| 例文 |
interface betweenの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4284件
Accordingly, as the looseness caused by the difference of the thermal expansion coefficient of the interface between the grains 12 with the small thermal expansion coefficient and the binder organization 14 whose constitution component is a synthetic resin binder 18 with a layer thermal expansion coefficient in comparison therewith is restrained, the grinding performance is increased by restraining the drop of the grains 12 favorably.例文帳に追加
したがって、熱膨張係数が小さい砥粒12とそれに比べて熱膨張係数が大きい合成樹脂結合剤18を構成成分とする結合剤組織14との界面の熱膨張係数の差に起因する緩みが抑制されるため、砥粒12の脱落が好適に抑制されて研削性能が高められる。 - 特許庁
The distribution of nitrogen concentration possessed by the side wall 9 in a cross section perpendicular to the one main surface of the semiconductor substrate 1 has a peak at an interface between a polysilicon 9b and an oxide film 9a, and nitrogen is more introduced so as to enable another concentration peak to be located above the above peak and close to the surface of the polysilicon 9b.例文帳に追加
そのサイドウォール9において、半導体基板1の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布がポリシリコン9bと酸化膜9aとの界面にピークを有するとともに、このピークの位置より上の位置でポリシリコン9bの表面に近傍にさらに濃度のピークを有するように窒素が導入されている。 - 特許庁
In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 containing a Pb constituent and a conductive layer 2 containing a Pd constituent are alternately laminated each, the thickness of the reaction layer R of Pb and Pd on the interface between the piezoelectric substrate layer 1 and the conductive layer 2 should be 3% or smaller of the maximum thickness of the piezoelectric substrate layer 1.例文帳に追加
それぞれ、Pb成分を含む圧電体層1と、Pd成分を含む導体層2とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層1と前記導体層2との界面における前記PbおよびPdとの反応層Rの厚みが、前記圧電体層1の最大厚みの3%以下であることを特徴とする。 - 特許庁
The adhesive optical filter is prepared by layering an adhesive layer on one side surface of a light-transmissive sheet-like substrate, wherein the adhesive layer comprises a plurality of light-absorbing regions which are substantially orthogonal to a laminated interface between the light-transmissive sheet-like substrate and the adhesive layer; and a plurality of light transmissive regions.例文帳に追加
透光性シート状基材の一方の面に、接着剤層が積層されてなる接着性光学フィルターであって、前記接着剤層が、透光性シート状基材と前記接着剤層との積層界面に対しほぼ直交する複数の光吸収性領域と、複数の透光性領域とを有することを特徴とする接着性光学フィルター。 - 特許庁
The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加
少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁
When a formed optical element is obtained by press-forming a heated and softened glass workpiece with a forming die, before opening the die for taking the formed optical element out of the die after completion of press-forming and cooling, the electric charge generated and stored at the interface part between the glass of the formed optical element and the forming die is removed.例文帳に追加
加熱軟化したガラス素材を成形型でプレス成形し成形光学素子を得るに際し、プレス成形および冷却が完了した成形光学素子を成形型から取り出すために型開きする前に、成形光学素子のガラスと成形型の界面部に発生し帯電している電荷を除電することを特徴とする光学素子の成形方法。 - 特許庁
In the optical fiber cable having one or more coated optical fibers or optical fiber unit and a sheath with which the optical fibers are covered, an inclusion is disposed along the longitudinal direction in the sheath, wherein the inclusion does not reach the outer surface of the sheath and the inside interface between the sheath and the coated optical fibers or optical fiber unit.例文帳に追加
1以上の光ファイバ心線又は光ファイバユニットと前記光ファイバを被覆するシースを有する光ファイバケーブルであって、前記シースには長手方向に沿って介在が設けられており、前記介在はシース外表面及び前記シースと前記光ファイバ心線又は光ファイバユニットとの内側界面に到達していないことを特徴とする光ファイバケーブル。 - 特許庁
When the telephone number of forwarding destination is PB dial-input from a telephone 6 at a visit place or an uncontracted line in correspondence with the stimulus procedure between live wires, a TA (interface converter) 3 transmits that telephone number to a network exchange 2 as a key pad facility and new registration of the forwarding destination is made for the network exchange 2.例文帳に追加
外線—外線間のスティミュラス手順に対応し、外出先、すなわち契約外回線の電話機6から転送先の電話番号をPBダイヤル入力すると、TA(インタフェース変換装置)3にてその電話番号がキーパッドファシリティとして網交換機2へ送信され、これにより転送先の新規登録が網交換機2に対しなされる。 - 特許庁
The light source device 1 includes: a first conductive liquid 11; a second insulating liquid 12 of the refractive index different from that of the first liquid; a liquid chamber for holding the first and second liquids; a voltage applying means which change a figure of interface 13A between the first and second liquids; and a light emitting body 20 located in the liquid chamber.例文帳に追加
本発明に係る光源装置1は、導電性の第1の液体11と、第1の液体と屈折率が異なる絶縁性の第2の液体12と、第1,第2の液体を収容する液室と、第1,第2の液体間の界面13Aの形状を変化させる電圧印加手段と、液室内に設置された発光体20とを備える。 - 特許庁
In an image processing card 13_i, a generation information is stored by which a tap coefficient that differs between when it is used with the generation information stored in the image processing card 13_1 to 13_i-1 and when it is solely used in the image processing card 13_i can be obtained and the generation information is provided to an image processing interface 40.例文帳に追加
画像処理カード13_iには、画像処理カード13_1乃至13_i-1に記憶された生成情報とともに用いられる場合と、画像処理カード13_i自身のみで用いられる場合とで異なるタップ係数を求めることができる生成情報が記憶されており、その生成情報が、画像処理インタフェース40に供給される。 - 特許庁
The first area is formed at a predetermined interface in a diameter direction from the second area, data recorded in the form of a concave-convex pit in the first area are recorded between the second and first areas, and the data of the second area is encrypted to be recorded by using the data recorded in the first area as a key.例文帳に追加
第1の領域は、第2の領域に対して径方向の所定間隔を有するように離れて形成され、第1の領域に凹凸ピットの形式で記録されたデータが第2の領域と第1の領域の間にも記録され、第1の領域に記録されたデータを鍵として、第2の領域のデータが暗号化されて記録されている。 - 特許庁
This communication apparatus configure individual parts by including interface software which is divided into management software for realizing a communication managing part 61 and a line managing part 62 and control software for realizing a communication controlling part 63 and a line controlling part 64 and a realizes an i/f controlling part 66 between the management software and the control software at the time of performing communication and calling/terminating operation.例文帳に追加
通信装置は、通信および発着呼の動作に際し、通信管理部61および回線管理部62を実現する管理ソフトウェアと、通信制御部63および回線制御部64を実現する制御ソフトウェアとに分割し、この間にi/f制御部66を実現するインターフェースソフトウェアを組み込むことで、各部を構成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a metal separator for a fuel cell, which prevents hole corrosion on an interface between a parent material and a conductive intercalated matter to prevent the latter from falling off and improves generation by lowering the contact resistance, in a process of having the conductive intercalated matter protruded on the surface.例文帳に追加
表面に導電性介在物を突出させる処理時に、母材と導電性介在物との界面に孔食が発生することが防止されて導電性介在物の脱落が防がれ、これによって接触抵抗が低減して発電性能の向上が図られる燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁
The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加
位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする1層以上の位相シフト膜と、1層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁
Since the crystal thin film 16 has a degree of freedom of deformation due to an oblong three-dimensional structure, even when stress takes place on an interface 16B between the substrate 10 and the crystal thin film 16 due to a lattice mismatch or a difference from coefficients of thermal expansion or the like, almost no residual stress exists on an upper face 16A.例文帳に追加
該結晶薄膜16は、縦長の3次元構造による変形の自由度を有するため、格子不整合や熱膨張係数差などに起因して基板10と結晶薄膜16との界面16Bに応力が発生する場合であっても、上面16A側においては残留応力がほぼ存在しない状態となる。 - 特許庁
Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加
従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層16に拡散層17を形成しても、拡散層17と活性層16との界面19は、活性層16の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層17と埋め込み酸化膜層15との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁
In a micromixer 110, two kinds of solutions respectively introduced in a mixing flow channel 146 through supply ports 152, 154 of solutions circulate in the mixing channel 146 while being thin laminar flows respectively corresponding to the opening widths of the supply ports 152, 154, and the molecules of the respective solutions mutually disperse on the interface between the adjacent laminar flows.例文帳に追加
マイクロミキサー110では、給液口152,154を通してそれぞれミキシング流路146内へ導入される2種類の溶液が給液口152,154の開口幅にそれぞれ対応する薄片状の層流となってミキシング流路146内を流通すると共に、互いに隣接する層流間の界面で各溶液の分子が相互に拡散する。 - 特許庁
The method includes the steps of: providing a silicon substrate 2; depositing a surface passivation layer 3 at a rear side of the silicon substrate 2; forming delaminated regions or bubbles 1 at an interface between the surface passivation layer 3 and the silicon substrate 2; depositing a metal layer 4 on the surface passivation layer 3; and performing a metal firing.例文帳に追加
シリコン基板2を提供する工程と、シリコン基板2の裏側に表面パッシベーション層3を堆積する工程と、表面パッシベーション層3とシリコン基板2との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡1を形成する工程と、表面パッシベーション層3の上に金属層4を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 - 特許庁
Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加
すると、シリコン半導体基板2の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板2のソース/ドレイン拡散層16および17とゲート絶縁膜18との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁
In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加
一対の主電極(エミッタ・コレクタ電極)と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極32を備えているIGBT(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域28とドリフト領域26の接合界面よりボディ領域28側にn型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁
The integrated circuit element includes a processor core executing an instruction, an interconnect interface coupled to the processor core and supporting a communication between the processor core and a system interconnect external to the integrated circuit and, at least, a part of an external communication adapter coupled to the processor core and supporting input/output communication via an input/output communication link.例文帳に追加
集積回路要素は、命令を実行するプロセッサ・コアと、プロセッサ・コアに結合され、プロセッサ・コアと集積回路の外部のシステム相互接続の間での通信をサポートする相互接続インターフェースと、プロセッサ・コアに結合され、入出力通信リンクを介して入出力通信をサポートする外部通信アダプタの少なくとも一部分を含む。 - 特許庁
To provide a variable conductance heat pipe exhibiting excellent controllability of heat radiation in which radiation starting temperature can be sustained at a constant level, by preventing a gas trap part from having an abnormally high temperature or the volume of working fluid working as a heat pipe from decreasing to have an effect on the movement of interface between the vapor of the working liquid and noncondensible gas.例文帳に追加
ガス溜め部が異常に高温になったり、ヒートパイプとして作動する作動流体の量が減少して作動流体の蒸気と不凝縮性ガスの界面の移動に影響を及ぼすことを防止して、放熱開始温度を所定の温度に維持することができる放熱制御性に優れた可変コンダクタンスヒートパイプを提供する。 - 特許庁
To provide a polishing liquid capable of reducing the polishing speed for conductive metal wirings (particularly copper oxide formed in an interface) represented by copper wirings on a substrate consisting of a barrier layer containing manganese and manganese alloy on its surface, and an insulating layer, and reducing a step between conductive metal wirings and the insulating layer, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加
表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層から成る基板上の銅配線に代表される導電性金属配線(特に界面に生成する酸化銅)に対する研磨速度を低下させ、導電性金属配線と絶縁層との間の段差が小さい研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁
In a method for peeling an adhesive type optical film from a substrate with an optical film on the substrate surface of which the adhesive type optical film is adhered, this is a peeling method for adhesive type optical film to peel in a condition where liquid exists in a peeling interface between the adhesive agent layer of the adhesive type optical film and the substrate.例文帳に追加
基板表面に粘着型光学フィルムが貼付けられている光学フィルム付き基板から粘着型光学フィルムを剥離する粘着型光学フィルムの剥離方法において、粘着型光学フィルムの粘着剤層と基板との剥離界面に液体が存在する状態で剥離することを特徴とする粘着型光学フィルムの剥離方法。 - 特許庁
To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加
ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁
The disclosed method includes the steps of judging that a connection related to the terminal is to be at least partially canceled in one of the first and the second communication network layers, and transferring the judgement from one communication network layer wherein that judgement is made, through an interface between the first and the second communication network layers to the other communication network layer.例文帳に追加
第1及び第2通信ネットワーク層の一方においてターミナルに関連した接続の少なくとも一部分を解除すべきであると判断し、そして判断を、その判断がなされた一方の通信ネットワーク層から、第1及び第2の通信ネットワーク層間のインターフェイスを経て、他方の通信ネットワーク層へ転送するという段階を備える。 - 特許庁
To provide a cell for a solid oxide fuel cell with excellent electrode property and small internal resistance having a porous electrode layer with a large surface area, without any reaction product generated owing to high temperature baking deposited on the interface between an electrolyte layer and an electrode layer, and to provide a method of manufacturing such a cell for the solid oxide fuel cell with high efficiency.例文帳に追加
高温焼成に起因する反応生成物が電解質層と電極層の界面に介在せず、表面積が大きく多孔質の電極層を備え、電極性能に優れしかも内部抵抗の少ない固体酸化物形燃料電池用セルと、このような燃料電池用セルを高能率に製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
The intelligent gadget for providing the personalization service in the ubiquitous environment includes: a gadget service block for collecting and processing data to provide the personalization service; and a gadget interface block for forming the gadget network between gadgets and providing a cooperating service based on data collected and processed by the gadget service block.例文帳に追加
ユビキタス環境における個人化サービス提供のための知能型ガジェットにおいて、個人化サービスを提供するため、データを収集及び処理するガジェットサービス手段と、ガジェット間においてガジェットネットワークを形成し、前記ガジェットサービス手段によって収集及び処理されたデータを用いて相互協力するサービスを提供するガジェットインタフェース手段とを備える。 - 特許庁
A display association control part 13 serves as an interface between a city VR display part 11 and a map display part 12 and projects information regarding a viewpoint position in a displayed city VR space in real time and information related to the city VR space by moving a viewpoint on the displayed map.例文帳に追加
タッチパネル等ユーザインタフェースの操作を介して表示連動制御部13が、都市VR表示部11と地図表示部12をインタフェースし、表示される都市VR空間の中で視点位置に関する情報を地図上に、また、表示された地図上の視点を動かすことで都市VR空間に関連する情報をそれぞれリアルタイムに映し出す。 - 特許庁
Since there is provided an Mg-doped GaN layer 140 at the interface portion between a p-type GaN layer 104B adjacent to an InGaN layer 104A that is a light emitting layer and the InGaN layer 104A as suppression of the piezoelectric field of a GaN-based semiconductor layer, the piezoelectric field causing the inclination of a band is eliminated to improve an optical response speed.例文帳に追加
GaN系半導体層のピエゾ電界を抑えるものとして、発光層であるInGaN層104Aに隣接するp型GaN層104Bの、InGaN層104Aとの界面部分にMgドープのGaN層140を設けたので、バンドの傾斜をもたらすピエゾ電界が打ち消されて光応答速度を向上させることができる。 - 特許庁
Sufficient amount of energy is supplied between telephone lines L1, L2 to normally activate the element in the interface above, such as application of power with a voltage of 48V or over to them, by connecting once a polarity inversion feeding circuit 5 to the telephone lines just after polarity inversion on the occurrence of the polarity inversion at start of communication resulting from a dialing or ringing state.例文帳に追加
本発明のインタフェース装置では、発信、着信時において、通信開始時に極性反転をする際、極性反転直後に極性反転用給電回路5を一旦電話線L1,L2に接続することで、電話線間に素子が正常に動作するのに十分なエネルギーの供給、例えば48V以上の給電をおこなう。 - 特許庁
The manufacturing method comprises heating the steel material in a heating furnace having an atmosphere of a low oxygen concentration to form a scale layer formed of only a wustite layer, and to evaporate/dissipate molten Cu existing in the interface between the scale/matrix; or alternatively heating the steel material, extracting it from the heating furnace, and carrying out descaling treatment on it twice or more times during the first hot rolling process.例文帳に追加
また、その製造方法は、加熱炉での加熱を低酸素濃度雰囲気条件で行ってウスタイト層のみからなるスケール層とすることでスケール/地鉄界面の溶融Cuを蒸発・飛散させるか、または、鋼材を加熱し加熱炉から抽出した後、最初の熱間圧延の間に2回以上のスケール除去処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁
The agitation loss reducing mechanism dominantly reduces the agitation loss of the lubricating oil due to associated rotation by producing cavitation bubbles on the interface between the gear of the gear mechanism vibrated in a high frequency region by the actuator 11 and the lubricating oil while avoiding the lowering of power transmission efficiency due to the agitation loss of the lubrication oil in "a scraping lubrication system" of a power transmission mechanism.例文帳に追加
主として、動力伝達機構の「掻き上げ潤滑方式」による潤滑油の撹拌損失による動力伝達効率の低下を、アクチュエータ11によって高周波領域で振動させた歯車機構の歯車と潤滑油との界面にキャビテーションによる気泡を生じさせることにより、潤滑油のつれ回りによる撹拌損失を低減させる。 - 特許庁
To provide an ink for forming an adhesive-receiving layer which is excellent in adhesive properties between the adhesive-receiving layer formed on a substrate and an adhesive to exhibit high adhesivity thereby causing no troubles of peeling at the adhesion interface while a product is under services and possesses an excellent aptitude for a printing ink to readily form an adhesive-receiving layer, and an adhesive sheet obtained using the same.例文帳に追加
基材に形成した接着剤受容層と接着剤との接着性に優れ、高い接着力が得られるので、製品の使用中に接着界面で剥離する問題がなく、印刷インク適性に優れる容易に接着剤受容層を形成できる接着剤受容層形成用インクおよびそれを用いた接着シートの提供。 - 特許庁
A first and a second detectors 71 and 75 for respectively detecting the right rotating posture and the left rotating posture of the table board 60 are arranged between the table base 30 and the table board 60 in order to regulate movement of other movable members 91 and 92 probable to interface with the table board 60 when the table board 60 is set in the right or the left rotating posture.例文帳に追加
テーブルベース30とテーブル板60との間には、テーブル板60が左右いずれか一方の回転姿勢をなすときにテーブル板60に干渉可能な他の可動部材91、92の動きを規制するために、テーブル板60の右回転姿勢及び左回転姿勢をそれぞれ検出する第1、第2の両検出器71、75が配設されている。 - 特許庁
The light beam is entered into each of the dielectric blocks 52 with an incident optical system 20 at an incident angle obtained total reflection conditions at an interface between the blocks 52 and a thin film layer 14, and then the strength distribution of the light beam, which are totally reflected at each of the interfaces, individually received with a plurality of the light receiving means 30.例文帳に追加
光ビームは入射光学系20により、各誘電体ブロック52に対して、誘電体ブロック52と薄膜層14との界面で全反射条件が得られる入射角で入射せしめられ、各界面で全反射した光ビームを複数の受光手段30で個別に受光し光ビームの強度分布を測定する。 - 特許庁
This resin composition comprises two types of resins incompatible with each other and a modification-treated phyllosilicate, and shows an islands-sea structure in which islands constituted of one resin are dispersed in a matrix (sea) constituted of the other resin and the above modification-treated phyllosilicate is present at the interface between the islands and the sea.例文帳に追加
互いに非相溶な2種類の樹脂と変性処理を施した層状ケイ酸塩からなる樹脂組成物であって、一方の樹脂が構成するマトリックス(海部)中にもう一方の樹脂からなる島部が分散された海島構造を示し、海部と島部の界面に前記の変性処理を施した層状ケイ酸塩が存在することを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁
Subsequently, heat treatment is carried out to make Mn in the alloy layer 17 react with the constituent of the porous film 20 to form a self-formation barrier film 19 composed of an Mn compound having copper diffusion barrier performance at the interface between the alloy layer 17 and the porous film 20.例文帳に追加
その後、熱処理を行い、合金層17中のMnを多孔質膜20の構成成分と反応させて、合金層17と多孔質膜20との界面に、銅の拡散バリア性を有するMn化合物からなる自己形成バリア膜19を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁
A proton conductive intermediate layer 40c having pores is arranged at least at one side of the solid polymer electrolyte film 30 between the catalyst layer 20c and itself with the solid polymer electrolyte film 30 as an interface, and water is exhausted to an outer peripheral gap part 70 formed at the outer periphery of the intermediate layer 40c.例文帳に追加
固体高分子電解質膜30を境にして少なくともいずれか一方の側の、固体高分子電解質膜30と触媒層20c間の少なくとも一部に、空隙を有するプロトン導電性の中間介在層40cを備え、中間介在層40cの外周部に形成される外周間隙部70へ水分を排出する。 - 特許庁
A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加
シリコンからなる半導体基板10の上に形成され、白金からなる下部電極15及び上部電極17並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜16により構成された容量素子18と、上部電極17と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層21Bとを備えている。 - 特許庁
The substrate 1 attached with a cubic silicon carbide film includes the cubic silicon carbide film 3 formed on the surface 2a of the silicon substrate 2, and many quadrangular pyramid-like vacancies 4 gradually contracting inward from the surface 2a of the silicon substrate 2 formed in the vicinity of the interface between the silicon substrate 2 and the cubic silicon carbide film 3.例文帳に追加
本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板1は、シリコン基板2の表面2aに立方晶炭化ケイ素膜3が形成され、このシリコン基板2の立方晶炭化ケイ素膜3との界面近傍に、シリコン基板2の表面2aから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔4が多数形成されている。 - 特許庁
In the peelable metal foil prepared by laminating the metal foil on at least one face of a metal-made carrier, the metal foil is characterized by having a laminated structure consisting of a metal layer (I) deposited on an interface between the metal-made carrier and one or more metal layers (II) formed by deposition or electroplating on the metal layer (I).例文帳に追加
金属製キャリアの少なくとも片面に金属箔が積層されてなるピーラブル金属箔において、金属箔は、金属製キャリアとの界面に蒸着された金属層(I)と、金属層(I)上に蒸着または電気めっきにより形成された1層以上の金属層(II)とからなる積層構造を有していることを特徴とするピーラブル金属箔。 - 特許庁
Print information is transmitted/received between a plurality of work stations 100 and 101 and a printer 103 through a network 104 and a network interface unit 102 incorporated in the printer 103 performs efficient power saving of a printer 103 ending output of print data or a not-yet-used printer 103 receiving no data.例文帳に追加
ネットワーク104を介して、複数のワークステーション100,101から出力される印刷情報をプリンタ103との間で送受信し、プリンタ103に内蔵されたネットワークインタフェース装置102によって、プリントデータの出力が終了したり、受信データがない未使用状態のプリンタ103のパワーセーブを効率的に行る構成を特徴とする。 - 特許庁
When information about a studio to be used is notified from a support system 120 or a server system 130, the control system 110 controls a router 140 on the basis of the correspondence relationship between the studio and the transmission group, held in a memory 110a and set by the user interface, so as to automatically connect the transmission group corresponding to the studio.例文帳に追加
制御システム110は、支援システム120またはサーバーシステム130から使用スタジオ情報が通知されるとき、メモリ部110aに保持されている、ユーザインタフェース部で設定されたスタジオと送出グループとの対応関係に基づいてルータ140を制御し、当該スタジオに対応する送出グループを自動的に接続する。 - 特許庁
By adding a lithium bis-trifluoro methyl sulfonyl amide in a range of 0.005-0.2 mol/L, an interface reaction between an anode and a DME decomposed substance can be controlled, and an increase of a reaction polarization of the anode side can be reduced, and therefore, the lithium battery can obtain an excellent high temperature storing property and a long term reliability.例文帳に追加
特にリチウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドを0.005〜0.2モル/Lの範囲で添加することにより、負極とDME分解生成物との界面反応を抑制することができ、負極側の反応分極の増大をきく低減することが可能となるため、高温保存性、長期信頼性に優れたリチウム電池を提供することができる。 - 特許庁
To provide the sufficient capability of the stress relaxation of a cured anisotropically conductive film, and to prevent prominence or removal at an interface between the cured anisotropically conductive film and an electronic component or a wiring board when the electronic component of which the terminal height is low is connected to the wiring board through the anisotropically conductive film in an anisotropically conductive manner.例文帳に追加
端子高さが低い電子部品を、異方性導電フィルムを介して配線基板に異方性導電接続する場合に、異方性導電フィルムの硬化物の応力緩和力を十分なものになるようにし、しかも異方性導電フィルムの硬化物と電子部品や配線基板との間の界面で「浮き」や「剥離」が生じないようにする。 - 特許庁
Since the pressure of the interface between the wiper blade 15a and the opened surface 10f of the nozzle is made prescribed pressure or higher without greatly bending the wiper blade 15a, after the wiper blade 15a finishes wiping the opened surfaces 10f of the nozzles, the process of restoring the wiper blade 15a that is greatly bent does not occur in principle.例文帳に追加
これにより、ワイパーブレード15aを大きく撓ませることなく、ワイパーブレード15aとノズル開口面10fとの接触面圧を所定圧以上とすることが可能となるので、ワイパーブレード15aがノズル開口面10fを拭き終えた後に、大きく撓んでいたワイパーブレード15aが復元するといった工程が原理的に発生しない。 - 特許庁
The aerobic tank and oxygen-free tank are air-tightly closed, and an oxygen ventilation part equipped with an oxygen enrichment device 9 disposed between the aerobic tank and oxygen-free tank, above the interface of the water, for separating oxygen in the oxygen-free tank to supply the oxygen to the aerobic tank is installed.例文帳に追加
さらに、上記好気性槽と無酸素槽とを各々気密的に閉じるとともに、上記好気性槽と無酸素槽との間であって、上記水の界面上方に、上記無酸素槽内の酸素を分離して上記好気性槽に供給する酸素富化器9を備えた酸素流通部を有する窒素成分含有水の処理装置とした。 - 特許庁
Thus, water intrusion through the junction interface between the heat sink 15 and the retaining frame 16 can be prevented while ensuring the exposed area of the heat sink 15, and even when the seal member 26 is formed of a material ejecting an electrical conduction impeding component, the intrusion of the electrical conduction impeding component into the case can be prevented.例文帳に追加
これにより、ヒートシンク15の露出面積を確保したまま、ヒートシンク15と保持枠16との接合界面から水が浸入することを防止すると共に、仮にシール部材26が導電性阻害成分を放出する材料で形成されている場合でも、その導電性阻害成分がケース内に侵入することを防止する。 - 特許庁
Since the destination of communication between a demultiplex substrate and a low speed interface substrate or the like can be selected by providing a reception selector circuit and a transmission selector circuit, in both the cases of adopting a redundant configuration and adopting no redundant configuration, reliability can be improved while reducing articles for maintenance and reducing the cost.例文帳に追加
受信選択回路63および送信選択回路64を設けて多重分離基板66と低速インタフェース基板62等との間の通信先の選択を可能とすることにより、冗長構成とした場合と冗長構成としない場合の両方において、保守用品の削減を図りコストの低減を図りつつ信頼性を高めることができる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|