「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

In this hot water heating device, a hot water heater 1a having intercom function between remote controls is connected to the intercom 4a or telephone set through a connector 6 that is an interface, whereby the person can directly answer the intercom or telephone from the bathroom remote control 1c of the hot water heater.例文帳に追加

リモコン間のインターホン機能を有する温水暖房機１ａとインターフェイスである接続器６でインターホン４ａや電話機を接続することで、温水暖房機の浴室リモコン１ｃから直接インターホンや電話に応答することができる温水暖房装置である。 - 特許庁

To provide a method for fixing a seed crystal and a method for manufacturing a single crystal by which impurities are prevented from being present on the contact interface between a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal and a seed crystal mount and the occurrence of a linear penetrating defect can be suppressed.例文帳に追加

炭化珪素単結晶成長用の種結晶と種結晶台座との接触界面に不純物の介在を防ぎ、線状貫通欠陥の発生を抑制することのできる種結晶固定方法並びに単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

At least one cavity is provided at an interface between the body and the insert so as to allow the fluid flowing along the passages 15, 16 for the cooling fluid to graze at least a part of the rear surface of the insert before the fluid flows out to the outside from the end of the insert.例文帳に追加

該冷却用流体の通路１５，１６は、該通路に沿って流れる該流体がインサート端部で外部へ出る前に該インサートの後面の少なくとも１部分をグレーズするように前記ボデイ／インサートのインターフエース内に少なくとも１つのキャビテイを具備する。 - 特許庁

To provide a characteristic evaluation method and a characteristic evaluation apparatus for organic materials, which eliminate the influence of interaction between an organic material and a metal interface and the influence caused by deterioration of a film surface of the organic material, and can accuratly evaluate electric properties of the organic material.例文帳に追加

有機−金属界面の相互作用による影響、および有機材料の膜表面の変質による影響を排除して、正確に、有機材料の電気的特性の評価を行ない得る有機材料の特性評価方法および特性評価装置を得る。 - 特許庁

A peeling apparatus 1 as the apparatus for manufacturing the thin film electronic device peels a transfer source substrate 30 and a transfer destination substrate 40 having been stuck together with a body to be transferred interposed along a lamination interface between the body to be transferred and transfer source substrate 30.例文帳に追加

薄膜電子デバイスの製造装置としての剥離装置１は、被転写体を挟んで貼り合わされた転写元基板３０と転写先基板４０とを、被転写体と転写元基板３０との間の積層界面において剥離する装置である。 - 特許庁

The thickness of a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6c is set so that the number of electrons accumulated in the interface between a silicon oxide film 6a and the silicon nitride film 6b is larger than that of holes accumulated in the silicon nitride film 6b by biasing the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７へのバイアスにより、シリコン酸化膜６ａとシリコン窒化膜６ｂとの界面に蓄積される電子が、シリコン窒化膜６ｂ中に蓄積されるホールよりも多くなるように、シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜６ｃの膜厚を設定する。 - 特許庁

A pattern of thermal flow resin and the low refractive index resin are formed on an undercoat layer 16, and at the same time as the lenses are formed by heat treatment, the interface between the low refractive index resin and the lenses is thermally fused thus forming the low refractive index resin in nonplanar shape in the recesses.例文帳に追加

アンダーコート層１６上に、熱フロー性樹脂のパターン、低屈折率樹脂を形成し、熱処理にてレンズの形成と同時に、低屈折率樹脂とレンズとの界面を熱融合した界面とし、凹部に平坦でない形状に低屈折率樹脂を形成する。 - 特許庁

To obtain a membrane electrode assembly for a fuel cell in which peeling-off of a catalyst, breakage of an electrolyte film, peeling-off of the interface between the electrolyte membrane and a catalyst layer or the like do not occur even if power generation and stoppage of the fuel cell are repeated, and which has a stable power generating characteristic.例文帳に追加

燃料電池の発電と停止を繰り返しても、触媒の剥離、電解質膜の破損、電解質膜と触媒層との界面の剥がれなどが発生せず、安定した発電特性をもつ燃料電池用の膜電極接合体が得られる。 - 特許庁

To provide a method by which fitness and reversal on the interface between coating film layers are controlled and a multilayer coating film excellent in physical properties, particularly chipping resistance is formed when the top of a substrate is successively coated with an intermediate coating film and a final coating film by a wet-on-wet process.例文帳に追加

基材上に、中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次ウエットオンウエットで塗装した場合に、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御し、更に、塗膜物性、特に耐チッピング性に優れた積層塗膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

After a hole 15 is made in an insulating film 9e, a conductor film 16 of ruthenium or the like is deposited in the hole 15 and on the insulating film 9e and subjected to a heat treatment, to thereby form a silicide film 17 at a contact interface between the film 16 and a plug 13.例文帳に追加

絶縁膜９ｅに孔１５を形成した後、孔１５内および絶縁膜９ｅ上に、ルテニウム等からなる導体膜１６を堆積し、熱処理を施すことで、導体膜１６とプラグ１３との接触界面にシリサイド膜１７を形成する。 - 特許庁

The netted body 2c allows easy work for positioning the floor material 2, actualizes adequate sticking strength for easy and beautiful separation of the floor material 2 when re-stuck, and forms a contact interface between the netted body 2c and the sub-floor 1, as a moisture passage, to prevent the bulge of the floor material 2.例文帳に追加

網状体２ｃによって、床材２の位置決め作業を容易にし、貼着強度を適正にし、貼替え時の床材２の剥離を容易かつ綺麗にし、網状体２ｃと床下地１の接触界面を水分等の通り道として床材２の膨れを防止する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electronic part, after a terminal part is soldered with the solder mainly composed of Sn and Zn, heat treatment is performed at a temperature of 80°C or above and not over a melting temperature of the solder, to deposit a Zn layer on an interface between the solder joint part and the terminal part of the electronic part.例文帳に追加

SnとZnを主とするはんだにより端子部をはんだ付けした後、80℃以上、該はんだの溶融温度以下の温度で熱処理を行い、はんだ接合部と電子部品の端子部との界面にZn層を析出させる電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provided a printed wiring board forming a metal fine particle sintered film made of copper wiring or the like on a base material made of polyimide or the like, smooth in interface between the base material and the metal fine particle sintered film, and high in adhesiveness of the base material to the metal fine particle sintered film.例文帳に追加

ポリイミドなどの基材上に、銅配線など金属微粒子焼結膜を形成し、基材と金属微粒子焼結膜の界面が平滑であり、かつ基材と金属微粒子焼結膜との密着性が高いプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

The newly formed scan chain serves as a test path for inspecting combined circuits 200, 300 and 400, which are hard to inspect, positioned in interface domains K1, K2, and K3 between a full scan test objective circuit 500 and the external connection terminals (pads) P1 to P9, etc.例文帳に追加

この新規に形成されるスキャンチェーンは、フルスキャンテスト対象回路（５００）と外部接続端子（パッド）Ｐ１〜Ｐ９等との間のインタフェース領域Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３に位置する、検査がむずかしい組合せ回路２００，３００，４００を検査するためのテスト用のパスとなる。 - 特許庁

Here, when the glass beads 22 are fused by heating and adhered to the oxidized face 24 of the electrodes 14, 16 on which the oxidation treatment is applied, the generation of gas is restrained, therefore, the generation of void remained on the interface between the oxidized face 24 and the glass beads 22 is restrained.例文帳に追加

ここで、前記加熱処理された電極１４、１６の酸化面２４に対してガラスビード２２を熱融着させると、前記気体の発生が抑制されるので、前記酸化面２４と前記ガラスビード２２との界面に残留するボイドの発生が抑制される。 - 特許庁

Since the structure of the solder bump formed by this method has the by-product of the underlying metal between the solder bump and the electrode underlayer portion, solder does not generate the brittle solder intermetallic compound at the interface with the electrode underlayer portion, and mechanically strong solder bump can be manufactured.例文帳に追加

この方法で作られた半田バンプの構造は半田バンプと電極下地部の間に下地金属の副生成物があるため、半田が電極下地部との界面に脆弱な半田金属間化合物を生成さずに機械的に丈夫な半田バンプを製造できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor package having its chip surface exposed, in which the bonded interface between a semiconductor chip and sealing resin is not stripped at the time of soldering and electrostatic breakdown does not take place even if a finger of a person having a high potential touches the package.例文帳に追加

半田付け等によっても半導体チップと封止樹脂との間の接合界面が剥離を起さず、高電位の人間の指が接触しても静電破壊を起すことの無い半導体チップ表面露出型の樹脂封止半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

To provide an organic interlayer insulating-film material which does not generate peeling at the interface between the interlayer insulating film and a different kind of material, and to provide a high-reliability semiconductor device manufactured using this interlayer insulating-film material, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

層間絶縁膜と異種材料との界面に剥離を生じさせることのない有機層間絶縁膜材料の提供と、この層間絶縁膜材料を用いて製造された高信頼性の半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The displacement of a crystal atom is determined by analyzing an intensity profile of X-ray CTR scattering appearing on both sides in the vertical direction on the surface of an X-ray diffraction peak, and the stress generated in the hetero interface between the crystal and the different kind of material is evaluated from the result.例文帳に追加

Ｘ線回折ピークの表面垂直方向両側に出現するＸ線ＣＴＲ散乱の強度プロファイルを解析して結晶原子の変位量を求め、その結果から結晶と異種物質とのヘテロ界面の生じる応力を評価する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a lead battery by means of burner method using a comb mold, a metal pad and additional lead in which gaps formed in a welding interface between a strap and a lug can be largely reduced in size.例文帳に追加

櫛形治具、当金および足し鉛を用いてバーナー法により、ストラップを形成する鉛蓄電池の製造方法において、ストラップ／耳部溶接界面に形成される隙間を大幅に抑制可能な鉛蓄電池の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The etching method includes: a layer formation process for forming an etching gas layer including an etching material activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching gas layer.例文帳に追加

光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング材料を含んだエッチングガス層を被処理体上に形成する層形成工程と、前記被処理体と前記エッチングガス層との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁

This voltage application changes the wettability of a polar liquid 119 to an insulating film 117 in a cavity 102, so that the curvature of an interface between a non-polar liquid 118 and the polar liquid 119 is changed; then, the focal length of the liquid lens 101 is varied.例文帳に追加

その電圧の印加により、くぼみ１０２内において、極性液体１１９の絶縁膜１１７に対する濡れ性が変化し、無極性液体１１８と極性液体１１９の界面の湾曲率が変化し、液体レンズ１０１の焦点距離が変化する。 - 特許庁

When a peripheral device interface, for example, a USB connected to a pedometer is connected to a user personal computer, an intermediation program intermediating between the pedometer and a website starts up automatically and the start-up intermediation program transmits the number of steps of the pedometer to the Web site.例文帳に追加

万歩計（Ｒ）に接続されている周辺デバイスインターフェース、例えばＵＳＢをユーザパソコンに接続すると、万歩計とウェブサイトの間を仲介する仲介プログラムが自動的に起動し、起動した仲介プログラムにより、万歩計の歩数データがウェブサイトへ伝送される。 - 特許庁

A stirring device, which comprises a rotary body supported between two shafts positioned in parallel and subjects the rotary body to shaking rotary motion, is attached at a position under the interface of a liquid, handled by the rotary body and the rotary shaft thereof, and air.例文帳に追加

平行に位置する２軸間に回転体を懸架し、該回転体を揺動回転運動させる回転体からなる攪拌装置を、該攪拌装置の回転体並びに回転軸が取り扱う液体と空気との界面下に来るように取り付けた装置を提供する。 - 特許庁

A photographer, when making rough alignment between the eye to be examined of a subject and a fundus camera while observing the anterior chamber of the eye to be examined, inputs the ID number or name, or the like, of the subject from a control command input means 8 to a control means 5 via a second interface port 7.例文帳に追加

撮影者は被検者の前眼部を観察しながら、被検眼と眼底カメラのラフアライメントを行う際に、被検者のＩＤナンバ又は患者名等を制御コマンド入力手段８から第２のインタフェースポート７を介して制御手段５に入力する。 - 特許庁

An authentication/approval manager 42 permits or rejects data communication related to a request and/or processing between each physical interface 15 and the terminal device based on function restriction information in each user permitted with the login by the login manager 41.例文帳に追加

認証・認可マネージャ４２は、ログインマネージャ４１によりログインを許可されたユーザごとに、機能制限情報に基づいて、物理インタフェース１５のそれぞれによる端末装置との間の、要求および／または処理に関するデータ通信を許可または拒否する。 - 特許庁

A method of producing functional fine particles comprises dispersing a hydrophobic liquid containing a metal alkoxide into an aqueous medium containing an amphiphilic star polymer having porphyrin as the central skeleton to effect sol-gel reaction at the interface between the aqueous phase and the hydrophobic liquid.例文帳に追加

ポルフィリンを中心骨格とする両親媒性星型ポリマーを含有する水性媒体中に、メタルアルコキシドを含有する疎水性の液体を分散させると共に、水相と疎水性の液体との界面でゾルゲル化反応させる機能性微粒子の製造方法。 - 特許庁

Thereby, nitrogen of high concentration can be incorporated in silicon/silicon dioxide interface between a gate oxide 24 and the lightly doped drain structure 38.例文帳に追加

ゲート酸化物とドレイン領域内の薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素（ＮＯ）、アンモニア（ＮＨ_3）または亜酸化窒素（Ｎ_2Ｏ）のうち少なくとも１種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする。 - 特許庁

The gas generation material 4 includes at least one of alkali metal azide and alkali earth metal azide, and arranged so that gas generated from the alkali metal azide or the alkali earth metal azide is guided to an interface 6 between the bottom surface 23 and the printed board 5.例文帳に追加

ガス発生材４は、アルカリ金属アジド及びアルカリ土類金属アジドの少なくとも１つを含んでおり、アルカリ金属アジドまたはアルカリ土類金属アジドから発生するガスが底面２３とプリント基板５との界面６に導かれるように配置されている。 - 特許庁

The halogen elements are introduced so that Hf atoms or Si atoms on the surface of the HfSiON gate insulating film 5 are terminated, and an electrically satisfactory interface is formed between the HfSiON gate insulating film 5 and the PolySi gate electrode 6.例文帳に追加

ハロゲン元素が導入されることで、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５表面のＨｆ原子やＳｉ原子は終端され、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５とＰｏｌｙＳｉゲート電極６との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which the semiconductor device having suitable mechanical strength on a contact interface between a conductive bump and a metal pad can be manufactured through simpler processes, and the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

導電性バンプと金属パッドとの接触界面における好適な機械強度を有する半導体装置を、より簡素なプロセスにて製造することのできる半導体装置の製造方法及びその製法にて製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since a comparatively firm interatomic bond can be acquired on the interface between the oxidation prevention layer comprising a noble metal material and the diffusion prevention layer including Cr or Ti, diffusion of noble metal atoms from the oxidation prevention layer into a reflecting film can be prevented effectively.例文帳に追加

貴金属材料からなる酸化防止層と、Ｃｒ又はＴｉを含有する拡散防止層の界面では比較的強固な原子間の結合が得られるために、酸化防止層から反射膜への貴金属原子の拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁

The front face substrate and the back face substrate are sealed through a sealing layer 33 at peripheral parts, and a diffusion layer including components of the sealing layer is formed on the plate side of the interface between at least one of the front face substrate and the back face substrate and the sealing layer.例文帳に追加

前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、前面基板および背面基板の少なくとも一方と封着層との界面の上記板側に、封着層の成分を含有した拡散層が形成されている。 - 特許庁

A channel-doped layer 123 is formed in a well layer 121 which is the lower layer to the gate electrode 29A of a MOS transistor T51, and a nitrogen inlet region N11 is formed in the gate electrode 29A and near a junction interface between the gate electrode 29A and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴ５１のゲート電極２９Ａの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２３が形成され、ゲート電極２９Ａ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１１が形成されている。 - 特許庁

Serial interface modules 15-1 to 15-m and 41-1 to 41-m can adjust transfer performance by performing attachment/detachment in accordance with request transfer performance, and data is transmitted and received between a transfer controller 1 and an input-output device 4 through them.例文帳に追加

シリアルインタフェースモジュール１５−１〜１５−ｍ，４１−１〜４１−ｍは要求転送性能に応じて着脱することで転送性能の調整が可能で、それらを介して転送制御装置１と入出力装置４との間のデータの送受信が行われる。 - 特許庁

A bonding area 14a is formed on the whole outer peripheral part of the interface between the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13, and the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13 are partially bonded together so that the area surrounded by the bonding area 14a is a non-bonding area 14b.例文帳に追加

軟組織層１２と表皮層１３とは、軟組織層１２と表皮層１３との界面の外周部全周に接着部１４ａが形成され接着部１４ａに取り囲まれた領域が非接着部１４ｂとなるように部分的に接着されている。 - 特許庁

In Fig. 1 (A), the refractive index n_2 of a variable refractive index substance 5 becomes smaller than the refractive index n_1 of a light guide member and incident light is totally reflected by the interface between the transparent electrode 10 and variable refractive index substance 5 to exit to the right of the optical path switching element.例文帳に追加

図１（Ａ）では、屈折率可変物質５の屈折率ｎ_2が導光部材の屈折率ｎ_1よりも小さくなり、入射光は透明電極１０と屈折率可変物質５との界面で全反射して光路切替素子の右方へ出射する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a gate insulation film having a high dielectric constant and a gate electrode which contains a dopant and is made of Si or a material containing Si, and which can prevent the generation of fixed electric charge in an interface between the gate insulation film and the gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むＳｉもしくはＳｉを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve pixel characteristics of a solid-state imaging element with a lateral overflow drain (LOD) structure by reducing an interface level etc., nearby a junction part between a barrier region adjacent to a photodetection part and a drain region being an n^+ region contacting the barrier region.例文帳に追加

横型オーバーフロードレイン（ＬＯＤ）構造を備えた固体撮像素子において、受光部等に隣接するバリア領域と、これに接するｎ^＋領域であるドレイン領域との接合部分の近傍での界面準位等を低減し、画素特性を向上させる。 - 特許庁

To avoid inconvenience caused by mismatching between a transmission data amount of data to be transmitted from a present device and a reception data amount of data to be received at an opposite device, at the devices which are connected by a serial interface and exchange data.例文帳に追加

シリアルインターフェイスで接続されてデータの送受を行う機器において、自機から送信するデータの送信データ量と、相手機器において受信されるデータの受信データ量とが不整合となることによって発生する不都合を回避できるようにする。 - 特許庁

To provide an electric earthing device of a float glass manufacturing apparatus which inhibits an interface reaction in the manufacturing process so that the flow of direct electric current depending on an electrochemical influence between a melting tank and a downstream float tank is at least minimized.例文帳に追加

製造過程における境界面反応を抑制して溶融タンクと下流のフロートタンク間における電気化学的影響に依存した直流電流の流れが少なくとも最小限に抑えられるフロートガラス製造装置の電気的設置装置を提供する。 - 特許庁