「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, the oil-impregnated sintered bearing 11 has a low friction coefficient and superior wear resistance without impairing the property that lubricating oil moves from the slide supporting face 3 inside/outside the bearing 11 to form an oil film on the interface between the bearing 11 and the shaft body.例文帳に追加

そのため、摺動受け面３から潤滑油が軸受１１内外に出入りして軸受１１と軸体の界面に油膜が形成されるという特徴を損ねることなしに、摩擦係数が小さくて、耐摩耗性に優れた焼結含油軸受１１を得ることができる。 - 特許庁

Between a memory controller circuit 11 mounted on a first circuit board layer 12 and a memory element 31 mounted on a third circuit board layer 32 for example, an input changeover circuit 21 mounted on a second circuit board layer 22 is arranged as an interface for the memory element 31.例文帳に追加

たとえば、１層目の回路基板層１２上に搭載されたメモリコントローラ回路１１と、３層目の回路基板層３２上に搭載されたメモリ素子３１との間に、上記メモリ素子３１のインターフェイスとして、２層目の回路基板層２２上に搭載された入力切り替え回路２１を配置する。 - 特許庁

Connection configurations between the main ports and sub-ports are determined by an FPGA etc., so that they can be set or changed through external programming, and the number of the sub-ports connected to the respective main ports is set or changed according to transmission speeds of the interface boards to be mounted on the respective main ports.例文帳に追加

メインポートとサブポートとの接続構成は、外部から与えるプログラミングにより設定又は変更することが可能なよう、ＦＰＧＡ等で構成し、各メインポートに接続するサブポートの数を、各メインポートに実装されるインタフェース盤の伝送速度に応じてそれぞれ設定又は変更する。 - 特許庁

To improve the efficiency of data transfer between a higher call processing device and a voice band date transmission interface (VDTI) device by relaxing restrictions on transfer data sending timing in the higher call processing device.例文帳に追加

通信前情報通知サービスのデータ転送方法及び該データ転送を行う交換機に関し、上位呼処理装置における転送データ送出タイミングの制約を緩和し、上位呼処理装置と音声帯域データ伝送インタフェース（ＶＤＴＩ）装置との間のデータ転送の効率を向上させる。 - 特許庁

To provide an all-solid battery, preferably an all-solid lithium ion battery capable of extremely decreasing substances inhibiting ionic conduction on the interface between an electrode layer and a solid electrolyte layer or in the grain boundary between an electrode active material and an electrolyte, performing high-rate charge discharge, increasing charge discharge efficiency even at high working current, and reducing a manufacturing cost; and to provide a method of manufacturing these batteries.例文帳に追加

本発明の課題は電極層と固体電解質層との界面、または電極活物質と電解質の粒界にイオン伝導を阻害する物質が非常に少なく、大電流の充放電が可能であり、大きな作動電流においても高い充放電効率を得られ、かつ製造コストが低い全固体電池、好ましくは全固体リチウムイオン電池、およびこれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In order to reduce power consumption at the access point 10 having a LAN interface 105a, at least one kind of information is acquired among a storage packet amount in the access point 10, a difference in storage packet amount between two times, the number of retransmission packets in a prescribed period, the number of radio terminals communicable with the access point 10, and a difference in communication speed between a radio LAN 2 and a radio WAN 3.例文帳に追加

ＬＡＮインタフェース１０５ａを備えるアクセスポイント１０の省電力化を実現するために、まず、アクセスポイント１０内の蓄積パケット量、二つの時刻における蓄積パケット量の差分、所定の期間における再送パケット数、アクセスポイント１０と通信可能な無線端末数、及び無線ＬＡＮ２と無線ＷＡＮ３との間の通信速度差のうち少なくとも一つの情報を取得する。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly 10 having an anode 12 having a catalyst layer 12b, a cathode 13 having a catalyst layer 13b, and an electrolyte membrane 11 interposed between the catalyst layers, distribution of an ion exchange capacity in the thickness direction of the electrolyte membrane 11 becomes maximum at a point of 10 to 50% from the interface between the electrolyte membrane 11 and the catalyst layer 12b of the anode 12.例文帳に追加

触媒層１２ｂを有するアノード電極１２と、触媒層１３ｂを有するカソード電極１２と、これらの触媒層の間に狭持された電解質膜１１とを有する膜電極接合体１０において、電解質膜１１の厚み方向のイオン交換容量の分布が、前記アノード電極１２が有する触媒層１２ｂとの界面から１０〜５０％の点において最大である該電解質膜１１。 - 特許庁

To provide a case for housing an electronic circuit substrate which inhibits introduction of a decrease in waterproofing and dustproofing by preventing an adhesive from being released, by preventing air from being retained between the adhesive and a coating (case body or cover) and preventing a stress operating in an interface between the adhesive and the coating from being concentrated at the specific part when the coating is deflected.例文帳に追加

接着剤と被着体（ケース本体あるいはカバー）との間に空気が残留するのを防止すると共に、被着体に撓みが生じた際に接着剤と被着体との界面に作用する応力が特定の部位に集中するのを防止し、よって接着剤の剥離を防いで防水性および防塵性の低下を招くことがないようにした電子回路基板の収容ケースを提供する。 - 特許庁

The electrochemical device has a pair of electrodes 1 and 2, a separator 3 interposed between them, and a non-aqueous electrolytic solution to exist at the interface between each electrode and the separator, wherein the electrodes have electrode layers 5 and 7 and electricity collectors 4 and 6 whereby the electrode layers are carried, and at least one of the electrodes includes a bonding agent containing bridged polyvinyl acetal resin.例文帳に追加

１対の電極１，２と、この電極１，２間に介装されるセパレータ３と、前記電極と前記セパレータの界面に存在する非水電解液とを具備する電気化学デバイスにおいて、前記各電極は、電極層及び前記電極層が担持される集電体を備え、前記電極のうち少なくとも一方は、架橋したポリビニルアセタール樹脂を含有する接着剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The power supply pins required for an input-output circuit are only two pins 38 and 42 while a high voltage withstand property and extensibility are achieved by providing a buffer interface between a functional digital circuit and a common bus for another digital circuit by using two PMOS switching transistors T1A and T1B instead of one PMOS switching transistor between the output line 30 of the circuit and an output power terminal 42.例文帳に追加

入出力ドライバ回路は、回路の出力ライン（３０）と出力電源端子（４２）との間に、１つのみの代わりに、２つのＰＭＯＳスイッチング・トランジスタ（Ｔ１Ａ，Ｔ１Ｂ）を用いることによって、機能性デジタル回路（１４）と他のデジタル回路のための共通バス（１８）との間に、バッファ・インターフェースを備え、高いレベルの電圧耐性および伸展性を達成しつつ、必要な電源ピン（３８，４２）を２つのみに抑えた。 - 特許庁

The method further includes providing a capping layer on the first region between the dielectric layer and the gate electrode to change the work function of the gate electrode on the first region, and embedding species so as to introduce the species at an interface between the dielectric layer and the gate electrode in the second region to change the work function of the gate electrode on the second region.例文帳に追加

上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high output by using polyimide as binder resin, enhancing binding between a negative electrode core and a negative electrode mix layer even if rolled copper foil is used as the negative electrode core, preventing peeling off of the negative electrode mix layer from the negative electrode core, and hardly forming a resistive element on the interface between the negative electrode core and the negative electrode mix layer.例文帳に追加

ポリイミドをバインダー樹脂として用いるとともに、圧延銅箔を負極芯体として用いても、負極芯体と負極合剤層との結着力を向上させて、負極芯体から負極合剤層が剥離しないような負極を得るとともに、負極芯体と負極合剤層との界面に抵抗体が形成されにくくして、高出力の非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

An interface that is positioned between a control device 13 storing a control program and a controlled object 14 controlled by the control program and is provided with input/output terminals for inputting/outputting information between the control device 13 and the controlled object 14, has one or more input/output terminals for inputting/outputting the information in addition to the former input/output terminals.例文帳に追加

制御プログラムを記憶した制御装置１３と、この制御プロクラムによって制御される被制御対象１４との間に位置し、制御装置１３と被制御対象１４との間で情報の入出力を行う入出力端子を備えたインターフェースであって、前記情報の入出力を行う入出力端子を前記入出力端子の他に一又は複数個設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The breakout agent includes a means for monitoring a packet session set between user equipment (UE) through an Iu interface and a core network and determining whether the packet session is off-loaded or not, a means for intercepting the IP traffic transmitted between the user equipment and an external network based on the determination result, a means for performing address conversion, and a means for transmitting an intercepted packet directly to an intended destination.例文帳に追加

ブレイクアウト・エージェントが、Ｉｕインターフェースを介してユーザー装置（ＵＥ）とコアネットワークとの間でなされるパケットセッションを監視し、パケットセッションをオフロードするか否かを判定する手段と、判定に基づいて、ユーザー装置と外部ネットワークとの間で送信されたＩＰトラフィックを傍受する手段と、アドレス変換を実行する手段と、傍受したパケットを直接意図した宛先に送信する手段を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The reflection detection light from the optical coupler depending on the minute distance between the metallic membrane 1 and the measurement object 5 generated by the optical mutual reaction between the metal intensifying evanescent light generated on the interface of the gap layer 6 side and the approaching measurement object 5 is measured by the optical detector 4, and thereby the minute displacement of the measurement object 5 is detected.例文帳に追加

入射計測光により金属薄膜１の間隙層６側の界面に発生させた金属増強エバネッセント光が近接する測定対象物５と光学的に相互作用して、金属薄膜１と測定対象物５間の微小距離に依存した、光結合器からの反射検出光を、光検出器４で計測することによって、測定対象物５の微小変位を検出する。 - 特許庁

By providing a communication change-over function corresponding to a plurality of communication methods in the only interface means 2 of the electric apparatus device 1, selective compatibility can be provided between an external communication means 4 of a serial communication method, and an external communication method 4* having simple Hi/Lo outputs.例文帳に追加

電気機器装置１でただ一つのインターフェイス手段２に複数の通信方式に対応する通信機能切り替え機能を持たせることにより、シリアル通信方式を持つ外部通信手段４および単純なＨｉ／Ｌｏ出力を持つ外部通信手段４＊の両者との通信が選択的に両立可能となる。 - 特許庁

In a process of forming a silicon nitride film 16, the silicon nitride film 16 is so formed as to have a thickness to enable a reflectance change to become 0.08%/nm or below at an interface between the silicon nitride film 16 and an antireflection film 18 with a thickness change in the silicon nitride film 16 at the formation of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

シリコン窒化膜１６を形成する工程では、シリコン窒化膜１６を形成する際に生ずるシリコン窒化膜１６の膜厚の変動に対する、シリコン窒化膜１６と反射防止膜１８との界面における反射率の変動が０．０８％／ｎｍ以下となるような膜厚のシリコン窒化膜１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁

As a specific method to align the crystal lattice in the vicinity of interface between a metal silicide (NiSi film 8) and silicon, a metal element constituting a metal silicide and impurities of a single or a plurality of elements except silicon are incorporated into a metal (Ni film 11) in which a metal silicide can be formed, or into silicon.例文帳に追加

金属シリサイド（ＮｉＳｉ膜８）とシリコンとの界面近傍における両者の結晶格子を整合させる具体的手法として、金属シリサイドを構成する金属元素及びシリコン以外の単一又は複数の元素の不純物を、金属シリサイドを形成し得る金属（Ｎｉ膜１１）内又はシリコン内に導入する。 - 特許庁

The ejector to perform suction and/or boosting of the secondary fluid by the jet of the primary fluid has a nozzle header 3 having a plurality of nozzles 2 to eject the unsteady flow of the primary fluid so that the interface between the primary fluid and the secondary fluid is substantially normal to the axial direction of the ejector.例文帳に追加

一次流体の噴流によって二次流体の吸引および／または昇圧を行うエジェクタにおいて、一次流体と二次流体の界面がエジェクタ軸方向に対してほぼ垂直となるように、一次流体の非定常流を噴出する複数のノズル２を有するノズルヘッダ３を備える構成とする。 - 特許庁

To provide an input circuit which uses a small amplitude differential signal interface and does not prevent acceleration while leaving the center voltage of an input signal and the allowable fluctuation range of a power supply voltage wide to some extent by eliminating the difference between the rise delay and the fall delay of clock signals.例文帳に追加

小振幅差動信号インターフェースを用いた入力回路において、クロック信号の立上り遅延と立下り遅延の差異をなくし、入力信号の中心電圧や電源電圧の許容変動範囲をある程度広くしたまま高速化を阻害しない入力回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.例文帳に追加

本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, each of the attachments studs is rigidly attached to one of the rotational attachment devices at the rotational interface such that there is no substantially relative radial and circumferential sliding motion between the synchronizing ring and the plurality of lever arms during rotation of the synchronizing ring.例文帳に追加

更に、前記複数の取付けスタッドの各々は、前記同期化リングの回転時に前記同期化リングと前記複数のレバー・アームとの間に実質的に相対的な半径方向及び円周方向の摺動運動が生じないように、前記回転界面において前記複数の回転取付け装置の１つに堅固に取り付けられる。 - 特許庁

In the laminated ceramic electronic component, such as the laminated ceramic capacitor equipped with a laminate 4 having a plurality of laminated ceramic layers 2 and an internal electrode layer 3 formed along the specific interface between the ceramic layers 2, a glass phase 8, extended cylindrically in the thickness direction, is fragmentarily distributed in the internal electrode layer 3.例文帳に追加

複数の積層されたセラミック層２とセラミック層２間の特定の界面に沿って形成された内部電極層３とを有する積層体４を備える、積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品において、内部電極層３中に、その厚み方向に柱状に延びるガラス相８を断片的に分布させる。 - 特許庁

In the interface system between a stream source device and the display apparatus, the stream source device 100 receives the input of an analog or a digital signal from external analog or digital equipment, generates the transmission packet stream comprising the analog or digital signal, and format-converts the transmission packet stream to a light signal form for transmission.例文帳に追加

ストリームソースディバイスとディスプレイ装置のインターフェースシステムは、ストリームソースディバイス１００が外部のアナログまたはデジタル機器からアナログまたはデジタル信号の入力を受け、アナログまたはデジタル信号からなる伝送パケットストリームを生成して、その伝送パケットストリームを光信号形態にフォーマット変換して伝送する。 - 特許庁

A spacer member 42 formed of a light transmissive member comprises enhanced light transmission parts HP where a UV light transmissive amount is relatively made larger than other parts in the member and a UV hardening type adhesive U existing in an interface between just under the enhanced light transmission parts HP and a recording head unit 32.例文帳に追加

光透過性材料で形成したスペーサー部材４２に、部材内の他部よりも相対的にＵＶ光の透過光量が高くされた高透過光量部ＨＰを設け、この高透過光量部ＨＰの直下と記録ヘッドユニット３２との界面にＵＶ硬化型の接着剤Ｕを存在させる。 - 特許庁

The other EP is granted with a source address for identifying a new encapsulated packet occurring at the port of a switch disposed at the interface between a first Ethernet packet(EN) where an original EP is generated and a second EN, e.g. large city zone EN, in order to transmit an encapsulated packet.例文帳に追加

この別のＥＰには、オリジナル・ＥＰが生起した第一のイーサネット・ネットワーク（ＥＮ）と大都市圏・ＥＮ等の第二のＥＮとの間のインターフェースに配置されているスイッチのポートにおいて新たなカプセル化パケットが生起する際にそれを識別するソースアドレスが付与されていて、これによりカプセル化されたパケットが伝送される。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor substrate that has improved heat dissipation, can improve reflection properties of a base material to light at a short-wavelength region such as ultraviolet rays, and prevents an interface reaction layer from being formed between a group III nitride semiconductor layer and the metal base material, and to provide a manufacturing method of the semiconductor substrate.例文帳に追加

熱放散が良好でかつ紫外光等の短波長領域の光に対する基材の反射性を向上することができ、III族窒化物の半導体層と金属の基材との間に界面反応層が形成されない高品質な半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.例文帳に追加

透明性を有する基材上に、少なくとも第１層に酸化シリコン層（１）、第２層に窒化チタン層、第３層に酸化シリコン層（２）をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層（１）の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.例文帳に追加

入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁

Telegraphic message trace data with is the history information of telegraphic message data exchanged between a client terminal 2 and a real server 5, a CPS interface document describing information on the format of the telegraphic message data and telegraphic request data transmitted from the client terminal 2 are supplied to a telegraphic message data generating device 4.例文帳に追加

クライアント端末２と実サーバ５との間でやり取りされた電文データの履歴情報である電文トレースデータと、電文データのフォーマットに関する情報を記述したＣ／Ｓインタフェースドキュメントと、クライアント端末２から送信された要求電文データとを電文データ生成装置４に供給する。 - 特許庁

A plurality of the capillary crystal bodies 22 function as a diffraction grating and can emit a plus primary or a minus primary diffracted light of the light entering into the interface in an angle not less than the critical angle between the body 21 and the media at the side with a light from the body 21 emitted.例文帳に追加

複数の針状結晶体２２は、回折格子として機能し、臨界角度以上の角度で前記針状結晶配列体２１と、針状結晶配列体２１から光が放射される側の媒体との界面に入射する光の、＋１次または−１次の回折光を出射することができる。 - 特許庁

This data communication equipment between the radio device and electronic device is composed of a control part which can be connected to the general interface of the extension memory slot of the electronic device, a short-distance radio data communication unit and an antenna for data communication, and a memory for storing the transmitted data.例文帳に追加

また、本発明の無線装置と電子装置との間のデータ通信用の通信装置は、データ通信装置の動作を制御するために、電子装置の拡張メモリ・スロットの汎用インタフェースに接続可能な制御部と、短距離無線データ通信ユニットとデータ通信用のアンテナと、伝送されたデータを記憶するためのメモリからなる。 - 特許庁

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁

This semiconductor device is provided with a semiconductor layer including N and Ga, a conductive layer ohmic-connected to the semiconductor layer, a metal distributed region existing on an interface between the semiconductor layer and the conductive layer with metal distributed, and a metal intrusion region wherein the atoms of the metal exist by entering the semiconductor layer.例文帳に追加

ＮおよびＧａを含む半導体層と、半導体層にオーミック接続される導電層と、半導体層と導電層との界面に金属が分布して存在する金属分布領域と、半導体層に金属の原子が侵入して存在する金属侵入領域と、を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The toner for electrostatic charge image development containing at least a binder resin and a colorant is characterized in that the interface adhesion strength (Fr) between the toner for electrostatic charge image development and polytetrafluoroethylene is 1.0 to 3.5 N and that the inner cohesive force (Ft) of the toner is 10 to 18 N.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂と着色剤とを含有する静電荷像現像用トナーにおいて、該静電荷像現像用トナーとポリテトラフルオロエチレンとの界面付着力（Ｆｒ）が１．０〜３．５Ｎであり、且つ静電荷像現像用トナーの内部凝集力（Ｆｔ）が１０〜１８Ｎであることを特徴とする静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.例文帳に追加

本発明は、シリコン基盤１２上に酸化膜１４を形成するステップと、酸化膜１４の上にポリシリコン電極膜１６を形成するステップと、ポリシリコン電極膜１６を介して、酸化膜１４とシリコン基盤１２との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

The printing control interface 10 is provided with a virtual printer driver part 12 for receiving the print request from a GDI 18 positioned between user application 22 and a printer driver 24, most generally selected by the user application 22 for receiving the print request from the user application 22 and transmitting the print request to the printer driver 24.例文帳に追加

印刷制御インタフェース１０は、ユーザアプリケーション２２とユーザアプリケーション２２によって最も一般的に選択されるプリンタドライバ２４との間に位置してユーザアプリケーション２２から印刷要求を受け取るＧＤＩ１８より、上記印刷要求を受け取ってプリンタドライバ２４に送信する仮想プリンタドライバ部１２を備えている。 - 特許庁

The substrate for a magnetic head includes: a sintered body containing 60 to 70 mass% of alumina and 30-40 mass% of titanium carbide, and the average length in total interface between a titanium carbide crystal particle 77 and an alumina crystal particle 79 at 10 μm angle of arbitration cross-section is 120 μm or more.例文帳に追加

アルミナを６０〜７０質量％、炭化チタンを３０〜４０質量％含有する焼結体からなる磁気ヘッド用基板であって、任意断面の１０μｍ角における炭化チタン結晶粒子７７とアルミナ結晶粒子７９との間の全界面平均長さが１２０μｍ以上である。 - 特許庁

When a sufficiently higher voltage is impressed to the electrode 2 as compared with the electrode 1 in a low resistance state, the oxidation-reduction reaction active substance (nickel) included in the electrode 2 is oxidized, and an electrode reaction inhibition layer 4 composed of an oxidant is formed on the whole interface area between the electrode 2 and an inter-electrode substance layer 3.例文帳に追加

低抵抗状態にあるとき、電極２に電極１よりも十分に高い電圧を与えると、電極２に含まれる酸化還元反応活性物質（ニッケル）が酸化され、電極２と電極間物質層３との間の界面領域全体に酸化体からなる電極反応阻害層４が形成される。 - 特許庁

To provide intermediate conveying equipment capable of lessening the modification scale of necessary control I/F (interface) when connecting the intermediate conveying equipment between an image forming apparatus and a post-processor by making the intermediate conveying equipment separately independent of the image forming apparatus or the post-processor.例文帳に追加

画像形成装置あるいは、後処理装置とは別個の独立した中間搬送装置とすること、及び、当該中間搬送装置を画像形成装置と後処理装置との間に接続した場合に、必要となる制御Ｉ／Ｆ（インターフェイス）の変更規模を少なくすることが可能な中間搬送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a conversion adaptor, a medical system and a communication method which convert an interface and a protocol of each medical instrument into those of a central control apparatus and carry out an efficient communication between the central control apparatus and the medical instruments connected thereto.例文帳に追加

本発明は、医療機器がそれぞれ有するインターフェイス、及びプロトコルを、集中制御装置が有するインターフェイス、及びプロトコルに変換することができ、かつ、集中制御装置と、接続される医療機器との通信を効率的に行うことができる変換アダプタ、医療システム、及び通信方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The control circuit 124 controls a control command and transfer of image data between itself and the interface 10, writing/reading of image data of the memory cell array 11, format conversion of image data in the YUV-RGB conversion circuit 121 and in the α blend circuit 122, and blending and transfer of image data relative thereto.例文帳に追加

制御回路１２４は、インタフェース１０との間で制御コマンドおよび画像データの授受、メモリセルアレイ１１の画像データの読出し／書込み、ＹＵＶ−ＲＧＢ変換回路１２１およびαブレンド回路１２２における画像データのフォーマット変換、並びにブレンディングおよびそれらにかかわる画像データの転送を制御する。 - 特許庁

A solder joint 50 where the external connection electrode 2 of the interposer 1 and a solder ball 40 are joined together has a copper-nickel-tin alloy formed of copper of the first metal layer 2a, nickel of the second metal layer 2b, and tin contained in the solder ball 40 on an interface between the external connection electrode 2 and solder ball 40.例文帳に追加

インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとによって、銅−ニッケル−スズ合金を形成している。 - 特許庁