「gnd」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

When data write is completed in a memory cell 11 and a reset signal RST is made 'H', control voltage MCD outputted from a write-in control circuit 30 is made ground voltage GND, and the discharge of electric charges on a drain line DL is started.例文帳に追加

メモリセル１１へのデータの書込みが終了して、リセット信号ＲＳＴが“Ｈ”になると、書込み制御回路３０から出力される制御電圧ＭＣＤが接地電圧ＧＮＤとなってドレイン線ＤＬ上の電荷の放電が開始される。 - 特許庁

In mode 3, the first clock CK is sustained at VDD, the second clock XCK' is changed from GND to a second high level (2VDD), the third switching element SW3 is turned on, and the first and second switching elements SW1 and SW2 are turned off.例文帳に追加

モード３において、第１のクロックＣＫをＶＤＤに維持し、第２のクロックＸＣＫ’をＧＮＤから第２の高レベル（２ＶＤＤ）に変化させると共に、第３のスイッチング素子ＳＷ３をオンし、第１及び第２のスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２をオフする。 - 特許庁

In this display device, a charge pump circuit 10 is arranged on an array substrate 101 and an output capacitance 15 to be connected between the output side of the circuit 10 and the ground (GND), and the input capacitance 16 of a clock input part are arranged at the outside of the substrate 101.例文帳に追加

チャージポンプ回路１０をアレイ基板１０１に配置するとともに、チャージポンプ回路１０の出力部とグランド（ＧＮＤ）との間に接続される出力側容量１５、並びにクロック入力部の入力側容量１６を、アレイ基板１０１の外に配置する。 - 特許庁

A blind via hole 30 connects conductor patterns formed on the surface/backside of the multilayer substrate 100 and a conductor pattern in the next layer, and made conductive to the back external connecting terminal or the ground pattern GND with a through-via hole 40.例文帳に追加

ブラインドビアホール３０は、積層基板１００の表裏面に設けられた導体パターンと、次層の導体パターンとの間を接続し、貫通ビアホール４０とともに、裏面の外部接続端子または接地用パターンＧＮＤに導通する。 - 特許庁

A capacitor 5 and a diode 6 are connected in parallel between the signal line 2 and a power source line 3 or between the signal line 2 and the GND line 4 to input resistances 7a and 7b respectively to both of the ends of a parallel circuit of the capacitor 5 and the diode 6.例文帳に追加

信号線２と電源ライン３間もしくは信号線２とＧＮＤライン４間に、コンデンサ５とダイオード６とを並列に接続し、コンデンサ５とダイオード６との列回路の両端に抵抗７ａ，７ｂをそれぞれ入力するようにしている。 - 特許庁

A P-channel thick gate TR P1 having a gate with a thickness to which a voltage from a power supply voltage VDD2 up to a ground level GND is applied is connected between a power supply 4 and a gate of the N-channel MOS TR N1.例文帳に追加

電源４とＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１のゲートとの間には、電源電位ＶＤＤ２から接地電位ＧＮＤまでの電圧を印加することができる厚さのゲートを有する高圧Ｐチャネル厚ゲートトランジスタＰ１が接続されている。 - 特許庁

To eliminate the problem such that a portable telephone cannot be made thin enough because a portable telephone set on which a whip antenna is mounted needs a projecting part on the housing and, meanwhile, a conventional portable telephone set including an antenna in the housing has to take the heights of the antenna and a GND face and the heights of components into consideration.例文帳に追加

ホイップアンテナを搭載したものは筐体に出っ張り部が必要で、一方、筐体内にアンテナを内蔵した従来の携帯電話機では、アンテナとＧＮＤ面との高さや部品の高さを考慮する必要があるため、薄型化が不十分である。 - 特許庁

When writing data in memory cells MC2, MC8, potentials of bit lines BL1, BL2 are brought into a writing potential VCCW and potentials of bit lines BL3, BL4 are brought into a grounding potential GND by a switch controlling circuit 30 and a feeding circuit SUO.例文帳に追加

メモリセルＭＣ２およびＭＣ８に対してデータを書込む場合、スイッチ制御回路３０および供給回路ＳＵ０により、ビット線ＢＬ１およびＢＬ２の電位が書込電位ＶＣＣＷになり、ビット線ＢＬ３およびＢＬ４の電位が接地電位ＧＮＤになる。 - 特許庁

The second communication devices are put on the human body nearby the road surface, and each has a second signal electrode (52) capacitively coupled to the human body and receiving or transmitting signals from and to the first communication device, and a second GND electrode (58) capacitively coupled to the first communication device through the ground.例文帳に追加

第２通信装置は、路面の近傍にて人体に装着されるとともに、人体と容量的に結合し、第１通信装置との間で信号の受信或いは送信が可能な第２信号電極(52)と、アースを介して第１通信装置と容量的に結合する第２ＧＮＤ電極(58)とを備える。 - 特許庁

A pixel electrode (9a), a TFT (30) for pixel switching connected to the pixel electrode, a scan line (3a), a data line (6a), etc, are provided on a TFT array substrate (10), and a TFT (801) having one end connected to GND wiring (810) is connected to the data line.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板（１０）上には、画素電極（９ａ）、これに接続された画素スイッチング用のＴＦＴ（３０）並びに走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）等が備えられており、データ線には更に、その一端がＧＮＤ配線（８１０）に接続されたＴＦＴ（８０１）が接続されている。 - 特許庁

The bit lines 13 make a pair, a sense amplifier and a pre-charge circuit 6 are connected to the mutual connection point of one end side of the bit lines 13 through a digit line 60, and a virtual GND and a pre-charge circuit 10 are connected to the other end side through the digit line 60.例文帳に追加

ビット線１３は対にされ、一端側にその相互接続点にデジット線６０を介してセンスアンプ及びプリチャージ回路６が接続されており、他端側にはデジット線６０を介して仮想ＧＮＤ及びプリチャージ回路１０が接続されている。 - 特許庁

Each source terminals of the PMOS 11, 13 is connected to a VDD, each source terminal of the NMOS 12, 14, is connected to a GND, and each of the drain terminals of the PMOS 11, 13 and of the NMOS 12, 14 is connected to an output terminal N1 of the output buffer circuit.例文帳に追加

ＰＭＯＳ１１，１３の各ソース端はＶＤＤに接続し、ＮＭＯＳ１２，１４の各ソース端はＧＮＤに接続し、ＰＭＯＳ１１，１３並びにＮＭＯＳ１２，１４の各ドレイン端は全て出力バッファ回路１の出力端Ｎ１に接続する。 - 特許庁

The transistors M1 and M2 have the form (source follower) in which the sources are connected to an output point P, are connected in series to VDD and GND between two power supply terminals, and perform the push-pull driving of the output point P in response to an output signal of the differential amplification circuit 11.例文帳に追加

トランジスタＭ１とＭ２は、出力点Ｐに互いのソースが接続される形態（ソースフォロア）で二つの電源供給端子間ＶＤＤとＧＮＤに直列接続されると共に、差動増幅回路１１の出力信号に応答して出力点Ｐをプッシュプル駆動する。 - 特許庁

At the rising of an output, a GND potential is applied to the source electrode of the NchFET 1b connected to an output terminal 4, and a VDH potential is applied to the gate electrode of the NchFET 1b, then, a gate-to-source voltage is set as VDH at an initial stage.例文帳に追加

出力の立ち上がり時には、出力端子４に接続するＮｃｈＦＥＴ１ｂのソース電極はＧＮＤ電位、ゲート電極にはＶＤＨが印加され、初期段階でゲート・ソース間の電圧をＶＤＨとすることができる。 - 特許庁

This circuit is composed of P-type MOS transistors P1-P3, N-type MOS transistors N1, N2 and N6, a diode D1 and resistors R1 and R2, and the fixed reference voltage Vref is obtained from given high potential side power source VDD and low potential side power source GND at an output terminal ref.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ３と、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２及びＮ６と、ダイオードＤ１と、抵抗素子Ｒ１及びＲ２と、から構成され、与えられた高電位側電源ＶＤＤ及び低電位側電源ＧＮＤから一定の基準電圧Ｖｒｅｆを出力端子ｒｅｆに得る。 - 特許庁

The A/D converter receives Vx by the GND terminal, receives a full charged voltage Vh of the the secondary battery 64 by the analog voltage input terminal IN, and may output the digital output value D as the ratio of the voltage ΔV from Vx to Vh relative to the range from Vx to Vref.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器は、ＧＮＤ端子にＶｘを受け、アナログ電圧入力端子ＩＮに二次電池６４の満充電電圧Ｖｈを受けて、ＶｘからＶｒｅｆまでの範囲に対するＶｘからＶｈまでの電圧ΔＶの比率としてのデジタル出力値Ｄを出力してもよい。 - 特許庁

The mirror driving circuit 100 includes: a calculation part 130 which calculates an offset-voltage and a control voltage; and a power source part 140, which applies the whole offset-voltage, applies an offset-voltage to the negative side (GND) of an MEMS mirror 110.例文帳に追加

本発明にかかるミラー駆動回路１００は、演算部１３０が、オフセット電圧および制御電圧を演算し、全体のオフセット電圧を印加する電源部１４０が、ＭＥＭＳミラー１１０のマイナス側（ＧＮＤ）にオフセット電圧を印加する。 - 特許庁

An insulating cap 202 which covers a power introduction terminal 104 electrically connected to an electrode supplied with an acceleration potential of ≥700 V for accelerating electrons emitted by an electron emitting element is covered with a conductor cover 205 which is connected to the GND of the display.例文帳に追加

電子放出素子が放出する電子を加速するため７００Ｖ以上の加速電位が供給される電極に電気的に接続された電源導入端子１０４を覆う絶縁キャップ２０２が、表示装置１のＧＮＤに接続された導体カバー２０５により周囲を覆われている。 - 特許庁

A pattern alternately repeating a lower hook having a voltage minimum phase as a GND and an upper hook having a voltage maximum phase as a power supply every 60° electric angle is represented by linear approximation to create a sine wave driving voltage thus supplying a sine wave current to the three-phase coil.例文帳に追加

電圧最小相をＧＮＤとした下側フックと電圧最大相を電源とした上側フックを電気角６０ deg毎に交互に繰り返したパターンとし、このパターンを直線近似で表現して正弦波状の駆動電圧を生成して正弦波状の電流を上記３相コイルに流す。 - 特許庁

In a reference power supply section 14, a series connection of resistances R1 and R2 divides a potential difference between the supply voltage VCC and the ground voltage GND by a predetermined dividing ratio (resistance ratio of the resistances R1 and R2) to produce a voltage as a reference voltage VREF1.例文帳に追加

基準電源部１４は抵抗Ｒ１及びＲ２の直列接続により、電源電圧ＶＣＣ，接地電圧ＧＮＤ間の電位差を所定の分圧比率（抵抗Ｒ１及びＲ２による抵抗比）で分圧して得られる電圧が基準電圧ＶＲＥＦ１として得られる。 - 特許庁

In a resistor plate 10 installed within a fuel tank, a resistor element 12, a first sensing conductor 13 as an IG (ignition) side conductor pattern, and a second sensing conductor 14 as a GND side conductor pattern are formed on a substrate 11 comprising an insulator.例文帳に追加

燃料タンク内に設置される抵抗板１０は、絶縁体からなる基板１１上に、抵抗体１２と、ＩＧ側導体パターンである第１の検知用導体１３と、ＧＮＤ側導体パターンである第２の検知用導体１４とが形成されている。 - 特許庁

A data write-in circuit 51 sets the other end of the bit line BL of the selection column and the other end of the current feedback wiring RL to power source voltage Vcc and ground voltage GND respectively in accordance with a level of write-in data DIN through data buses DBo, DBe and an inversion data bus/WDB.例文帳に追加

データ書込回路５１はデータバスＤＢｏ，ＤＢｅおよび反転データバス／ＷＤＢを介して、選択列のビット線ＢＬの他端および電流帰還配線ＲＬの他端を、書込データＤＩＮのレベルに応じて、電源電圧Ｖｃｃおよび接地電圧ＧＮＤの一方ずつに設定する。 - 特許庁

To provide an over-current protection circuit capable of sufficiently reducing the loss of a current-limiting transistor when a load is short-circuited to a GND side, without having to provide a shielding element between the load and the current-limiting transistor.例文帳に追加

負荷と電流制限トランジスタとの間に遮断用の素子を設けることなく、負荷がＧＮＤ側にショートしたときの電流制限トランジスタの損失を十分に低減することが可能な過電流保護回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this semiconductor device, discontinuous points such as an interval 11 or slit are arranged just under the signal line of reference potential planes 20 and 30 such as a GND plane isolated from a signal line 10 and faced to the signal line so that the discontinuous points(interval 11) can be added to the signal line as a delay element.例文帳に追加

信号線１０とは離れ且つこの信号線に対向するＧＮＤ平面などの参照電位平面２０、３０の信号線直下に間隙１１やスリットなどの不連続点を設けることにより、この不連続点（間隙１１）を遅延素子として信号線にこれを付加する。 - 特許庁

On the other hand, two LPFs 5, 6 are connected in parallel with an output of the class D amplifier 3 at a side of the virtual signal GND, an output of the LPF 5 is supplied to a ground side input terminal of the speaker 8, and an output of the LPF 6 is supplied to a ground side input terminal of the speaker 9.例文帳に追加

一方、仮想信号ＧＮＤ側のＤ級アンプ３の出力側に、２つのＬＰＦ５，６を並列に設け、ＬＰＦ５の出力をスピーカ８の接地側入力端に供給し、ＬＰＦ６の出力をスピーカ９の接地側入力端に供給する。 - 特許庁

In the substrate end side of the source driver IC 101, there are formed, from the outside along the current direction, a bump 24d for GND, a bump 34d for an analog power supply, a bump 25d for a digital power supply, a bump 22 for gradation voltage in a positive electrode, and a bump 26d for gradation voltage in a negative electrode.例文帳に追加

ソースドライバＩＣ１０１の基板端側には電流が流れる順番に外側からＧＮＤ用バンプ２４ｄ、アナログ電源用バンプ２３ｄ、デジタル電源用バンプ２５ｄ、正極性側の階調電圧用バンプ２２ｄ、負極性側の階調電圧用バンプ２６ｄが形成されている。 - 特許庁

The power source circuit is configured so as to supply a 1st input potential (VCC) of a high potential side as a Gth potential (V3), a 2nd input potential (GND) of a low potential side as a Jth potential (VC), and a 3rd input potential (Vee) as a 1st potential (VH) or an Nth potential (VL).例文帳に追加

高電位側の第１入力電位（ＶＣＣ）を第Ｇ電位（Ｖ３）として供給し、低電位側の第２入力電位（ＧＮＤ）を第Ｊ電位（ＶＣ）として供給し、第３入力電位（Ｖｅｅ）を第１電位（ＶＨ）又は第Ｎ電位（ＶＬ）のいずれかとして供給する。 - 特許庁

During a normal operation, a first control signal is set to a Low, a second control signal is set to a High, a memory cell section 100 is separated from a power supply section and a GND, an action nTFT (N2) is turned on, video signals are transmitted to a liquid crystal section 200 and dynamic video is displayed in full color.例文帳に追加

通常動作時は、第１制御信号をＬｏｗ、第２制御信号をＨｉｇｈとし、メモリセル部１００を電源部ＶＤ１，ＧＮＤから切り離して、動作ｎＴＦＴ（Ｎ２）をオン状態として映像信号を液晶部２００に伝えてフルカラーで動映像を具現する。 - 特許庁

On the other hand, the GND electrodes of the conductive sheet on the side of the socket on the back surface are connected to the conductive layer formed of conductive material which is brought into close contact with the surface of the conductive sheet to use the conductive sheet as capacitance and to suppress the potential fluctuation of power sources and GNDs at the time of a test.例文帳に追加

一方、裏面のソケット側は導電シートのＧＮＤ電極をシート面に密着させた導電性の材料による導電層で接続し、導電シートを容量として利用し、テスト時の電源、ＧＮＤの電位変動を押さえる。 - 特許庁

The interlocking switch 105 disconnects the power supply 121 and the motor drive part 124 and connects a power wiring R1 of a motor drive part 124-side in the disconnected power wirings R1 to GND, when the cover member 103 takes the open attitude.例文帳に追加

そして、インターロックスイッチ１０５は、カバー部材１０３が開姿勢を採る場合、電源１２１とモータ駆動部１２４との接続を切断すると共に、切断された電源配線Ｒ１のうちモータ駆動部１２４側の電源配線Ｒ１’をＧＮＤに接続する。 - 特許庁

While gradually increasing the widths of lines 104a, 104b, 105a and 105b of first and second groups of differential signal lines 104 and 105 to suppress attenuation in the lines, the opening widths of slits 104s and 105s formed in a GND layer 102 below the respective differential signal lines are similarly changed.例文帳に追加

第１、第２の組の差動信号配線１０４、１０５の各配線１０４ａ、１０４ｂ、１０５ａ、１０５ｂの配線幅を徐々に太くすることで、配線での減衰を抑えつつ、各差動信号配線の直下のＧＮＤ層１０２に形成するスリット１０４ｓ、１０５ｓの開口幅も同様に変化させる。 - 特許庁

An analog wiring 170 is arranged between the input and output block 110 and the analogue signal circuit block 120 or the like, and the unit capacity cells 10a in the capacity insertion area 160 are connected to an electric power source and wirings 171, 172 of a GND potential by veer conductors 173, 174.例文帳に追加

入出力ブロック１１０とアナログ信号回路ブロック１２０等との間にアナログ配線１７０を配置し、ビア導体１７３，１７４により容量挿入領域１６０の単位容量セル１０ａを電源，ＧＮＤ電位の配線１７１，１７２に接続する。 - 特許庁

In the combined sensor for detecting the angular velocity and the acceleration, respective one ends of a power supply connector terminal 74, a first output connector terminal 75, a second output connector terminal 76, a GND connector terminal 77 and a mounting column support 79, are inserted juxtaposed in a circuit board 65.例文帳に追加

本発明の角速度および加速度検出用複合センサは、電源コネクタ端子７４、第１の出力コネクタ端子７５、第２の出力コネクタ端子７６、ＧＮＤコネクタ端子７７および取付支柱７９における回路基板６５に挿入される一端側を並設したものである。 - 特許庁

Since heat generated from the power amplifier 130 for RF and propagated through the via 140 further propagates to the solid GND layer 104 quickly, rapid temperature change in the TCXO 120 is controlled by delaying propagation of heat to the TCXO 120, i.e. the component to be protected.例文帳に追加

当該ビア１４０を介してＲＦ用パワーアンプ１３０から発生して伝搬してきた熱が速やかにベタＧＮＤ層１０４に伝搬されるので、被保護部品であるＴＣＸＯ１２０への熱の伝搬を遅延させて、ＴＣＸＯ１２０における急激な温度変化を抑制する。 - 特許庁

The high-frequency unit (for example, an RF signal selection switch) has a ground wave input terminal 1, a CATV input terminal 2, an RF output terminal 3, a selection signal terminal Tsw, a power supply terminal Tcc, and a ground potential terminal GND as external terminals.例文帳に追加

高周波ユニット（例えばＲＦ信号選択スイッチ）は、地上波入力端子１、ＣＡＴＶ入力端子２、ＲＦ出力端子３、選択信号端子Ｔｓｗ、電源端子Ｔｃｃ、接地電位端子ＧＮＤを外部端子として備えている。 - 特許庁

The wiring resistance of V_DD wiring 40 from a pad 32 or that of GND wiring 42 from a pad 34 is configured to be minimum for a CMOS inverter 60 of the output stage whose drive current is maximum among CMOS inverters 50-62 provided at an inverter buffer circuit 30 of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

インバータバッファ回路３０に設けられるＣＭＯＳインバータ５０〜６２のうち、駆動電流が最大である出力段のＣＭＯＳインバータ６０について、パッド３２からのＶ_ＤＤ配線４０の配線抵抗、又はパッド３４からのＧＮＤ配線４２の配線抵抗を最小に構成する。 - 特許庁

The electromagnetic wave noise from the linear light source 11 can be absorbed and harmful effect to the liquid crystal panel 101 by the electromagnetic wave noise can be reduced by forming the light quantity suppressing member 21 by using a conductive material and grounding the light quantity suppressing member 21 to a GND.例文帳に追加

また、光量抑制部材１３を導電性材料を用いて作製し、ＧＮＤと接続することによって、線状光源１１からの電磁波ノイズを吸収して液晶パネ１０１ルに電磁波ノイズが与える悪影響を緩和することができる。 - 特許庁

When the input voltage VI exceeds a power source voltage VCC to get higher than a prescribed voltage set by the threshold voltage VT, a voltage of a node NA is increased suddenly from a grounding voltage GND, and an output siganl VO of an output part 20 changes from a level 'L' to a level 'H'.例文帳に追加

入力電圧ＶＩが電源電圧ＶＣＣを越え、閾値電圧ＶＴ等で設定された所定の電圧よりも高くなると、ノードＮＡの電圧は接地電圧ＧＮＤから急激の上昇し、出力部２０の出力信号ＶＯはレベル“Ｌ”から“Ｈ”に変化する。 - 特許庁

A burn-in device 1 sets an electric power source and a GND at 0 V, a control signal-1 (IN1 terminal) at 5 V, and a control signal-2 (IN2 terminal) at 0 V respectively, in a pretest before a burn-in test, to be output to a burn-in substrate 2, and monitors a monitor output (Monitor terminal).例文帳に追加

バーンイン試験行う前のプリテストにおいて、バーンイン装置１は電源及びＧＮＤを０Ｖ、制御信号１（ＩＮ１端子）を５Ｖ、制御信号２（ＩＮ２端子）を０Ｖに設定してバーンイン基板２に出力し、モニター出力（Ｍｏｎｉｔｏｒ端子）を監視する。 - 特許庁

Then, if it is further pushed down, connection between the contact spring 2 and the GND spring is cut off, and furthermore, if the counterpart electrode 8 is engaged with this device, since it is connected to the internal circuit through the contact 7, the contact spring 2, a hot terminal 4, and a hot pattern 9, no electrostatic breakdown is caused.例文帳に追加

そして、さらに押下すると接点バネ２とＧＮＤバネの接続が断たれ、さらに嵌合すると相手側電極８と内部回路が接点７、接点バネ２、ホット端子４及びホットパターン９を通して接続されるので、静電破壊は発生しない。 - 特許庁

In the multilayer substrate 100, the region where the heating component, i.e. a power amplifier 130 for RF, is arranged and the region where the component to be protected, i.e. the TCXO 120, is arranged are isolated by a trench in a layer other than a solid GND layer 104, and many vias are provided between the power amplifier 130 for RF and the TCXO 120.例文帳に追加

多層基板１００において発熱部品であるＲＦ用パワーアンプ１３０と被保護部品であるＴＣＸＯ１２０とが配される領域をベタＧＮＤ層１０４以外の層でその領域を溝で隔て、ＲＦ用パワーアンプ１３０とＴＣＸＯ１２０間に多数のビアを設ける。 - 特許庁

A GND terminal of the storage medium structure 100 is brought into contact with the discharging means 60 before the storage medium structure 100 is inserted into a connector 32 of the video recording/reproducing device so that the static electricity of a casing of the storage medium structure 100 is connected to an earth 70G of the video recording/reproducing device.例文帳に追加

そして、録画再生装置のコネクタ３２に記憶媒体構成体１００が挿入される前に、記憶媒体構成体１００のＧＮＤ端子と除電手段６０とを接触させ、記憶媒体構成体１００の筐体の静電気を録画再生装置のアース７０Ｇと接続させる。 - 特許庁

Load resistors R1 and R2 of current switch parts (10 and 20) are directly connected to the GND and when a DC gain is defined as Gv (dc), the threshold voltage of a constitutive transistor is defined as Vth and a minimum logic amplitude is defined as Vgst, the inequality of 'Gv(dc)≥1-2Vth/Vgst' is set.例文帳に追加

電流スイッチ部（１０と２０）の負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２をＧＮＤに直接接続すると共に、ＤＣ利得をＧv(dc)、構成トランジスタのしきい値電圧をＶth、最小論理振幅をＶgstとするとき、「Ｇv(dc)≧１−２Ｖth／Ｖgst」に設定する。 - 特許庁

The device has a configuration such that a ground line is formed for supplying the grounding voltage GND to a metal wiring layer 206 of a third layer (3M) of the upper layer of metal wiring layers 207, 208 so as to be electrically connected to the metal wiring layers 204, 209 of the second layer (2M), respectively via contact holes 215 and 216.例文帳に追加

金属配線層２０７，２０８の上層の第３層（３Ｍ）の金属配線層２０６に接地電圧ＧＮＤを供給する接地線を形成し、コンタクトホール２１５および２１６をそれぞれ介して第２層（２Ｍ）の金属配線層２０４，２０９と電気的に結合した構造となっている。 - 特許庁

A protection frame 2 in a shape covering a display element 1 put in a case 4 is made of a conductive material and provided with a spring type terminal 3 and when the protection frame is fitted to the case, the spring type terminal 3 of the protection frame is connected to a GND terminal 8 provided on a circuit board 7.例文帳に追加

ケース４に収められた表示素子１を覆う形状の保護枠２を導電性材料で形成し、この保護枠にばね状端子３を設け、ケースに取り付けた際、保護枠のばね状端子３が回路基板７上に設けたＧＮＤ端子８と接続する構成とした。 - 特許庁