「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a waterproof structure, which reliably prevents rainwater and moisture from penetrating into the interface between a light-transmitting glass sheet and a light reflection film so as to effectively avoid deterioration of the light reflection film caused by the penetration, to a mirror sheet having the light reflection film formed on the rear surface of the light-transmitting glass sheet.例文帳に追加

透光性板ガラスの裏面に光反射膜を形成した板鏡において、該板ガラスと光反射膜の界面への雨水、水分の滲入を確実に防止し、該滲入による光反射膜の劣化を有効に防止する板鏡における防水構造を提供する。 - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

The system is provided with application units 111, 112 for performing TCP/IP communication or the like, the communication processing unit 31 of a communication layer for performing radio communication by the DSRC, and a radio unit 41 for performing transmission/reception between a data processing unit 21 of an adaptive layer taking an interface therebetween and the mobile communication device.例文帳に追加

ＴＣＰ／ＩＰ通信等を行うアプリケーション部１１１、１１２と、ＤＳＲＣによる無線通信を行う通信層の通信処理部３１と、その間でインタフェースをとるアダプティブ層のデータ処理部２１及び移動局通信装置との間で送受信を行う無線部４１を設ける。 - 特許庁

To provide a negative active material for a lithium secondary battery capable of enhancing the interface stability between a negative electrode and an electrolyte, charge discharge efficiency, and lifetime characteristics, and enabling use of both of an aqueous binder and a nonaqueous binder, and to provide its manufacturing method and the lithium secondary battery.例文帳に追加

負極と電解質間の界面安定性及び電池の充放電効率と寿命特性を向上させることができ、水系及び非水系バインダーの使用を可能にするリチウム２次電池用負極活物質とその製造方法及びリチウム２次電池を提供する。 - 特許庁

With this constitution, the transmission data collision detecting part 7 detects collision of transmission packets and resends them by making avoidance of collision between the transmission timing of a transmission packet signal Sb from the basic device 9a and the transmission timing of a transmission packet signal Sd from an extension interface part 6b.例文帳に追加

本構成において、送信データ衝突検出部７が送信パケットの衝突の発生を検出し、基本装置９ａからの送信パケット信号Ｓｂの送信タイミングと増設インタフェース部６ｂからの送信パケット信号Ｓｄの送信タイミングとの衝突を回避させて再送する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

The slave unit includes: an analog-digital converter configured to convert an electric audio signal 6 into a digital audio signal; a signal processor connected on its downstream side and configured to process a digital audio signal into a digital signal; and a bus interface connected between the signal processor and the bus.例文帳に追加

スレーブユニットは、電気音声信号６をデジタル音声信号に変換するように構成されたアナログデジタルコンバータ、その下流に接続され、デジタル音声信号をデジタル信号に処理するように構成された信号プロセッサ、および信号プロセッサとバスとの間に接続されたバスインターフェイスを含む。 - 特許庁

A communication program for providing an interface for information registration/reference between application programs 110 and 210 of different execution environment infrastructures is created to provide a function of information registration/reference and a function of the storage of the locations of service programs subject to information transmission.例文帳に追加

実行環境基盤の異なるアプリケーションプログラム110、210の間で情報の登録・参照を行うためのインタフェースを提供する通信プログラムを作成し、情報を登録・参照する機能および、情報伝達対象となる業務プログラムがある場所を記憶する機能を備える。 - 特許庁

To solve a problem wherein a time set value of a DIPM timer is inconvenient for coping with various specifications, when the time set value is fixed in an optical disk device (ODD), in case of using a DIPM standard of an optional standard for reducing a consumed current, using an SATA for an interface between the ODD and a PC.例文帳に追加

光ディスク装置（ＯＤＤ）とＰＣのインタフェースにＳＡＴＡを用い、消費電流低減のためオプション規格であるＤＩＰＭ規格を使用する場合、ＤＩＰＭタイマーの時間設定値がＯＤＤで固定されていると、様々な仕様に対応するうえで不便である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a resistor component with a high connection reliability, which is free of: failure in an electrical conduction due to an increase in thickness of a semiconductor device caused by the resistor component, or a three-dimensional structure; reduction of an electrical conductivity caused by an interface between the resistor component and an electrode; and a like.例文帳に追加

抵抗素子による半導体装置の厚みの増加や立体構造による導通不良、および抵抗素子と電極との間の界面によって生じる導通性の低下などに囚われない、接続信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The optical film is made by disposing a hard coat layer, a high gradient-index hard coat layer and a low refractive index layer on a substrate, wherein a refractive index in the neighborhood of an interface between the hard coat layer and the substrate is continuously changed or a refractive index of the hard coat layer is approximated to the refractive index of the substrate.例文帳に追加

基材上にハードコート層、高屈折率傾斜ハードコート層、及び低屈折率層を設けた光学フィルムであって、ハードコート層と基材の界面近傍の屈折率が連続的に変化してなるか、又はハードコート層の屈折率が基材の屈折率と近似してなる光学フィルム。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

Since the buried second-conductivity-type region 53 has the peak concentration in the second conductivity-type region 30, the concentration distribution nearby the interface between the buried second-conductivity-type region 53 and the second conductivity-type region 30 can be steeply changed.例文帳に追加

これによれば、埋込第２導電型領域５３が第２導電型領域３０内にピーク濃度を有する構成とされているため、埋込第２導電型領域５３と第２導電型領域３０との界面近傍での濃度分布を急峻に変化させることができる。 - 特許庁

Since hydrophilicity is applied to the exterior wall of the building by the silica particulate film, raindrops percolate into an interface between the pollutant and the exterior wall, make the pollutant float up, and flow down from the surface of the exterior wall of the building by gravitation, so that the pollution of the exterior wall can be suppressed.例文帳に追加

建築物の外壁はシリカ微粒子膜によって親水性が付与されているため、雨滴が汚染物質と外壁との界面に浸透し、汚染物質を浮き上がらせ、重力により建築物の外壁表面から流れ落とすことで、該外壁の汚染を抑制することができる。 - 特許庁

To provide surface treatment copper foil without generating a void or a crack in an interface between copper foil and conductive paste including a low melting point metal, and to provide a laminated circuit substrate capable of using the conductive paste including the low melting point metal by using the copper foil and high in connection reliability.例文帳に追加

銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド・亀裂が発生しない表面処理銅箔の提供と、該銅箔を使用することにより低融点金属を含む導電性ペーストが使用でき、かつ、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

A communication line controller 22 is provided with: a switch 52 which controls physical connection/disconnection between the Internet and the electronic equipment by its on/off; and a line control instruction part 48 which controls the on/off of the switch according to a control signal to be transmitted from the electronic equipment via a USB interface.例文帳に追加

通信回線制御器２２は、そのオン／オフにより、インターネットと電子機器との間の物理的な接続／切断を制御するスイッチ５２と、電子機器からＵＳＢインターフェイスを介して送信される制御信号に従って、スイッチのオン／オフを制御する回線制御指示部４８とを備える。 - 特許庁

A packet transmitted or received between terminals is acquired via a network interface 1a, and the state information regarding a transmitting and receiving state of the packet to correspond to a result of transmitting and receiving control in accordance with a communication protocol is calculated (connection information calculating portion 1d).例文帳に追加

端末間で送受されるパケットをネットワークインターフェース１ａを介して取得し、該取得されたパケットに基づいて、通信プロトコルに従った送受信制御の結果に対応すべきパケットの送受信状態に関する状態情報を算出する（コネクション情報算出部１ｄ）。 - 特許庁

To improve test efficiency of a unit test of software by automatically generating a stub function mounted with an interface of input/output between a lower function called by a function of a test target and the function of the test target, in the unit test of the software using the stub function.例文帳に追加

スタブ関数を用いたソフトウェアの単体試験において、試験対象の関数が呼び出す下位関数と試験対象の関数との間の入出力のインターフェースを実装したスタブ関数を自動的に生成することにより、ソフトウェアの単体試験の試験効率を向上させること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a pattern medium using an imprint method capable of preventing a resist pattern defect generated by gas taken between an interface of an imprinting mold and a resist layer and a resist pattern defect generated by a bubble probably generated in the resist film and on the resist surface.例文帳に追加

インプリント用モールドの界面とレジスト層との間に取り込まれた気体によるレジストパターン欠陥や、レジスト膜中、レジスト表面に発生する可能性のある気泡によるレジストパターン欠陥の発生を防止できるインプリント法を用いたパターン媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a television camera for acquiring a video signal by picking up imaged lights converged by a wide angle lens (whose angle of view is ranging from 90° to 180°, fish eye lens, a conical mirror) capable of reducing the circuit constitution of an interface between a conventional television camera and a distortion correcting device by simplifying the system construction.例文帳に追加

広角レンズ（画角が９０°〜１８０°、魚眼レンズ、円錐鏡）により集光された撮像光を撮像して映像信号を得るテレビジョンカメラにおいて、システム構築を容易とし、従来のテレビジョンカメラと歪曲補正装置とのインターフェース部分の回路構成が削減されるようにする。 - 特許庁

Elements 27a for outputting an electric signal of a level in response to an amount of a latent image charge condensed in a condensing part 29 formed in an interface between the photo-conductive layer 22 and the charge transport layer 23 are arranged to be in parallel to the elements 26a each other.例文帳に追加

記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面に形成された蓄電部２９に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるためのエレメント２７ａがエレメント２６ａと互いに平行となるように配設されている。 - 特許庁

To provide a method for efficiently, stably forming an epitaxially grown cubic silicon carbide (3C-SiC) crystal film on the surface of a silicon substrate without generating defects such as voids in the interface between the substrate and the crystal film, which is useful as a material for power devices or high-frequency devices.例文帳に追加

パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the organic TFT comprising a gate electrode 2, a gate insulating layer 3, an organic semiconductor layer 5, a source electrode 6, and a drain electrode 7 on a substrate 1, the organic TFT including a fluorine-based polymer layer 4 is prepared at the interface between the gate electrode 3 and the organic semiconductor layer 5.例文帳に追加

基板上１にゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７を含む有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層３と有機半導体層５との界面にフッ素系高分子層４を含む有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To achieve speeding up in a graphic and a video display by achieving speeding up of an interface processing speed and controlling and suppressing the electric power consumption within a chip by disposing a large-scale bus between a display processor and a memory in the graphic and video display system of a computer.例文帳に追加

本発明は、計算機のグラフィックおよびビデオ表示システムにおいて、表示プロセッサとメモリ間に大規模なバスを設けることにより、インターフェース処理速度の高速化を実現し、またチップ内の消費電力を制御、抑制することにより、グラフィックおよびビデオ表示において高速化を実現する。 - 特許庁

The field equipment development support system for developing target equipment connected to a field network is provided with a PC composed to perform an operation equivalent to that of the target equipment and a communication interface converter for relaying data flowing between the PC and the field network to the other party.例文帳に追加

フィールドネットワークに接続されたターゲット機器の開発を行うフィールド機器開発支援システムにおいて、 前記ターゲット機器と同等の動作をするように構成されたＰＣと、 このＰＣと前記フィールドネットワークの間に流れるデータをそれぞれ相手方に中継する通信インターフェース変換器とを備える。 - 特許庁

In an electromagnetic shielding material 1 that coats the interface between the electric wires (multiple insulated clad wires) and the terminal connector, a conductive cloth 4 made of metal fibers having a shield characteristic and a nonconductive resin film or a nonconductive cloth 5 are superposed.例文帳に追加

複数本の絶縁被覆電線を束ねた電線の端末のコネクタとの結合部に被覆する電磁波シールド材１において、シールド特性を有する金属繊維よりなる導電性布帛４と、絶縁性を有する樹脂皮膜又は絶縁性布帛５とを重ね合わせてなるものである。 - 特許庁

By such a configuration, even though a peeling occurs in the interface between the first relaxation resin 18a and a sealing resin 17, the occurred peeling can be prevented from so propagating through the first relaxation resin 18a on the surface of the ceramic substrate 11 as to cause cracks and disconnections in wires 16a, 17a.例文帳に追加

このような構成により、緩和樹脂１８ａと封止樹脂１７との界面に剥離が発生したとしても、第１の緩和樹脂１８ａにより、発生した剥離がセラミック基板１１の表面を伝わり、ワイヤ１６ａ、１６ｂに亀裂や断線が発生することを防止することができる。 - 特許庁

First analysis means analyzes a state of the solid model which is cooled by the fluid model using steady-state analysis, and calculates coordinates of a boundary cell on the side of the fluid model located on an interface between the solid model and the fluid model, heat transfer rate, and ambient temperature as first analysis data.例文帳に追加

第１の解析手段は、流体モデルによって固体モデルが冷却される状態を定常解析によって解析し固体モデルと流体モデルとの境界面に位置する流体モデル側の境界セルの座標、熱伝達率、雰囲気温度を第１の解析データとして算出する。 - 特許庁

Gas-liquid two-phase fluid made of gas-liquid mixture is rotated at a rate of 20,000 to 40,000 rpm, as the result, strong electrostatic friction is caused at the interface between gas and liquid, thereby, electrostatic polarization of water is generated and, accordingly, a large amount of hydrogen ions and hydroxy ions are produced in the liquid.例文帳に追加

気体と液体との混合液よりなる気液二相流体を、毎分２０，０００〜４０，０００回転させて、気体と液体の界面で強力な静電摩擦を引き起こし、それによって水の静電分極を生起させ、液中に水素イオンと水酸イオンを大量に発生させる。 - 特許庁

When the cathode Cath has a positive potential and electrons are attracted thereto, the depletion layer spreads on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and the p-GaN region 4 to block the two-dimensional electron gas, and thereby no current flows between the cathode Cath and the anode An.例文帳に追加

陰極Ｃａｔｈが正電位となり電子が吸引されると、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が拡大して２次元電子ガスが阻止され、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間には電流が流れない。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element, a protruded undoped AlN layer (1604) is formed on an AlN substrate (1602), a light emitting layer (1608) is formed on the undoped AlN layer, and an interface between the light emitting layer and layers in contact with it (1606, 1610) has a plurality of plane orientations.例文帳に追加

本発明に係る半導体発光素子は、ＡｌＮ基板（１６０２）上に凸状のアンドープＡｌＮ層（１６０４）が形成され、前記アンドープＡｌＮ層の上に発光層（１６０８）が形成されて、前記発光層とそれに接する層（１６０６，１６１０）の界面が複数の面方位を有する。 - 特許庁

Since the light-transmitting electrode 20 is formed by adding the niobium by 3% to the titanium oxide, the refractive index to the wavelength of 470 nm is almost equal to that of the p-contact layer 15, and total reflection at an interface between the p-contact layer 15 and the light-transmitting electrode 20 can be avoided mostly.例文帳に追加

透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。 - 特許庁

A jig interface(I/F) program 53 for communication between a camera control program 52 for photographing operation and transmission/ reception of picture data and an adjustment device (jig) 56 is stored in a ROM 50 of a camera 10 besides an initializing program 51 which prescribes the operation of a CPU 24.例文帳に追加

カメラ１０のＲＯＭ５０には、ＣＰＵ２４の動作を規定する初期化プログラム５１の他に、撮影動作や画像データの送受信を行うためのカメラ制御プログラム５２と調整機器（治具）５６との通信を行う治具インターフェース（I/F ）プログラム５３が格納されている。 - 特許庁

The lubricant A is such as to be fed to a recliner device 10 wherein a pole 11 and a guide 12 each made of a metallic material make a relative motion to each other with sliding and function to reduce sliding frictional resistance occurring at the sliding interface between the sliding surfaces 11a and 12a of the recliner device 10.例文帳に追加

金属材料より成るポール１１及びガイド１２が互いに滑りを伴って相対運動を行うリクライナ装置１０に供給され、リクライナ装置１０の摺動面１１ａ，１２ａ間に生じる滑り摩擦抵抗を低減する潤滑剤Ａである。 - 特許庁

To provide a display device, reduced in the defect density of an interface between a gate insulating film and a polycrystalline semiconductor film of a channel region while having the TFT (thin film transistor) characteristics of high performance by improving the breakdown voltage of a gate insulating film, and the manufacturing method of the display device.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.例文帳に追加

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a monolithic ceramic electronic part capable of inhibiting the shortening of a lifetime resulting from the irregularities of an interface between an internal electrode layer and a ceramic layer, and the generation of a structural defect (such as a delamination, the curve of an electrode section or the like) in the case of a thin-film multilayer.例文帳に追加

内部電極層とセラミック層の界面の凹凸に起因する寿命の劣化や、薄膜多層化した場合の構造欠陥（デラミネーション、電極部の湾曲など）の発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a reverse-side polished surface is etched or polished to remove a cutting flaw, neither an etchant nor abrasive slurry penetrates the protection tape to the interface between the device wafer and protection tape since a dicer cut grid groove of the device circuit is filled with the water- soluble resin film.例文帳に追加

裏面研削された研削面をエッチイング処理または研磨処理して研削傷を取除く際、水溶性樹脂膜によりデバイス回路のダイサ−切り込み格子溝が埋められているのでエッチング液や研磨剤スラリ−がデバイスウエハと保護テ−プ間の界面に浸透してくることがない。 - 特許庁

Due to the fiber having an average fiber diameter smaller than the wavelength of a visual light (380 to 800 nm), little refraction of the visible light by the fibers may be generated, and further, scattering loss of the visible light at the interface between the fibers and the matrix material cannot easily occur even when the temperature or wavelength is changed.例文帳に追加

可視光の波長（３８０〜８００ｎｍ）より短い平均繊維径を有する繊維を用いるため、繊維による可視光の屈折が生じにくく、温度変化や波長変化が起きても、繊維とマトリクス材料との界面での可視光の散乱ロスが発生しにくい。 - 特許庁

Multiple PEs can generate condition information at the same time with the programmer being able to specify a conditional execution in one processor on the basis of condition generated in a different processor using the communication interface between the processing elements to transfer the conditions.例文帳に追加

プログラマが、条件を転送するための処理要素の間の通信インターフェースを使用して、異なるプロセッサ中で生成された条件に基づいて１つのプロセッサ中の条件付き実行を指定することを可能にして、多数のＰＥは、条件情報を同時に生成することができる。 - 特許庁

To display, at the real time, a scanning electron microscope image of the state of an interface between the side where a load is given and the opposite side or the like, by making inclinable a surface dynamics characteristic test device for testing a surface dynamics characteristic of composite material, and by arranging it in a sample chamber of the scanning microscope.例文帳に追加

複合材料の界面力学特性の試験を行う界面力学特性試験装置を傾斜可能にして走査型顕微鏡の試料室に配置し、荷重をかけた側と反対側の界面などの状態の走査型電子顕微鏡像をリアルタイムに表示する。 - 特許庁

An alloy layer is formed at the interface between a through-hole conductor 12 and a conductor foil 13a by filling the through-hole conductor 12 into a through-hole 11d of an insulating substrate 11a, and adhering the through-hole conductor 12 and the conductor foil 13a arranged on the insulating substrate 11a with heat and pressure.例文帳に追加

スルーホール用導体１２を絶縁基板１１ａの貫通穴１１ｄに充填し、スルーホール用導体１２と絶縁基板１１ａに配置した導体はく１３ａを加熱・加圧接着し、スルーホール用導体１２と導体はく１３ａの界面に合金層を形成する。 - 特許庁

To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁

To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.例文帳に追加

砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したＭＭＩＣを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁