「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve a problem which the surface adhesion of a foamed sheet of a synthetic resin is usually weak because of its insufficient flatness when printed or laminated, to cause peeling at the interface between the foamed sheet and an adhesive layer, for example, even when a decorative sheet is laminated and is too weak to occur the breakage of the laminated material.例文帳に追加

合成樹脂発泡シートは、表面の平面性が不十分なため、印刷やラミネートの際の接着性が不十分であり、例えば、化粧シートを接着剤を用いてラミネートしても、発泡シートと接着剤層の界面で剥離が生じ、貼り合せた素材の破壊に至るほどの強い接着力が得られなかった点を改善することを課題としている。 - 特許庁

Accordingly, as the looseness caused by the difference of the thermal expansion coefficient of the interface between the grains 12 with the small thermal expansion coefficient and the binder organization 14 whose constitution component is a synthetic resin binder 18 with a layer thermal expansion coefficient in comparison therewith is restrained, the grinding performance is increased by restraining the drop of the grains 12 favorably.例文帳に追加

したがって、熱膨張係数が小さい砥粒１２とそれに比べて熱膨張係数が大きい合成樹脂結合剤１８を構成成分とする結合剤組織１４との界面の熱膨張係数の差に起因する緩みが抑制されるため、砥粒１２の脱落が好適に抑制されて研削性能が高められる。 - 特許庁

The adhesive optical filter is prepared by layering an adhesive layer on one side surface of a light-transmissive sheet-like substrate, wherein the adhesive layer comprises a plurality of light-absorbing regions which are substantially orthogonal to a laminated interface between the light-transmissive sheet-like substrate and the adhesive layer; and a plurality of light transmissive regions.例文帳に追加

透光性シート状基材の一方の面に、接着剤層が積層されてなる接着性光学フィルターであって、前記接着剤層が、透光性シート状基材と前記接着剤層との積層界面に対しほぼ直交する複数の光吸収性領域と、複数の透光性領域とを有することを特徴とする接着性光学フィルター。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

When a formed optical element is obtained by press-forming a heated and softened glass workpiece with a forming die, before opening the die for taking the formed optical element out of the die after completion of press-forming and cooling, the electric charge generated and stored at the interface part between the glass of the formed optical element and the forming die is removed.例文帳に追加

加熱軟化したガラス素材を成形型でプレス成形し成形光学素子を得るに際し、プレス成形および冷却が完了した成形光学素子を成形型から取り出すために型開きする前に、成形光学素子のガラスと成形型の界面部に発生し帯電している電荷を除電することを特徴とする光学素子の成形方法。 - 特許庁

In the optical fiber cable having one or more coated optical fibers or optical fiber unit and a sheath with which the optical fibers are covered, an inclusion is disposed along the longitudinal direction in the sheath, wherein the inclusion does not reach the outer surface of the sheath and the inside interface between the sheath and the coated optical fibers or optical fiber unit.例文帳に追加

１以上の光ファイバ心線又は光ファイバユニットと前記光ファイバを被覆するシースを有する光ファイバケーブルであって、前記シースには長手方向に沿って介在が設けられており、前記介在はシース外表面及び前記シースと前記光ファイバ心線又は光ファイバユニットとの内側界面に到達していないことを特徴とする光ファイバケーブル。 - 特許庁

When the telephone number of forwarding destination is PB dial-input from a telephone 6 at a visit place or an uncontracted line in correspondence with the stimulus procedure between live wires, a TA (interface converter) 3 transmits that telephone number to a network exchange 2 as a key pad facility and new registration of the forwarding destination is made for the network exchange 2.例文帳に追加

外線—外線間のスティミュラス手順に対応し、外出先、すなわち契約外回線の電話機６から転送先の電話番号をＰＢダイヤル入力すると、ＴＡ（インタフェース変換装置）３にてその電話番号がキーパッドファシリティとして網交換機２へ送信され、これにより転送先の新規登録が網交換機２に対しなされる。 - 特許庁

The light source device 1 includes: a first conductive liquid 11; a second insulating liquid 12 of the refractive index different from that of the first liquid; a liquid chamber for holding the first and second liquids; a voltage applying means which change a figure of interface 13A between the first and second liquids; and a light emitting body 20 located in the liquid chamber.例文帳に追加

本発明に係る光源装置１は、導電性の第１の液体１１と、第１の液体と屈折率が異なる絶縁性の第２の液体１２と、第１，第２の液体を収容する液室と、第１，第２の液体間の界面１３Ａの形状を変化させる電圧印加手段と、液室内に設置された発光体２０とを備える。 - 特許庁

In an image processing card 13_i, a generation information is stored by which a tap coefficient that differs between when it is used with the generation information stored in the image processing card 13_1 to 13_i-1 and when it is solely used in the image processing card 13_i can be obtained and the generation information is provided to an image processing interface 40.例文帳に追加

画像処理カード１３_iには、画像処理カード１３_1乃至１３_i-1に記憶された生成情報とともに用いられる場合と、画像処理カード１３_i自身のみで用いられる場合とで異なるタップ係数を求めることができる生成情報が記憶されており、その生成情報が、画像処理インタフェース４０に供給される。 - 特許庁

The first area is formed at a predetermined interface in a diameter direction from the second area, data recorded in the form of a concave-convex pit in the first area are recorded between the second and first areas, and the data of the second area is encrypted to be recorded by using the data recorded in the first area as a key.例文帳に追加

第１の領域は、第２の領域に対して径方向の所定間隔を有するように離れて形成され、第１の領域に凹凸ピットの形式で記録されたデータが第２の領域と第１の領域の間にも記録され、第１の領域に記録されたデータを鍵として、第２の領域のデータが暗号化されて記録されている。 - 特許庁

This communication apparatus configure individual parts by including interface software which is divided into management software for realizing a communication managing part 61 and a line managing part 62 and control software for realizing a communication controlling part 63 and a line controlling part 64 and a realizes an i/f controlling part 66 between the management software and the control software at the time of performing communication and calling/terminating operation.例文帳に追加

通信装置は、通信および発着呼の動作に際し、通信管理部６１および回線管理部６２を実現する管理ソフトウェアと、通信制御部６３および回線制御部６４を実現する制御ソフトウェアとに分割し、この間にｉ／ｆ制御部６６を実現するインターフェースソフトウェアを組み込むことで、各部を構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal separator for a fuel cell, which prevents hole corrosion on an interface between a parent material and a conductive intercalated matter to prevent the latter from falling off and improves generation by lowering the contact resistance, in a process of having the conductive intercalated matter protruded on the surface.例文帳に追加

表面に導電性介在物を突出させる処理時に、母材と導電性介在物との界面に孔食が発生することが防止されて導電性介在物の脱落が防がれ、これによって接触抵抗が低減して発電性能の向上が図られる燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁

The distribution of nitrogen concentration possessed by the side wall 9 in a cross section perpendicular to the one main surface of the semiconductor substrate 1 has a peak at an interface between a polysilicon 9b and an oxide film 9a, and nitrogen is more introduced so as to enable another concentration peak to be located above the above peak and close to the surface of the polysilicon 9b.例文帳に追加

そのサイドウォール９において、半導体基板１の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布がポリシリコン９ｂと酸化膜９ａとの界面にピークを有するとともに、このピークの位置より上の位置でポリシリコン９ｂの表面に近傍にさらに濃度のピークを有するように窒素が導入されている。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 containing a Pb constituent and a conductive layer 2 containing a Pd constituent are alternately laminated each, the thickness of the reaction layer R of Pb and Pd on the interface between the piezoelectric substrate layer 1 and the conductive layer 2 should be 3% or smaller of the maximum thickness of the piezoelectric substrate layer 1.例文帳に追加

それぞれ、Ｐｂ成分を含む圧電体層１と、Ｐｄ成分を含む導体層２とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層１と前記導体層２との界面における前記ＰｂおよびＰｄとの反応層Ｒの厚みが、前記圧電体層１の最大厚みの３％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A contact for a semiconductor device can be formed by forming a metal on a silicon carbide (SiC) substrate, and annealing an interface location between the metal and the SiC substrate to form a metal-SiC material thereat, while avoiding annealing at a location on the SiC substrate to avoid forming the metal-SiC material thereat.例文帳に追加

炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。 - 特許庁

The two-chip/single-die switching device architecture includes an internal memory storage block on the single-die, an external memory storage interface to a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM), an external memory manager, and a packet data transfer engine effecting packet data transfers between an internal memory store and the external DDR SDRAM memory.例文帳に追加

この２チップ／単一ダイの交換装置アーキテクチャは、単一ダイ上の内部記憶装置ブロック、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）への外部記憶装置インタフェース、外部記憶装置マネージャ、及び内部記憶装置と外部ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ記憶装置との間でパケット・データの転送を実行するパケット・データ転送エンジンを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加

、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing the microcapsule, the wall of the microcapsule is formed by subjecting a polymerizable monomer to radical polymerization on the interface between an oil-soluble solvent and an aqueous solvent, wherein the aqueous solvent contains a cationic monomer (A) of 1 mole and an anionic monomer (B) of 0.2-5 moles.例文帳に追加

油溶性溶媒と水溶性溶媒との界面で重合性モノマーがラジカル重合反応することによりカプセル壁が形成されるマイクロカプセルの製造方法であって、水溶性溶媒が、カチオン性モノマー（Ａ）およびアニオン性モノマー（Ｂ）を含み、かつ、カチオン性モノマー（Ａ）１モルに対して、アニオン性モノマー（Ｂ）が、０．２〜５モルであるマイクロカプセルの製造方法。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film.例文帳に追加

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In the method in which the corrosion of the composite steel structure such as a root-winding concrete steel bridge pier 100 is inspected, an ultrasonic probe 1 is scanned on the pier 100, and a corrosion part 104 existing in the interface between the pier 100 and a root-winding concrete part 102 is inspected quantitatively by the high-output ultrasonic angle flaw detection method.例文帳に追加

根巻きコンクリート鋼製橋脚１００のごとき複合鋼構造物の腐食を検査する方法において、超音波探触子１を鋼製橋脚１００上にて走査し、該鋼製橋脚１００と根巻きコンクリート部１０２との界面に存在する腐食部１０４を高出力超音波斜角探傷法により定量的に検査する。 - 特許庁

A channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor has a process of forming an insulation film on a thin film, a process of forming an additional insulation film for the insulation film, and a process of implanting first conductive type impurities into a part near an interface between a semiconductor thin film and the insulation film.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に対し追加絶縁膜を形成する工程と半導体薄膜と絶縁膜との界面近傍に第１導電型の不純物の注入を行う工程を有するようにした。 - 特許庁

The structure for the fuel cell contains at least one cell 300 formed with first and second electrodes 310, 320 separated with an electrolyte, and the cell is arranged between first and second interface elements for supplying reagent to the electrodes of the cell and for collecting current it generated.例文帳に追加

燃料電池用の構造体は、電解質によって分離されている第１電極および第２電極３１０，３２０により形成されている少なくとも１つのセル３００を含み、セルは、セルの電極に反応物を供給し、それが生成する電流を収集するための第１および第２インターフェース・エレメントの間に配置されている。 - 特許庁

To provide a positive electrode collector for a lithium ion secondary battery, capable of increasing the battery life, by preventing elution of the collector into an electrolyte to increase adherence between the collector and an active material at the interface, and to provide a positive electrode for the lithium ion secondary battery and a method of manufacturing the positive electrode collector for the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

集電体の電解液への溶出を防止して集電体と活物質の界面における密着性を向上させることで電池寿命を増大させることができるリチウムイオン二次電池用正極集電体、リチウムイオン二次電池用正極およびリチウムイオン二次電池用正極集電体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem with a foldable mobile terminal device or the like, wherein when a control device connected by a serial interface and a plurality of controlled devices are disposed in separate housings, a possibility of disconnection increases and also a flexible cable becomes wide due to an increase of the number of signals between housings so that it causes a cost increase or adverse effects on appearance design.例文帳に追加

折り畳み式の携帯端末等で、シリアルインターフェースにて接続される制御デバイスと、被制御デバイス（複数）とが別々の筐体に配置される場合、筐体間の信号本数が多くなると断線の可能性が増大するだけでなく、フレキケーブルなどが広くなりコストアップや外観デザインへの悪影響の要因となる。 - 特許庁

To provide a measuring means capable of evaluating sealing performance not only to a thickness direction but also to moisture penetrating from an interface between a sealing layer and a substrate, relative to measurement of moisture permeability of a thin film-shaped sealing layer aiming at moisture-proof performance which cannot exist independently by itself, and to a moisture-proof sealing layer of an electronic element requiring moisture-proof sealing.例文帳に追加

単独で自立して存在するのが不可能な防湿目的の薄膜状封止膜の水分透過率の計測や、防湿封止が必要な電子素子の防湿封止層に関して、厚さ方向のみではなく、封止層と基板との界面から浸入する水分に対しても封止性能の評価を可能にする計測手段を提供する。 - 特許庁

This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加

半導体発光装置は、支持基板３０と、支持基板上に設けられた発光層１２を含む半導体膜１０と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜２０と、を含んでいる。 - 特許庁

Each of a plurality of core chips CCi includes: a data output circuit 54o for outputting read data to an interface chip IF in response to a read command; and an output timing adjustment circuit 400 for matching a duration from a time when receiving the read command until the read data are output by the data output circuit 54o between the plurality of core chips.例文帳に追加

複数のコアチップＣＣｉの夫々は、リードコマンドに応答してインターフェースチップＩＦにリードデータを出力するデータ出力回路５４ｏと、リードコマンドを受け付けてからデータ出力回路５４ｏによってリードデータが出力されるまでの時間を複数のコアチップ間において一致させる出力タイミング調整回路４００とをそれぞれ含む。 - 特許庁

The VPN device sets a rule for restricting communication between the terminal and devices, other than own device, while own device and the terminal perform VPN communication to a network interface means of the terminal which performs the VPN communication with own device by a rule setting means for setting the rule of the communication to each device to be connected to the terminal via the network.例文帳に追加

ＶＰＮ装置は、自装置とＶＰＮ通信を行う端末のネットワークインターフェイス手段に端末とネットワークを介して接続される各機器に対する通信のルールを設定するルール設定手段によって、自装置と端末とがＶＰＮ通信を行っている間は、端末と自装置以外の機器との通信を制限するルールを設定する。 - 特許庁

To provide a reversible thermal recording medium which can hold a clear recording image by preventing the occurrence of layer exfoliation in a metallic compound containing layer (gas barrier layer), and the interface exfoliation between the metallic compound containing layer and the other layer, even when using for a long period under a severe environment, and a reversible thermal recording member having the reversible thermal recording medium.例文帳に追加

厳しい環境下で長期間使用しても、金属化合物含有層（ガスバリア層）の層内剥離、及び金属化合物含有層と他層の層間剥離の発生を防止して、鮮明な記録画像を保持することができる可逆性感熱記録媒体及び該可逆性感熱記録媒体を有する可逆性感熱記録部材の提供。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a composition for resist removal, having high removing rate for all resists used in the manufacture of semiconductors and liquid crystal substrates, large solubility with ozone, and high permeability into the interface between a substrate and a resist, and being capable of stripping not only a normal resist but a thermally set resist near the normal temperature.例文帳に追加

半導体や液晶基板を製造する際に用いられるすべてのレジストに対する除去速度が高く、オゾンの溶解度が大きく、基板とレジストとの間の界面への浸透性が高くて、通常のレジストだけでなく熱硬化したレジストに対しても常温付近でレジストを剥離することのできるレジスト除去用組成物を提供する。 - 特許庁

The card includes a receiving unit for receiving and processing a digital multimedia broadcast signal, a memory for temporarily storing processed digital multimedia broadcast data, an interface unit for controlling interfacing between the card and the terminal for reproducing the digital multimedia broadcast when the card is inserted into the terminal and a node for transmitting the digital multimedia broadcast data to the terminal.例文帳に追加

該カードは、デジタルマルチメディア放送信号を受信して処理する受信部と、処理されたデジタルマルチメディア放送データを一時的に格納するメモリと、デジタルマルチメディア放送を再生する端末機に挿入されたときに、端末機とのインターフェーシングを制御するインターフェース部と、端末機にデジタルマルチメディア放送データを伝送するノードとを含む。 - 特許庁

Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加

第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。 - 特許庁

The fabrication method for the packaging substrate includes: mutually stacking two metal layers; encapsulating the two metal layers with dielectric layers; forming built-up structures on both sides of the dielectric layers, respectively; and lastly separating the built-up structures along the interface between the two metal layers so as to form two packaging substrates.例文帳に追加

本発明に係るパッケージ基板の製造方法は、先ず、二つの金属層を相互にラミネートし、誘電体層で二つの金属層を覆い、次に、誘電体層の両側にビルドアップ構造をそれぞれ形成し、最後に二つの金属層の界面に沿って両側のビルドアップ構造を分離させることにより、二つのパッケージ基板を形成する。 - 特許庁

To provide a negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery having a negative electrode active material consisting of a silicon oxide, in which a stress applied on an interface between a negative electrode collector and the negative electrode active material at the time of charging is reduced and separation of the negative electrode active material and deformation of the negative electrode collector are suppressed to improve cycle characteristics of the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

ケイ素酸化物からなる負極活物質を備えた非水電解質二次電池用負極について、充電時に負極集電体と負極活物質との界面にかかる応力を軽減し、負極活物質の剥離や負極集電体の変形を抑制して、非水電解質二次電池のサイクル特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a paste for an electric double-layer capacitor by which an electrode is easily manufactured and an electric double-layer capacitor can be easily manufactured and which can have excellent flexibility and high electrical conductivity by solving a problem in the prior art that bending a film formed in a conventional manner causes destruction of the film from an interface between a medium with particles dispersed therein and the particles, thus destroying the film.例文帳に追加

電極の製造が容易で、従来のような成膜した後に折り曲げを行うと粒子を分散させている媒体と粒子との界面からの破壊が起こって膜が破壊されるという問題がなく、可撓性に優れ、かつ高い導電性を有する電気二重層キャパシタの作成が可能な電気二重層キャパシタ用ペーストを提供する。 - 特許庁

When resticking a floor material in the adhesion method for a floor structure where the floor material is stuck on a substrate material by an adhesive, the old floor material is peeled in the boundary surface between the rear cushion of an old floor material and an old adhesive for fixing the old floor material (interface breakage), after which a new adhesive is applied on the remaining adhesive layer, and the new floor material is stuck.例文帳に追加

下地材に接着剤によって床材を貼り付ける床構造体の接着工法において、床材を貼り直す作業をする際に、床材の裏面クッションと、床材を固定する接着剤との界面で、床材を剥離（界面破壊）させた後、残存する接着剤層の上に、新たな接着剤を塗布し、新しい床材を貼り付ける。 - 特許庁

The photosensitive resin laminate comprises an organic polymer film and a photosensitive resin layer containing an alkali-soluble polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenic double bond, a photopolymerization initiator and a black pigment layered on the polymer film, wherein the laminate includes a release agent layer on the interface between the organic polymer film and the photosensitive resin layer.例文帳に追加

有機ポリマーフィルム上に、アルカリ可溶性高分子、エチレン性二重結合を有する光重合性化合物、光重合性開始剤及び黒色顔料を含有する感光性樹脂層を積層してなる感光性樹脂積層体において、有機ポリマーフィルムと感光性樹脂層の界面に離型剤層を有することを特徴とする感光性樹脂積層体。 - 特許庁

To minimize the leakage of a gas produced from a fuel from an interface between a polyethylene or high-density polyethylene inner face layer constituting a fuel tank, exposed to the inner face of an opening of the fuel tank to which a connector is attached, and a gas barrier layer formed outside thereof following the mounting of the connector to the opening.例文帳に追加

コネクタの取り付けられる燃料タンクの開口の内面に露出された当該燃料タンクを構成するポリエチレン又は高密度ポリエチレン製の内面層とその外側に形成されるガスバリア層との界面からの燃料から生じるガスのリークを、かかる開口へのコネクタの取り付けに伴ってできる限り減少させるようにする。 - 特許庁

A communication device MD_C transmits and receives communication data by using a token ring or FDDI (Fiber Distributed Data Interface) system communication unit 11 and an Internet protocol communication unit 13, and performs data conversion between token data in a token ring CP_1 and Internet protocol data in an Internet protocol CP_3.例文帳に追加

通信装置ＭＤ_Cが、トークンリングまたはＦＤＤＩ（Ｆｉｂｅｒ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｄａｔａ Ｅｎｔｅｒｆａｃｅ）方式通信部１１及びインターネットプロトコル通信部１３を使って通信データを送受信し、トークンリングＣＰ_1におけるトークンデータとインターネットプロトコルＣＰ_3におけるインターネットプロトコルデータ間のデータ変換を行う。 - 特許庁

Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

When the dose of radiation is monitored, off voltage of a TFT, i.e. the depletion bias of a semiconductor layer, is applied to the control electrode of the photoelectric transducer 2 for monitoring and holes stored on the interface between an insulating film and the semiconductor layer are removed simultaneously with the imaging photoelectric transducer by a storage bias being applied to the common electrode bias line.例文帳に追加

放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子２の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるＴＦＴのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、共通電極バイアスラインに印加する蓄積バイアスにより撮像用光電変換素子と同時に除去される。 - 特許庁

The service comprises a location management component configured to route location data, a fuser engine configured to receive location reports generated from the location data, to reconcile conflicts between the location reports and to generate a location object, and a location application programming interface (API) coupled to the location management component to transmit the location object from the fuser engine to an application.例文帳に追加

サービスは、位置データを送り届けるように構成された位置管理構成要素、位置データから生成された位置レポートを受信し、位置レポート間のコンフリクトを調整し、位置オブジェクトを生成するように構成したｆｕｓｅｒエンジン、および該エンジンからアプリケーションに位置オブジェクトを送る、位置管理構成要素に結合した位置ＡＰＩを備える。 - 特許庁

To obtain a storage means provided with an interface for requesting retrial from a controller to an uncorrectable fault and capable of transmitting/ receiving information between the controller and a storage element by a packet method capable of intermittently saving faults and saving a fixed fault in a storage element and a fixed fault in a data line/address system control signal line.例文帳に追加

訂正不能な障害に対して、コントローラ側からの再試行を要求するインタフェースを設け、間歇的な障害を救済可能とし、また、記憶素子の固定障害、データ線／アドレス系制御信号線の固定障害を救済することを可能としたパケット方式でコントローラと記憶素子との間の情報の授受を行う記憶装置。 - 特許庁