「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

Each radio base station receives these signals with a pilot channel transmitter 24 and a control channel transceiver 23 via an interface 21, and a controller 25 raises the transmission power level of the pilot channel and an allowable phase difference upper limit between the pilot channel and the access channel enough to enable the call originating and terminating at a mobile station 50 located in a more remote place than usual.例文帳に追加

各無線基地局では、これらの信号をインタフェース部２１、制御部２５を通して、パイロットチャネル送信部２４及び制御チャネル送受信部２３で受信し、パイロットチャネルの送信電力レベルを大きくすると共に、パイロットチャネル及びアクセスチャネル間の許容位相差上限値を大きくし、通常時より遠方地点までの移動局５０に対し発着信を可能とする。 - 特許庁

This inertia measurement unit 10 comprises a first subassembly having one or more inertia sensors, a second subassembly having support electronics for one or more inertial sensors, and at least one pair of hinged connectors 24, shaped so as to provide an interface between the first subassembly and the second subassembly.例文帳に追加

慣性測定ユニット（１０）が記載され、このユニットは、１又はそれ以上の慣性センサを備えた第１の副組立体と、１又はそれ以上の慣性センサのための支持電子機器を備えた第２の副組立体と、第１の副組立体と第２の副組立体との間のインターフェイスを提供するように形状づけられた少なくとも一対の番い合うコネクタ（２４）と、を有する。 - 特許庁

An electrostatic attraction system is designed to apply voltage to electrodes 103a and 103b to generate surface polarization by the applied voltage on the surface 104a of a high-resistance material 104 as an object to be handled, thereby generating electrostatic suction force on an interface between the object 104 and an electrode surface 102a for attracting the object 104.例文帳に追加

電極１０３ａ、１０３ｂに電圧を印加させ、印加電圧によりハンドリング対象物としての高抵抗体１０４の表面１０４ａに表面分極を発生させることによりハンドリング対象物１０４と電極面１０２ａとの界面に静電気吸引力を発生させてハンドリング対象物１０４を吸着する静電吸着システムである。 - 特許庁

To provide prepreg achieving a fishing rod tip having excellent molding operability, and hardly breaking during large deformation without limiting composing elements and a method for molding by ensuring adhesiveness of the interface between carbon fibers and a matrix resin, ensuring sufficient elongation of the matrix resin, improving the handleability of thin-gage prepreg, and ensuring the grade of a molded product.例文帳に追加

炭素繊維とマトリックス樹脂界面の接着性確保、マトリックス樹脂の十分な伸度確保、薄物プリプレグの取り扱い性改善および成型品の品位確保により、構成要素や成型法を限定することなく、成型作業性に優れ、大変形時に折損しにくい釣竿穂先竿を実現できるような物性を有する釣竿穂先用途プリプレグを提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a method for casting and molding a fiber-reinforced thermoplastic resin, capable of being applied to production of a molded product in every kind of shape, including a large-sized or complicatedly-shaped molded product, capable of controlling formation of voids to an enough level at an interface between a thermoplastic resin and a reinforcing fiber, and capable of molding the resin without requiring high temperature/high pressure.例文帳に追加

大型或いは複雑な形状の成形物を含む種々の形状の成形物の製造に適用可能であり、熱可塑性樹脂と強化用繊維との界面におけるボイドの発生を充分なレベルまで抑制することが可能で、かつ、高温・高圧力を必要とせずに成形が可能な、繊維強化熱可塑性樹脂の注入成形方法を提供する。 - 特許庁

The electrode rod 14 base end side 16 in a sealing portion 13 has a small cross-sectional area, and a residual compression distortion layer 19 which is formed in a wide area along the electrode rod surface of quartz glass layer of the sealing portion 13 absorbs the thermal stress caused on an interface between the electrode rod 14 and quarts glass layer, and suppresses the occurrence of cracks in the sealing portion 13.例文帳に追加

封着部１３内の電極棒基端側１６は、その横断面積が小さく、封着部１３の石英ガラス層の電極棒表面に沿って広範囲に形成された残留圧縮歪層１９が、アークチューブの点消灯で電極棒１４と石英ガラス層の界面に発生する熱応力を吸収し、封着部１３でのクラックの発生を抑制する。 - 特許庁

The printer comprises a print engine, a mechanical control unit, and a control unit wherein a unit having a function as an interface unit between a host computer and the mechanical control unit (a function through which a service man or the like can input an arbitrary command to the mechanical control unit by operating the host computer; steps S104-S107) is employed as the control unit.例文帳に追加

印刷エンジン、メカニカルコントロールユニット及びコントロールユニットを備えた印刷装置を、コントロールユニットとして、ホストコンピュータとメカニカルコントロールユニットとの間のインタフェースユニットとしての機能（サービスマン等が、ホストコンピュータを操作することによりメカニカルコントロールユニットに対して、任意のコマンドを入力できる機能：ステップＳ１０４〜Ｓ１０７）を有するユニットを採用した装置としておく。 - 特許庁

To provide methods for producing a copolymerized polyethylene terephthalate and a copolymerized polyethylene terephthalate film in which inactive particles are uniformly dispersed without including crude particles in a copolymerized polyethylene terephthalate resin and voids generating on the interface between the copolymerized polyethylene terephthalate and inactive particles are slight and to provide the copolymerized polyethylene terephthalate film excellent in surface smoothness by using these production methods.例文帳に追加

共重合ポリエチレンテレフタレート樹脂中に粗大粒子を存在させることなく不活性粒子を均一に分散させ、共重合ポリエチレンテレフタレート樹脂と不活性粒子との界面に発生するボイドの少ない共重合ポリエチレンテレフタレート樹脂組成物および共重合ポリエチレンテレフタレートフィルムの製造方法を提供し、これらの製造方法を用いて、表面平滑性に優れた共重合ポリエチレンテレフタレートフィルムを提供する。 - 特許庁

This method is executed by pouring the solid supplying material together with carrier gas into a fused bath through one or more of lances/ tuyeres 11 extended downward to generate gas stream from the fused bath at least at 0.30 Nm3/s/m2 flow rate in the interface between a metal layer 15 and a slag layer 16 of the fused bath (under static condition).例文帳に追加

この方法は、固体の供給材料を、担体ガスと共に、溶融浴に、１つまたはそれより多くの下方に延びているランス／羽口（１１）を通して溶融浴に注入し、（静止条件下）溶融浴の金属層（１５）とスラグ層（１６）との間の界面において、少なくとも０．３０Ｎｍ^3／ｓ／ｍ^2の流量において、溶融浴からガス流を生じさせることを含む、溶融浴に基づいた方法である。 - 特許庁

The branching filter is provided with an input electrode, an output electrode and a ground electrode which are disposed on one main surface; a planar electrode which is disposed on an interface between substrates, includes an omission region corresponding to the output electrode, and is electrically connected to the ground electrode; and a filter circuit for transmitting a high-frequency signal higher than a predetermined frequency inputted from the input electrode to the output electrode.例文帳に追加

分波器が、一主面上に配置される、入力電極、出力電極、および接地電極と、基板間界面に配置され、出力電極に対応する欠落領域を含み、かつ接地電極に電気的に接続される平板電極と、入力電極から入力された所定の周波数より高い高周波信号を出力電極に伝達するフィルタ回路と、を備える。 - 特許庁

To provide a catalyst specifying method capable of obtaining an EPMA analyzing result of high precision without mapping a ghost signal while permitting the presence of an interface of low intensity between a catalyst coating layer capable of serving as the starting point of cracks with respect to the irradiation with an electron beam of high intensity and an embedded resin layer when EPMA analysis is executed under the conditions while the concentration of a catalyst is extremely low.例文帳に追加

触媒濃度の極めて低い条件下においてＥＰＭＡ分析を実施するに際し、高強度の電子線の照射に対して亀裂の起点となり得る触媒コート層と包埋樹脂層の間の低強度な界面の存在を許容しながら、ゴースト信号がマッピングされることのない、高精度のＥＰＭＡ分析結果を得ることのできる触媒特定方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming the gel separation medium configured to fill the container 3 for forming the gel with the two gel precursor solutions different in composition while forming the interface between two gels horizontally, the container 3 is filled with the first gel precursor solution and a solvent having a boiling point lower than that of the solvent constituting the gel precursor solutions is subsequently superposed before filling the container with the two gel precursor solutions.例文帳に追加

ゲルを形成するための容器３に、異なる組成を持つ二種類のゲル前駆溶液を充填し、二つのゲル間の界面を水平に形成するゲル分離媒体の形成法であって、一種類目のゲル前駆溶液を該容器３に充填した後に、ゲル前駆溶液を構成する溶媒よりも低い沸点を有する溶媒を重層したのち、二種類目のゲル前駆溶液を充填するゲル分離媒体の形成法。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁

In the insulating film structure formed with, on a substrate 1 of a wideband gap semiconductor material, an insulating film 4 using a silicon dioxide film ≥90% at a composition ratio as a matrix, and mainly formed of nitrogen ≤10% includes a transition region where a silicon composition ratio and a carbon composition ratio rapidly change in the vicinity of an interface between the insulating film 4 and the wideband gap semiconductor material substrate 1.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体材料の基板１上に、組成比で９０％以上の二酸化珪素膜を母体とし且つ１０％以下の窒素で主に構成される絶縁膜４を形成した絶縁膜構造体であって、絶縁膜４とワイドバンドギャップ半導体材料基板１との界面近傍において、珪素組成比、及び、炭素組成比が急激に変化する遷移領域を有する。 - 特許庁

The application has information for identifying an API to be used, and the firmware of the image forming apparatus has a list of APIs which can be provided, interface information of the APIs, and information of alternative APIs when API mismatch, wherein the problem is solved by modifying the application so that the alternative API is called upon occurrence of mismatch between the API used by the application and the API to be provided.例文帳に追加

アプリケーションは、使用するＡＰＩを同定する情報を有し、画像形成装置のファームウェアは、提供可能なＡＰＩの一覧と当該ＡＰＩのインタフェース情報及びＡＰＩ不整合時の代替ＡＰＩ情報を有し、アプリケーションが使用するＡＰＩと提供するＡＰＩの間で不整合が生じると、前記代替ＡＰＩが呼ばれるようにアプリケーションを改変する方法によって課題を解決した。 - 特許庁

To provide an aluminum-ceramic joined substrate capable of suppressing generation of minute joining defects (voids) at an interface between a metal member and a ceramic substrate when joining the metal member formed of aluminum or aluminum alloy to the ceramic substrate in a melt joining method and capable of easily removing a step caused at a surface of a metal plate when the metal member is the metal plate, and also to provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

溶湯接合法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材をセラミックス基板に接合する際に、金属部材とセラミックス基板との界面に微小な接合欠陥（ボイド）が生じるのを抑制することができるとともに、金属部材が金属板の場合に金属板の表面に生じる段差を容易に除去することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 - 特許庁

To obtain a hexagonal boron nitride sintered compact sufficiently densified by addition of a sintering aid in an amount so as not to deteriorate characteristics of hexagonal boron nitride essentially possessed and without forming excessively strong bonding between the interface of hexagonal boron nitride and an added material even at high temperatures.例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素をマトリックスとする焼結体において、六方晶窒化ホウ素が本来備える特性を阻害しない範囲の量を添加するだけで前記焼結体を充分に緻密化でき、更に高温でも六方晶窒化ホウ素のマトリックスと添加された材料との界面で過度に強固な結合を生じさせない焼結助剤を用いる六方晶窒化ホウ素焼結体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a photocatalyst composition capable of obtaining a photocatalyst body and a functional composite with excellent durability having a surface exhibiting controlling ability of wetting property (hydrophilic property, hydrophobic property) of water and/or photocatalytic activity by irradiation of light for a long period of time without generating deterioration of an interface between an organic base material and the photocatalyst body and deterioration of the photocatalyst body itself without requiring a complicated step.例文帳に追加

有機基材と光触媒体との間の界面劣化や光触媒体自体の劣化を生じることが無く、光照射により長期にわたり、その表面が水の濡れ性（親水性、疎水性）の制御能及び／又は光触媒活性を発現する耐久性に優れた光触媒体や機能性複合体を煩雑な工程を必要とせずに得ることができる光触媒組成物を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer and has transparent conductive film on its surface, and carriers move the dielectric film by a tunnel effect and are extracted from the transparent film to the outside.例文帳に追加

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有し、誘電体膜の表面上に透明導電膜を有しており、キャリアがトンネル効果によって誘電体膜を移動して透明導電膜から外部に取り出される光電変換装置である。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

The laminate is produced by forming a photo-alignment layer of a liquid crystalline material having a photosensitive group on a homeotropic alignment layer of a liquid crystalline material having a photosensitive group and with unfixed alignment, and then irradiating the layers with unpolarized UV rays so as to fix the alignment in both layers and to enhance adhesiveness on an interface between the layers.例文帳に追加

前記積層体は、感光性基を有する液晶性材料から形成され、配向固定が未固定のホメオトロピック配向層上に、感光性基を有する液晶性材料から形成された光配向層を形成し、ついで非偏光性紫外線を照射することにより、両層における配向を固定するともに両層間界面における密着性を高めることにより製造される。 - 特許庁

In the method for producing the microcapsule, a wall of the microcapsule is formed by subjecting a polymerizable monomer to radical polymerization on the interface between an oil-soluble solvent and an aqueous solvent, wherein the aqueous solvent contains the polymerizable monomer, and an ionic monomer (A) of 50-99 parts weight and an alkylene oxide monomer (B) of 1-50 parts weight are used for 100 parts weight polymerizable monomer.例文帳に追加

油溶性溶媒と水溶性溶媒との界面で重合性モノマーがラジカル重合することによりカプセル壁が形成されるマイクロカプセルの製造方法であって、水溶性溶媒が、重合性モノマーを含み、かつ、重合性モノマー１００重量部に対して、５０〜９９重量部のイオン性モノマー（Ａ）と１〜５０重量のアルキレンオキサイドモノマー（Ｂ）とを用いることを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 特許庁

The method for producing hollow fine particles comprises the steps of: applying an AC voltage or pulsed voltage between electrodes 20, 30 in a liquid 80 to generate bubbles of 1 nm to 1 μm diameter by at least one of electrolysis, pyrolysis and phase transition; and gathering a material for constituting an outer shell portion on the gas-liquid interface of each bubble to form the outer shell portion thereof.例文帳に追加

液体８０中において電極２０，３０間に交流電圧またはパルス状電圧を印加し、電気分解、熱分解及び相転移の少なくとも一つによって径が１ｎｍ以上１μｍ以下の気泡を発生させる工程と、気泡の気液界面に前記外殻部分を構成する材料を集合させて外殻部分を形成する工程とを含む中空微粒子の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor element, in which an oxide film is formed on a semiconductor substrate including SiC, includes a step of oxide film formation of forming an oxide film including SiO_2 on the semiconductor substrate in a condition where the SiC is not oxidized; and a step of oxynitride film formation for forming an oxynitride film by oxynitriding SiC at an interface between the oxide film and the semiconductor substratre.例文帳に追加

ＳｉＣからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記ＳｉＣを酸化させない条件で、ＳｉＯ_２からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のＳｉＣを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。 - 特許庁

The communication system wherein a monitoring/control PC is connected to a communication line so as to control the lower-order unit includes the LAN/CAN interface 400 connected to the communication line via a switching hub 300 so as to attain communication between the monitoring/control PC of the higher-order unit and the lower-order unit being an apparatus to be controlled.例文帳に追加

通信ラインに監視／制御用ＰＣが連結されて制御対象装置の下位ユニットを制御できるようになった通信システムにおいて、スイッチングハブ３００を通じて前記通信ラインに接続されて上位ユニットの監視／制御用ＰＣ１００と制御対象装置の下位ユニット間の通信が可能になるように上位ユニットと下位ユニット間のデータ変換を行うＬＡＮ／ＣＡＮインターフェース４００を備える。 - 特許庁

A street manager 121 in a TV120 receives power-off notice 123 from user interface software 124 and transfers a connection list 128 for the connection management of the video and audio signal between devices that the manager controls to another street manager 161 present on the bus by using a connection list entrusting API call 127 to entrust the management of the connection to the street manager 161 in an editing controller 160.例文帳に追加

ＴＶ１２０内のストリートマネージャー１２１は、ユーザインターフェースソフト１２４からの電源断通知１２３を受け、バス上に存在するほかのストリートマネージャー１６１に対して自身の管理している機器間の映像音声信号の接続管理を行うためのコネクションリスト１２８をコネクションリスト委託ＡＰＩコール１２７を用いて譲渡し、コネクションの管理を編集コントローラ１６０内のストリートマネージャー１６１に委託する。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁

When the sectional structure of the film-coated sintered alloy is observed, a projecting bonded phase is formed on at least a part of an interface between the bonded phase 2 of the base material and the film 1.例文帳に追加

結合相と硬質相とからなる焼結合金の基材の表面に周期律表４ａ、５ａ、６ａ族元素、Ａｌ、Ｓｉの炭化物、窒化物およびこれらの相互固溶体の中から選ばれた少なくとも１種の被膜を被覆した被覆焼結合金において、被覆焼結合金の断面組織を観察したときに、基材の結合相２と被膜１との界面の少なくとも１部に、凸状結合相が形成されている被覆焼結合金。 - 特許庁

This telephone interface unit 1 provided between a controller 7 and a base station device 2 develops a display control command about visible display or audible display on the wireless telephone 5 among control commands from the controller 7 as MAP information to a storing part for each wireless telephone 5 and distributes a display update command to instruct update of each display state based on the MAP information to respective wireless telephones 5.例文帳に追加

制御装置７と基地局装置２との間に設けた電話機インターフェース装置１により、制御装置７からの制御コマンドのうち無線電話機５での可視表示または可聴表示に関する表示制御コマンドを、無線電話機５ごとに記憶部へＭＡＰ情報として展開し、そのＭＡＰ情報に基づく各表示状態の更新を指示する表示更新コマンドをそれぞれの無線電話機５へ配信する。 - 特許庁

To provide a foamed wallpaper whose foaming agent-containing resin layer containing an azodicarbonamide-based foaming agent is foamed to form a foamed resin layer, which has an ethylene-methacrylic acid copolymer-containing resin layer as an adjacent layer, and whose designability deterioration due to yellowing caused at an interface between the foamed resin layer and the ethylene-methacrylic acid copolymer-containing resin layer is controlled.例文帳に追加

アゾジカルボンアミド系発泡剤を含有する発泡剤含有樹脂層を発泡させることにより発泡樹脂層が形成され、且つ、隣接層としてエチレン−メタクリル酸共重合体含有樹脂層を有する発泡壁紙であって、発泡樹脂層とエチレン−メタクリル酸共重合体含有樹脂層との界面で生じる黄変による意匠性の低下が抑制されている発泡壁紙を提供する。 - 特許庁

To provide a low reflection film negligible in surface glaring by suppressing interference unevenness (irregular color ) caused by involvement of incident light from a surface, particularly reflected light reflected on the interface between a transparent substrate film and a layer adjacent to it, when visual information such as a character and a graphic image used for various displays or the like to be recognized through a transparent substrate film, is observed.例文帳に追加

各種ディスプレイ等に使用して透明基板を通して認識する文字や図形画像などの視覚情報を観察する場合に、表面からの入射光が、特に透明基材フィルムとこれに隣接する層との界面で反射される反射光が関与することにより発生する干渉ムラ（色ムラ）を抑制することができると共に面ギラの問題とならない低反射フィルムを提供することである。 - 特許庁

The communication controller 1 is provided with: a connection type discrimination means 6 for discriminating whether a communication connection between the data processing apparatuses is a MODEM connection via the MODEM or the direct connection not via the MODEM by means of a response signal from a connection opposite apparatus; and an interface control section 7 for forming the connections suitable for the direct connection when the communication connection is the direct connection.例文帳に追加

通信制御装置１は、データ処理装置間の通信接続がモデムを介したモデム接続であるのか、それともモデムを介さない直接接続であるのかを、接続相手側装置からの応答信号を通じて判定する接続タイプ判定手段６を備えるとともに、通信接続が直接接続であった場合に当該直接接続に適した結線を形成させるインタフェース制御部７を備えている。 - 特許庁

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約８００℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer.例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）基板上に形成され、前記シリコン（００１）基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン（００１）基板と絶縁層との界面に前記シリコン（００１）基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する１原子層の窒素層とを備える半導体装置である。 - 特許庁

A polypropylene fiber is subjected to surface oxidation treatment, and the wetting index of the surface is controlled to ≥38 dyn/cm, so that the polyolefin resin fiber for cement reinforcement is obtained to which excellent affinity can be imparted to the interface between the polypropylene fiber and cement, and which has excellent adhesive properties with the cement matrix, can reinforce a cement molding, and can improve the bending strength and impact strength of the cement molding.例文帳に追加

ポリプロピレン繊維に対し、表面酸化処理を行い、その表面の濡れ指数を３８ｄｙｎ／ｃｍ以上にすることにより、ポリプロピレン繊維とセメントとの界面における優れた親和性を付与でき、セメントマトリックスとの接着性に優れ、セメント成形物を強化することができ、セメント成形物の曲げ強度や衝撃強度を向上させるセメント強化用ポリオレフィン樹脂繊維を得ることができる。 - 特許庁

The interface between a lower capacitor and a capacitor insulating film is flattened by crystallizing amorphous SRO films 14 and 17 in continuous way by heat treatment, after forming an amorphous SRO film 14 as a lower capacitor electrode, a polycrystalline BST film 16 consisting of Ba(X)Sr(1- X)TiO (3) as a capacitor insulating film, and an amorphous SRO film 17 as an upper capacitor electrode.例文帳に追加

下部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１４、キャパシタ絶縁膜としてＢａ（Ｘ）Ｓｒ（１−Ｘ）ＴｉＯ（３）からなる多結晶ＢＳＴ膜１６、上部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１７を連続的に形成した後、熱処理により非晶質ＳＲＯ膜１４，１７を一括して結晶化する事により、下部キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との界面を平担にする。 - 特許庁

To eliminate light scattering generated at an interface between a polarizing plate and a liquid crystal element to suppress reduction of light transmittance by incorporating an alignment function for controlling alignment of a ferroelectric liquid crystal and a polarization function for changing non-polarized light into linearly polarized light into one of alignment layers and to attain thinness, lightness and reduction of manufacturing costs of the liquid crystal display element.例文帳に追加

本発明は、一方の配向層に、強誘電性液晶の配向を制御する配向機能と無偏光光を直線偏光に変える偏向機能とを持たせることにより、偏光板と液晶表示素子との界面で生じる光の散乱を解消して光透過率の低下を抑制し、さらには液晶表示素子の薄型化および軽量化、またさらには製造コストの削減を図ることを主目的とする。 - 特許庁

An interface circuit 300 includes: rectification means 331, 332 for rectifying a signal applied between input terminals 301 and 302; a constant voltage means 343 for dropping an output signal from the rectification means 331, 332 to a constant voltage; and detection means 351, 352, 361 for detecting the signal dropped into the constant voltage by the constant voltage means 343 and transferring the signal to a control circuit.例文帳に追加

インタフェイス回路３００は、入力端子３０１及び３０２間に印加された信号を整流する整流手段３３１，３３２と、該整流手段３３１，３３２の出力信号を定電圧に降下させる定電圧化手段３４３と、定電圧化手段３４３により定電圧化された信号を検出して前記制御回路に伝達する検出手段３５１，３５２，３６１とを備えた。 - 特許庁

An image formation device which performs the transmission of image data between external information equipment and a printer through an interface means comprises a judgement means for judging the sending state of the image data, a cancel selection means for selecting the optimal cancel method by the judgement means when the canceling is instructed and an indicating means for informing users of the printing environment quickly at executing the cancel method.例文帳に追加

インターフェース手段を介して外部情報機器とプリンタ間で画像データ転送を行う画像形成装置であって、前記画像データの送信状態を判定する判定手段と、キャンセルが指示された場合に、前記判定手段により最適なキャンセル方法を選択するキャンセル選択手段と、前記キャンセル方法実行時に速やかにユーザーに印刷環境を知らせる表示手段と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a heterojunction bipolar transistor, in which a GaAs base layer 14 and a GaAs emitter cap layer 12 are formed on a GaAs substrate 17 via an InGaP emitter layer 13, an interface between the InGaP emitter layer 13 is doped with a prescribed amount of Se; and the GaAs emitter cap layer 12 and GaAs base layer 14, whereby recombinations near the InGaP emitter layer 13 are decreased.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１７上にＩｎＧａＰエミッタ層１３を介してＧａＡｓベース層１４およびＧａＡｓエミッタキャップ層１２を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層１３とＧａＡｓエミッタキャップ層１２およびＧａＡｓベース層１４との界面に所定の量のＳｅをドープすることにより、ＩｎＧａＰエミッタ層１３近傍における再結合が減少する。 - 特許庁