate material, or has a diameter larger or smaller than the land diameter.例文帳に追加

はんだボール４２のランド４３下のパッケージＧＮＤ層４４に、ランド直径と同じ直径を持ちかつ空気や基板材料で満たされた開口４５、あるいはランド直径よりも大きいもしくは小さい直径を持つ開口４５を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor storage device for obtaining derived varieties by connecting a plurality of mode changeover pads to a Vcc or GND, potentials of each mode changeover pad after the above execution are outputted respectively in logical values by a mode activation generating circuit (6).例文帳に追加

ワイヤリングにより、複数のモード切換用パッドをＶｃｃもしくはＧＮＤに接続することによって派生品種を得る半導体記憶装置において、それらの施工後の各モード切換用パッドの電位を、モード活性化発生回路（６）によってそれぞれ論理値として出力する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a MOS transistor having a first source/drain electrode and a second source/drain electrode; a GND wire connected to the first source/drain electrode through a contact plug; a phase change material area; and an upper electrode on the phase change material area.例文帳に追加

半導体装置は、第１ソース／ドレイン電極及び第２ソース／ドレイン電極を有するＭＯＳトランジスタと、コンタクトプラグを介して第１ソース／ドレイン電極に接続されたＧＮＤ配線と、相変化材料領域と、相変化材料領域上に設けられた上部電極と、を有する。 - 特許庁

To provide a digital amplifier 10 of which sound quality is improved by reducing a high-frequency noise current component flowing into a GND through capacitors of an output LC filter and balancing an AC loop of the noise current while each FET is turned on.例文帳に追加

デジタルアンプ１０において、出力ＬＣフィルタのコンデンサを介してＧＮＤに流れ込む高周波ノイズ電流成分を低減するとともに、各ＦＥＴがオンした期間のノイズ電流の交流ループをバランス化して、音質を改善する。 - 特許庁

The angle detector 2 includes an annular resistor 10, first and second fixed electrodes A1 and A2 and movable electrode B provided to the annular resistor 10, a capacitor 15 connected between the movable electrode B and a ground node GND, a voltage application part 40, and a detection part 49A.例文帳に追加

角度検出装置２は、環状抵抗体１０と、環状抵抗体１０に設けられた第１および第２の固定電極Ａ１，Ａ２ならびに可動電極Ｂと、可動電極Ｂと接地ノードＧＮＤとの間に接続されたコンデンサ１５と、電圧印加部４０と、検出部４９Ａとを備える。 - 特許庁

The failure detection circuit 22 is connected to the other end side of the word line WL to detect the voltage Vwg2 of the word line WL supplied with the reading selection voltage Vread or the reading non-selection voltage GND by comparing the voltage with a plurality of reference voltages Vref1 and Vref2.例文帳に追加

不良検出回路２２は、前記ワード線ＷＬの他端側に接続され、前記読出し選択電圧Ｖｒｅａｄ又は前記読出し非選択電圧ＧＮＤを供給された前記ワード線ＷＬの電圧Ｖｗｇ２を複数の基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２との比較により検出する。 - 特許庁

By determining whether the divided voltage potential is within the scope between an upper limit standard and a lower limit standard set by the determination circuit 13, it is inspected whether the resistance value between the shield layer 9 and the GND terminal is within the scope of a proper connection state.例文帳に追加

さらに、分圧電位が、判定回路１３で設定された上限規格と下限規格の範囲内か否かを判定することで、シールド層９とＧＮＤ端子の間の抵抗値が適正な接続状態の範囲にあるか否かを検査する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a VDD pad 1, a signal output pad 2, a GND pad 3, a high potential power line 4, a signal line 5, a low potential power line 6, main ESD protection elements 11 and 12, a PMOS transistor P5 and an output circuit 7.例文帳に追加

半導体装置が、ＶＤＤパッド１と、信号出力パッド２と、ＧＮＤパッド３と、高電位電源線４と、信号線５と、低電位電源線６と、メインＥＳＤ保護素子１１、１２と、ＰＭＯＳトランジスタＰ５と、出力回路７とを備えている。 - 特許庁

Thus, in each driving transistor, even when an overlapped part with the i-Si film 52 is larger owing to variance on alignment shifting of the drain electrode AT1d, the source electrode T1s and the n^+-Si film 56, the electric field of this portion is blocked by the GND electrode 54, reducing the variance on characteristics.例文帳に追加

このため、各駆動トランジスタで、ドレイン電極Ｔ１ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ及びｎ^+−Ｓｉ膜５６のアライメントずれがばらついて、ｉ−Ｓｉ膜５２との重なり部分が大きくなった場合でも、この部分の電界がＧＮＤ電極５４によって遮蔽されて、特性のばらつきが小さくなる。 - 特許庁

Furthermore, the compensation circuit 35 has a compensation wiring pattern 32 which connects one end of the compensation element section 34 to the compensation drive circuit 31, and a second wiring pattern 33 which connects the other end of the compensation element section 34 electrically to a ground GND.例文帳に追加

また、補償回路３５は、補償素子部３４の一端を補償駆動回路３１に接続する補償配線パターン３２と、グラウンドＧＮＤに補償素子部３４の他端を電気的に接続する第２の配線パターン３３と、を有する。 - 特許庁

An MOS transistor is arranged in the peripheral function block 4, is connected to one of the power supply [VDD] and the power supply [GND] by a back gate, is connected to the other power supply by a gate thereof, and generates parasitic capacitance between the gate and the back gate in the non-operation mode.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、周辺機能ブロック４に設けられ、そのバックゲートに電源［ＶＤＤ］と電源［ＧＮＤ］との一方の電源が接続されていて、非動作モードにおいて、そのゲートに他方の電源が接続され、そのゲートとバックゲート間に寄生容量を発生する。 - 特許庁

In the electrostatic discharge protective circuit, a static electricity detection portion 3 places a first gate control portion 4 in an electrically conductive state when a voltage exceeding an upper-limit voltage Vmax is generated between a power supply terminal 1 and a GND terminal 2 to allow a current to flow from first wiring 11 to a gate of an NMOS transistor 7.例文帳に追加

この静電気放電保護回路によれば、静電気検知部３は、電源端子１とＧＮＤ端子２との間に上限電圧Ｖｍａｘを超える電圧が発生したときに、第１のゲート制御部４を通電状態にして、第１の配線１１からＮＭＯＳトランジスタ７のゲートへ電流を流す。 - 特許庁

While output capacitors Ca, Cb are respectively prepared between a pair of signal lines 4a, 4b and a GND, first resisters R1a, R1b are placed in series in the respective signal lines 4a, 4b; and the signal lines 4a, 4b are pulled up to the power supply voltage by second resistors R2a, R2b.例文帳に追加

一対の信号線４ａ，４ｂのそれぞれとＧＮＤとの間に出力容量Ｃａ，Ｃｂを備えるとともに、それぞれの信号線４ａ，４ｂに直列に第１の抵抗Ｒ１ａ，Ｒ１ｂを介在し、かつ前記信号線４ａ，４ｂを第２の抵抗Ｒ２ａ，Ｒ２ｂによって電源電位にプルアップする。 - 特許庁

Since the conductive band 15 of the paired signal wires 3 is electrically connected to the shield layer 5 of the cable 1 and positional relation of GND and the signal wire 9 is identical for any paired signal wires 3, the characteristics such as impedance or the like also becomes identical for any paired signal wires 3.例文帳に追加

信号線対３の導電性帯条体１５がケーブル１のシールド層５と導通し、ＧＮＤと信号線９の位置関係がどの信号線対３に関しても同じになるので、インピーダンスなどの諸特性がどの信号線対３でも同じになる。 - 特許庁

In the metal layer M4 of fourth layer, a metal region at a site superposed while opposing to the GND pattern G3 of metal layer M3 of the third layer is removed to make an opening, and this opening is filled with glass epoxy resin or the like to form a dielectric region D4.例文帳に追加

第４層の金属層Ｍ4では、第３層の金属層Ｍ3のＧＮＤパターンＧ3と相対向して重合する部位の金属領域が除去されて、開口部とされ、この開口部には、ガラスエポキシ樹脂等が充填されて誘電体領域Ｄ4が形成されている。 - 特許庁

At a variable phase shifter 10, a variable reactance circuit made of capacitors 30, 36, variable capacity diodes 32, 38, and inductors 34, 40 is connected electrically among a 0° terminal 14 and a 90° terminal 16 of a 90° hybrid coupler 20 and earth (GND).例文帳に追加

可変位相器１０において、９０°ハイブリッドカプラ２０の０°端子１４及び９０°端子１６とアース（ＧＮＤ）との間に、コンデンサ３０、３６と可変容量ダイオード３２、３８とインダクタ３４、４０との可変リアクタンス回路を電気的に接続する。 - 特許庁

At an initial position, a planar distance R1 between the outer peripheral end of an outer edge portion 132 of the metal body 130 and the inner peripheral ends of the detection electrodes 142a and 144a is substantially the same as a planar distance R2 between the inner peripheral end of the outer edge portion 132 and the outer peripheral end of the GND electrode 150.例文帳に追加

初期位置で金属体１３０の外縁部１３２の外周端と検出電極１４２ａ、１４４ａの内周端との間の平面的な距離Ｒ１と、外縁部１３２の内周端とＧＮＤ電極１５０の外周端との間の平面的な距離Ｒ２とが略同じである。 - 特許庁

When a non-insulated self-excited type step-down converter 300 fails and that the output voltage goes high abnormally by the shortage between, for example, the source-drain of an FETQ302, the output of an error amplifier IC401 becomes LOW and the output end comes to the GND(ground) potential.例文帳に追加

非絶縁型自励式ステップダウンコンバータ３００が故障した場合、たとえばＦＥＴＱ３０２のソース−ドレイン間ショートにより出力電圧が異常に高くなった場合、誤差増幅器ＩＣ４０１の出力はＬＯＷとなり、出力端はＧＮＤ（グランド）電位となる。 - 特許庁

This motor drive device 1 matches operation voltage levels of a direct PWM drive type brushless motor 3, a normal drive type motor 5 with brushes and a normal drive type brushless motor 7 with each other, and a power is supplied through a common motor power supply line L (VM) and a common motor ground line L (M-GND).例文帳に追加

モータ駆動装置１は、ダイレクトＰＷＭ駆動方式によるブラシレスモータ３と、通常駆動方式によるブラシ付きモータ５およびブラシレスモータ７との動作電圧レベルを合わせ、共通のモータ電源ラインＬ（ＶＭ）およびモータ接地ラインＬ（Ｍ−ＧＮＤ）を介して給電される。 - 特許庁

This image displaying apparatus includes: a rear plate 1005; a face plate 1007 having an anode 1014, and the potential regulating electrode 1015 which is spaced apart from the anode at a distance and to which electric potential lower than the GND potential or that of the anode is applied; and a spacer 1012 provided between the rear plate and the face plate.例文帳に追加

リアプレート１００５と、アノード１０１４、アノードと間隔を置いて、ＧＮＤ電位又はアノードより低い電位が印加される電位規定電極１０１５を備えたフェイスプレート１００７と、リアプレートとフェイスプレート間に設けられたスペーサ１０１２とを具備する。 - 特許庁

Further, for the first passive component 10A, a first attenuation pole forming element 46a is connected between the input terminal 20 and GND (ground), and a second attenuation pole forming element 46b is connected between the input terminal 20 and the input (first contact 52a) of a filter 26.例文帳に追加

さらに、この第１受動部品１０Ａは、入力端子２０とＧＮＤ（グランド）との間に第１減衰極形成素子４６ａが接続され、フィルタ２６の入力（第１接点５２ａ）との間に第２減衰極形成素子４６ｂが接続された構成を有する。 - 特許庁

In inversion potential variation generating circuits 13a, 13b, 13c, 13d, capacitors C1, C2, C3, C4 for generating an inversion potential are pre-charged previously to Vcc or a GND level.例文帳に追加

逆電位変動生成回路１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄでは、書き込み制御信号の反転信号（ＲＳＴＢとＲＳＴ）により、予め、逆電位発生用容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が、ＶｃｃもしくはＧＮＤレベルにプリチャージされている。 - 特許庁

Since the phase of a GND loop to which the resonance parts are connected is corrected by this constitution, variation in the change width of oscillation frequency of the oscillator 1 and variation of an output power level which are generated due to mutual interference between both the resonance parts 12, 22 can be removed in a used frequency band.例文帳に追加

上記構成により、共振部が接続されるＧＮＤループの位相が補正されるため、共振部１２、２２間の相互干渉により生じる電圧制御発振器１の発振周波数の変化幅の変動や出力電力レベルの変動を使用周波数帯域内において無くすことができる。 - 特許庁

A one pulse circuit 32 has a composition providing GND potential in a PC terminal of the printer power circuit 31 for just a certain time at supply starting of the DC power supplied from the AC adapter 55 via the docking station 52.例文帳に追加

ワンパルス回路３２は、ＡＣアダプタ５５からドッキングステーション５２を経由して供給される直流電力の供給開始時の一定時間だけプリンタ電源回路３１のＰＣ端子をＧＮＤ電位にする構成を有している。 - 特許庁

Since the conductive band 3 has conduction to the shield layer 9 and this equalizes the spacial relationship between GND and signal lines 5 in any pair of signal lines 7, their characteristics such as impedance become identical.例文帳に追加

信号線対７の導電性帯条体３がケーブルのシールド層９と導通し、ＧＮＤと信号線５の位置関係がどの信号線対７に関しても同じになるので、インピーダンスなどの諸特性がどの信号線対７でも同じになる。 - 特許庁

Further, output circuits of the output buffers 20 and 21 are the same, have their power sources VDD and grounds GND made common, and are each equipped with a capacitor 24 which absorbs noise between the power source and ground.例文帳に追加

また、出力バッファ２０と出力バッファ２１とにおけるそれぞれの出力回路は、同一であって、互いの電源ＶＤＤ及びグランドＧＮＤが共通であるように構成され、電源及びグランド間にノイズを吸収するコンデンサ２４を備える。 - 特許庁

Accordingly, when the chip capacitor 37 is short-circuited and a large current of 1.5 A to 2.0 A flows between the Vcc and the GND, although fuming and ignition are produced instantaneously, because the wire 56 functions as a fuse, a reflection-type photosensor can prevent the ignition.例文帳に追加

こうすることによって、チップコンデンサ３７が短絡して上記Ｖcc‐ＧＮＤ間に１.５Ａ〜２.０Ａの大電流が流れた際に、ワイヤ５６がヒューズの機能を果たすため、瞬間的に発火・発煙は生ずるが、反射形フォトセンサが発火するのを防止できる。 - 特許庁

To provide an anti-static structure of a push-button switch device in an electronic equipment capable of effectively guiding discharge of static electricity directed toward a circuit board from a gap between a key top and a key-top retainer part to the grounding of the board, and securing an arrangement space other than the one for the GND on the circuit board.例文帳に追加

キートップとキートップ保持部との間隙から回路基板に向かう静電気の放電を効果的に基板のグランドに導き、かつＧＮＤ以外の配置スペースを回路基板上に確保できる、電子機器における押ボタンスイッチ装置の静電気対策構造を提供する。 - 特許庁

In this case, the D/A converting circuit 11 simultaneously turns on the switches connected to nodes where the difference voltage absolute value with the high potential power source VD in the first switch group 13 is equal to the difference voltage absolute value with the low potential power source GND in the second switch group 14.例文帳に追加

このとき、Ｄ／Ａ変換回路１１は、第１スイッチ群１３において高電位電源ＶＤとの差電圧絶対値と、第２スイッチ群１４において低電位電源ＧＮＤとの差電圧絶対値とが等しいノードにそれぞれ接続されたスイッチを同時にオンする。 - 特許庁

An FPC 20 has a flexible base material 21 fixed to the liquid crystal panel 10 and the wiring substrate 30, a common wire 231 to supply the common electric potential Vcom to the liquid crystal panel 10 and an earth wire 232 to supply the low potential side power supply electric potential Gnd to the liquid crystal panel 10.例文帳に追加

ＦＰＣ２０は、液晶パネル１０と配線基板３０とに固定された可撓性を有する基材２１と、コモン電位Ｖcomを液晶パネル１０に供給するためのコモン配線２３１と、低位側電源電位Ｇｎｄを液晶パネル１０に供給するための接地線２３２とを有する。 - 特許庁

After S13 to S15 are turned off and S12 is turned on, the switch S10 is turned on and the switches S0 to S7 are switched to the side of a reference voltage terminal 2 or ground terminal GND according to a conversion code n2 to perform redistribution of electric charges.例文帳に追加

続いて、Ｓ１３〜１５をオフ、Ｓ１２をオンにした後、スイッチＳ１０をオンするとともに変換コードｎ２に応じてスイッチＳ０〜Ｓ７を基準電圧端子２側またはグランド端子ＧＮＤ側に切り替えて電荷再分布を行う。 - 特許庁

Connection control parts 110, 120 are controlled by write control circuits 130, 135, connect one write current control line to power source voltage Vcc, while connect the other write current control line to ground voltage GND, in accordance with write data DIN.例文帳に追加

接続制御部１１０，１２０は、書込制御回路１３０，１３５により制御されて、書込データＤＩＮに応じて、一方の書込電流制御線を電源電圧Ｖｃｃと接続する一方で、他方の書込電流制御線を接地電圧ＧＮＤと接続する。 - 特許庁

To relieve the potential fluctuation of power sources and GNDs in the vicinity of a package which occurs in the case of a test at high frequencies at the time of testing an LSI with an extremely large number of input/output signals and power source and GND electrodes especially in the case of performing the test in a package state.例文帳に追加

ＬＳＩの入出力信号や、電源及びＧＮＤ電極が非常に多いＬＳＩをテストするに際し、特にパッケージの状態でテストする場合において、高周波でテストする場合に起こるパッケージの近傍での電源及びＧＮＤの電位変動を緩和する。 - 特許庁

Then a judging circuit 1015 checks the voltage level or continuity relation of a contactor 1016 of the connector and detects the contactor 1016 being connected to ground GND to judge that the cable for host connection is connected.例文帳に追加

すると、判断回路１０１５はコネクタの接触子１０１６の電圧レベルもしくは導通関係を調べ、この接触子１０１６がグランドＧＮＤと繋がっていることを検知し、これによりホスト接続用ケーブルが接続されたものと判断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for generating signal propagation delay without providing any delay element at a signal line side, and for easily forming an equivalent delay element on a chip or wiring board when a reference potential plane such as a GND plane faced to the neighborhood of the signal line exists.例文帳に追加

信号線の近くに対向するＧＮＤ平面などの参照電位平面が存在する場合、信号線側に遅延素子を設けずに信号伝搬遅延を生じさせ、等価的な遅延素子をチップや配線基板に容易に形成できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The collector of an NPN transistor Q2 is connected to the wire of a second power supply (Vcc 2), its base is connected to the emitter of transistor Q1, and its emitter is connected to the base of the transistor Q1 and the wire of a second reference voltage source (Gnd 2).例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタＱ２のコレクタを第２の電源（Ｖｃｃ２）線に接続し、それのベースを、トランジスタＱ１のエミッタに接続し、それのエミッタを、トランジスタＱ１のベースと第２の基準電圧源（Ｇｎｄ２）線に接続する。 - 特許庁

The bases of an output transistor Tr1 and a voltage reference transistor Tr2 are connected to each other, and the mutual emitters are connected to GND, and a resistor Rs is connected between the bases and emitters of the output transistor Tr1 and the voltage reference transistor Tr2.例文帳に追加

出力用トランジスタＴｒ１と電圧基準用トランジスタＴｒ２のベースが接続され、かつ互いのエミッタがＧＮＤに接続され、上記出力用トランジスタＴｒ１と電圧基準用トランジスタＴｒ２のベースとエミッタ間に抵抗Ｒｓが接続されている。 - 特許庁

A low-side driver circuit 16 includes a third transistor M3 and a second resistor R2 fitted in series between the power-supply line Lvdd and the gate for a low-side transistor ML, and a fourth transistor M4 fitted between the ground GND and the low-side transistor ML.例文帳に追加

ローサイドドライバ回路１６は、電源ラインＬｖｄｄとローサイドトランジスタＭＬのゲートの間に直列に設けられた第３トランジスタＭ３および第２抵抗Ｒ２と、接地ＧＮＤとローサイドトランジスタＭＬのゲートの間に設けられた第４トランジスタＭ４と、を含む。 - 特許庁

The filter includes a positive electrode side normal mode coil 26 arranged on the first positive electrode wire, a negative electrode side normal mode coil 27 arranged on the first negative electrode wire, and a common mode coil 28 arranged between the first positive electrode wire, the first negative electrode wire and the GND.例文帳に追加

フィルタは、第１正極配線に配置された正極側ノーマルモードコイル２６と、第１負極配線に配置された負極側ノーマルモードコイル２７と、第１正極配線及び第１負極配線とＧＮＤとの間に配置されたコモンモードコイル２８と、を含む。 - 特許庁

The threshold voltage source 22 includes a reference transistor M2 of the same type as the switching transistor M1 and having a first terminal to which a fixed voltage GND is applied, and a constant current source 26 for supplying a predetermined constant current Ic1 to the reference transistor M2.例文帳に追加

しきい値電圧源２２は、スイッチングトランジスタＭ１と同型であって、第１端子に固定電圧ＧＮＤが印加される基準トランジスタＭ２と、基準トランジスタＭ２に所定の定電流Ｉｃ１を供給する定電流源２６と、を含む。 - 特許庁

When a corona discharge is generated, there flow a discharge current Ih discharged from a discharging rod 2, a current It flowing from the discharging rod 2 to an opposing electrode 5, and a current Ic flowing from parasitic capacitance 77 to a ground line GND.例文帳に追加

コロナ放電が生じているときには、放電針２から放出される放電電流Ｉｈ、放電針２から対向電極５に向かう電流Ｉｔ、及び寄生容量７７にからグランドラインＧＮＤに向かう電流Ｉｃが流れる。 - 特許庁

A model judgement transparent electrode wiring 28 is provided between a power source wiring 26 connected to the COG-IC 23 and a GND wiring 27, and is considered as a resistance having different electric resistant values in accordance with the models of the liquid crystal display panels 20.例文帳に追加

ＣＯＧ−ＩＣ２３に接続される電源配線２６とＧＮＤ配線２７との間に介在し、液晶表示パネル２０の機種に応じて異なる電気抵抗値を有する抵抗体として、機種判別用透明電極配線２８を備える。 - 特許庁

When the H level signal is input from the potential difference detection circuit 9 to the gate terminal of the switching element 8, the switching element 8 is turned ON, and thus the potential of the gate terminal of the switching element 4 is fixed at a level close to GND.例文帳に追加

電位差検知回路９からスイッチング素子８のゲート端子にＨレベルの信号が入力されたとき、同スイッチング素子８がＯＮ作動し、これによりスイッチング素子４のゲート端子の電位がＧＮＤに近いレベルに固定される。 - 特許庁