「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

A data interface for transferring digital data between a host and a client over a communication path using packet structures linked together to form a communication protocol for communicating a pre-selected set of digital control data and presentation data, is provided.例文帳に追加

デジタル制御データとデジタルプレゼンテーションデータの事前に選択されたセットを通信するための通信プロトコルを形成するために、共にリンクされるパケット構造を使用して、通信経路上、ホストとクライアントの間でデジタルデータを転送するためのデータインタフェース。 - 特許庁

To provide a method of producing a hardmetal-bonded body which has an enhanced bond strength, and has excellent wear resistance and impact resistance by forming prescribed spikes in a bonding interface between hardmetal and an iron-based metal body without using brazing metal.例文帳に追加

ろう付け金属を使用せず、超硬合金と鉄系母材との接合界面に所定のスパイクを形成して、接合強度を向上させ、耐摩耗性及び耐衝撃性に優れた超硬合金接合体を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

An agent community zone (ACZ) in which one or more agents or the like are operating provides an interface between a logical network configured of an agent or the like and a physical network for actually performing communication, and executes the path management of an ACZ network.例文帳に追加

一つ又は複数のエージェント等が動作するエージェント・コミュニティ・ゾーン（ＡＣＺ）は、エージェント等により構成される論理ネットワークと実際に通信を行う物理ネットワークとの間のインタフェースを提供し、ＡＣＺネットワークの経路管理を行う。 - 特許庁

By making MnS of a nonmetallic inclusion concentratively generate especially in the neighborhood of the center part of a continuously cast billet and catching gaseous hydrogen in interface voids between the MnS and the ground iron, to suppress the raise of the pressure of the gaseous hydrogen and prevent the blister defects.例文帳に追加

非金属介在物であるMnS を特に連続鋳造鋳片の中心部付近に集中して生成させ、MnS と地鉄との界面空隙に水素ガスを捕捉しセンターポロシティ内の水素ガス圧が高圧になるのを抑制して膨れ欠陥を防止する。 - 特許庁

A host connected to the plurality of interfaces (parallel, USB, IEEE1394 or the like) capable of two-way communications with the host through each interface comprises a device driver with the function of continuously monitoring status information between the host and the multifunctional printer.例文帳に追加

ホストとの双方向通信が可能な複数のインターフェース（パラレル，ＵＳＢ，ＩＥＥＥ１３９４等）と各インターフェースで接続されるホストにはホスト−マルチ・ファンクション・プリンタ間のステータス情報を常に監視する機能を備えたデバイスドライバで構成される。 - 特許庁

A TX IFG detection circuit 11 and an RX IFG detection circuit 12 monitor whether or not an interval time of the frames delivered between the physical interface section 5 and the medium access control section 9 satisfies a predetermined minimum time interval.例文帳に追加

ＴＸ ＩＦＧ検出回路１１およびＲＸ ＩＦＧ検出回路１２は、物理インタフェース部５と媒体アクセス制御部９間を流れるフレームの間隔時間が予め決められた最小間隔時間を満たしているか否かを監視する。 - 特許庁

To provide a process for controlling the intermingling or inversion at the interface between each coated film layers when an intercoat and a top coating are successively applied by a wet-on-wet method, and for forming a lamellar coated film possessing an excellent chipping resistance.例文帳に追加

中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次ウエットオンウエットで塗装した場合の、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御し、更に優れた耐チッピング性を有する積層塗膜を形成する方法を提供することにある。 - 特許庁

To prevent center segregation by applying a large quantity of light rolling reduction to the limit which dose not develop squeezing out concentrated molten steel, without developing the crack in the interface between the solid and the liquid in a cast slab when the center segregation in the continuously cast slab is reduced with the light rolling reduction method.例文帳に追加

軽圧下方法により連続鋳造鋳片の中心偏析を低減する際に、鋳片の固液界面に割れを発生させることなく、濃化溶鋼の絞り出しが発生しない限界まで軽圧下量を大きくして中心偏析を防止する。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor device with a concentration of an electric field at a channel part and a gate insulating layer reduced, having a uniform insulating layer, preventing a dielectric breakdown, and reducing a defect in the vicinity of an interface between the channel part and the insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

チャネル部及びゲート絶縁層における電界集中が緩和され、絶縁層が均一で、絶縁破壊を防ぎ、チャネル部及び絶縁層の界面近傍の欠陥を低減したダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The joining part 2 is formed by arranging an Ag/Cu-based brazing material 5 having the thickness of 0.01 to 0.1 mm between an electrolytic nickel plating layer 6, by applying the electrolytic nickel plating layer 6 having the thickness of 3 μm or more to an interface surface of the opposed stainless sheets 1.例文帳に追加

接合部分２は、対向するステンレスシート１の接合面に厚さ３μｍ以上の電解ニッケルメッキ層６を施し、更に電解ニッケルメッキ層６間に厚さ０．０１〜０．１ｍｍのＡｇ／Ｃｕ系ロウ材５を配置したものである。 - 特許庁

The present invention relates to a data interface for transferring digital data between a host and a client over a communication path using packet structures linked together to form a communication protocol for communicating a pre-selected set of digital control data and digital presentation data.例文帳に追加

デジタル制御データとデジタルプレゼンテーションデータの事前に選択されたセットを通信するための通信プロトコルを形成するために、共にリンクされるパケット構造を使用して、通信経路上、ホストとクライアントの間でデジタルデータを転送するためのデータインタフェース。 - 特許庁

In such the state that the liquid 19 is in the backside space 18, as shown by an arrow, external light is scattered and reflected at the interface between a rugged surface 4 of a surface side transparent plate 2 and air in the surface side space 17 and white display is formed.例文帳に追加

そして、液体１９が裏面側空間１８内にある状態では、矢印で示すように、外光が表面側透明板２の凸凹面４と表面側空間１７内の空気との界面で散乱反射され、白色表示となる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device, which can greatly lower an interface level between a silicon carbide substrate and a silicon dioxide film by using a practical process being superior in mass productivity, and which is superior in reliability and electric characteristics as a device.例文帳に追加

量産性に優れた実用的なプロセスを用いて、炭化珪素基板と二酸化珪素膜との間の界面準位を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性と電気特性が優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film laminated steel sheet having a difficulty in an interlaminar release in an interface between a film and the steel sheet, excellent interlaminar adhesive properties and excellent chemical resistance in the case of secondarily processing such as bending, curling or the like and a container made of this film laminated steel sheet.例文帳に追加

曲げ、カーリング加工などの２次加工を行う際に、フィルムと鋼板との界面で層間剥離が起こり難く層間密着性に優れ、耐薬品性にも優れたフィルム積層鋼板、およびこのフィルム積層鋼板製の容器を提供すること。 - 特許庁

Each optical waveguide 17 comprises a core layer 13 and clad layers 14 laminated on and under the core layer 13 and a rugged part for reproducing information is formed on one interface between the core layer 13 and the clad layers 14.例文帳に追加

この光導波路１７は、樹脂製のコア層１３と、このコア層１３の上下に積層された樹脂製のクラッド層１４とからなり、コア層１３とクラッド層１４との一方の界面には、情報再生用の凹凸部が形成されている。 - 特許庁

The telephone line interface circuit 10 is provided with a low voltage circuit 12 including an event receiver 14, a line drive CODEC 18 including a event transmitter 20, and an isolation circuit 16 that is connected between the low voltage circuit 12 and the line drive CODEC 18.例文帳に追加

電話線インタフェース回路１０は、イベント受信器１４を含む低電圧回路１２と、イベント送信器２０を含むライン駆動コーデック１８と、低電圧回路１２とライン駆動コーデック１８の間に接続された絶縁回路１６とを有する。 - 特許庁

An interface apparatus 4 interposed between the transmission side apparatus and a communication path 6 converts transmission data S subjected to the biphase modulation into a transmission signal subjected to amplitude shift modulation and transmits the transmission signal to the communication path 6.例文帳に追加

送信側機器と通信路６との間に介在するインターフェース装置４において、バイフェーズ変調された送信データＳから振幅偏移変調された伝送信号への変換を行い、この伝送信号を通信路６に送出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated optical fiber which has superior manufacturing stability by solving appearance problems such as unevenness which is observed on an interface between a primary coating layer and a secondary coating layer of an optical fiber coating resin layer in high-speed drawing.例文帳に追加

高速線引時において、光ファイバ被覆樹脂層における１次被覆層と２次被覆層の界面に観察される不均一性といった外観問題を解決し、製造安定性に優れた被覆光ファイバの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the pulling rate of the silicon single crystal 11 is controlled, whereby the thermal stress at a central part of the silicon single crystal 11 located on the solid-liquid interface 33 between the silicon single crystal 11 and the silicon melt 15 is controlled to be ≤50 MPa.例文帳に追加

またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

Since the first cap layer 51 made from NiFeHf absorbs oxygen which has been captured in the free layer 50, the interface between the tunnel barrier layer 49 and the free layer 50 is sharpened, thereby substantially improving dR/R performance of the MTJ element.例文帳に追加

フリー層５０に捕捉されている酸素がＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１によって吸着されるので、トンネルバリア層４９とフリー層５０との界面がより鮮鋭化し、ＭＴＪ素子のｄＲ／Ｒ性能が著しく向上する。 - 特許庁

A synchronous/asynchronous interface circuit (20) of the present invention comprises a finite state machine (22) that controls an access cycle to be performed between a synchronous bus (30) and an asynchronous CPU (10) into an event-driven type, and a detection circuit that detects the start of the access cycle.例文帳に追加

本発明の同期・非同期インターフェース回路（２０）は同期バス（３０）と非同期ＣＰＵ（１０）の間で行われるアクセス・サイクルをイベントドリブン式に制御する有限ステートマシン（２２）と、アクセス・サイクルの開始を検出する検出回路を備える。 - 特許庁

A resistor 2 is inserted between the output terminal of the operational amplifier 6 and a feedback resistor 3, one end of a resistor 1 is connected to both the resistors 3, 2, and the other end of the resistor 1 is connected to the interface voltage VH of a logic circuit.例文帳に追加

抵抗２を演算増幅器６の出力端子と帰還抵抗３との間に挿入し、抵抗１の一端を帰還抵抗３と抵抗２に接続すると共に抵抗１のもう一方の端を論理回路のインタフェース電圧ＶＨに接続する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a package substrate with a fine circuit pattern by anodic oxidation by which a finer circuit can be provided by using an existing facility, and further a package substrate possible to prevent an interface peel-off phenomenon from occurring between layers can be provided.例文帳に追加

より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Specially, the protection circuit comprises at least one clamp coupled to one power domain, which conducts current during an ESD event to provide extra current in the interface line between the two different power domains.例文帳に追加

特に、保護回路は１つの電力領域に結合された少なくとも１つのクランプを含み、同クランプはＥＳＤ事象の発生中に電流を伝導して、２つの異なった電力領域間のインターフェース回線に余分な電流を提供する。 - 特許庁

To form a texture with a precisely controlled interval and depth on the surface of a magnetic disk substrate and to obtain a magnetic disk having high reliability due to the enhanced adhesive strength of the substrate to a medium and improved contact at the interface between a head and the disk.例文帳に追加

磁気ディスク基板の表面に間隔および深さを精密に制御したテクスチャを形成し、基板と媒体の密着力の向上やヘッド−ディスクのインターフェイスにおける接触の改善などの高信頼性を有する磁気ディスクを得る。 - 特許庁

To maintain proper state at the interface between the tunnel oxide of a first transistor having a composite gate and a floating gate, and to enable the wiring resistance of the single gate of a second transistor having a single gate, to be made fully low in resistance.例文帳に追加

複合ゲートを有する第１のトランジスタのトンネル酸化膜と浮遊ゲートとの界面を良好な状態に保つとともに、単一ゲートを有する第２のトランジスタの単一ゲートの配線抵抗を十分に低抵抗化できるようにする。 - 特許庁

To provide an adhesive attached to a supporting body adapted such that a peel-off of the adhesive from an interface between the adhesive and supporting body during a slit process can effectively be prevented to allow a drastic improvement of yields in mass production, and to provide a connected circuit structure employing the adhesive.例文帳に追加

スリット時に接着剤と支持体の界面から接着剤が剥離することを効果的に抑制し、量産時の歩留まりを飛躍的に向上できる支持体つき接着剤及びそれを用いた回路接続構造体を提供する。 - 特許庁

The polymer can be employed in place of conventional passivation so that a thin layer of low permittivity can be provided between an object touching the physical interface and a capacitive detection circuit existing beneath the polymer.例文帳に追加

該ポリマーは従来のパッシベーションの代わりに使用することが可能であり、それにより該物理的インターフェースにタッチする物体と該ポリマーの下側に存在する容量性検知回路との間に薄く低い誘電率の層を設けることを可能としている。 - 特許庁

A program is created on the programming interface for executing a sample test in a rheometer, by receiving the connection relationship between a number of nodes selected by the user and other nodes in each node by a connection indicator having directivity.例文帳に追加

プログラムは、ユーザが選択した多くのノードと、指向性を有する接続インディケータによる各ノードにおける他のノードとの接続関係と、を受信することによって、レオメータにおいてサンプルのテストを実行するために、プログラミングインターフェース上で作成される。 - 特許庁

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.例文帳に追加

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a metallic plate with dissimilar metals arranged in parallel which is applied even to dissimilar metals difficult for welding, free from any defective welds, alloy layer in a joining interface between the dissimilar metals, and weld seams, and excellent in joining strength, toughness and workability.例文帳に追加

溶接が困難な異種金属にも適用することができ、それら異種金属間の接合界面に溶接欠陥や合金層がなく、しかも溶接線のない、接合強度や靭性や加工性にも優れた並列金属板を提供する。 - 特許庁

In the package for the electronic part, a firm chemical bond is formed on the interface between the resin and the lead frame by forming the film layer of a triazine thiol derivative to the whole brought into contact with the resin after at least the resin sealing of the lead frame.例文帳に追加

本発明の電子部品用パッケージ１は、リードフレームの少なくとも樹脂封止後に樹脂と接する全部分に、トリアジンチオール誘導体の被膜層を形成することにより、樹脂とリードフレームの界面は強固な化学結合が形成される。 - 特許庁

The display apparatus having a graphic user interface is provided with a font property information changing means 100 changing the font property information for defining the correspondence between logical fonts 70 and physical fonts 30 usable on the display apparatus 1.例文帳に追加

グラフィックユーザインターフェースを備える表示装置において、表示装置１上で使用可能な論理フォント７０と物理フォント３０の対応を定義するフォントプロパティ情報を変更するフォントプロパティ情報変更手段１００を設けた構成とする。 - 特許庁

To provide a membrane magnet capable of restraining strain and stress generated at an interface between a membrane magnet material and a substrate and preventing degradation of magnetic characteristics which was one of conventional problems, and to provide a radial gap type rotating machine therewith.例文帳に追加

膜磁石材と基板の界面に生じる歪みや応力を低く抑えることができるとともに、従来問題となっていた磁気特性の劣化を防ぐことのできる膜磁石、ならびにこれを用いたラジアルギャップ型回転機を提供すること。 - 特許庁

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied.例文帳に追加

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polyethylene terephthalate resin composition in which inert particles are uniformly dispersed in a polyethylene terephthalate resin without existing coarse particles and voids are hardly generated in an interface between the polyethylene terephthalate resin and the inert particles.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート樹脂中に粗大粒子を存在させることなく不活性粒子を均一に分散させ、かつポリエチレンテレフタレート樹脂と不活性粒子の界面にボイドが発生しにくいポリエチレンテレフタレート樹脂組成物の製造方法の提供。 - 特許庁

A gate insulating film is formed on a gate electrode, a microcrystal semiconductor film containing a metallic element is formed on the gate insulating film, and thereby crystallinity on the interface between the gate insulating film and the microcrystal semiconductor film containing the metallic element is raised.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に金属元素を含む微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び金属元素を含む微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。 - 特許庁

With the electron emission element equipped with an electron emitting part composed of a carbon material and an electrode part supplying electrons to the electron emission part, an insulating layer is provided at a junction interface between the electron emitting part and the electrode part.例文帳に追加

炭素材料により構成された電子放出部、および前記電子放出部に電子を供給する電極部を具備する電子放出素子において、前記電子放出部と前記電極部との接合界面に絶縁層を設ける。 - 特許庁

An island-shape catalyst section which contains platinum based catalyst more than other portion and/or an electrolyte polymer layer are formed at least on the catalyst layer side of the interface between the solid polyelectrolyte membrane on the fuel supply side and the catalyst layer.例文帳に追加

少なくとも燃料供給側の固体高分子電解質膜と触媒層との界面の触媒層側に白金系触媒を他の部分よりも多く含む島状触媒部及び／又は電解質ポリマー層が形成されている構成とする。 - 特許庁

A metal layer is formed on a semiconductor transferred to a material with low heat conductivity and interface between the semiconductor and the metal layer is alloyed by irradiation with a laser beam of wavelength which at least one of the semiconductor and metal layer absorbs.例文帳に追加

熱伝導率が低い材料に転写された半導体上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体と金属層の界面を合金化する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including liquid crystal composition held between substrates, a layer obtained by crosslinking and curing polymerizable component containing polymerizable compound having the negative permittivity anisotropy is formed on a liquid crystal layer interface.例文帳に追加

および液晶組成物を基板間に挟持した液晶表示装置で、前記負の誘電率異方性を有する重合性化合物を含む重合性成分を架橋硬化した層が液晶層界面に形成されている液晶表示装置。 - 特許庁

To provide a field effect transistor provided with a gate electrode having a metal electrode and a silicon electrode formed on the metal electrode, which can reduce interface resistance occurring at a boundary face between the metal electrode and the silicon electrode.例文帳に追加

金属電極と該金属電極の上に形成されたシリコン電極とを有するゲート電極を備えた電界効果型トランジスタを実現する際に、金属電極とシリコン電極との界面に生じる界面抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor film comprises an insulation film formed in contact with the oxide semiconductor film by using a material containing a group 13 element and oxygen, thereby having a favorable interface state between the insulation film and the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device, capable of completely levelling interface between cobalt silicide layer and silicon layer without preliminarily gaining the thickness of a cobalt silicide layer.例文帳に追加

コバルトシリサイド層の厚みを予め大きく設計しなくても、完成したコバルトシリサイド層とシリコン層との界面を十分に平坦化することができ、プロセスの再現性が良好なコバルトシリサイド電極が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photocatalyst of which the surface exhibits photocatalytic activities and/or hydrophilicity for a long time by irradiation with light without causing deterioration in the interface between the photocatalyst and an organic substrate and which is excellent in durability to maintain high transparency.例文帳に追加

有機基材との間の界面劣化を生じることが無く、光照射により長期にわたり、その表面が光触媒活性及び／又は親水性を発現し、高い透明性を維持する耐久性に優れた光触媒体を提供する。 - 特許庁