「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

The telephone line interface circuit 10 is provided with a low voltage circuit 12 including an event receiver 14, a line drive CODEC 18 including a event transmitter 20, and an isolation circuit 16 that is connected between the low voltage circuit 12 and the line drive CODEC 18.例文帳に追加

電話線インタフェース回路１０は、イベント受信器１４を含む低電圧回路１２と、イベント送信器２０を含むライン駆動コーデック１８と、低電圧回路１２とライン駆動コーデック１８の間に接続された絶縁回路１６とを有する。 - 特許庁

An interface apparatus 4 interposed between the transmission side apparatus and a communication path 6 converts transmission data S subjected to the biphase modulation into a transmission signal subjected to amplitude shift modulation and transmits the transmission signal to the communication path 6.例文帳に追加

送信側機器と通信路６との間に介在するインターフェース装置４において、バイフェーズ変調された送信データＳから振幅偏移変調された伝送信号への変換を行い、この伝送信号を通信路６に送出する。 - 特許庁

A reflection angle is made large, at an interface between the light-diffusion particle and the depletion part so that reflection of the fluorescent light converted by the scintillator layer 13 is produced in the small region, and suppresses lowering of the resolution or the luminance due to diffusion of the reflected light to long distance.例文帳に追加

光散乱性粒子と空乏部との界面での屈折角が大きくなり、シンチレータ層13により変換された蛍光の反射が小領域内で生じ、反射光の遠方拡散による解像度低下や輝度の低下を抑える。 - 特許庁

To provide a method for manually inserting, into the cable and insulator, a rubber stress cone of the simplified (cost reduction) structure for giving pressure to the interface between the cable and insulator with a contraction force of the rubber stress cone thereof at the time of forming termination connection part of the CV cable.例文帳に追加

ＣＶケーブルの終端接続部形成において、ゴムストレスコーン自体の収縮力でケーブル絶縁体との界面に圧力を加える簡易型（コストダウン）構造のゴムストレスコーンをケーブルと絶縁体に挿入するに人力では不可能である。 - 特許庁

A channel-doped layer 124 is formed in the well layer 121 under a gate electrode 29B of a MOS transistor T52, and a nitrogen inlet region N12 is formed in the gate electrode 29B and near a junction interface between the gate electrode 29B and the gate oxide film 25A.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５２のゲート電極２９Ｂの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２４が形成され、ゲート電極２９Ｂ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されている。 - 特許庁

In the optical recording medium provided with at least a transparent substrate and a recording layer adjacent to the transparent substrate, a reflection preventing structure of a projecting and recessed shape is formed in the interface between the transparent substrate and the recording layer so that a non-reflection condition is satisfied.例文帳に追加

少なくとも透明基板と透明基板に隣接する記録層とを備えた光記録媒体であって、透明基板と記録層との界面に、無反射条件を満たすように凹凸形状の反射防止構造が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor package 200 is provided which prevents degradation in performance of a chip 120, such as a CPU chip, which is caused by a hot spot generated during operation, and an interface between the chip 120, a TIM156, and a lid 140 absorbs a thermo-mechanical stress.例文帳に追加

ＣＰＵチップのようなチップ１２０の駆動中に発生するホットスポットよる性能低下を防止し、チップ１２０、ＴＩＭ１５６、蓋体１４０の間のインタフェースに熱的機械的ストレスを吸収する半導体パッケージ２００を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a hollow fiber membrane module, which can manufacture by potting molding at low costs without producing the non-penetration of a resin between hollow fiber membranes, the crack of a bonded and fixed part, the non-uniformity of the interface of the fixed part, or the like.例文帳に追加

中空糸膜間の樹脂不浸透、接着固定部のクラックあるいは固定部界面の不均一等を生じることなく、低コストでポッティング成型して製造することが可能な中空糸膜モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat transfer rate at the interface between the reduction roll and the material to be rolled is calculated from the heat transfer rate function F (S1) which is a function of the length S1 of an arc of contact which is the circumferential length of the circumferential face where the reduction roll touches the material to be rolled.例文帳に追加

圧延ロールと被圧延材との接触部の熱伝達率を，前記圧延ロールが前記被圧延材と接触する周面の周方向の長さである接触弧長Ｓ_1 の関数である熱伝達率関数Ｆ（Ｓ_1 ）により求める。 - 特許庁

The density of fine minerals, called as a seed veil, is 0/cm^2 for a seed veil having a major diameter of 30 μm or more, and not more than 5/cm^2 for a seed veil having a major diameter of from 10 μm to less than 30 μm, on the interface between the crystal and the seed 20.例文帳に追加

シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 - 特許庁

Since formation of a pyrochlore phase in the vicinity of an interface between the electrolyte layer 2 and the air electrode 3 is suppressed, it becomes easy to partially remove the pyrochlore layer by energizing, and, as a result, an energizing initialization time is shortened.例文帳に追加

このため、電解質層２と空気極３との界面付近にパイロクロア相の形成が抑制されるので、パイロクロア相を通電により部分的に取り除くことが容易となり、結果として通電初期化時間を短縮することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes a spacer film which adjusts a radius of a via and an etching stopper film formed on an intervia insulating film and suppresses the occurrence of leakage current in an interface between the spacer film and the etching stopper film, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ビアの径を調節するスペーサ膜と、ビア間絶縁膜上に形成されたエッチングストッパ膜を有し、スペーサ膜とエッチングストッパ膜の界面におけるリーク電流の発生を抑えた半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To increase the degree of freedom of the position of a conductor member with respect to a sensing part, in a pressure sensor in which the sensing part is loaded into a case, having the conductor member made by insertion molding, and in which an interface between the conductor member and the case is sealed with a sealing member.例文帳に追加

センシング部を導体部材がインサート成形されたケースに搭載するとともに、導体部材とケースとの界面を封止部材にて封止してなる圧力センサにおいて、センシング部に対する導体部材の位置的な自由度を大きくする。 - 特許庁

In the dynamic pressure bearing device, a clearance part in which the clearance of a taper seal 70, etc., gradually widens toward the interface is formed between a housing 20 of a cover member 60 to cover at least part of one end side of the housing 20 and the cover member 60.例文帳に追加

スリーブ１０の一端側を覆い、ハウジング２０の一端側の少なくとも一部を覆うカバー部材６０のハウジング２０およびカバー部材６０との間にテーパシール７０等の間隙が界面に向い徐々に広がる間隙部と設ける。 - 特許庁

The superconducting magnet is described and includes at least one superconducting coil, at least one support member coupled to the superconducting coil and at least one compliant interface between the superconducting coil and the support member.例文帳に追加

少なくとも１つの超伝導コイルと、該超伝導コイルに結合された少なくとも１つの支持部材と、これら超伝導コイルと支持部材の間にある少なくとも１つのコンプライアント界面と、を含むような超伝導マグネットについて記載している。 - 特許庁

To provide an interface device for transferring various kinds of signals between a controller and a simulation device in exact timing without customizing the controller and the simulation device, and to provide a simulation system including the same.例文帳に追加

制御装置とシミュレーション装置とをカスタマイズすることなしに、制御装置とシミュレーション装置との間での各種信号の授受を厳密なタイミングで行うことができるインターフェイス装置、及び当該装置を備えるシミュレーションシステムを提供する。 - 特許庁

The pn-junction generated by the two-dimensional electron gas generated at the interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer and by the p-type GaN layer 105 is formed at a gate region to be capable of enlarging the gate voltage.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device capable of suppressing a source charge which is formed at the interface between different materials in a photoelectric conversion film and capable of effectively reducing a dark current, and an imaging device equipped with the photoelectric conversion device.例文帳に追加

光電変換膜中の異なる材料の界面において生じる湧き出し電荷を抑制し、暗電流を効果的に減少させることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A data interface for transferring digital data between a host and a client over a communication path using packet structures linked together to form a communication protocol for communicating a pre-selected set of digital control and presentation data.例文帳に追加

デジタル制御データとデジタルプレゼンテーションデータの事前に選択されたセットを通信するための通信プロトコルを形成するために、共にリンクされるパケット構造を使用して、通信経路上、ホストとクライアントの間でデジタルデータを転送するためのデータインタフェース。 - 特許庁

The CNT and Cu are simultaneously sputtered to form the CNT-containing metal layer 13, so that the CNT can be homogeneously mixed into the Cu, and interface resistance between the CNT and the Cu can be reduced to improve the electric conductivity of the wiring.例文帳に追加

ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

Then a magnetic detector 12 is brought close to the trolley line 8 and moved along the trolley line 8 to detect a interface between a location at which a magnetic field M occurs in the trolley line 8 and a location at which a magnetic field M does not occur by a magnetic detector.例文帳に追加

次いで、磁界検出器１２をトロリー線に近づけてトロリー線に沿って移動していき、磁界検出器によりトロリー線の磁界Ｍが発生している箇所及び磁界Ｍが発生していない箇所の境界を検出していく。 - 特許庁

The Si film 5 is formed on the metallic film, and the metallic silicide film 4 is formed by a siliciding reaction from the gate insulating film 3 for a gate electrode, thus resulting in no concentration of impurity ions on an interface between the gate electrode and the gate insulating film 3.例文帳に追加

金属膜の上にＳｉ膜５を形成し、ゲート電極のゲート絶縁膜３側からのシリサイド化反応により金属シリサイド膜４を形成するため、不純物イオンがゲート電極とゲート絶縁膜３との界面に濃縮することが無い。 - 特許庁

Therefore, even when light is reflected at the interface between the transparent base material 1 and the hardcoat layer 2, the light is attenuated when passing through the hardcoat layer 2, the multiple interference of reflection light due to the reflection of the light is suppressed and occurrence of the ripple is suppressed.例文帳に追加

このため、透明基材１とハードコート層２との界面で光が反射しても、この光はハードコート層２を通過する際に減衰し、この光の反射に起因する反射光の多重干渉が抑制されて、リップルの発生が抑制される。 - 特許庁

A testing device 100 decides test items and when performing the wireless transmission characteristic test, a layer-3 signal is transmitted between the device and mobile terminal equipment 150 to realize wireless connection by a CDMA wireless interface, thereby transmitting a signal to be measured.例文帳に追加

試験装置１００は、試験項目を判断し、無線送信特性試験を行う場合には、移動端末装置１５０との間でレイヤ３信号を伝送してＣＤＭＡ無線インターフェースによる無線接続を実現し、被測定用信号を伝送する。 - 特許庁

The differential transmission circuit 100 can be applied to a circuit board 111 for an interface between a plurality of circuit boards of an image processor equipped with a CCD, a printer, an LCD or the like for rapid processing of image signals, clock signals or the like.例文帳に追加

差動伝送回路１００は、画像信号やクロック信号などを高速処理するための、ＣＣＤや、プリンタ、ＬＣＤなどを備えた画像処理装置が具備する複数の回路基板のインターフェイス用回路基板１１１などに適用できる。 - 特許庁

Provided is a data interface for transferring digital data between a host and a client over a communication path using packet structures linked together to form a communication protocol for communicating a pre-selected set of digital control data and digital presentation data.例文帳に追加

デジタル制御データとデジタルプレゼンテーションデータの事前に選択されたセットを通信するための通信プロトコルを形成するために、共にリンクされるパケット構造を使用して、通信経路上、ホストとクライアントの間でデジタルデータを転送するためのデータインタフェース。 - 特許庁

The display apparatus having a graphic user interface is provided with a font property information changing means 100 changing the font property information for defining the correspondence between logical fonts 70 and physical fonts 30 usable on the display apparatus 1.例文帳に追加

グラフィックユーザインターフェースを備える表示装置において、表示装置１上で使用可能な論理フォント７０と物理フォント３０の対応を定義するフォントプロパティ情報を変更するフォントプロパティ情報変更手段１００を設けた構成とする。 - 特許庁

To provide a membrane magnet capable of restraining strain and stress generated at an interface between a membrane magnet material and a substrate and preventing degradation of magnetic characteristics which was one of conventional problems, and to provide a radial gap type rotating machine therewith.例文帳に追加

膜磁石材と基板の界面に生じる歪みや応力を低く抑えることができるとともに、従来問題となっていた磁気特性の劣化を防ぐことのできる膜磁石、ならびにこれを用いたラジアルギャップ型回転機を提供すること。 - 特許庁

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied.例文帳に追加

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 - 特許庁

A gate insulating film is formed on a gate electrode, a microcrystal semiconductor film containing a metallic element is formed on the gate insulating film, and thereby crystallinity on the interface between the gate insulating film and the microcrystal semiconductor film containing the metallic element is raised.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に金属元素を含む微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び金属元素を含む微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。 - 特許庁

To provide a metallic plate with dissimilar metals arranged in parallel which is applied even to dissimilar metals difficult for welding, free from any defective welds, alloy layer in a joining interface between the dissimilar metals, and weld seams, and excellent in joining strength, toughness and workability.例文帳に追加

溶接が困難な異種金属にも適用することができ、それら異種金属間の接合界面に溶接欠陥や合金層がなく、しかも溶接線のない、接合強度や靭性や加工性にも優れた並列金属板を提供する。 - 特許庁

In the package for the electronic part, a firm chemical bond is formed on the interface between the resin and the lead frame by forming the film layer of a triazine thiol derivative to the whole brought into contact with the resin after at least the resin sealing of the lead frame.例文帳に追加

本発明の電子部品用パッケージ１は、リードフレームの少なくとも樹脂封止後に樹脂と接する全部分に、トリアジンチオール誘導体の被膜層を形成することにより、樹脂とリードフレームの界面は強固な化学結合が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polyethylene terephthalate resin composition in which inert particles are uniformly dispersed in a polyethylene terephthalate resin without existing coarse particles and voids are hardly generated in an interface between the polyethylene terephthalate resin and the inert particles.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート樹脂中に粗大粒子を存在させることなく不活性粒子を均一に分散させ、かつポリエチレンテレフタレート樹脂と不活性粒子の界面にボイドが発生しにくいポリエチレンテレフタレート樹脂組成物の製造方法の提供。 - 特許庁

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.例文帳に追加

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁

A program is created on the programming interface for executing a sample test in a rheometer, by receiving the connection relationship between a number of nodes selected by the user and other nodes in each node by a connection indicator having directivity.例文帳に追加

プログラムは、ユーザが選択した多くのノードと、指向性を有する接続インディケータによる各ノードにおける他のノードとの接続関係と、を受信することによって、レオメータにおいてサンプルのテストを実行するために、プログラミングインターフェース上で作成される。 - 特許庁

With the electron emission element equipped with an electron emitting part composed of a carbon material and an electrode part supplying electrons to the electron emission part, an insulating layer is provided at a junction interface between the electron emitting part and the electrode part.例文帳に追加

炭素材料により構成された電子放出部、および前記電子放出部に電子を供給する電極部を具備する電子放出素子において、前記電子放出部と前記電極部との接合界面に絶縁層を設ける。 - 特許庁

An island-shape catalyst section which contains platinum based catalyst more than other portion and/or an electrolyte polymer layer are formed at least on the catalyst layer side of the interface between the solid polyelectrolyte membrane on the fuel supply side and the catalyst layer.例文帳に追加

少なくとも燃料供給側の固体高分子電解質膜と触媒層との界面の触媒層側に白金系触媒を他の部分よりも多く含む島状触媒部及び／又は電解質ポリマー層が形成されている構成とする。 - 特許庁

A metal layer is formed on a semiconductor transferred to a material with low heat conductivity and interface between the semiconductor and the metal layer is alloyed by irradiation with a laser beam of wavelength which at least one of the semiconductor and metal layer absorbs.例文帳に追加

熱伝導率が低い材料に転写された半導体上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体と金属層の界面を合金化する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including liquid crystal composition held between substrates, a layer obtained by crosslinking and curing polymerizable component containing polymerizable compound having the negative permittivity anisotropy is formed on a liquid crystal layer interface.例文帳に追加

および液晶組成物を基板間に挟持した液晶表示装置で、前記負の誘電率異方性を有する重合性化合物を含む重合性成分を架橋硬化した層が液晶層界面に形成されている液晶表示装置。 - 特許庁

To provide a field effect transistor provided with a gate electrode having a metal electrode and a silicon electrode formed on the metal electrode, which can reduce interface resistance occurring at a boundary face between the metal electrode and the silicon electrode.例文帳に追加

金属電極と該金属電極の上に形成されたシリコン電極とを有するゲート電極を備えた電界効果型トランジスタを実現する際に、金属電極とシリコン電極との界面に生じる界面抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor film comprises an insulation film formed in contact with the oxide semiconductor film by using a material containing a group 13 element and oxygen, thereby having a favorable interface state between the insulation film and the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device, capable of completely levelling interface between cobalt silicide layer and silicon layer without preliminarily gaining the thickness of a cobalt silicide layer.例文帳に追加

コバルトシリサイド層の厚みを予め大きく設計しなくても、完成したコバルトシリサイド層とシリコン層との界面を十分に平坦化することができ、プロセスの再現性が良好なコバルトシリサイド電極が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The hydrogen forms an atomic hydrogen by a catalyst action of a noble metal, such as Pt and Pd, of the gate electrode and performs annealing, and the interface between the semiconductor compound 11 and the gate dielectric 19 is passivated and further defects are repaired.例文帳に追加

水素はゲート電極のＰｔやＰｄのような貴金属による触媒作用により原子状水素を形成しアニールを行い半導体化合物１１とゲート誘電体１９との界面を界面をパッシベートし、更には欠陥を回復する。 - 特許庁