「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the limit in utilization in an ultimate environment caused by brittleness of the strength of an interface between a diamond surface and a metal piece and of the metal piece itself in a high temperature or in chemicals.例文帳に追加

ダイヤモンド表面と金属片との界面の強度、金属片自身の高温ないし薬品中での脆弱性による極限環境での利用の制限を改善する。 - 特許庁

The cutting process (S2) is to obtain the substrate by cutting the laminated body in a direction crossing the extending direction of an interface between the first conduction type layer and the second conduction type layer.例文帳に追加

切断工程（Ｓ２）とは、積層体を、第１導電型層と第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る工程である。 - 特許庁

Then, using radiation which penetrates the guide board (generally laser radiation), an interface between the removable layer 37 and the guide board 35 is melted and removed, so that the guide board 35 is cut off.例文帳に追加

次いで、ガイド基板を透過する放射（一般的にレーザ放射）を使用して、除去可能な層３７とガイド基板３５との間の界面を融除し、それによってガイド基板３５を切り離す。 - 特許庁

To instruct start of print by judging timing at which the fastest print speed is obtained from transfer rate and image data quantity of an interface which connects between a host computer and a printer.例文帳に追加

ホストコンピュータとプリンタの間を接続しているインタフェースの転送速度と画像データ量とから、最も速い印刷速度が得られるタイミングを判断して印刷開始の指示を行う。 - 特許庁

As a result, microarcing between the pedestal 31 and the insert ring 33 is obstructed even if a gap exists on the junction interface, and chipping and generation of particles which is to be caused by the chipping are prevented.例文帳に追加

これにより、接合界面に間隙があっても、ペデスタル３１とインサートリング３３との間におけるマイクロアーキングが阻止され、チッピング、それに伴なうパーティクルの発生が防止される。 - 特許庁

In an interface device between each of the Ethernet(R) and the autonomous distributed network, the conversion of the data to autonomous distributed network frames is executed and the data are sent out to the autonomous distributed network (ST3 and ST4).例文帳に追加

各イーサネットと自律分散ネットワーク間のインタフェース装置では、データの自律分散ネットワークフレームへの変換を実施し自律分散ネットワークにデータを送出する(ＳＴ３・４)。 - 特許庁

To provide a top-emission organic electroluminescent element wherein a galvanic corrosion phenomenon generated in an interface between a transparent electrode material and a metal material is suppressed, and to provide a manufacturing method for this.例文帳に追加

透明電極物質と金属物質間の界面で発生するガルバニ腐蝕現象が抑制された前面発光有機電界発光素子及びこれの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since particles are included in the layer 4', the total reflection on the interface between the layer 4' and the layer 3 is also reduced to improve the light taking-out efficiency.例文帳に追加

低屈折率層４’に粒子を含有させているので、低屈折率層４’と透明電極層３との界面での全反射も減少し、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

When the crucible 1 and the crucible shaft 9 move in the vertical direction, the position of a growing interface varies which is the boundary face between the melt 13 of a raw material and the crystal 15 of the raw material.例文帳に追加

坩堝１、及び坩堝軸９の垂直方向への移動によって、原料の融液１３と、原料の結晶１５との境界面である成長界面の位置が可変する。 - 特許庁

Consequently, the organic EL layer 10 has functions of reducing total reflection of the light at the interface between the capping layer 17 and the negative electrode layer 16, and heightening a light take-out efficiency.例文帳に追加

したがって、本発明における有機ＥＬ素子１０は、キャッピング層１７と陰極層１６との界面で全反射する光を低減し、光の取り出し効率を高める機能を有する。 - 特許庁

To realize a proper exchange between an information exhibition means using a screen of video output equipment and a support center when trouble occurs in equipment short of user interface ability.例文帳に追加

ユーザインターフェース能力の乏しい機器の不具合発生時に、映像出力機器の画面を利用させた情報提示手段とサポートセンターとの的確なやり取りを実現することを目的とする。 - 特許庁

The surface of the sample is rubbed with a copper wire before the analysis so that, in a figure, a peak is shown in the distribution of copper caused by segregation to the interface between a polycrystal silicon film and a silicon dioxide film.例文帳に追加

図には、分析前に試料表面を銅線で擦っておいたため、銅の分布に多結晶シリコン膜と二酸化シリコン膜界面への偏析に起因するピークが現れる。 - 特許庁

To provide an information recording medium which attains compatibility between high linear speed rewriting and high signal reliability by providing a crystallization promoting material to an interface layer in contact with a recording layer.例文帳に追加

記録層と接する界面層に結晶化能を促進する材料を提供し、高線速度での書換えと高信号信頼性を両立した情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

An intermediate material layer 28 generating a bonding strength is formed at an interface 27 between a first substrate 11 and a second substrate 12, and a plurality of metal elements are included in this intermediate material layer.例文帳に追加

第１基板１１と第２基板１２との界面２７には、接合強度を生起する中間材層２８が形成され、この中間材層に複数の金属元素が内在している。 - 特許庁

To solve the following problem: a reflow process is generally used in a mounting process by mounting an IC to a leadframe, wire bonding and mold encapsulating the same and mounting the same to a substrate, package cracks are generated at an interface between the leadframe and a molded resin caused by vaporization of water included in the package by heat.例文帳に追加

リードフレームにＩＣを搭載し、ワイヤーボンディングした後にモールド封止されて基板に実装される実装工程においては一般的にリフロー方式が用いられる。 - 特許庁

Impurity density setting regions in both of the N-type clad layer 4 and the P-type clad layer 2 are set to be the regions having a width of 3 μm or less from the interface between a P-type active layer 3 and the N-type clad layer 4/the P-type clad layer 2.例文帳に追加

また、不純物密度の設定領域を、Ｎ型クラッド層４、Ｐ型クラッド層２共にＰ型活性層３との界面から３μｍ以内の幅の領域とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device operating stably without generating peeling on an interface between an Al film and a ground insulating material in an Al wiring structure using Al as the main composition material.例文帳に追加

Ａｌを主構成材料とするＡｌ配線構造において、Ａｌ膜と下地絶縁材料との界面で剥離が生じることがなく、安定に動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The slide member is improved in the seizing resistance in a manner that the surface roughness R_max prior to the sliding in an interface surface between the sulfide-based solid lubricating film and a metal member is made to be 1 μm or more.例文帳に追加

摺動前における硫化物系固体潤滑膜と金属部材の界面の表面粗さＲｍａｘ を１μｍ以上として耐焼付き性を向上させる。 - 特許庁

The porous heat-resistant resin layer 2 includes arch portions 2a straddling pores 1p of the porous film 1 exposed at an interface IF between the porous heat-resistant resin layer 2 and the porous film 1.例文帳に追加

多孔質耐熱樹脂層２は、多孔質耐熱樹脂層２と多孔質フィルム１との界面ＩＦ上に露出する多孔質フィルム１の細孔１ｐをまたぐアーチ部２ａを有する。 - 特許庁

The gateway apparatus 105 stores a group of logical path numbers between an interface name with an upstream network, corresponding to an address block transmitted from the upstream network and a terminal 107.例文帳に追加

ゲートウェイ機器１０５は、上流ネットワークから伝達されたアドレスブロックに対応する上流ネットワークとのインターフェース名と端末１０７との論理通信路番号の組を保持する。 - 特許庁

The medical device is characterized by that at least the two liquids are flowed through fine flow channel and the movement of the substance in the liquid is accompanied in the laminar flow interface between flowing liquids.例文帳に追加

少なくとも２以上の液体を微小流路に送流し、送流した液体間の層流界面において、液体中の物質の移動を伴うことを特徴とする医療用デバイス。 - 特許庁

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁

The switching circuitry 215 can be operative to determine an interface orientation between the headset connector contact regions 211, 212, 213 and the headset engaging contact regions 221, 222, 223.例文帳に追加

スイッチング回路２１５は、ヘッドセットコネクター接続領域２１１，２１２，２１３とヘッドセット係合接続領域２２１、２２２、２２３との間のインターフェース方向を特定するように機能する。 - 特許庁

The shape of the interface S between the conductive liquid 40 and the insulating liquid 42 is deformed by electrowetting phenomenon, thereby varying the focal point distance of the liquid lens 14.例文帳に追加

導電性液体４０と絶縁性液体４２との界面Ｓの形状が、エレクトロウエッティング現象により変形することによって、液体レンズ１４の焦点距離が変化する。 - 特許庁

The interface unit includes a processor that operates as a state machine and a buffer output memory unit for buffering a data group between the processor and the direct memory access unit of the data processing units.例文帳に追加

インターフェース・ユニットは、状態機械として作用するプロセッサと、このプロセッサとデータ処理ユニットの直接メモリ・アクセス・ユニットとの間でデータ群をバッファするバッファ出力メモリ・ユニットとを含む。 - 特許庁

The semiconductor substrate is formed by bonding a plurality of counterpart semiconductor substrates (10, 12) together, and a nitride film or an oxynitride film (11) is formed at the bonded interface between them.例文帳に追加

半導体基板は、複数の半導体基板(10,12)同士を互いに張り合わせて形成した半導体基板であって、張り合わせ界面に、窒化膜或いは酸窒化膜(11)が形成されている。 - 特許庁

To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.例文帳に追加

処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.例文帳に追加

イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

A computer system (11) has redundant I/O interface modules (21 and 23) for managing communication between an embedded computer system and an external system (13) like a network or a multiport disk array.例文帳に追加

コンピュータシステム(11)は、組み込みコンピュータシステムと、ネットワークか又はマルチポートディスクアレイのような外部システム(13)との間の通信を管理するための冗長Ｉ／Ｏインターフェースモジュール(21及び23)を有する。 - 特許庁

The cup-like body 10A has a projecting section for holding a large amount of the cement C of cement armoring in a peripheral interface location between the liner 11 and the body 10A.例文帳に追加

カップ状本体１０Ａは、セメント外装の大量のセメントＣをライナー１１と本体１０Ａとの間の周辺界面位置で保持するための突出部を周辺に有している。 - 特許庁

In the metal layer 6 that is the lowest layer, its end part is pressed by the second insulation layer 8, thus preventing external force from being applied to the interface between the metal layer 6 and the insulation film 4.例文帳に追加

最下層の金属層６は、その縁部を第２絶縁層８によって押さえこまれており、外部からの力が金属層６と絶縁膜４との界面に直にかからない。 - 特許庁

Each of the plurality of memory layers is coupled to a multiplexing/demultiplexing circuit (24), the circuit (24) further reduces the number of required connections between the memory module and an interface and a control circuit (14).例文帳に追加

複数のメモリ層の各々は、多重化／逆多重化回路(24)に結合され、その回路(24)がメモリモジュールとインターフェース及び制御回路(14)との間の必要な接続の数を更に低減する。 - 特許庁

To provide a standardization interface between a back-bone structural body of a spacecraft and a large number of spacecraft modules to be mechanically, electrically and optically connected to the back-bone structural body.例文帳に追加

宇宙船バックボーン構造（４８）とバックボーン構造体に機械的、電気的および光学的に接続される多数の宇宙船モジュール（２６）との間に標準化インタフェースを設ける。 - 特許庁

To make it possible to substantially reduce interface defects between a semiconductor substrate and an insulating film by means of heat treatment for obtaining excellent reliability as a device.例文帳に追加

熱処理により半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができるようにする。 - 特許庁

It employs a vapor deposition layer of a fluoride and/or acetate, has higher stability than a conventional device, and reduces the energy-potential loss an the interface between layers.例文帳に追加

フッ化物及び／又は酢酸塩からなる蒸着層を採用することで、従来のデバイスより高い安定性を有し、層間界面上におけるエネルギーポテンシャルのロスを低減できる。 - 特許庁

To prevent an image displayed on a light emitting device from being seen distorted by total reflection or refraction on the interface between a substrate and air of light emitted from a light-emitting element.例文帳に追加

発光素子から発せられた光が、基板と空気との界面において全反射又は屈折することにより、発光装置に表示される画像が歪んで見えてしまうことを防止する。 - 特許庁

A matrix structure made of the active material and the solid electrolyte is formed inside the electrode layer, and the interface resistance between the electrode layer and the electrolyte layer is reduced to realize enlargement of the battery capacity.例文帳に追加

電極層内に活物質と固体電解質からなるマトリックス構造が形成され、電極層と電解質層間の界面抵抗が低減され、電池の大容量化が実現できた。 - 特許庁

The cartridge picker 102 rotates to exchange the tape cartridges 106 between one of the tape drive 101, the magazines 103, 104, and/or the single tape cartridge interface 107.例文帳に追加

カートリッジピッカ１０２は、テープドライブ１０１の内１つ、マガジン１０３と１０４および／または単テープカートリッジインターフェース１０７間でテープカートリッジ１０６を交換するように回転する。 - 特許庁

To achieve smooth and effective cooperation between a portable terminal and a user interface of a signage by using identification information in radio waves transmitted from the portable terminal and a change in display of the portable terminal.例文帳に追加

携帯端末の発信電波中の識別情報と、携帯端末の表示の変化を利用して、携帯端末とサイネージのユーザインタフェースを円滑かつ効果的に連携させる。 - 特許庁

To provide a functional molecular element having a novel structure which can reduce contact resistance in the interface between a constituent molecule and electrodes, and also to provide its manufacturing method and a functional molecular device.例文帳に追加

構成分子と電極との界面での接触抵抗を低減できる新規な構造をもつ機能性分子素子及びその製造方法、並びに機能性分子装置を提供すること。 - 特許庁

The common server 30 is provided with a common server application 31 and a purchase history information database 32 and a communication interface 33 for communicating between the portable terminals 1 and 10.例文帳に追加

共通サーバ３０は、共通サーバアプリケーション３１と、購買履歴情報データベース３２と、携帯端末１、１０との間における通信を行う通信インターフェイス３３と、を有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film capacitor of high leakage characteristic by suppressing local concentration of the electric field on the interface between an upper electrode and a high permittivity oxide film.例文帳に追加

上部電極と高誘電率酸化膜との界面の局所的な電界集中を抑制し、良好なリーク特性を有する薄膜キャパシタを製造する方法を提供する - 特許庁

To provide a production method by which multilayer-structured particles having a monodisperse particle size distribution and high smoothness of the interface between layers are easily synthesized with high productivity.例文帳に追加

本発明の課題は、粒径分布が単分散で、層の界面の平滑性が高い多層構造粒子を、生産性高く、かつ簡便に合成する製造方法を提供することである。 - 特許庁

The nitrogen concentration in a range of 10 nm from an interface between a polycrystalline silicon film 2 and an SiO2 gate insulating film 5 is made higher than the nitrogen concentration in other parts of the SiO2 gate insulating film 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２とＳｉＯ_2 ゲート絶縁膜５の界面から１０ｎｍの範囲における窒素濃度を、ＳｉＯ_2 ゲート絶縁膜５の他の部分の窒素濃度より高くする。 - 特許庁