「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a communication system including an interface function of a LAN and a CAN that supports data conversion between a LAN communication network and a CAN communication network so that a high-order unit of the LAN communication network can monitor and control a lower-order unit of the CAN communication network and facilitate the improvement of a communication speed and the extension thereof.例文帳に追加

ＬＡＮ通信網とＣＡＮ通信網間のデータ変換を支援することにより、ＬＡＮ通信網の上位ユニットでＣＡＮ通信網の下位ユニットを監視及び制御するとともに、通信速度の向上と拡張を容易にすることができるＬＡＮとＣＡＮのインターフェース機能を有する通信システムを提供すること。 - 特許庁

The interface circuit 11 comprises a CMOS inverter 13 that is energized from a power terminal Vc1; a CMOS inverter 14 that is energized from a power terminal Vc2; and two Zener diodes 16, 17 placed between the power terminal Vc2 and an input terminal 14a connected in anti-series.例文帳に追加

インターフェイス回路１１は、電源端子Ｖｃ１から給電されるＣＭＯＳインバータ１３と、電源端子Ｖｃ２から給電されるＣＭＯＳインバータ１４と、電源端子Ｖｃ２と入力端子１４ａとの間に逆方向に直列接続された２つのツェナーダイオード１６，１７とから構成されている。 - 特許庁

To provide a hot melt adhesive composition preventing air from being included in the interface between a hot melt adhesive layer and an adherend by flexibly corresponding to a part of the surface of the adherend having unevenness of several μm's, and hardly causing fisheyes even when foreign matter, dust or the like is present, and to provide a film with the hot melt adhesive.例文帳に追加

被着体の表面に数μｍの凹凸のある部分にも柔軟に対応してホットメルト接着剤層と被着体の界面に空気が混入することがなく、また、異物や埃などがあってもフィッシュアイが発生しないホットメルト接着剤組成物およびホットメルト接着剤付きフィルムを提供せんことにある。 - 特許庁

An ambient noise detection part 103 gains a voice signal flowing between a line interface 102 and a modem part 105 in a silence section appearing on a gap of transmission/reception, and regards it as an ambient noise, and gains its peak value to send it to a compression rate decision part 104 as the size of the ambient noise.例文帳に追加

周囲雑音検出部１０３は、送受話の切れ目に表れる無音区間内に、回線インタフェース１０２と変復調部１０５の間を流れる音声信号を取得して、これを周囲雑音とみなして、そのピーク値を取得し、取得したピーク値を周囲雑音の大きさとして圧縮率決定部１０４に送る。 - 特許庁

The glass tablet-integrated glass tube 10 is characterized in that the annular sealing glass tablet 30 is heat-fused to a tip of a glass tube 20, and the crystal deposition on the opposite surface of the tablet 31 is smaller than the crystal deposition on the interface between the glass tube 20 and a sealing glass tablet 33.例文帳に追加

本発明のガラスのタブレット一体型ガラス管１０ガラス管２０の先端部に、環状の封着ガラスタブレット３０が加熱融着されており、ガラス管２０と封着ガラスタブレット界面３３の結晶析出量に対して、それに対向するタブレット３１表面の結晶析出量が少ないものである。 - 特許庁

In the state that other mail terminals (a cellular phone 4 and a PDA 5 having a communication function) are brought into the vehicle, the cellular phone 3 establishes a radio communication link by use of a Bluetooth interface part between them and instructs for each mail terminal to transfer the arrived mail to itself.例文帳に追加

携帯電話機３は、車両内に他のメール端末（携帯電話機４及び通信機能を備えたＰＤＡ５）が持ち込まれた状態で、それらとの間にブルートゥースインタフェース部を通じた無線通信リンクを自動的に確立し、各メール端末に対して、着信メールを自身に転送するように指令する。 - 特許庁

To provide a laser beam welding method and equipment that compensate signal delay due to interposition of an I/O interface between a robot controller and a laser oscillator and that, when the robot hand comes to a starting end or a completing end of a laser irradiation position, start or stop the laser oscillator with a timing concurrent with the robot hand.例文帳に追加

ロボットコントローラとレーザ発振器との間にＩ／Ｏインタフェースが介在することによる信号の遅れを補償して、ロボットハンドがレーザ照射位置の始端または終端に来たとき、これに合致したタイミングでレーザ発振器を起動または停止させるレーザ溶接方法および装置を提供する。 - 特許庁

In the system for testing the characteristics of the interface in between thin films by measuring the mechanical and thermal characteristics, the light from a laser 136 is absorbed into the thin films or a structure made of multiple thin films, and variations in the transmission or the reflection of which are measured and are analyzed by using an analyzer 134.例文帳に追加

機械的特性及び熱特性の測定による薄膜と薄膜間の界面との特性調査のためのシステムにおいて、レーザ１３６からの光は、薄膜や、複数の薄膜で作製された構造物に吸収され、光の透過あるいは反射の変化が測定されて、解析器１３４を使用して分析される。 - 特許庁

Which input interface is selected between a digital and analog interfaces is informed with a back search off signal and, when the digital one is selected, the controller 217 determines the quantizing scale value Q for use in a quantizer 218, based on the value Q from the back search and that from the code quality control.例文帳に追加

入力Ｉ／Ｆとしてディジタル及びアナログＩ／Ｆのうち何れが選択されているかがバックサーチＯＦＦ信号により伝えられ、ディジタルＩ／Ｆが選択されている場合、バックサーチによる値Ｑと符号量制御による値Ｑとに基づき、量子化部２１８で用いる量子化スケール値Ｑが決定される。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane-electrolyte assembly (100) is provided with a hydrogen separation membrane (1) and an electrolyte layer (3) composed of a proton conductive oxide and an intermediate layer (2) which is formed on an interface between the hydrogen separation membrane and the electrolyte layer and is composed of a ceramics containing a metal as a composition element composing the hydrogen separation membrane.例文帳に追加

水素分離膜−電解質接合体（１００）は、水素分離膜（１）と、プロトン伝導性酸化物から構成される電解質層（３）と、水素分離膜と電解質層との界面に形成され水素分離膜を構成する金属を構成元素に含むセラミックスからなる中間層（２）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 10 comprises a substrate processing apparatus body 12, a control device 14 for controlling the operable range of the substrate processing apparatus body 12, a display/input device 16 constituting an interface between the control device 14 and the operator, and an ID reader 4 for wirelessly detecting the identifier from an ID tag 6.例文帳に追加

基板処理装置１０は、基板処理装置本体１２と、この基板処理装置本体１２の操作可能な範囲を制御する制御装置１４と、この制御装置１４とオペレータとのインターフェースを構成する表示・入力装置１６と、ＩＤタグ６から無線により識別子を検出するＩＤリーダ４とを有する。 - 特許庁

To store printing data while setting a user executing printing as an owner without generating any application calling an API (application programming interface) provided by a document printing system, in the document printing system controlling access based on the relationship between the owner of printing data and the user performing operation according to authentication information.例文帳に追加

承認情報にしたがって、印刷データのオーナーと、操作を行うユーザとの関係により、アクセスを制御する帳票印刷システムにおいて、帳票印刷システムが提供するＡＰＩをコールするアプリケーションを作成することなく、印刷を実行したユーザをオーナーに設定して、印刷データを保存することを可能にする。 - 特許庁

In the constitution of a load balance type switch for achieving the switching of the packet signals, a preceding stage TDM switch 2 is shared by the switching of the TDM signals and the switching of the packet signals and used, and a connection route between an input/output interface part and a switch part is shared by the time of processing the TDM signals and the time of processing the packet signals.例文帳に追加

パケット信号のスイッチングを実現するためのロードバランス型スイッチの構成において、前段ＴＤＭスイッチ２はＴＤＭ信号のスイッチングとパケット信号のスイッチングとに共用して使用され、入出力インタフェース部−スイッチ部間の接続経路をＴＤＭ信号処理時とパケット信号処理時とで共有する。 - 特許庁

A moisture resistant transparent film is formed on an interface between the metallic optical reflecting layer 2 and the heat sensitive recording layer 3 whereby the image contrast will not be deteriorated even under a high temperature condition in the employing condition of the heat sensitive recording medium A and the reversible heat sensitive recording medium excellent in resistance to moisture as well as resistance to water can be obtained.例文帳に追加

金属製の光反射層２と感熱記録層３の界面に耐湿性の透明性被膜が形成されるので、感熱記録媒体Ａの使用状態において、高湿度の条件においても画像コントラストが低下せず、耐湿性や耐水性に優れた可逆性感熱記録媒体になる。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。 - 特許庁

To provide an electrode board for a dye-sensitized solar cell, capable of easily improving photoelectric conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell, through the restraint of short circuiting at an interface between a porous semiconductor electrode and electrolyte, as well as enhancement of light utilization efficiency at the porous semiconductor electrode.例文帳に追加

多孔質半導体電極と電解質との界面での短絡を抑制すると共に色素（増感色素）及び多孔質半導体電極での光利用効率を高めて、色素増感型太陽電池の光電変換効率を向上させることが容易な色素増感型太陽電池用電極基板を提供する。 - 特許庁

In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.例文帳に追加

第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁

In the method of data communication between a printer driver means and an application program means 201 operating on an operation system, the application program 201 creates a named shared memory, and calls the ExtEscape function 301, so that a user interface module 411 of the XPS printer driver stores the return data in the named shared memory.例文帳に追加

オペレーティングシステム上で動作するアプリケーションプログラム手段２０１とプリンタドライバ手段との間のデータ通信方法であって、アプリケーションプログラム２０１が名前付き共有メモリを作成しＥｘｔＥｓｃａｐｅ関数３０１を呼び出すことで、ＸＰＳプリンタドライバのユーザインタフェースモジュール４１１が名前付き共有メモリに返却データを格納する。 - 特許庁

To provide a method for producing a fiber-reinforced thermoplastic sheet for a laminated molding in which the shearing peel strength at the interface between the reinforced sheet and a coating resin is improved even when the sheet is coated with a thermoplastic resin having poor compatibility with the thermoplastic resin in the sheet.例文帳に追加

繊維強化熱可塑性シート中の熱可塑性樹脂と相溶性の少ない熱可塑性樹脂を被覆した際にも繊維強化熱可塑性シートと被覆された樹脂との界面での剪断剥離強度を増大した積層成形品を与える繊維強化熱可塑性シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulated cylinder which can lower a voltage induced by an external semiconductive layer of the insulated cylinder by suppressing contact resistance at an interface between an insulating spacer and the insulated cylinder generated by grease applied to the insulating spacer in order to facilitate the movement of the insulated cylinder when the insulated cylinder is connected to the insulating spacer, and by increasing capacitance.例文帳に追加

絶縁スペーサと結合される際の絶縁筒の移動を容易にするために絶縁スペーサに塗布されるグリスによる絶縁スペーサと絶縁筒の界面における接触抵抗を抑制し、静電容量を大きくすることによって、絶縁筒の外部半導電層に誘起される電圧を小さくすることができる絶縁筒を提供する。 - 特許庁

An adapter module is composed of slots 31, 32 equipped with one or more PC cards are detachably, an interface 20 connected to an input/ output port of a peripheral device 10, and a necessary electronic device 33 for controlling input and output of data between the PC cards 40, 41 and the peripheral device 10.例文帳に追加

１または複数のＰＣカード４０、４１が取り外し自在に装着されるスロット３１、３２と、周辺機器１０の入出力ポート１２に接続するインターフェース２０と、装着されたＰＣカード４０、４１と周辺機器１０との間でデータの入出力を制御するに必要な電子部品３３とによって、アダプタモジュール３０が構成されている。 - 特許庁

To easily generate an application including communication between network terminals connected by a plurality of networks without being conscious of a kind of the connected network and low-order addresses by using a correspondence list among high-order and low-order addresses and a network interface in use in the network terminal having a plurality of network interfaces.例文帳に追加

複数のネットワークインターフェイスを有するネットワーク端末装置について、上位アドレスと下位アドレス、使用するネットワークインターフェイスの対応表を使用することにより、接続されているネットワークの種類や下位アドレスを意識することなく、複数のネットワークにて接続されたネットワーク端末装置間の通信を含むアプリケーションの作成を容易にする。 - 特許庁

A capacitor and a DRAM having this capacitor include a first layer 2 of a conductive doped perovskite material, a second layer 3 of an anti- conductive doped perovskite material, and a depletion layer 1 formed in the interface between the first and second layers made of the conductive perovskite material and constituting the insulating layer of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタとこのようなキャパシタを有するＤＲＡＭは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第１の層２と、第１の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第２の層３と、導電性ペロブスカイト物質の第１および第２の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層１とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thermoplastic aromatic resin composition by which inactive particles are uniformly dispersed in the thermoplastic aromatic resin composition without having coarse particles in the composition and voids are hardly generated on the interface between the inactive particles and a thermoplastic aromatic polyester resin, and to provide a polyester film superior in surface smoothness by using the manufacturing method.例文帳に追加

熱可塑性芳香族ポリエステル樹脂組成物中に粗大粒子を存在させることなく不活性粒子を均一に分散させ、不活性粒子と熱可塑性芳香族ポリエステル樹脂との界面にボイドなどの空隙が生じにくい製造方法を提供し、これらの製造方法を用いて表面平滑性に優れたポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加

２種以上のＶ族元素で構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第１の層と第２の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁

A proton conductive intermediate layer 40c having pores is arranged at least at one side of the solid polymer electrolyte film 30 between the catalyst layer 20c and itself with the solid polymer electrolyte film 30 as an interface, and water is exhausted to an outer peripheral gap part 70 formed at the outer periphery of the intermediate layer 40c.例文帳に追加

固体高分子電解質膜３０を境にして少なくともいずれか一方の側の、固体高分子電解質膜３０と触媒層２０ｃ間の少なくとも一部に、空隙を有するプロトン導電性の中間介在層４０ｃを備え、中間介在層４０ｃの外周部に形成される外周間隙部７０へ水分を排出する。 - 特許庁

To provide a technique of manufacturing a membrane-electrode junction 6 which is strong in interface bonding force between an electrolyte membrane 1 and a catalyst layer 4, and superior in mechanical strength as the membrane electrode junction 6 without arranging a special intermediate layer, while using a catalyst mixture containing electrolyte resin and a catalyst-carrying conductor as a catalyst layer 4.例文帳に追加

触媒層４として電解質樹脂と触媒担持導電体とを含む触媒混合物を用いながら、特別の中間層を配置することなく、電解質膜１と触媒層４との界面結合力が強く、かつ膜電極接合体６としての機械的強度も優れている膜電極接合体６を製造する技術を提供する。 - 特許庁

A contact for a semiconductor device can be formed by forming a metal on a silicon carbide (SiC) substrate, and annealing an interface location between the metal and the SiC substrate to form a metal-SiC material thereat, while avoiding annealing at a location on the SiC substrate to avoid forming the metal-SiC material thereat.例文帳に追加

炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。 - 特許庁

The two-chip/single-die switching device architecture includes an internal memory storage block on the single-die, an external memory storage interface to a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM), an external memory manager, and a packet data transfer engine effecting packet data transfers between an internal memory store and the external DDR SDRAM memory.例文帳に追加

この２チップ／単一ダイの交換装置アーキテクチャは、単一ダイ上の内部記憶装置ブロック、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）への外部記憶装置インタフェース、外部記憶装置マネージャ、及び内部記憶装置と外部ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ記憶装置との間でパケット・データの転送を実行するパケット・データ転送エンジンを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加

、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing the microcapsule, the wall of the microcapsule is formed by subjecting a polymerizable monomer to radical polymerization on the interface between an oil-soluble solvent and an aqueous solvent, wherein the aqueous solvent contains a cationic monomer (A) of 1 mole and an anionic monomer (B) of 0.2-5 moles.例文帳に追加

油溶性溶媒と水溶性溶媒との界面で重合性モノマーがラジカル重合反応することによりカプセル壁が形成されるマイクロカプセルの製造方法であって、水溶性溶媒が、カチオン性モノマー（Ａ）およびアニオン性モノマー（Ｂ）を含み、かつ、カチオン性モノマー（Ａ）１モルに対して、アニオン性モノマー（Ｂ）が、０．２〜５モルであるマイクロカプセルの製造方法。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film.例文帳に追加

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In the method in which the corrosion of the composite steel structure such as a root-winding concrete steel bridge pier 100 is inspected, an ultrasonic probe 1 is scanned on the pier 100, and a corrosion part 104 existing in the interface between the pier 100 and a root-winding concrete part 102 is inspected quantitatively by the high-output ultrasonic angle flaw detection method.例文帳に追加

根巻きコンクリート鋼製橋脚１００のごとき複合鋼構造物の腐食を検査する方法において、超音波探触子１を鋼製橋脚１００上にて走査し、該鋼製橋脚１００と根巻きコンクリート部１０２との界面に存在する腐食部１０４を高出力超音波斜角探傷法により定量的に検査する。 - 特許庁

A channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor has a process of forming an insulation film on a thin film, a process of forming an additional insulation film for the insulation film, and a process of implanting first conductive type impurities into a part near an interface between a semiconductor thin film and the insulation film.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に対し追加絶縁膜を形成する工程と半導体薄膜と絶縁膜との界面近傍に第１導電型の不純物の注入を行う工程を有するようにした。 - 特許庁

To provide a device and a method for supporting communication and a recording medium with stored program for supporting communication, with which online communication is easily enabled between an existent host computer and each of communication object devices without altering the existent communication interface of each of communication object devices.例文帳に追加

本発明の目的は、各通信対象装置の既存の通信インターフェースの改造を行わず、既存のままのホストコンピュータと各通信対象装置との間で、容易にオンライン通信することができる通信支援装置及び通信支援方法及び通信を支援するためのプログラムを記憶した記録媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The substrate 20 coated with the amorphous carbon film is produced by forming the amorphous carbon film 22 on the surface of the substrate 21 under a reduced pressure through a discharge plasma process, wherein an active layer 23 containing either or both of oxygen and nitrogen is formed in an interface between the substrate 21 and the amorphous carbon film 22.例文帳に追加

本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 - 特許庁

The electroluminescent element includes a substrate; an anode formed on the substrate; an organic electroluminescent layer formed on the substrate and formed by a multilayered structure including a positive hole injecting layer and a positive hole transport layer; a cathode formed on the electroluminescent layer; and an interface deterioration preventing layer formed between the anode and the electroluminescent layer.例文帳に追加

有機電界発光素子は、基板と、該基板上に形成された陽極と、該陽極上に形成され、正孔注入層及び正孔輸送層を含む多層構造からなる有機電界発光層と、該有機電界発光層上に形成された陰極と、陽極と有機電界発光層との間に形成された界面劣化防止層とを備えてなる。 - 特許庁

In the method of reducing the stress of the oxide film formed on the silicon substrate, radical atoms are irradiated on the oxide film to be mixed in atoms deviated from the radical atoms evenly into the entire oxide film, selectively eliminating defects existent inside the oxide film or in an interface between the oxide film and the silicon substrate and consequently reducing the stress of the oxide film.例文帳に追加

シリコン基板上に設けられる酸化膜のストレスを緩和する方法であって、酸化膜に対してラジカル原子を照射し酸化膜全体にラジカル原子由来の原子を均一に混入することによって、酸化膜内部あるいは酸化膜とシリコン基板との界面に存在する欠陥を選択的に消滅させ、酸化膜のストレスを緩和する。 - 特許庁

Especially, such a method forms the secondary active regions (14a and 14b) through a step to crystallize the secondary single-crystal semiconductor material from a pattern composed of the secondary polycrystal and/or amorphous semiconductor materials as well as an interface region between the pattern and the preselected primary active regions (1a and 1b).例文帳に追加

そのような方法は、特に、多結晶および／またはアモルファス形態の第２の半導体材料から成るパターンおよび前記パターンと予め選択された第１の活性領域（１ａ，１ｂ）との間の界面領域から単結晶形態で第２の半導体材料を結晶化させるステップにより第２の活性領域（１４ａ，１４ｂ）を形成することから成る。 - 特許庁

The circuit 1 consists of a memory 2 for recording speed data, a memory control circuit 3, an analyzing and synthesizing circuit 4, a timing generator circuit and a control circuit 5, an interface circuit 6 between with the main control part, a D/A conversion circuit 7 for D/A-converting speech data, a band-pass filter circuit 8, an amplifier circuit 9 and a loudspeaker 10.例文帳に追加

音声合成回路１は、音声データを記録しておくメモリー２と、メモリ制御回路３と、分析合成回路４と、タイミング・ジェネレーター回路および制御回路５と、主制御部とのインターフェース回路６と、音声データをアナログに変換するＤ／Ａ変換回路７と、バンドパス・フィルター回路８と、増幅回路９と、スピーカー１０とからなる。 - 特許庁

The carbon fiber (3) is obtained by allowing a hydrocarbon molecule to be absorbed on a catalytic metal particle (2) carried by the surface of a spherical carrier (1), allowing the carbon formed by the decomposition reaction to continuously precipitate on the interface between the catalytic metal particle (2) and the carrier, and growing the fiber in a crystal shape accompanying the catalytic metal particle (2) at the tip.例文帳に追加

本発明のカーボン繊維（３）は、球状担体（１）表面に担持された触媒金属粒子（２）に炭化水素分子が吸着し、分解反応を起こして生成した炭素が、触媒金属粒子（２）と担体との界面に連続的に析出し、先端に触媒金属粒子（２）をともなって結晶状に成長した繊維である。 - 特許庁

To minimize the leakage of a gas produced from a fuel from an interface between a polyethylene or high-density polyethylene inner face layer constituting a fuel tank, exposed to the inner face of an opening of the fuel tank to which a connector is attached, and a gas barrier layer formed outside thereof following the mounting of the connector to the opening.例文帳に追加

コネクタの取り付けられる燃料タンクの開口の内面に露出された当該燃料タンクを構成するポリエチレン又は高密度ポリエチレン製の内面層とその外側に形成されるガスバリア層との界面からの燃料から生じるガスのリークを、かかる開口へのコネクタの取り付けに伴ってできる限り減少させるようにする。 - 特許庁

A communication device MD_C transmits and receives communication data by using a token ring or FDDI (Fiber Distributed Data Interface) system communication unit 11 and an Internet protocol communication unit 13, and performs data conversion between token data in a token ring CP_1 and Internet protocol data in an Internet protocol CP_3.例文帳に追加

通信装置ＭＤ_Cが、トークンリングまたはＦＤＤＩ（Ｆｉｂｅｒ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｄａｔａ Ｅｎｔｅｒｆａｃｅ）方式通信部１１及びインターネットプロトコル通信部１３を使って通信データを送受信し、トークンリングＣＰ_1におけるトークンデータとインターネットプロトコルＣＰ_3におけるインターネットプロトコルデータ間のデータ変換を行う。 - 特許庁

Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁