「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a wiring board capable of securing high connection reliability by restraining corrosion of a projected electrode caused by moisture at an interface between the protruded electrode of a portion formed in a region on an insulating base member on opposite sides of conductive wiring and the insulating base member.例文帳に追加

導体配線の両側の絶縁基材上の領域に形成された部分の突起電極と絶縁基材との界面における、湿気に起因する突起電極の腐食を抑制し、高い接続信頼性を確保できる配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a decorative permeable composition, which does not have an adhesive interface between a foundation and a decorative finished layer and in which a foundation material layer, the mixed layer of a foundation material and a decorative finishing material and the finishing material layer have a continuous gradient functionality, and its manufacturing method.例文帳に追加

下地と化粧仕上げ層間に接着界面を有しない、下地材料層、下地材料と化粧仕上げ材料の混合層及び仕上げ材料層が連続した傾斜機能性を有する化粧性透水組成物及びその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an all solid secondary battery constructed small and light, equipped with excellent high capacity, large current discharging characteristic, unlikely to cause liquid leakage or fire breaking, having small interface impedance between a positive electrode, negative electrode and an electrolyte layer, and having good cyclic characteristics.例文帳に追加

小型軽量で、かつ高容量で大電流放電特性に優れるとともに、液漏れや火災発生の不都合が生じにくく、正極、負極と電解質層との間の界面インピーダンスが小さく、サイクル特性の良好な全固体型二次電池を提供する。 - 特許庁

The surface of the plated film 46 projects more than the outer surface of sealing resin 28, and also the interface between the surface of the solder plated film 46 and the base layer 44 where a solder plated film is made on the surface is positioned within the sealing resin 28 and is sealed with resin.例文帳に追加

はんだめっき被膜４６の表面が封止樹脂２８の外表面よりも突出するとともに、はんだめっき被膜４６と表面にはんだめっき被膜が形成される下地層４４との界面が封止樹脂２８内に位置して樹脂封止されている。 - 特許庁

Since there is no interface between the substrate 21 and the aluminum oxide film layer 22 to be the base of the light reflecting film 3 by this constitution, the substrate 21 and the aluminum oxide film layer 22 do not exfoliate from each other and adhesive strength with the light reflecting film 3 increases.例文帳に追加

この構成により、基材２１と光反射膜３の下地層となるアルミ酸化膜層２２との間に界面が存在しないので、基材２１とアルミ酸化膜層２２とが剥離することがなく、光反射膜３との接着強度が向上する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which uses a carbon-based material for a variable resistance film and can be stably operated by stabilizing characteristics at an interface between a carbon film and an electrode and thus stabilizing a variable resistance characteristic, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

炭素系材料を抵抗変化膜に用いた不揮発性メモリ素子において、炭素膜と電極界面の特性を安定化させ、ひいては抵抗変化特性を安定して動作させうる不揮発性メモリ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic pipe expanding inductor in which formation of voids during resin impregnation is suppressed, and electromagnetic reaction forces acting on a conductor circumference and on an interface between a shaft portion and a center-side fiber layer is diminished, and thereby durability is improved and the life of the inductor is prolonged.例文帳に追加

樹脂を含浸する際の空隙の発生を抑制すると共に、導体周囲及び軸部と中心側繊維層との界面に作用する電磁反力を低減して耐久性を向上させ、長寿命化した電磁拡管成形用インダクタを提供する。 - 特許庁

The operation is carried out through an information adder 4 of a printer interface disposed between the host computer 1 and the printer 5, and means for processing the extra information from the information adder 4 through the host computer 1 as the control information of the printer 5.例文帳に追加

ホストコンピュータ１とプリンタ５との間に配置されたプリンタインタフェースの情報追加装置４、情報追加装置４からの追加情報をホストコンピュータ１で処理してプリンタ５の制御情報とする情報処理手段を介して上記動作を行う。 - 特許庁

The inside of the drilled hole 22 is irradiated with a hand light to measure the distance from the interface (neutralization front 25), between a colored part of the phenolphthalein solution and a non-colored part to the open end 22a of the drilled hole 22, with a vernier caliper 13 provided with a depth bar 14.例文帳に追加

ハンドライトによってドリル孔２２の内部を照射すると共に、デプスバー１４を備えるノギス１３によって、フェノールフタレイン溶液の発色部と非発色部との境界（中性化フロント２５）からドリル孔２２の開口端２２ａまでの距離を測定する。 - 特許庁

When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer.例文帳に追加

電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 40, the silicon film 60 and the silicon oxide film 70, are successively formed without exposing them to the atmosphere, the amount of impurity which may be stuck to interfaces between the films 40, 60, 70 during the manufacturing process of the films is reduced and the density of the interface levels is reduced.例文帳に追加

このように、酸化シリコン膜４０、シリコン膜６０および酸化シリコン膜７０を大気に晒すことなく連続して成膜するので、製造プロセス時にそれらの界面に付着する不純物が少なくなり、界面準位の密度が低くなる。 - 特許庁

To provide a field equipment communication device in which operability and a quality of a GUI means are improved by performing communication between the GUI means and a field communication server means as completely asynchronous communication not to be affected by a communication interface of the field communication server means.例文帳に追加

ＧＵＩ手段とフィールド通信サーバ手段との通信を、フィールド通信サーバ手段の通信インターフェースに左右されない、完全非同期型の通信とすることにより、ＧＵＩ手段の操作性並びに品質を向上せしめたフィールド機器通信装置を実現する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which prevents characteristics of a ferroelectric film from being deteriorated when hydrogen enters the ferroelectric film through an interface between a hydrogen barrier film and an upper electrode, e.g., upon filling of a plug conductor into a contact hole, and also a method of manufacturing the ferroelectric memory device.例文帳に追加

コンタクトホールへのプラグ導電部の埋設時などに、水素バリア膜と上部電極との界面を通って水素が侵入し、強誘電体膜が特性劣化してしまうのを防止した、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a excellent modular plug whose assembling time is shortened and electric characteristic almost does not change from plug to plug, to realize a linear interface between a conductor inside cable and a plug terminal and to be able to make a standard circular cable an end terminal.例文帳に追加

標準的な円形ケーブルを終端可能で、ケーブル内の導体とプラグ端子との間の直線的なインタフェースを実現し、組立時間を短縮して、しかも、プラグからプラグまでの間の電気特性にほとんど変化のない、優れたモジュラープラグを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a substrate for a power module, that can efficiently produce a substrate for a power module with high strength of an interface between a ceramic substrate and an aluminum layer composed of aluminum or an aluminum alloy and with excellent reliability, and provide the substrate for the power module.例文帳に追加

セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁

In an exemplary embodiment, the reflection cancellation signal is a delayed and filtered version of the incident write current signal that cancels a reflected signal that is reflected at the interface between the interconnection and the write head due to impedance mismatching.例文帳に追加

１つの実施例においては、この反射相殺信号は相互接続と書込みヘッド間のインタフェースの所でインピーダンスの不整合のために反射される反射信号を相殺するための入射書込み電流信号の遅延され、かつフィルタリングされたバージョンから成る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a soundproof cover in which a sound insulating part of rubber and a sound absorbing part of a foamed resin are formed integrally and prevented from being peeled on the interface between the two parts and the soundproof cover.例文帳に追加

ゴムよりなる遮音部と発泡樹脂よりなる吸音部とが一体に形成された防音カバーでありかつ遮音部と吸音部とが界面で剥離を生じない防音カバーを製造することができる防音カバーの製造方法および防音カバーを提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern causing no intermixing on an interface between an upper resist layer and a lower resist layer and thereby, having a favorable profile, and to provide a method for forming a resist pattern, and a method for patterning a thin film using the resist pattern, and a method for manufacturing a thin film magnetic head.例文帳に追加

上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

At the bent section 1a of the optical fiber 1, the incidence θ_2 of the light is smaller than the critical angle θ_c and, as the result, all the light entering the interface between a core 2 and a cladding 3 is not reflected but a part thereof is radiated outward as leaks Rx.例文帳に追加

光ファイバ１の屈曲部１ａにおいて、光の入射角θ_２は臨界角θｃよりも小さくなり、コア２とクラッド３の境界面に入射した光は全反射せずに一部は漏れ光Ｒｘとして外部に放射されることになる。 - 特許庁

To provide a ceramic component for electronic components capable of reducing a coefficient of thermal expansion as well as ensuring a heat transfer property and a conductive property required for a wiring layer, and capable of reducing thermal stress in an interface between the wiring layer and a ceramic substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線層として必要な伝熱性及び導電性を確保しつつ熱膨張率を低減し、配線層とセラミックス基板との界面における熱応力を低減せしめた電子部品用セラミックス部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To overcome the problem of delamination on an interface or wire breaking due to the physical property difference such as expansion coefficient difference between a fluorescent substance-dispersed resin around a LED chip and a mold resin of a light emitting diode composed of the LED chip and phosphor for emitting a color-mixed light.例文帳に追加

ＬＥＤチップと蛍光体とにより混色発光する発光ダイオードにおいて、ＬＥＤチップ周囲の蛍光体分散樹脂とモールド樹脂との膨張係数など物性上の違いから生じる、界面での剥離やワイヤー切断を解消する。 - 特許庁

To eliminate the need for undesired format conversion such as conversion to a uniform format and return of the result and to attain the on-the-fly method even between LAN ports of an interface with a different transmission rate in the network system where ATM channels and Ethernet channels are intermingledly contained and they are switched with each other.例文帳に追加

ＡＴＭ回線やイーサ回線等を混在収容して相互にスイッチングするネットワーク装置において、一律のフォーマットに変換して戻すような不要なフォーマット変換をなくし、かつ、オンザフライ方式を異なる速度インタフェースのＬＡＮポート間でも可能とする。 - 特許庁

In the laminated film, a polyethylene resin layer is laminated on one surface of a transparent substrate 1 having a synthetic resin layer through an anchor-coating agent 2, and a pseudo-adhesive interface is formed between the other surface of the substrate and the polyethylene resin layer on the side of the other surface.例文帳に追加

合成樹脂層を有する透明な基材１の面に、ポリエチレン系樹脂層がアンカーコート剤２を介して積層され、該基材の他面と該他面側のポリエチレン系樹脂層の間が擬似接着界面であることを特徴とするラミネート積層フィルム。 - 特許庁

As a result, even if the difference in the throughput occurs between a C/D side (including an inline interface part) and an aligner body 21 side, by simultaneously keeping a plurality of wafers in the buffer unit 29 temporarily, a waiting time, i.e., a loss of time can be eliminated.例文帳に追加

このため、Ｃ／Ｄ側（インライン・インタフェース部を含む）と露光装置本体２１側との間で処理能力に差が生じても、同時に多数枚のウエハをバッファユニット２９に一時保管することにより、待ち時間、すなわち時間のロスがないようにすることが可能である。 - 特許庁

The Pachinko game machine 1 has the infrared rays intercepting and emitting sections 33 and 34 as an interface which performs information communication between predetermined pocket communication terminals and these infrared rays intercepting and emitting sections 33 and 34 are arranged in the external domain of a transparent sheet 7 in the Pachinko game machine 1.例文帳に追加

パチンコ機１は、所定の携帯通信端末との間で情報通信を行うインターフェースとして赤外線受発光部３３，３４が設けられており、この赤外線受発光部３３，３４はパチンコ機１において、透明板７の外部領域に配置される。 - 特許庁

In the interface between a high-temperature superconducting film 12A and an electrode 13, a titanium compound 20 is inserted such as a valium titanate, for example, generated through heating reaction with a titanium constituting a part of the electrode 13 and the component material of the high- temperature superconducting film 12A.例文帳に追加

高温超伝導膜１２Ａと電極１３との界面に該高温超伝導膜１２Ａの構成物質と該電極１３の一部を構成するチタンとの加熱反応で生成された例えばチタン酸バリウムなどのチタン化合物２０を介在させる。 - 特許庁

To provide a glass panel so designed as to maximally avoid the direct action of an impact force on the interface between an adhesive layer and glass through mitigating it even if it acts on a cap, so as to enable a suction port closure to be protected as desired through preventing the cap from peeling off.例文帳に追加

キャップに対して衝撃的な力が作用しても、その衝撃力を緩和して、接着層とガラス界面に対して直接作用するのを極力回避し、キャップの剥がれを防止して吸引口閉塞部を所望通りに保護し得るガラスパネルの提供。 - 特許庁

To enable CPU-to-CPU communication without needing a special circuit and enable transmission of a references frame, frame timing and reference clock without needing another physical interface, in a part between a baseband signal processing panel and an RF signal processing panel.例文帳に追加

ベースバンド信号処理パネルとＲＦ信号処理パネルとの間において、特別な回路を必要とせずにＣＰＵ間通信を可能とし、また他の物理インタフェースを必要とせずに基準フレーム、フレームタイミングおよび基準クロックを伝送することを可能とする。 - 特許庁

A method of producing functional fine particles comprises dispersing a hydrophobic liquid containing a metal alkoxide into an aqueous medium containing an amphiphilic star polymer having porphyrin as the central skeleton to effect sol-gel reaction at the interface between the aqueous phase and the hydrophobic liquid.例文帳に追加

ポルフィリンを中心骨格とする両親媒性星型ポリマーを含有する水性媒体中に、メタルアルコキシドを含有する疎水性の液体を分散させると共に、水相と疎水性の液体との界面でゾルゲル化反応させる機能性微粒子の製造方法。 - 特許庁

Thereby, nitrogen of high concentration can be incorporated in silicon/silicon dioxide interface between a gate oxide 24 and the lightly doped drain structure 38.例文帳に追加

ゲート酸化物とドレイン領域内の薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ_3）または亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）のうち少なくとも１種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする。 - 特許庁

The gas generation material 4 includes at least one of alkali metal azide and alkali earth metal azide, and arranged so that gas generated from the alkali metal azide or the alkali earth metal azide is guided to an interface 6 between the bottom surface 23 and the printed board 5.例文帳に追加

ガス発生材４は、アルカリ金属アジド及びアルカリ土類金属アジドの少なくとも１つを含んでおり、アルカリ金属アジドまたはアルカリ土類金属アジドから発生するガスが底面２３とプリント基板５との界面６に導かれるように配置されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which the semiconductor device having suitable mechanical strength on a contact interface between a conductive bump and a metal pad can be manufactured through simpler processes, and the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

導電性バンプと金属パッドとの接触界面における好適な機械強度を有する半導体装置を、より簡素なプロセスにて製造することのできる半導体装置の製造方法及びその製法にて製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The halogen elements are introduced so that Hf atoms or Si atoms on the surface of the HfSiON gate insulating film 5 are terminated, and an electrically satisfactory interface is formed between the HfSiON gate insulating film 5 and the PolySi gate electrode 6.例文帳に追加

ハロゲン元素が導入されることで、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５表面のＨｆ原子やＳｉ原子は終端され、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５とＰｏｌｙＳｉゲート電極６との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。 - 特許庁

Since a comparatively firm interatomic bond can be acquired on the interface between the oxidation prevention layer comprising a noble metal material and the diffusion prevention layer including Cr or Ti, diffusion of noble metal atoms from the oxidation prevention layer into a reflecting film can be prevented effectively.例文帳に追加

貴金属材料からなる酸化防止層と、Ｃｒ又はＴｉを含有する拡散防止層の界面では比較的強固な原子間の結合が得られるために、酸化防止層から反射膜への貴金属原子の拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

To improve pixel characteristics of a solid-state imaging element with a lateral overflow drain (LOD) structure by reducing an interface level etc., nearby a junction part between a barrier region adjacent to a photodetection part and a drain region being an n^+ region contacting the barrier region.例文帳に追加

横型オーバーフロードレイン（ＬＯＤ）構造を備えた固体撮像素子において、受光部等に隣接するバリア領域と、これに接するｎ^＋領域であるドレイン領域との接合部分の近傍での界面準位等を低減し、画素特性を向上させる。 - 特許庁

To avoid inconvenience caused by mismatching between a transmission data amount of data to be transmitted from a present device and a reception data amount of data to be received at an opposite device, at the devices which are connected by a serial interface and exchange data.例文帳に追加

シリアルインターフェイスで接続されてデータの送受を行う機器において、自機から送信するデータの送信データ量と、相手機器において受信されるデータの受信データ量とが不整合となることによって発生する不都合を回避できるようにする。 - 特許庁

In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁

A channel-doped layer 123 is formed in a well layer 121 which is the lower layer to the gate electrode 29A of a MOS transistor T51, and a nitrogen inlet region N11 is formed in the gate electrode 29A and near a junction interface between the gate electrode 29A and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴ５１のゲート電極２９Ａの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２３が形成され、ゲート電極２９Ａ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１１が形成されている。 - 特許庁

Serial interface modules 15-1 to 15-m and 41-1 to 41-m can adjust transfer performance by performing attachment/detachment in accordance with request transfer performance, and data is transmitted and received between a transfer controller 1 and an input-output device 4 through them.例文帳に追加

シリアルインタフェースモジュール１５−１〜１５−ｍ，４１−１〜４１−ｍは要求転送性能に応じて着脱することで転送性能の調整が可能で、それらを介して転送制御装置１と入出力装置４との間のデータの送受信が行われる。 - 特許庁

A bonding area 14a is formed on the whole outer peripheral part of the interface between the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13, and the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13 are partially bonded together so that the area surrounded by the bonding area 14a is a non-bonding area 14b.例文帳に追加

軟組織層１２と表皮層１３とは、軟組織層１２と表皮層１３との界面の外周部全周に接着部１４ａが形成され接着部１４ａに取り囲まれた領域が非接着部１４ｂとなるように部分的に接着されている。 - 特許庁

In Fig. 1 (A), the refractive index n_2 of a variable refractive index substance 5 becomes smaller than the refractive index n_1 of a light guide member and incident light is totally reflected by the interface between the transparent electrode 10 and variable refractive index substance 5 to exit to the right of the optical path switching element.例文帳に追加

図１（Ａ）では、屈折率可変物質５の屈折率ｎ_2が導光部材の屈折率ｎ_1よりも小さくなり、入射光は透明電極１０と屈折率可変物質５との界面で全反射して光路切替素子の右方へ出射する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a gate insulation film having a high dielectric constant and a gate electrode which contains a dopant and is made of Si or a material containing Si, and which can prevent the generation of fixed electric charge in an interface between the gate insulation film and the gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むＳｉもしくはＳｉを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The front face substrate and the back face substrate are sealed through a sealing layer 33 at peripheral parts, and a diffusion layer including components of the sealing layer is formed on the plate side of the interface between at least one of the front face substrate and the back face substrate and the sealing layer.例文帳に追加

前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、前面基板および背面基板の少なくとも一方と封着層との界面の上記板側に、封着層の成分を含有した拡散層が形成されている。 - 特許庁

To provide an electric earthing device of a float glass manufacturing apparatus which inhibits an interface reaction in the manufacturing process so that the flow of direct electric current depending on an electrochemical influence between a melting tank and a downstream float tank is at least minimized.例文帳に追加

製造過程における境界面反応を抑制して溶融タンクと下流のフロートタンク間における電気化学的影響に依存した直流電流の流れが少なくとも最小限に抑えられるフロートガラス製造装置の電気的設置装置を提供する。 - 特許庁