「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve electric characteristics and device performance by improving an interface characteristic between a high-K dielectric film and a metal gate in a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。 - 特許庁

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell capable of providing high output density and stabilizing the performance for a long time without causing damage to an interface between a solid polymer electrolyte membrane and catalyst layer joining material and a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜・触媒層接合体とガス拡散層に生じる界面にダメージを生じることなく、高い出力密度を可能とし、かつ長時間性能が安定する固体高分子電解質型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, each communication node may include a shared bus structure for coupling the network processing devices to each other, and an interface for coupling the designated network processing device to the structure in order to support communication between other communication nodes.例文帳に追加

各通信ノードはまた、各ネットワーク処理装置を共に結合するための共有バス構造、ならびに、他の通信ノード間での通信をサポートするために、指定のネットワーク処理装置を構造物に結合するためのインターフェースを含むことができる。 - 特許庁

In a body 3 of the semiconductor device 1, a semiconductor layer 33 and a second semiconductor layer 34 are laminated and a channel region 36 is formed in the side of the semiconductor layer 33 on an interface between the semiconductor layer 33 and the second semiconductor layer 34.例文帳に追加

半導体デバイス１において、本体部３では、半導体層３３と第２の半導体層３４とが積層し、半導体層３３と第２の半導体層３４との間の界面の半導体層３３側にチャネル領域３６が形成される。 - 特許庁

This semiconductor device includes nitrogen in a gate insulation film 205 of an insulated gate field effect transistor formed in a region of width less than 1.5 μm in the length direction of the gate, and in the interface between a semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205.例文帳に追加

この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が１.５μｍ以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２０５中および、半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面に窒素を含む。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which excess components (mainly Pb) of a ferroelectric film can be removed effectively, while maintaining proper interface state between the ferroelectric film and the upper electrode, and to provide a ferroelectric capacitor structure.例文帳に追加

強誘電体膜と上部電極の界面状態を良好に保つと共に、強誘電体膜の過剰成分（主にＰｂ）を効果的に除去することのできる半導体装置の製造方法及び強誘電体キャパシタ構造を提供する。 - 特許庁

Since the one wireless LAN card 101 executes communication with the two access points 11, 21 in time division, the data transmission between the two network segments is realized without the need for using the two network interface cards.例文帳に追加

よって、一つの無線ＬＡＮカード１０１によって、２つのアクセスポイント１１，２１との通信を時分割で実行することが出来るので、２つのネットワークインタフェースカードを用いることなく、２つのネットワークセグメント間のデータ伝送を実現することができる。 - 特許庁

To provide packaged two-layer jelly having clear interface between an upper layer gel and a lower layer gel, and also visually enjoyable, and to provide a method for stably producing the packaged two-layer jelly with an easy method.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面が明瞭でありながら、視覚的にも楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

Then a magnetic detector 12 is brought close to the trolley line 8 and moved along the trolley line 8 to detect a interface between a location at which a magnetic field M occurs in the trolley line 8 and a location at which a magnetic field M does not occur by a magnetic detector.例文帳に追加

次いで、磁界検出器１２をトロリー線に近づけてトロリー線に沿って移動していき、磁界検出器によりトロリー線の磁界Ｍが発生している箇所及び磁界Ｍが発生していない箇所の境界を検出していく。 - 特許庁

Therefore, even when light is reflected at the interface between the transparent base material 1 and the hardcoat layer 2, the light is attenuated when passing through the hardcoat layer 2, the multiple interference of reflection light due to the reflection of the light is suppressed and occurrence of the ripple is suppressed.例文帳に追加

このため、透明基材１とハードコート層２との界面で光が反射しても、この光はハードコート層２を通過する際に減衰し、この光の反射に起因する反射光の多重干渉が抑制されて、リップルの発生が抑制される。 - 特許庁

A testing device 100 decides test items and when performing the wireless transmission characteristic test, a layer-3 signal is transmitted between the device and mobile terminal equipment 150 to realize wireless connection by a CDMA wireless interface, thereby transmitting a signal to be measured.例文帳に追加

試験装置１００は、試験項目を判断し、無線送信特性試験を行う場合には、移動端末装置１５０との間でレイヤ３信号を伝送してＣＤＭＡ無線インターフェースによる無線接続を実現し、被測定用信号を伝送する。 - 特許庁

The Si film 5 is formed on the metallic film, and the metallic silicide film 4 is formed by a siliciding reaction from the gate insulating film 3 for a gate electrode, thus resulting in no concentration of impurity ions on an interface between the gate electrode and the gate insulating film 3.例文帳に追加

金属膜の上にＳｉ膜５を形成し、ゲート電極のゲート絶縁膜３側からのシリサイド化反応により金属シリサイド膜４を形成するため、不純物イオンがゲート電極とゲート絶縁膜３との界面に濃縮することが無い。 - 特許庁

Provided is a data interface for transferring digital data between a host and a client over a communication path using packet structures linked together to form a communication protocol for communicating a pre-selected set of digital control data and digital presentation data.例文帳に追加

デジタル制御データとデジタルプレゼンテーションデータの事前に選択されたセットを通信するための通信プロトコルを形成するために、共にリンクされるパケット構造を使用して、通信経路上、ホストとクライアントの間でデジタルデータを転送するためのデータインタフェース。 - 特許庁

The heat transfer rate at the interface between the reduction roll and the material to be rolled is calculated from the heat transfer rate function F (S1) which is a function of the length S1 of an arc of contact which is the circumferential length of the circumferential face where the reduction roll touches the material to be rolled.例文帳に追加

圧延ロールと被圧延材との接触部の熱伝達率を，前記圧延ロールが前記被圧延材と接触する周面の周方向の長さである接触弧長Ｓ_1 の関数である熱伝達率関数Ｆ（Ｓ_1 ）により求める。 - 特許庁

To provide an electroluminescence lamp for uniformizing the emitting light and improved in light emitting luminance by solving a problem in an interface between a light emitting layer and the other layer.例文帳に追加

電界発光灯の発光層の樹脂バインダ量を減じて蛍光体の充填率を増し輝度を向上させようとすると、樹脂バインダから蛍光体の一部が突出して凹凸が生じ、平坦性、密着性が低下して発光が不均一になる。 - 特許庁

To provide a measurement method which can precisely measure an oxygen movement volume coefficient and a respiration rate in a state including the influence of oxygen supply from an interface between a liquid phase region and a gas phase region on the liquid phase region to the liquid phase in a culture tank.例文帳に追加

培養槽内部における液相領域と該液相領域の上の気相領域との界面から液相内への酸素供給の影響を含み、かつ、精度高く酸素移動容量係数及び呼吸速度を計測可能とする。 - 特許庁

To provide a differential interface device for preventing the occurrence of abnormality due to the change of resistance between a differential amplifier and a terminating resistance in the case of the occurrence of the change, a display control device using the same, and a display.例文帳に追加

差動アンプと終端抵抗との間の抵抗が変化したときでも、その抵抗変化に起因する異常の発生を防止することができる差動インタフェース装置、及びこれを用いた表示制御装置、並びに表示装置を提供する。 - 特許庁

The heating beam H is modulated by means of an acoustooptical modulation element 3, passed through an optical delaying path 5 having a variable length by moving a prism 4, and condensed to the interface 10 between a thin film 7 and a transparent substrate 8.例文帳に追加

加熱ビームは音響光学変調素子３によって変調され、そのビームはプリズム４を移動することによりその長さを可変とした光学遅延路５を通し、加熱ビームＨとして薄膜７と透明な基板８の界面１０に集光する。 - 特許庁

A device driver for performing bus communication between the host equipment 2 and an NFE 1 is mounted in the form of a network device driver instead of an exclusive driver for both applications, and each application utilizes a socket interface, an NAPI or the like as an intermediate layer.例文帳に追加

ホスト機器２とＮＦＥ１との間のバス通信を行うためのデバイスドライバを、両アプリケーション用の専用ドライバのかわりに、ネットワークデバイスドライバの形式で実装し、両アプリケーションは、中間層として、ソケットインターフェース、ＮＡＰＩなどを利用する。 - 特許庁

To display one GUI(graphic user interface) image by means of an information acquisition request of one time from the management function body part of a network management system to a protocol converting part, to reduce the traffic of a network between both processing parts and to reduce load.例文帳に追加

ネットワーク管理システムの管理機能本体部からプロトコル変換部に対する１回の情報取得要求で１つのＧＵＩ画面を表示することが可能となり、両処理部間のネットワークの通信量を削減して、負荷を軽減する。 - 特許庁

To provide an electronic device which reduces an impact due to a difference among thermal expansion coefficients (TEC) in a wafer to improve a contact surface (interface) between a manufactured device and an adhesive layer and is built by an micro-system or nano-system on a wafer scale.例文帳に追加

ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。 - 特許庁

When such a high-refractive-index medium 13 is arranged, a refraction angle on an interface between the transparent substrate 11 and the high-refractive-index medium 13 is reduced relative to a conventional one, and exposure luminous energy shaded by the shading film 12 can be reduced.例文帳に追加

このような高屈折率媒質１３を設けると、透明基板１１と高屈折率媒質１３との界面での屈折角が従来に比較して小さくなり、遮光性膜１２によって遮られる露光光量を低減させることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal film, by which the metal film having excellent adhesiveness to a substrate and an interface with a small unevenness between the substrate and itself can be formed by a simple process, without need of a large amount of energy.例文帳に追加

本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。 - 特許庁

By this setup, a space region 12c is formed at the top of the copper wiring, an interface, which is a conventional EM generating area, is hardly formed between the copper wiring and an insulating barrier film 13, so that the semiconductor device can be markedly improved in EM resistant-properties.例文帳に追加

このようにすると、銅配線の最上部に空間領域１２ｃを形成し、従来のＥＭ発生箇所であった銅配線と絶縁性のバリア膜１３界面を形成しないため、ＥＭ耐性を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

The graphical user interface program is the software which functions on hardware of a computer, and makes a user pile up notes and rests (hereinafter called notes) of a same length on a musical scale image data display, keeping a positional difference between the notes, decreasing note information which the user finally inputs.例文帳に追加

コンピュータのハードウェア上で機能するソフトウェアであって、楽譜画像データ表示上でユーザに同じ長さの音符、および休符（以下、音符）を重ねさせて、その音符間位置差を保持し、ユーザが最終的に入力する音符情報を少なくする。 - 特許庁

To keep the quality of pictures without heavily burdening a system bus or a CPU even in the case of handling of real-time data like moving pictures with respect to an interface device for video data input/output between an external device and a host system.例文帳に追加

外部機器とホストシステムとの間でビデオデータを入出力するためのインタフェース装置において、動画などのリアルタイムのデータを扱う場合であっても、システムバスやＣＰＵに大きな負担をかけることなく、画像の品質を維持するようにすること。 - 特許庁

The magnetoresistive element is produced in a method, including a step of performing heat treatment at not less than 330°C, and has a longest distance of not larger than 10 nm from the center line of a nonmagnetic layer to an interface between a pair of a ferromagnetic layer and the nonmagnetic layer.例文帳に追加

３３０℃以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、かつ非磁性層の中心線から、一対の強磁性層と非磁性層との間の界面までの最長距離が１０ｎｍ以下である磁気抵抗素子とする。 - 特許庁

The thermal stress relaxing substance 20 is provided with insulation properties and a polycrystalline or an amorphous structure of superior stress-relaxing properties by slippage in an interface between crystal grains, or has a structure which does not exist in a precise crystal arrangement having small density.例文帳に追加

熱応力緩和物質２０は電気絶縁性を有し、結晶粒界に於けるすべりなどにより応力の緩和性に優れた多結晶又はアモルファス構造を有し、或いは密度が小さく緻密な結晶配置にない構造を有している。 - 特許庁

To provide a thin film transistor and its manufacturing method capable of preventing contamination of a metal electrode formed on an ohmic layer, alleviating a deterioration of step coverage caused by a lamination at a lower portion of a gate insulating layer, and improving interface property between laminations.例文帳に追加

オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the interface device, one terminal of the capacitor is connected to a mid-point tap on a present device side of the transformer coupling, a switch is provided between another terminal of the capacitor and a ground terminal, and a means for setting information for controlling on/off of the switch is provided.例文帳に追加

トランス結合の自装置側の中点タップにコンデンサの一方の端子を接続し，コンデンサの他方の端子とグランド端子との間にスイッチを設け，スイッチのオン・オフを制御する情報を設定する手段を備えるよう構成する。 - 特許庁

A concave surface portion 15 that connects the back surface 11b of the heating base 11 and an outer surface 13b of the support member 13 smoothly to each other is formed in the vicinity of an outer end 14E of a bonding interface 14 between the heating base 11 and the support member 13.例文帳に追加

加熱基体１１と支持部材１３との接合界面１４の外端１４Ｅ近傍で、この加熱基体１１の背面１１ｂと支持部材１３の外表面１３ｂとを滑らかに接続する凹曲面部１５が形成されている。 - 特許庁

In particular, the guide 102 and diffusive material 103 are both made of transmissive resin, and the interface 101 between them is inclined in terms of composition from the resin constituting the diffusive material to the resin forming the guide.例文帳に追加

特に、導光体（１０２）及び拡散材（１０３）は共に透光性樹脂であり、且つ拡散材と導光体との界面（１０１）は拡散材を構成する樹脂から導光体を構成する樹脂に組成傾斜している面状発光光源である。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel device equipped with a barrier film which is free of un-oxidized metal and a manufacturing method thereof, where a magnetic layer is oxidized before the barrier layer is formed, and an interface between the magnetic layer and the barrier layer is cleaned.例文帳に追加

バリア膜の成膜前に磁性層を酸化処理し、バリア膜を形成後に熱処理を施し、磁性層とバリア膜との界面が清浄化し、かつ未酸化金属がないバリア膜を有する磁気トンネル素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Tapered seals S1, S2, S3, S4, and S5 communicable with the outside air are formed in the end part in the opposite side of one thrust dynamic pressure bearings side 26 and 28 of radial dynamic pressure bearings 22 and 24 and air-liquid interface between the oil and the air is formed and retained inside the tapered seals.例文帳に追加

ラジアル動圧軸受２２，２４の一方のスラスト動圧軸受側２６，２８とは反対側の端部には、外気に連通可能なテーパ状シールＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５が形成されており、このテーパ状シール内でオイルと空気の気液界面が形成され保持される。 - 特許庁

There is existent along an interface between the Cu wiring and the second insulating film (27) discontinuously at least one kind of metal or metal oxide (28) selected from a group comprising Ti, Al, W, Pd, Sn, Ni, Mg, and Zn.例文帳に追加

前記Ｃｕ配線と前記第２の絶縁膜との界面には、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属またはその酸化物（２８）が不連続に存在することを特徴とする。 - 特許庁

A first IC includes an internal component section capable of being adjusted with adjustment data, a nonvolatile memory in which a beforehand acquired adjustment data about the internal component section is stored, and an interface section provided between the non volatile memory and outside.例文帳に追加

第１のＩＣは、調整データにより調整可能な内部構成部と、この内部構成部についての事前取得調整データが記憶される不揮発性メモリと、この不揮発性メモリと外部との間に設けられるインターフェース部とを備える。 - 特許庁

A reflection angle is made large, at an interface between the light-diffusion particle and the depletion part so that reflection of the fluorescent light converted by the scintillator layer 13 is produced in the small region, and suppresses lowering of the resolution or the luminance due to diffusion of the reflected light to long distance.例文帳に追加

光散乱性粒子と空乏部との界面での屈折角が大きくなり、シンチレータ層13により変換された蛍光の反射が小領域内で生じ、反射光の遠方拡散による解像度低下や輝度の低下を抑える。 - 特許庁

To provide a method for manually inserting, into the cable and insulator, a rubber stress cone of the simplified (cost reduction) structure for giving pressure to the interface between the cable and insulator with a contraction force of the rubber stress cone thereof at the time of forming termination connection part of the CV cable.例文帳に追加

ＣＶケーブルの終端接続部形成において、ゴムストレスコーン自体の収縮力でケーブル絶縁体との界面に圧力を加える簡易型（コストダウン）構造のゴムストレスコーンをケーブルと絶縁体に挿入するに人力では不可能である。 - 特許庁

In the optical recording medium provided with at least a transparent substrate and a recording layer adjacent to the transparent substrate, a reflection preventing structure of a projecting and recessed shape is formed in the interface between the transparent substrate and the recording layer so that a non-reflection condition is satisfied.例文帳に追加

少なくとも透明基板と透明基板に隣接する記録層とを備えた光記録媒体であって、透明基板と記録層との界面に、無反射条件を満たすように凹凸形状の反射防止構造が形成されている。 - 特許庁

A carbon density, an oxygen density, and a silicon density in an interface 17 between the semiconductor single crystal wafer 13 and the homoepitaxial film 15 are respectively less than 4×10^18/cm^3, less than 1×10^18/cm^3, and less than 4×10^18/cm^3.例文帳に追加

半導体単結晶ウエハ１３とホモエピタキシャル膜１５との界面１７における炭素濃度、酸素濃度、シリコン濃度は４×１０^１８個／ｃｍ^３未満、１×１０^１８個／ｃｍ^３未満、４×１０^１８個／ｃｍ^３未満である。 - 特許庁

A shaft part of the screw 7 is covered with a heat-shrinkable tube 9 along a reference position P of the screw intersected with an interface surface between the semiconductor device 1 and the member 2 along the shaft part of the screw 7 to a head part thereof and to a direction opposed thereto.例文帳に追加

ねじ７の軸部が半導体装置１と絶縁部材２の境界面と交差する基準位置Ｐから、ねじ７の軸部に沿ってねじ７の頭部への方向及び該方向と対向する方向へ熱収縮チューブ９が被覆されている。 - 特許庁

The quantity of light of an optical component reflected on an interface between the optical waveguide core 321 and the clad 322 for adsorbing the specific chemical substance and swelling increases when the refractive index of the clad 322 for adsorbing the specific chemical substance and swelling decreases.例文帳に追加

光導波路コア３２１と、特定の化学物質を吸着して膨潤するクラッド３２２との界面で反射される光成分の光量は、特定の化学物質を吸着して膨潤するクラッド３２２の屈折率が低減すると増加する。 - 特許庁

At a part where distribution density in the laminating directions of inner conductors 14 and 15 is comparatively low inside of the laminated body 3 in the forming area of the cavity 6, a dummy layer 17 for correcting thickness is provided along a specific interface between ceramic layers 2.例文帳に追加

キャビティ６の形成領域における積層体３の内部の、内部導体１４、１５の積層方向での分布密度の比較的低い部分に、厚み補正用ダミー層１７を、セラミック層２の間の特定の界面に沿って設ける。 - 特許庁

This reduces the internal stress generated on the interface between an electrode layers 13 and 15 corresponding to the first and third piezoelectric layers 14a and 14c, so that a significant reduction of crack is expected as caused by high voltage application or long time drive.例文帳に追加

これによって、第１、第３の圧電体層１４ａ，１４ｃと対応する電極層１３，１５との界面に発生する内部応力を低減でき、高電圧印加や長期間駆動によるクラック発生の大幅な低減効果が期待できる。 - 特許庁