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interface betweenの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4284件
When the dose of radiation is monitored, off voltage of a TFT, i.e. the depletion bias of a semiconductor layer, is applied to the control electrode of the photoelectric transducer 2 for monitoring and holes stored on the interface between an insulating film and the semiconductor layer are removed simultaneously with the imaging photoelectric transducer by a storage bias being applied to the common electrode bias line.例文帳に追加
放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子2の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるTFTのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、共通電極バイアスラインに印加する蓄積バイアスにより撮像用光電変換素子と同時に除去される。 - 特許庁
The service comprises a location management component configured to route location data, a fuser engine configured to receive location reports generated from the location data, to reconcile conflicts between the location reports and to generate a location object, and a location application programming interface (API) coupled to the location management component to transmit the location object from the fuser engine to an application.例文帳に追加
サービスは、位置データを送り届けるように構成された位置管理構成要素、位置データから生成された位置レポートを受信し、位置レポート間のコンフリクトを調整し、位置オブジェクトを生成するように構成したfuserエンジン、および該エンジンからアプリケーションに位置オブジェクトを送る、位置管理構成要素に結合した位置APIを備える。 - 特許庁
To obtain a storage means provided with an interface for requesting retrial from a controller to an uncorrectable fault and capable of transmitting/ receiving information between the controller and a storage element by a packet method capable of intermittently saving faults and saving a fixed fault in a storage element and a fixed fault in a data line/address system control signal line.例文帳に追加
訂正不能な障害に対して、コントローラ側からの再試行を要求するインタフェースを設け、間歇的な障害を救済可能とし、また、記憶素子の固定障害、データ線/アドレス系制御信号線の固定障害を救済することを可能としたパケット方式でコントローラと記憶素子との間の情報の授受を行う記憶装置。 - 特許庁
To provide a positive electrode collector for a lithium ion secondary battery, capable of increasing the battery life, by preventing elution of the collector into an electrolyte to increase adherence between the collector and an active material at the interface, and to provide a positive electrode for the lithium ion secondary battery and a method of manufacturing the positive electrode collector for the lithium ion secondary battery.例文帳に追加
集電体の電解液への溶出を防止して集電体と活物質の界面における密着性を向上させることで電池寿命を増大させることができるリチウムイオン二次電池用正極集電体、リチウムイオン二次電池用正極およびリチウムイオン二次電池用正極集電体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To solve the problem with a foldable mobile terminal device or the like, wherein when a control device connected by a serial interface and a plurality of controlled devices are disposed in separate housings, a possibility of disconnection increases and also a flexible cable becomes wide due to an increase of the number of signals between housings so that it causes a cost increase or adverse effects on appearance design.例文帳に追加
折り畳み式の携帯端末等で、シリアルインターフェースにて接続される制御デバイスと、被制御デバイス(複数)とが別々の筐体に配置される場合、筐体間の信号本数が多くなると断線の可能性が増大するだけでなく、フレキケーブルなどが広くなりコストアップや外観デザインへの悪影響の要因となる。 - 特許庁
To provide a measuring means capable of evaluating sealing performance not only to a thickness direction but also to moisture penetrating from an interface between a sealing layer and a substrate, relative to measurement of moisture permeability of a thin film-shaped sealing layer aiming at moisture-proof performance which cannot exist independently by itself, and to a moisture-proof sealing layer of an electronic element requiring moisture-proof sealing.例文帳に追加
単独で自立して存在するのが不可能な防湿目的の薄膜状封止膜の水分透過率の計測や、防湿封止が必要な電子素子の防湿封止層に関して、厚さ方向のみではなく、封止層と基板との界面から浸入する水分に対しても封止性能の評価を可能にする計測手段を提供する。 - 特許庁
This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加
半導体発光装置は、支持基板30と、支持基板上に設けられた発光層12を含む半導体膜10と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜20と、を含んでいる。 - 特許庁
Each of a plurality of core chips CCi includes: a data output circuit 54o for outputting read data to an interface chip IF in response to a read command; and an output timing adjustment circuit 400 for matching a duration from a time when receiving the read command until the read data are output by the data output circuit 54o between the plurality of core chips.例文帳に追加
複数のコアチップCCiの夫々は、リードコマンドに応答してインターフェースチップIFにリードデータを出力するデータ出力回路54oと、リードコマンドを受け付けてからデータ出力回路54oによってリードデータが出力されるまでの時間を複数のコアチップ間において一致させる出力タイミング調整回路400とをそれぞれ含む。 - 特許庁
The VPN device sets a rule for restricting communication between the terminal and devices, other than own device, while own device and the terminal perform VPN communication to a network interface means of the terminal which performs the VPN communication with own device by a rule setting means for setting the rule of the communication to each device to be connected to the terminal via the network.例文帳に追加
VPN装置は、自装置とVPN通信を行う端末のネットワークインターフェイス手段に端末とネットワークを介して接続される各機器に対する通信のルールを設定するルール設定手段によって、自装置と端末とがVPN通信を行っている間は、端末と自装置以外の機器との通信を制限するルールを設定する。 - 特許庁
To provide a reversible thermal recording medium which can hold a clear recording image by preventing the occurrence of layer exfoliation in a metallic compound containing layer (gas barrier layer), and the interface exfoliation between the metallic compound containing layer and the other layer, even when using for a long period under a severe environment, and a reversible thermal recording member having the reversible thermal recording medium.例文帳に追加
厳しい環境下で長期間使用しても、金属化合物含有層(ガスバリア層)の層内剥離、及び金属化合物含有層と他層の層間剥離の発生を防止して、鮮明な記録画像を保持することができる可逆性感熱記録媒体及び該可逆性感熱記録媒体を有する可逆性感熱記録部材の提供。 - 特許庁
In the semiconductor device 100, a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体デバイス100では、S換算で30×10^10個/cm^2〜2000×10^10個/cm^2の硫化物、及び、O換算で2at%〜20at%の酸化物が表面層12に存在することにより、エピタキシャル層22とIII族窒化物半導体基板10との界面においてCがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁
To provide a composition for resist removal, having high removing rate for all resists used in the manufacture of semiconductors and liquid crystal substrates, large solubility with ozone, and high permeability into the interface between a substrate and a resist, and being capable of stripping not only a normal resist but a thermally set resist near the normal temperature.例文帳に追加
半導体や液晶基板を製造する際に用いられるすべてのレジストに対する除去速度が高く、オゾンの溶解度が大きく、基板とレジストとの間の界面への浸透性が高くて、通常のレジストだけでなく熱硬化したレジストに対しても常温付近でレジストを剥離することのできるレジスト除去用組成物を提供する。 - 特許庁
The card includes a receiving unit for receiving and processing a digital multimedia broadcast signal, a memory for temporarily storing processed digital multimedia broadcast data, an interface unit for controlling interfacing between the card and the terminal for reproducing the digital multimedia broadcast when the card is inserted into the terminal and a node for transmitting the digital multimedia broadcast data to the terminal.例文帳に追加
該カードは、デジタルマルチメディア放送信号を受信して処理する受信部と、処理されたデジタルマルチメディア放送データを一時的に格納するメモリと、デジタルマルチメディア放送を再生する端末機に挿入されたときに、端末機とのインターフェーシングを制御するインターフェース部と、端末機にデジタルマルチメディア放送データを伝送するノードとを含む。 - 特許庁
Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加
第1の電体膜30と主誘電体膜31とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第1の電極膜中のアルミニウム(Al)と主誘電体膜中の酸素(O)とを反応させて、第1の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜35を形成する。 - 特許庁
The fabrication method for the packaging substrate includes: mutually stacking two metal layers; encapsulating the two metal layers with dielectric layers; forming built-up structures on both sides of the dielectric layers, respectively; and lastly separating the built-up structures along the interface between the two metal layers so as to form two packaging substrates.例文帳に追加
本発明に係るパッケージ基板の製造方法は、先ず、二つの金属層を相互にラミネートし、誘電体層で二つの金属層を覆い、次に、誘電体層の両側にビルドアップ構造をそれぞれ形成し、最後に二つの金属層の界面に沿って両側のビルドアップ構造を分離させることにより、二つのパッケージ基板を形成する。 - 特許庁
To provide a negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery having a negative electrode active material consisting of a silicon oxide, in which a stress applied on an interface between a negative electrode collector and the negative electrode active material at the time of charging is reduced and separation of the negative electrode active material and deformation of the negative electrode collector are suppressed to improve cycle characteristics of the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加
ケイ素酸化物からなる負極活物質を備えた非水電解質二次電池用負極について、充電時に負極集電体と負極活物質との界面にかかる応力を軽減し、負極活物質の剥離や負極集電体の変形を抑制して、非水電解質二次電池のサイクル特性を向上させる。 - 特許庁
To provide a paste for an electric double-layer capacitor by which an electrode is easily manufactured and an electric double-layer capacitor can be easily manufactured and which can have excellent flexibility and high electrical conductivity by solving a problem in the prior art that bending a film formed in a conventional manner causes destruction of the film from an interface between a medium with particles dispersed therein and the particles, thus destroying the film.例文帳に追加
電極の製造が容易で、従来のような成膜した後に折り曲げを行うと粒子を分散させている媒体と粒子との界面からの破壊が起こって膜が破壊されるという問題がなく、可撓性に優れ、かつ高い導電性を有する電気二重層キャパシタの作成が可能な電気二重層キャパシタ用ペーストを提供する。 - 特許庁
When resticking a floor material in the adhesion method for a floor structure where the floor material is stuck on a substrate material by an adhesive, the old floor material is peeled in the boundary surface between the rear cushion of an old floor material and an old adhesive for fixing the old floor material (interface breakage), after which a new adhesive is applied on the remaining adhesive layer, and the new floor material is stuck.例文帳に追加
下地材に接着剤によって床材を貼り付ける床構造体の接着工法において、床材を貼り直す作業をする際に、床材の裏面クッションと、床材を固定する接着剤との界面で、床材を剥離(界面破壊)させた後、残存する接着剤層の上に、新たな接着剤を塗布し、新しい床材を貼り付ける。 - 特許庁
The flat panel display comprises a plurality of connection terminals installed on an array substrate, at least two integrated circuit chips connected to the connection terminals respectively by conductive anisotropic films and at least one interface layer installed in the region between the at least two integrated circuit chips.例文帳に追加
フラットディスプレイパネルであって、アレイ基板上に設置される複数の連接端子と、それぞれ異方性導電膜により前記連接端子と連接される少なくとも二つの集積回路チップと、前記の少なくとも二つの集積回路チップの間の領域に設置される少なくとも一つの界面層と、からなるフラットディスプレイパネル及びその組み立て方法を採用する。 - 特許庁
This thermistor 1 is provided with a lamination 2 composed of a plurality of laminated ceramic layers 3, external electrodes 9 and 10 formed at positions different from each other on the external surface of the lamination 2, and internal electrodes 4 and 5 connected along a prescribed interface between the ceramic layers 3 inside the lamination 2 and connected to the external electrodes 9 and 10, respectively.例文帳に追加
本発明のサーミスタ1は、積層された複数のセラミック層3からなる積層体2と、この積層体2の外表面上の互いに異なる位置に形成された外部電極9,10と、積層体2の内部であってセラミック層3間の所定の界面に沿い、かつ、外部電極9,10にそれぞれ接続された内部電極4,5とを備える。 - 特許庁
In order to make the uniformity of step flatness and in-surface polishing amount compatible by using a hard and unfoamable polishing pad, this polishing device is provided with a precision machining mechanism for cutting and grinding, capable of forming a smooth pad surface and a groove for efficiently carrying slurry to an interface between the pad and a wafer on a rotating surface plate.例文帳に追加
硬質・非発泡の研磨パッドを用いて、段差平坦性と面内研磨量の均一性を両立させるため、平滑なパッド面の創生及びパッドとウェーハの界面に研磨用スラリーを効率よく搬送するための溝を回転定盤上で行うこと形成することが可能な切削もしくは研削などの精密加工機構を研磨装置に備えた。 - 特許庁
Consequently, the thermal relaxation layer of the soft resin spacer 16 is located between the integrated semiconductor light emitting element body 17 and optical lens 14, and the semiconductor light emitting device can be realized which prevents the interface peeling at each of members against a thermal stress in variation of an external temperature, is high in a light discharge efficiency, and has a high reliability.例文帳に追加
そのため、一体化した半導体発光素子体17と光学レンズ14との間に軟質樹脂スペーサ16による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。 - 特許庁
By forming a mixture layer 105 consisting of a material constituting an organic compound layer (1) 102 and a material constituting an organic compound layer (2) 103 on the interface of the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103, energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 can be alleviated.例文帳に追加
有機化合物層(1)102と有機化合物層(2)103との界面に有機化合物層(1)102を構成する材料及び有機化合物層(2)103を構成する材料からなる混合層105を形成することにより、有機化合物層(1)102と有機化合物層(2)103との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。 - 特許庁
The method comprises steps of: accessing a data value in a memory within the data processing apparatus; initiating processing of the data value within the data processing apparatus; detecting whether the data value accessed is corrupted; and disabling an interface between the data processing apparatus and a device to prevent propagation of a corrupted data value to the device, when it is detected that the data value is corrupted.例文帳に追加
本方法は、データ処理装置内のメモリのデータ値にアクセスするステップと、データ処理装置内でデータ値の処理を開始するステップと、アクセスされたデータ値の破損の有無を検出するステップと、データ値の破損が検出されたとき、破損データ値のデバイスへの伝達を防ぐために、データ処理装置とデバイスとの間のインタフェースを無効にするステップとを含む。 - 特許庁
In manufacturing the hydrate by filling a heat storage tank 10 with the liquid guest substance 11 and the water 12 as a host substance, the water 12 in the heat storage tank 10 is extracted and cooled by an external heat exchanger 15, and the cooled water is returned toward an interface 17 between the liquid guest substance 11 and the water 12 to manufacture the hydrate 19.例文帳に追加
液体ゲスト物質11とホスト物質である水12を蓄熱槽10に充填して水和物を製造するに際して、蓄熱槽10内の水12を抜き出して外部熱交換器15で冷却し、この冷却した水を液体ゲスト物質11と水12の界面17に向けて戻して水和物19を製造するものである。 - 特許庁
According to the above configuration, the stack of the first electrode layer having small diffusion with respect to the active layer composed of the oxide semiconductor and the second electrode layer having a low specific resistance provides excellent FET characteristics at the interface between the active layer and the electrode layer, thereby obtaining a FET that has low-resistance electrodes.例文帳に追加
上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第1の電極層と、比抵抗が小さい第2の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのFET特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたFETを得ることが可能である。 - 特許庁
In the multimedia interactive editor 200, a user selectively adjusts the template parameter of a template module 222 and the template element parameter of a template element 224 through a user interface 250 for editing the template module 222 and material data 232, and selectively utilizes the template element parameter to define an interactive relationship between the template element 224 and an interactive area 210.例文帳に追加
マルチメディア双方向編集器200は、ユーザがテンプレートモジュール222及び素材データ232を編集するためのユーザインターフェース250を介し、テンプレートモジュール222のテンプレートパラメータとテンプレート素子224のテンプレート素子パラメータを選択的に修正し、テンプレート素子パラメータを選択的に利用してテンプレート素子224と双方向エリア210の双方向な関係を確立する。 - 特許庁
When a connection is established between a device 10 and a portable telephone 12 via an interface means 19, the character format mail text 15 transmitted to the portable telephone 12 is converted reversely to the update program 13 by a rewrite control program module 18 and downloaded, and also the device control software 20 stored in a memory means 17 is rewritten by the update program 13.例文帳に追加
インターフェイス手段19を介して機器10と携帯電話12との接続が成立したとき、書き換え制御プログラムモジュール18により、携帯電話12に送信された文字形式メール本文15を更新用プログラム13に逆変換してダウンロードし、かつメモリ手段17に格納された機器制御ソフトウェア20を更新用プログラム13で書き換える。 - 特許庁
Between an n-type InGaP layer 7 acting as an emitter layer of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining an increase of a base current due to a depletion phenomenon of carrier in an interface and preventing a decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加
HBTのエミッタ層として働くn型InGaP層7とその上に形成されるGaAs層8の間に、高ドープ層である電荷補償層11を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、HBTの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁
In a low-voltage region before multiplication develops, since a hot carrier flows inside the first embedded layer 110a formed in the vicinity of the first mesa 109, a flat part of multiplication factor (M)=1 appears in the photocurrent-voltage characteristic, and a leakage bus of current becomes less apt to be formed at an interface between a passivation membrane 113 and the second embedded layer 110b.例文帳に追加
これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第1メサ109の近傍に形成された第1埋込み層110a内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率(M)=1の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜113と第2埋込み層110bとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。 - 特許庁
The distribution of nitrogen concentration possessed by the side wall 9 in a cross section perpendicular to the one main surface of the semiconductor substrate 1 has a peak at an interface between a polysilicon 9b and an oxide film 9a, and nitrogen is more introduced so as to enable another concentration peak to be located above the above peak and close to the surface of the polysilicon 9b.例文帳に追加
そのサイドウォール9において、半導体基板1の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布がポリシリコン9bと酸化膜9aとの界面にピークを有するとともに、このピークの位置より上の位置でポリシリコン9bの表面に近傍にさらに濃度のピークを有するように窒素が導入されている。 - 特許庁
In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 containing a Pb constituent and a conductive layer 2 containing a Pd constituent are alternately laminated each, the thickness of the reaction layer R of Pb and Pd on the interface between the piezoelectric substrate layer 1 and the conductive layer 2 should be 3% or smaller of the maximum thickness of the piezoelectric substrate layer 1.例文帳に追加
それぞれ、Pb成分を含む圧電体層1と、Pd成分を含む導体層2とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層1と前記導体層2との界面における前記PbおよびPdとの反応層Rの厚みが、前記圧電体層1の最大厚みの3%以下であることを特徴とする。 - 特許庁
This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.例文帳に追加
透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、p型、i型、n型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、p型微結晶シリコン層とi型微結晶シリコン層との間のp/i界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁
The CAD/PDM cooperation system is provided with a CAD system 1, a local disk 2, a PDM system 3 for integrally managing products manufactured in respective manufacturing processes and documents or the like prepared in respective business processes, a database part 4, and a CAD/ PDM interface part 5 for transmitting/receiving data between both the systems 1, 3.例文帳に追加
本発明のCAD/PDM連携システムは、CADシステム1と、ローカルディスク2と、各製造工程で製造された製造物や各業務過程で作成された文書等を統合的に管理するPDMシステム3と、データベース部4と、CADシステム1およびPDMシステム3間でデータの受け渡しを行うCAD/PDMインタフェース部5とを備える。 - 特許庁
To solve a problem which the surface adhesion of a foamed sheet of a synthetic resin is usually weak because of its insufficient flatness when printed or laminated, to cause peeling at the interface between the foamed sheet and an adhesive layer, for example, even when a decorative sheet is laminated and is too weak to occur the breakage of the laminated material.例文帳に追加
合成樹脂発泡シートは、表面の平面性が不十分なため、印刷やラミネートの際の接着性が不十分であり、例えば、化粧シートを接着剤を用いてラミネートしても、発泡シートと接着剤層の界面で剥離が生じ、貼り合せた素材の破壊に至るほどの強い接着力が得られなかった点を改善することを課題としている。 - 特許庁
Accordingly, as the looseness caused by the difference of the thermal expansion coefficient of the interface between the grains 12 with the small thermal expansion coefficient and the binder organization 14 whose constitution component is a synthetic resin binder 18 with a layer thermal expansion coefficient in comparison therewith is restrained, the grinding performance is increased by restraining the drop of the grains 12 favorably.例文帳に追加
したがって、熱膨張係数が小さい砥粒12とそれに比べて熱膨張係数が大きい合成樹脂結合剤18を構成成分とする結合剤組織14との界面の熱膨張係数の差に起因する緩みが抑制されるため、砥粒12の脱落が好適に抑制されて研削性能が高められる。 - 特許庁
The adhesive optical filter is prepared by layering an adhesive layer on one side surface of a light-transmissive sheet-like substrate, wherein the adhesive layer comprises a plurality of light-absorbing regions which are substantially orthogonal to a laminated interface between the light-transmissive sheet-like substrate and the adhesive layer; and a plurality of light transmissive regions.例文帳に追加
透光性シート状基材の一方の面に、接着剤層が積層されてなる接着性光学フィルターであって、前記接着剤層が、透光性シート状基材と前記接着剤層との積層界面に対しほぼ直交する複数の光吸収性領域と、複数の透光性領域とを有することを特徴とする接着性光学フィルター。 - 特許庁
The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加
少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁
When a formed optical element is obtained by press-forming a heated and softened glass workpiece with a forming die, before opening the die for taking the formed optical element out of the die after completion of press-forming and cooling, the electric charge generated and stored at the interface part between the glass of the formed optical element and the forming die is removed.例文帳に追加
加熱軟化したガラス素材を成形型でプレス成形し成形光学素子を得るに際し、プレス成形および冷却が完了した成形光学素子を成形型から取り出すために型開きする前に、成形光学素子のガラスと成形型の界面部に発生し帯電している電荷を除電することを特徴とする光学素子の成形方法。 - 特許庁
In the optical fiber cable having one or more coated optical fibers or optical fiber unit and a sheath with which the optical fibers are covered, an inclusion is disposed along the longitudinal direction in the sheath, wherein the inclusion does not reach the outer surface of the sheath and the inside interface between the sheath and the coated optical fibers or optical fiber unit.例文帳に追加
1以上の光ファイバ心線又は光ファイバユニットと前記光ファイバを被覆するシースを有する光ファイバケーブルであって、前記シースには長手方向に沿って介在が設けられており、前記介在はシース外表面及び前記シースと前記光ファイバ心線又は光ファイバユニットとの内側界面に到達していないことを特徴とする光ファイバケーブル。 - 特許庁
When the telephone number of forwarding destination is PB dial-input from a telephone 6 at a visit place or an uncontracted line in correspondence with the stimulus procedure between live wires, a TA (interface converter) 3 transmits that telephone number to a network exchange 2 as a key pad facility and new registration of the forwarding destination is made for the network exchange 2.例文帳に追加
外線—外線間のスティミュラス手順に対応し、外出先、すなわち契約外回線の電話機6から転送先の電話番号をPBダイヤル入力すると、TA(インタフェース変換装置)3にてその電話番号がキーパッドファシリティとして網交換機2へ送信され、これにより転送先の新規登録が網交換機2に対しなされる。 - 特許庁
The light source device 1 includes: a first conductive liquid 11; a second insulating liquid 12 of the refractive index different from that of the first liquid; a liquid chamber for holding the first and second liquids; a voltage applying means which change a figure of interface 13A between the first and second liquids; and a light emitting body 20 located in the liquid chamber.例文帳に追加
本発明に係る光源装置1は、導電性の第1の液体11と、第1の液体と屈折率が異なる絶縁性の第2の液体12と、第1,第2の液体を収容する液室と、第1,第2の液体間の界面13Aの形状を変化させる電圧印加手段と、液室内に設置された発光体20とを備える。 - 特許庁
In an image processing card 13_i, a generation information is stored by which a tap coefficient that differs between when it is used with the generation information stored in the image processing card 13_1 to 13_i-1 and when it is solely used in the image processing card 13_i can be obtained and the generation information is provided to an image processing interface 40.例文帳に追加
画像処理カード13_iには、画像処理カード13_1乃至13_i-1に記憶された生成情報とともに用いられる場合と、画像処理カード13_i自身のみで用いられる場合とで異なるタップ係数を求めることができる生成情報が記憶されており、その生成情報が、画像処理インタフェース40に供給される。 - 特許庁
The first area is formed at a predetermined interface in a diameter direction from the second area, data recorded in the form of a concave-convex pit in the first area are recorded between the second and first areas, and the data of the second area is encrypted to be recorded by using the data recorded in the first area as a key.例文帳に追加
第1の領域は、第2の領域に対して径方向の所定間隔を有するように離れて形成され、第1の領域に凹凸ピットの形式で記録されたデータが第2の領域と第1の領域の間にも記録され、第1の領域に記録されたデータを鍵として、第2の領域のデータが暗号化されて記録されている。 - 特許庁
This communication apparatus configure individual parts by including interface software which is divided into management software for realizing a communication managing part 61 and a line managing part 62 and control software for realizing a communication controlling part 63 and a line controlling part 64 and a realizes an i/f controlling part 66 between the management software and the control software at the time of performing communication and calling/terminating operation.例文帳に追加
通信装置は、通信および発着呼の動作に際し、通信管理部61および回線管理部62を実現する管理ソフトウェアと、通信制御部63および回線制御部64を実現する制御ソフトウェアとに分割し、この間にi/f制御部66を実現するインターフェースソフトウェアを組み込むことで、各部を構成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a metal separator for a fuel cell, which prevents hole corrosion on an interface between a parent material and a conductive intercalated matter to prevent the latter from falling off and improves generation by lowering the contact resistance, in a process of having the conductive intercalated matter protruded on the surface.例文帳に追加
表面に導電性介在物を突出させる処理時に、母材と導電性介在物との界面に孔食が発生することが防止されて導電性介在物の脱落が防がれ、これによって接触抵抗が低減して発電性能の向上が図られる燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁
The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加
位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする1層以上の位相シフト膜と、1層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁
To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.例文帳に追加
半導体圧力センサの製造方法において、P型半導体基板上にN型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するP層とN層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁
The contrast ratio is raised by reducing reflection on each interface inside the optical deflection element 1 by forming an orientation film 9 provided between a pair of a substrate 8 and a liquid crystal layer of a pair of electric field formation elements constituting the optical path deflection element 1 by varying a refractive index from a refractive index of the substrate 8 to a refractive index of the liquid crystal layer 4.例文帳に追加
光路偏向素子1を構成する一対の電界形成素子2の基板8と液晶層4の間に設けた配向膜9を、屈折率が基板8の屈折率から液晶層4の屈折率と変化させて形成することにより、光路偏向素子1内部の各界面における反射を低減してコントラスト比を向上させる。 - 特許庁
The first to N-th circuit blocks CB1 to CBN include at least one data driver blocks DB1 to DBI for driving a data line, and the first power supply circuit block PB1 is arranged between the data driver blocks DB1 to DBI of the first to N-th circuit blocks CB1 to CBN and the second interface area 14 along a D1 direction.例文帳に追加
第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNは、データ線を駆動するための少なくとも1つのデータドライバブロックDB1〜DBIを含み、第1の電源回路ブロックPB1は、第1〜第Nの回路ブロックCB1〜CBNのデータドライバブロックDB1〜DBIと第2のインターフェース領域14との間にD1方向に沿って配置される。 - 特許庁
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