「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

When a player manually slides a sliding fallboard, neither front driving signal nor rear driving signal is supplied to a motor interface, so that neither relays Ry1 nor Ry2 is made conducive, thereby contact point of switches SW1 and SW2 are connected to terminals T1b and T2b respectively, and a feedback circuit which is a substantial short circuit is formed between terminals of a motor.例文帳に追加

スライド蓋を演奏者が手動でスライドさせるとモータインターフェースには前駆動信号も後駆動信号も供給されていないので、リレーＲｙ１およびＲｙ２の両方に通電されていないため、スイッチＳＷ１およびＳＷ２の各接点は、端子Ｔ１ｂ、Ｔ２ｂに接続され、モータの端子間には、実質的な短絡回路である帰還回路が形成される。 - 特許庁

A first insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a wiring groove 3 is formed in the first insulating film 2, a first wiring 6 is formed by burying a metal film 5 in the wiring groove 3, a protection film 7 is formed on the first insulating film 2 and the first wiring 6, and a reaction layer 8 is formed on an interface between the first wiring 6 and the protective film 7.例文帳に追加

半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 - 特許庁

A varifocal lens 10 uses an interface 30 between a first fluid 12 and a second fluid 22 that are mutually immiscible, as a light refracting surface, and includes an elastic deformation section 50 which is provided in a portion of a partition wall 16 in the sealed vessel 26 in which a first chamber 14 filled with the first fluid 12 is connected via an opening 18 to a second chamber 24 filled with the second fluid 22.例文帳に追加

互いに混ざり合わない第１流体(12)と第２流体(22)との界面(30)を光の屈折面として利用する可変焦点レンズ(10)であって、第１流体(12)が満たされる第１室(14)と第２流体（22）が満たされる第２室(24)とが開口部(18)を介して連通した構造を有する密閉容器（26）内の仕切壁（16）の一部に、弾性変形部（50）が設けられる。 - 特許庁

The element for optical modulation has a metal thin film or metal microstructure exciting a surface plasmon, a dielectric thin film which selects an optical frequency coupled to the surface plasmon, and a micropulse light source having a frequency spread in a region where near field light leaks, and is characterized in using buffer effect of the surface plasmon on the interface between metal and a dielectric.例文帳に追加

本光変調素子は、表面プラズモンを励起する金属薄膜または金属微細構造体と、表面プラズモンと結合する光周波数を選択する誘電体薄膜と、周波数広がりをもった微小パルス光源を近接場光のしみ出す領域に有し、金属と誘電体の界面における表面プラズモンの緩衝効果を利用することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a circuit board having both high heat radiation efficiency and durability, in which a semiconductor chip to be mounted can operate with a large power by preventing the generation of cracks on a solder layer for joining the circuit board to a heat radiation base and the forming of a compound layer on an interface between a metal heat radiation plate and an aluminum layer.例文帳に追加

回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。 - 特許庁

A gateway device 9 includes voice processing blades 10, 20 configured redundantly between different IP network N1 and SDH network N2 and includes functions for receiving a VoIP packet supplied from the IP network N1, for output of an I-TDM packet to an SDH network interface blade 30 after applying voice processing thereto, and to output data to the SDH network N2.例文帳に追加

ゲートウェイ装置９は、異なるＩＰネットワークＮ１及びＳＤＨネットワークＮ２間で冗長構成される音声処理ブレード１０，２０を有し、ＩＰネットワークＮ１から供給されるＶｏＩＰパケットを受信し、音声処理を施した後にＩ−ＴＤＭパケットをＳＤＨネットワークインタフェースブレード３０へ出力し、ＳＤＨネットワークＮ２へデータ出力する機能を有している。 - 特許庁

The method includes the step of preparing an object file management framework for establishing a standard interface between a vender-supplied pattern compiler and the module type test system, receiving a pattern source file, preparing a pattern object metafile on the basis of the pattern source file by using the object file management framework, and testing the device to be tested, through the test module by using the pattern object metafile.例文帳に追加

ベンダ供給パターンコンパイラとモジュール式試験システムとの間に標準インターフェースを確立するためのオブジェクトファイル管理フレームワークを作成すること、パターンソースファイルを受信すること、オブジェクトファイル管理フレームワークを用いて、パターンソースファイルに基づいてパターンオブジェクトメタファイルを作成すること、及びパターンオブジェクトメタファイルを用いて試験モジュールを通して被試験デバイスを試験する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyethylene-2,6-naphthalate resin composition which has little voids arising in an interface between polyethylene-2,6-naphthalate resin and an inert particle by dispersing the inert particles uniformly and free of coarse particles into the polyethylene-2,6- naphthalate resin and; to provide a polyethylene-2,6-naphthalate film excellent in surface smoothness by using the production method.例文帳に追加

ポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂中に粗大粒子を存在させることなく不活性粒子を均一に分散させ、ポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂と不活性粒子との界面に発生するボイドの少ないポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂組成物の製造方法を提供し、これらの製造方法を用いて、表面平滑性に優れたポリエチレン−２，６−ナフタレートフィルムを提供する。 - 特許庁

The organic EL element includes an organic EL layer at least having an organic light emitting layer and an electron transport layer touching the cathode side of the organic EL layer between an anode and a cathode wherein the ionization potential of the organic light emitting layer is different from that of the electron transport layer by 0.2 eV or more on the interface of the organic light emitting layer and the electron transport layer.例文帳に追加

陽極と陰極との間に、有機発光層と有機発光層の陰極側に接する電子輸送層とを少なくとも有する有機ＥＬ層を含む有機ＥＬ素子であって、有機発光層と電子輸送層との界面において、有機発光層のイオン化ポテンシャルが電子輸送層のイオン化ポテンシャルより０．２ｅＶ以上異なることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

Therein, the alignment layer composition is constituted by adding a monomer or an oligomer having one or more functional groups in addition to polymer, and the monomer or the oligomer in the alignment property providing layer 12 is crosslinked with the molecule in the refractive index anisotropic layer 13 adjacent to the alignment property providing layer 12 in the neighborhood of the interface between the alignment property providing layer 12 and the refractive index anisotropic layer 13.例文帳に追加

なお、配向膜用組成物には、ポリマーに加えて、一つ以上の官能基を持つモノマー又はオリゴマーが添加されており、配向性付与層１２と屈折率異方性層１３との界面近傍において、配向性付与層１２中のモノマー又はオリゴマーが、配向性付与層１２に隣接する屈折率異方性層１３中の分子と架橋する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell composed of an electrolyte membrane, a catalyst layer, and a conductive porous gas diffusion layer is provided with a groove for circulating or storing fluid at the interface between the catalyst layer and the electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜、触媒層及び導電性多孔質ガス拡散層とから構成される固体高分子型燃料電池用膜電極接合体において、前記触媒層と電解質膜との界面に流体を流通または溜めるための溝が設けられている固体高分子型燃料電池用膜電極接合体およびその膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The method and device for printing a direct image are each comprised of a step of determining the universal interface class of the image providing device, a step of determining the connection mode between the image providing device and the image printing device, and a step of receiving and printing the image file of the image providing device according to the determined connection mode.例文帳に追加

イメージ供給装置の汎用インターフェースクラスを決定する段階及び決定された汎用インターフェースクラスにより，イメージ供給装置及びイメージ印刷装置の接続モードを決定する段階及び決定された接続モードでイメージ供給装置のイメージファイルを受信して印刷する段階を含むことを特徴とするダイレクトイメージの印刷方法及び装置である。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

A plurality of piezoelectric ceramic layers 1 and a plurality of internal electrode layers 2 are laid alternately and fired simultaneously to produce the multilayer piezoelectric element wherein the piezoelectric ceramic layer 1 contains ceramic particles 7 and, on the ruptured phase of interface between the piezoelectric ceramic layer 1 and the internal electrode layer 2, the ceramic particles 7 partially buried in the internal electrode layer 2 are exposed to the surface thereof.例文帳に追加

複数の圧電磁器層１と複数の内部電極層２とが交互に積層され、同時焼成された積層型圧電素子であって、圧電磁器層１がセラミック粒子７を含み、圧電磁器層１と内部電極層２との界面での破断面において、内部電極層２に一部が埋設されたセラミック粒子７が内部電極層２表面に露出していることを特徴とする。 - 特許庁

The separator 3 for the fuel cell obtained by nitriding the surface of a substrate 10 comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni, and Mo has a nitrided layer 11 having hexagonal system crystal structure in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 contains nitrogen in an interface region 10b between the substrate 10 and the nitrided layer 11.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＭｏの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材１０の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ３であって、基材１０の表面１０ａから深さ方向に立方晶の結晶構造を有する窒化層１１を備え、基材１０は窒化層１１との界面領域１０ｂに窒素を含有する。 - 特許庁

The server terminal includes: a user interface configured to transmit and receive communications during a call with a first terminal connected to the network backbone; and a processor configured to support an inter-cluster call between second and third terminals by establishing a route on the network backbone for each communication packet transmitted from the second terminal to the third terminal.例文帳に追加

このサーバ端末は、ネットワークバックボーンに接続された第１の端末との通話中に、通信を送受信するように構成されたユーザインターフェースと、第２の端末から第３の端末に送信される各通信パケットについて、ネットワークバックボーン上のルートの確立することによって、第２の端末と第３の端末との間のクラスタ間通話をサポートするように構成されたプロセッサとを含んでいる。 - 特許庁

After it is in a connection state of allowing communication in between the external device 10; the control means 211 controls the communication interface means 210 so as to receive the communication start request for data transmission/reception transmitted from the external device 10 in the prescribed standby operation mode, and to refuse the communication start request for data transmission/reception in the other operation modes.例文帳に追加

制御手段２１１は、外部装置１０との間で通信可能な接続状態になった後、所定の待機動作モードにあるときに外部装置１０から送信されたデータ送受信用の通信開始要求を受け付け、その他の動作モードにあるときにデータ送受信用の通信開始要求を拒否するように、通信インターフェース手段２１０を制御する。 - 特許庁

To stably insert alarm display signals even when the clock of a network on the input side can not be extracted, or even when it is in an instable state though it can be extracted, in an interface circuit for converting a data form between the networks, and for inserting the alarm display signals to the data and transmitting them when a fault occurs in the network on the input side.例文帳に追加

ネットワーク間でデータ形式を変換し、入力側のネットワークで障害が発生した場合にそのデータにアラーム表示信号を挿入して伝送するインタフェース回路において、入力側のネットワークのクロックを抽出できなかった場合、あるいは抽出できたとしても不安定な状態であった場合でも、安定してアラーム表示信号を挿入できるようにする。 - 特許庁

There is provided a method for switching between a scroll mode and a pointing mode of a user interface, the method including the stages of: generating a corresponding movement of a cursor by moving a remote control device during the pointing mode; entering the scroll mode by rotating the scroll wheel and moving the cursor; and making the pointing mode ineffective in response to the stage of rotating the scroll wheel.例文帳に追加

本発明による方法は、ユーザインターフェースにおいてスクロールモードとポインティングモードとを切り替える方法であって、前記ポインティングモードの間に、リモコン装置を動かして、対応する、カーソルの動きを生成する段階と、スクロールホイールを回転させて前記スクロールモードに入り、前記カーソルを動かす段階と、前記回転段階に応答して前記ポインティングモードを無効にする段階とを含む。 - 特許庁

To obtain a functional composite with good reproducibility without requiring a troublesome process, wherein an interface degradation between a photocatalyst film with (a) high transparency and an organic base material and degradation of a binder in the photocatalyst film do not generate, its surface displays a photocatalyst activity and/or a hydrophilicity by light irradiation for a long time, and a durability maintaining the high transparency is excellent.例文帳に追加

高い透明性を持つ光触媒皮膜と有機基材との間の界面劣化や、光触媒皮膜中のバインダーの劣化を生じることが無く、光照射により長期にわたり、その表面が光触媒活性及び／又は親水性を発現し、高い透明性を維持する耐久性に優れた機能性複合体を、煩雑な工程を必要とせずに再現性良く得る。 - 特許庁

For the data transfer between a first system having a plurality of modules and one system bus interface and a second system having a plurality of modules having interfaces dedicated to input and output, a bus arbiter to which control signals are input from the first and second systems controls a bus switch and switches from a bus of the first system to one of buses of the respective modules of the second system.例文帳に追加

複数のモジュールと一つのシステムバスインターフェースを持つ第１のシステムと、入出力専用のインターフェースを持つ複数のモジュールを備えた第２のシステムとの間のデータ転送を可能にするため、第１、第２のシステムからの制御信号が入力されるバスアービターによりバススイッチを制御し、第１のシステムのバスを第２のシステムの各モジュールのバスのいずれか一つに切り替える。 - 特許庁

An image processing apparatus which includes an interface of the PCI Express standard between a controller and an engine and supplies a reference clock with a frequency for PCI Express spread from the controller to the engine, starts oscillation of the reference clock after the I/O power supply voltage for PCI Express of the engine is settled within an operating-voltage range, when initiating the image processing apparatus.例文帳に追加

コントローラとエンジンとの間にＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ規格のインターフェースを有し、コントローラからＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ用の周波数を拡散させたリファレンスクロックをエンジンに供給する画像処理装置であって、画像処理装置の起動時に、エンジンのＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ用Ｉ／Ｏ電源電圧が動作電圧内になった後に、リファレンスクロックを発振し始める。 - 特許庁

The manufacturing method of the hydrogen supply unit comprises generating a friction stirring by pressing a joining tool only on one member, causing a close contact of the lapped surfaces by this pressing force, forming a reaction layer between the other member by the friction heat, and joining the catalytic plate and the hydrogen separating membrane by forming a ripple-form shape at the joining interface thereof.例文帳に追加

上記水素供給装置を、一方の部材のみに接合ツールを押圧させて摩擦攪拌を生じさせることにより、この押圧力により重ね面を密着させて、摩擦熱により他の部材との間に反応層を形成させ、接合界面にリップル状の形状を形成することで触媒プレートと水素分離膜を接合する水素供給装置の製造方法。 - 特許庁

The positive current collector 10 is composed of a conductive layer 14 with conductivity laminated on a base material 12 made of aluminum or aluminum alloy, and the base material 12 has a surface oxidized film 16 on an interface between the base material body and the conductive layer 14 and the thickness of the surface oxidized film 16 is 3 nm or less.例文帳に追加

本発明によって提供される正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の基材１２上に、導電性を有する導電層１４を積層してなる正極集電体１０であって、該基材１２は基材本体と導電層１４との界面に表面酸化膜１６を有し、この表面酸化膜１６の厚さが３ｎｍ以下である。 - 特許庁

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.例文帳に追加

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁

An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１、ＳｉＣ基板１の表面に形成されたｐ型ＳｉＣ領域２、このｐ型ＳｉＣ領域２の表面に形成された加熱反応層８、ＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆う熱酸化膜３、熱酸化膜３の表面に配置された上部絶縁膜４、加熱反応層８の上部に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁

The second direction is chosen such that, when, among light rays passing through the first light deflection liquid crystal cell, a polarization component whose vibration direction of an electric vector is orthogonal to the first direction reaches the interface between the liquid crystal layer and prism layer of the second light deflection liquid crystal cell, a vibration direction of an electric vector of the polarization component is parallel to the second direction.例文帳に追加

第１の光偏向液晶セルを透過した光線のうち、電気ベクトルの振動方向が第１の方向と直交する偏光成分が、第２の光偏向液晶セルの液晶層とプリズム層との界面に到達したとき、当該偏光成分の電気ベクトルの振動方向と第２の方向とが平行になるように、第２の方向が選択されている。 - 特許庁

The photomask comprises a transparent substrate 1, an antireflection structure formed by successively laminating a chromium oxide film 3, a chromium film 4 and a chromium oxide film 5 on the principal face side of the substrate 1, an LiF film 2 as an antireflection film formed on the interface between the chromium oxide film 3 and the substrate 1 and a spin-on glass film 6 formed on the surface of the chromium oxide film 5.例文帳に追加

透明基板１と、この透明基板１の主面側に、酸化クロム膜３、クロム膜４及び酸化クロム膜５順次積層して形成された反射防止構造と、酸化クロム膜３表面であって透明基板１との界面に形成された反射防止膜としてのＬｉＦ膜２と、酸化クロム膜５表面に形成されたスピンオングラス膜６から構成される。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

In the multi-adapter, a plurality of communication terminal connectors 32, 33, 34 having different communication protocols and a jack connector 31 are provided in one holder case and arranged such that each connector does not interfere connections of other connectors, and electrical wiring is formed to communicate between the jack connector 31 and respective communication terminal interface connectors 32, 33 and 34.例文帳に追加

マルチアダプタにおいて、１つのホルダケース内に通信方式の異なる複数の通信端末用インターフェイスコネクタ３２、３３、３４とジャックコネクタ３１を装備し、それぞれのコネクタを他のコネクタの接続を妨げないように配置し、ジャックコネクタ３１とそれぞれの通信端末用インターフェイスコネクタ３２、３３、３４との間に通信可能に電気的配線を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This bioinformation management system using an ad hoc network 4 is provided with ad-hoc type sensor nodes 1 and 2 collecting bioinformation, and a cellular phone 3 having an interface of the ad hoc network 4 and receiving the bioinformation from the sensor nodes 1 and 2; and the communication between the sensor nodes 1 and 2 and the cellular phone 3 is executed after being authenticated by specific information of the cellular phone 3.例文帳に追加

アドホックネットワーク４を用いた生体情報管理システムにおいて、生体情報を収集するアドホック型のセンサーノード１、２と、アドホックネットワーク４のインタフェースを有しセンサーノード１、２から生体情報を受信する携帯電話３とを備え、センサーノード１、２と携帯電話３との通信は、携帯電話３の固有情報にて認証して行うものである。 - 特許庁

The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁

In this system for tuner receiving, after starting of a communication between a system body 1 or a control unit 3 and a tuner part 7, the kind of a tuner 71 included in the tuner part 7 is distinguished, based on a control signal Sc outputted from the tuner part 7, a receiving station is displayed responding to receivable channels according to the kind of the tuner and information from a communication interface part 2.例文帳に追加

チューナー受信システムのシステム本体１または制御ユニット３が、チューナー部７との通信が開始してから、チューナー部７から出力される制御信号Ｓc に基づき、チューナー部７に含まれるチューナー７１の種別を判別し、チューナーの種別と通信インタフェース部２からの情報に応じて、受信可能なチャネルに対応する受信局を表示するように構成される。 - 特許庁

The mobile terminal determines whether a connector cover 40 and a battery cover 50 respectively cover an external interface connector 20 and a battery mounting part 30, from whether there is continuity between port terminals 61a and 61b of an LSI 60 via a substrate wiring 10, a connector cover wiring 41 provided at the connector cover 40; and a battery cover wiring 51 provided at the battery cover 50.例文帳に追加

基板配線１０と、コネクタカバー４０に設けられたコネクタカバー配線４１と、バッテリーカバー５０に設けられたバッテリーカバー配線５１とを介してＬＳＩ６０のポート端子６１ａ，６１ｂが互いに導通しているかどうかにより、コネクタカバー４０及びバッテリーカバー５０が外部インターフェースコネクタ２０及びバッテリー装着部３０をそれぞれ覆っているかどうかを判断する。 - 特許庁

The stacking structure of the films is formed, in which a first transition layer in a first insulating film and a second transition layer in a second insulating film are formed interposing the contact interface between the first insulating film and the second insulating film by irradiating the stacking structure of the insulating films having mutually different compositions or composition ratios and containing at least silicon with ultraviolet rays under an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

互いに組成、或いは組成比の異なる、少なくともシリコンを含有する絶縁膜の積層構造に対し、酸素を含有する雰囲気において紫外線照射を行うことにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の接触界面を挟んで、第１の絶縁膜に第１の遷移層、第２の絶縁膜に第２の遷移層が形成されている膜積層構造を形成する。 - 特許庁

A signal is supplied to this variable refractive index substance and then the refractive index is varied without the total reflection of the incident light at the interface between the light guide member 101 and the variable refractive index substance 105 to change the optical path when the light reflected by the reflection part 115 exits from the light projection part 104 through the light guide member 101.例文帳に追加

この屈折率可変物質に信号を与えることにより、前記入射光が前記導光部材１０１と屈折率可変物質１０５との界面で全反射しない範囲内で屈折率変化を生じせしめ、反射部１１５で反射した光が導光部材１０１を介して光出射部１０４から外部へ出射する際の光路を変える。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

To provide a reflectively backed photosensitive element used for black-and-white and color reflective liquid crystal displays, etc., particularly a reflectively backed photosensitive element which improves resistance to the peeling of a metallic film caused at the interface between a reflectively backed photosensitive resin layer described in a claim and the metallic film vapor- deposited on the top of the layer and can enhance production yield in subsequent steps.例文帳に追加

白黒並びにカラー反射液晶表示装置等に用いられる反射下地感光性エレメント、詳しくは請求項記載の反射下地感光性樹脂層とこの上面に蒸着される金属膜との界面で発生する金属膜はがれの耐性を向上し、後工程での製造歩留りを向上することができる反射下地感光性エレメントを提供する。 - 特許庁

The heat-resistant flexible laminated sheet is manufactured by arranging a protective material between the pressure surface of a laminator and a material to be laminated to perform thermal lamination at 200°C or higher so that the adhesion strength of the interface of the protective material and the material to be laminated becomes 0.1-3 N/cm and peeling the protective material from the formed laminated sheet after cooling.例文帳に追加

ラミネート装置の加圧面と被積層材料との間に保護材料を配置し２００℃以上の熱ラミネートを行い、保護材料と被積層材料との界面の密着強度が０．１から３Ｎ／ｃｍの範囲で密着させ、冷却後に該保護材料を積層板から剥離することを特徴とする耐熱性フレキシブル積層板の製造方法により達成される。 - 特許庁

A Raman active part 18 and a rough surface metal part 21 are provided on the end surface of an optical fiber 11 and surface plasmon is generated by irradiating the rough surface metal part 21 with exciting light to amplify signal light 15 into amplified signal light 16 by using induction Raman effect on the interface between the rough surface metal part 21 and Raman active part 18 irradiated with the signal light 15 propagated in a core 12.例文帳に追加

光ファイバー１１の端面にラマン活性部１８と粗面金属部２１を設け、粗面金属部２１に励起光を照射して表面プラズモンを発生させることにより、コア１２内を伝播してきた信号光１５を照射する粗面金属部２１とラマン活性部１８の界面において、誘導ラマン効果を利用して信号光１５を増幅信号光１６に増幅する。 - 特許庁

The conjugated fiber is obtained by conjugating a sheath component composed of an ethylene-vinyl alcohol copolymer having 25-70 mol% ethylene content and a core component composed of a semi-aromatic polyamide and forming protruding parts of a component B arranged in ≥4 rows in the interface between the component B and the component A.例文帳に追加

エチレン含有量が２５〜７０モル％であるエチレン−ビニルアルコール系共重合体からなる鞘成分と半芳香族ポリアミドとからなる芯成分が複合されてなり、Ｂ成分はＡ成分との界面において、４個以上配列する突起部を形成しており、かつＢ成分の外周長（Ｌ２）と該複合繊維の外周長（Ｌ１）との比が下記（１）式を満足することを特徴とする複合繊維。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The microphone 131, the speaker 132, the microphone amplifier 231 and the speaker amplifier 234 of a handset 13 are shared between an IP telephone and an analog CO call by incorporating a modular jack 27 and an analog CO interface part 27 for connecting an analog CO network ANW to the IP telephone set and controlling a DSP 22, analog switches 282, 283 by a CPU 29.例文帳に追加

ＩＰ電話機にアナログＣＯネットワークＡＮＷを接続するためのモジュラージャック２７及びアナログＣＯインタフェース部２７を内蔵させ、かつＣＰＵ２９にてＤＳＰ２２、アナログスイッチ２８２，２８３を制御することにより、ハンドセット１３のマイクロホン１３１、スピーカ１３２及びマイクアンプ２３１、スピーカアンプ２３４をＩＰ電話とアナログＣＯ通話とで共用するようにした。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁