「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an operation management system for network-connected apparatus which can lighten a processing burden due to management by a management server without being conscious of difference of interface of each network-connected apparatus to be managed, and which can reduce traffic between the management server and the network-connected apparatus to be managed.例文帳に追加

各管理対象のネットワーク接続装置のインターフェースの差異を意識することなく、管理サーバの管理にかかる処理負担を軽減し、管理サーバと管理対象のネットワーク接続装置との間のトラフィックを軽減することが可能なネットワーク接続装置運用管理システムを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a multilayer thin film whereby the generations of cross-contaminations are prevented in the manufacture of the multilayer thin film having a hetero-structure of so laminating therein differen kinds of semiconductors, etc. as to join them to each other, and the compositive change in the interface between heterojunctions is made further more steep than conventional ones.例文帳に追加

異種の半導体等を積層して接合させたヘテロ構造を有する多層薄膜の製造においてクロスコンタミネーションの発生を防止し、ヘテロ接合界面の組成変化を従来よりも更に急峻にする事を可能にする多層薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrically conductive paste, by which a part of an external electrode will not be broken, by increasing connecting-strength of an interface in between a base metal component and a glass component, when it is used to form the external electrode of a ceramic electronic element, and to provide a ceramic electronic element using it.例文帳に追加

セラミック電子部品の外部電極を形成するのに用いた場合、卑金属成分−ガラス成分界面の接続強度を強くすることにより、外部電極の一部が剥離することがない導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.例文帳に追加

高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide a method of controlling adhesive power of a base film of an adhesive tape which can prevent an adhesive agent from transferring to a dicing frame in a dicing frame bonding portion and which has excellent separating property at an interface between an adhesive agent layer and the base film when a chip is separated in a wafer bonding portion.例文帳に追加

ダイシングフレームを貼合する部分において、ダイシングフレームへの粘転着剤の転着がなく、かつ、ウェハ貼合部分においてチップの剥離時に、粘接着剤層と基材フイルム界面で剥離性が優れる、粘接着テープの基材フィルムの粘接着力を制御する方法を提供する。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

A CPU and an ASIC exclusive for servo control are mounted on a motor controller; the ASIC exclusive for servo control has a servo control processing function for executing positional control, speed control, and current control, while having positional commands, speed commands, and torque commands as an interface between the CPU and the ASIC exclusive for servo control.例文帳に追加

モータ制御装置にＣＰＵとサーボ制御専用ＡＳＩＣを搭載し，サーボ制御専用ＡＳＩＣでは，位置制御と速度制御と電流制御のサーボ制御処理を備え，ＣＰＵとサーボ制御専用ＡＳＩＣのインターフェイスとして位置指令と速度指令とトルク指令とを備える。 - 特許庁

Since the interface S between the screen film 1 and reflective film 2 varies in the angle of light incidence along the circumferential edge of the screen film 1 and the states of light reflection, absorption, and transmission change to make the nameplate have a solid feeling like being embossed and sinking depending on the light incident angle.例文帳に追加

スクリーン皮膜１と反射皮膜２間の界面Ｓはスクリーン皮膜１の周縁にそって光の当たる角度が変化し、光の反射、吸収、透過の状態が変化するので、マークが光の当たる角度によって、浮き上がって見えたり、沈んで見えたりといった立体感を生み出す。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for semiconductor devices wherein a collector layer (3) consisting of at least a group III-V compound semiconductor, a base layer (4), and an emitter layer (5) are laminated and formed on a substrate (1), C density distribution in the base layer (4) is low near an interface between the emitter layer (5) and it.例文帳に追加

基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a heat conduction substrate that makes possible easy repairing and additional packaging of specific parts, by making a difference for each area in terms of degree of adhesion of a joining interface between a lead frame and a heat conduction sheet object, thus materializing an arbitrary heat resistance distribution.例文帳に追加

リードフレームと熱伝導シート状物との接合界面の密着度に関して領域ごとに差を設けたことにより、任意の熱抵抗分布を実現して特定部品のリペアや追加実装も容易に可能とする熱伝導回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The video signal output device recognizes the relationship between the video output interface and the identification number of the video output device that is being connected from the received command, outputs the video signals, in accordance with the relationship and lines up the display of the display multi-display.例文帳に追加

受信したコマンドより映像信号出力装置は、映像出力インタフェースと接続している映像出力装置の識別番号との関係を認識し、その関係に従い映像信号の出力を行うことにより、表示マルチディスプレイの表示を整列する。 - 特許庁

The attachment cartridge for fixing an existing recording head cartridge of other type to a recorder has a shape compatible with that of a dedicated recording head cartridge and has a function for converting the interface between the recording head cartridge of other type and the recorder and means for identifying the type of the recording head cartridge.例文帳に追加

他機種の既存の記録ヘッドカートリッジを記録装置に装着するためのアタッチメントカートリッジは、専用の記録ヘッドカートリッジと形状互換性をもち、他機種の記録ヘッドカートリッジと記録装置間のインターフェース変換機能および記録ヘッドカートリッジの種類を識別する手段を備える。 - 特許庁

To provide a power transmission belt and its manufacturing method eliminating the formation of scraps such as chips from cutting, grinding or polishing, preventing a pinhole from being formed near an interface between a cog crest part of a compressed rubber layer and an adhesive rubber layer and preventing early crack initiation during belt traveling.例文帳に追加

切削屑、研削屑、又は研磨屑のようなスクラップの発生を無くし、圧縮ゴム層のコグ山部と接着ゴム層との界面付近に発生するピンホールを阻止し、ベルト走行時における早期の亀裂発生を阻止した動力伝動用ベルトとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sealing plate 1 with simplified structure and the reduced number of components, easy to assemble and capable of securing an interface sealing property between a breather film 10 and a sealing plate main body 2 without using a sealing member such as a packing or the like.例文帳に追加

パッキン等のシール部材を併用しなくてもブリーザ膜１０および封口板本体２間の界面シール性を確保することができ、もって封口板１の構造を簡素化し、部品点数を削減し、製造・組立を容易化することができる封口板１を提供する。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

To provide a method for measuring the conductivity of the interface between the metal layer and a dielectric board of a sample having the metal layer formed in the board or the surface of the layer by suppressing the warp of the sample in the measurement of the conductivity of the layer.例文帳に追加

金属層界面の導電率測定において、試料の反りの発生を抑制し、同時に誘電体基板の内部に金属層が形成された試料における金属層の誘電体基板との界面や金属層の表面における導電率の測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interface 1 for transmitting and receiving a signal between data terminal equipment 6 and a driver device 5 while electrically insulating those devices capable of realizing miniaturization and weight reduction without making it necessary to provide any battery or external power source, and realizing power saving, heating reduction, and noise reduction.例文帳に追加

データ端末装置６とドライバー装置５とを電気的には絶縁しながら、両装置間における信号の送受信を行うインターフェイス１であって、電池や外部の電源を必要とせず小型化、軽量化が可能で、さらに省電力、低発熱、低ノイズ発生であるインターフェイス１を提供する。 - 特許庁

A light intensity measuring unit 1 for measuring intensity of light emitted from a microscope includes: an aperture diaphragm 3; a field diaphragm 5; at least one measuring lens 4 arranged between the aperture diaphragm 3 and the field diaphragm 5; and an interface section 2a for being mounted to the microscope.例文帳に追加

顕微鏡から射出される光の強度を測定する光強度測定ユニット１は、開口絞り３と、視野絞り５と、開口絞り３と視野絞り５の間に配置される少なくとも１枚の測定レンズ４と、顕微鏡に装着するためのインターフェース部２ａとを含んで構成される。 - 特許庁

To provide a robot device used as an interface between high-level and complicated network type household electrical appliances, or information device and a user, responding by voice to have friendly body characteristic, allowing the user to simply operate the information device, and supplying suitable service to the user.例文帳に追加

本発明は、高度で複雑になったネット家電や情報機器とユーザとのインタフェースとして使われる、音声で応答し親しみやすい身体性を持つロボット装置において、ユーザが簡単に情報機器を操作し、ユーザに対し適切なサービスを提供するロボット装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

To solve a problem wherein a time set value of a DIPM timer is inconvenient for coping with various specifications, when the time set value is fixed in an optical disk device (ODD), in case of using a DIPM standard of an optional standard for reducing a consumed current, using an SATA for an interface between the ODD and a PC.例文帳に追加

光ディスク装置（ＯＤＤ）とＰＣのインタフェースにＳＡＴＡを用い、消費電流低減のためオプション規格であるＤＩＰＭ規格を使用する場合、ＤＩＰＭタイマーの時間設定値がＯＤＤで固定されていると、様々な仕様に対応するうえで不便である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a resistor component with a high connection reliability, which is free of: failure in an electrical conduction due to an increase in thickness of a semiconductor device caused by the resistor component, or a three-dimensional structure; reduction of an electrical conductivity caused by an interface between the resistor component and an electrode; and a like.例文帳に追加

抵抗素子による半導体装置の厚みの増加や立体構造による導通不良、および抵抗素子と電極との間の界面によって生じる導通性の低下などに囚われない、接続信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The optical film is made by disposing a hard coat layer, a high gradient-index hard coat layer and a low refractive index layer on a substrate, wherein a refractive index in the neighborhood of an interface between the hard coat layer and the substrate is continuously changed or a refractive index of the hard coat layer is approximated to the refractive index of the substrate.例文帳に追加

基材上にハードコート層、高屈折率傾斜ハードコート層、及び低屈折率層を設けた光学フィルムであって、ハードコート層と基材の界面近傍の屈折率が連続的に変化してなるか、又はハードコート層の屈折率が基材の屈折率と近似してなる光学フィルム。 - 特許庁

To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁

Each direction of each refracting interface 41a-41c is determined so that a plurality of detection ranges Za1, Za3, Zb3, Zc1 are overlapped mutually among a plurality of detection ranges Za1-Za3, Zb1-Zb3, Zc1-Zc3 determined by combinations between the refracting interfaces 41a-41c and the light receiving elements 1m, 1p.例文帳に追加

屈折面４１ａ〜４１ｃと受光素子１ｍ，１ｐとの組み合わせによって決定される複数個の検知範囲Ｚａ１〜Ｚａ３，Ｚｂ１〜Ｚｂ３，Ｚｃ１〜Ｚｃ３のうち、複数個Ｚａ１，Ｚａ３，Ｚｂ３，Ｚｃ１を互いに重ねるように、各屈折面４１ａ〜４１ｃの向きを決定した。 - 特許庁

The primary resin is melted by the secondary resin over its entire width, in two-color molding to mold the supporting part 19 of the guide main body 16, then continuously mold the slide contact part 23 to fuse them, whereby the fusion strength of the interface between the guide main body 16 and the slide contact part 23 is increased.例文帳に追加

ガイド本体１６の支持部１９の成形後に続いて摺接部２３を成形して両者を融着する２色成形時、２次樹脂が１次樹脂を幅全体に亘り溶融するようにし、ガイド本体１６と摺接部２３との界面での融着強度を増大維持させる。 - 特許庁

For instance, a translucent resin protection layer (8) integrally molded so as to cover the transparent electrode (7) may be provided on the transparent layer (7), and liquid or hardening resin may be intercalated at an interface between the translucent resin protection layer (8) and the color conversion layers (13a, 13b, 13c) to form a sealing layer (9).例文帳に追加

例えば透明電極(7)の上に、透明電極(7)を覆うように一体成形した透光性樹脂保護層(8)を設けても良いし、透光性樹脂保護層(8)と色変換層(13a,13b,13c)との界面に液体又は硬化性樹脂を介在させてシール層(9)を形成してもよい。 - 特許庁

Also, the CPU load distribution system is configured to operate according to an operation system, and provided with an OS operating means 3 which reduces, when a difference between a noise value when an error is caused in the interface and the detected noise value is turned to be equal to or less than a prescribed value, reduces the processing load of the CPU in which the noise value is detected.例文帳に追加

また、ＣＰＵ負荷分散システムは、オペレーティングシステムに従って動作し、インタフェースにエラーが生じるときのノイズ値と検出されたノイズ値との差分が所定値以下になったときに、そのノイズ値が検出されたＣＰＵの処理負荷を軽減させるＯＳ動作手段３を備える。 - 特許庁

By using a reinforcing plate of a material 1 whose adhesive face is nickel-plated and using inks 1-4, or by using a reinforcing plate of a material 2 and using the inks 1 and 2, the ink hardly infiltrates into the interface between the plate and a sheet-like adhesive and the reinforcing plate hardly releases.例文帳に追加

接着面がニッケルメッキされた材料１の補強プレートを使用し、かつ、インク１〜４を使用すこと、あるいは、材料２の補強プレートを使用し、かつ、インク１，２を使用することで、プレートとシート状接着剤との界面にインクが浸入し難く、補強プレートが剥離し難い。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming fine metallic patterns, without performing etching process and forming the metallic patterns having superior adhesiveness between a base material and a metal film and having a high thermal resistance, even when there is little irregularities of the base material interface.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基材界面の凹凸が少ない場合でも基材と金属膜との密着性に優れた耐熱性の高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

By providing a frame 4 with folded positions 21, the frame 4 is made to have a low spring constant (low rigidity), and by adhering this frame 4 to pins formed on an electrode film 2 (in positions shown by small arrows), the stress in the bonded interface between the frame 4 and the electrode film is reduced.例文帳に追加

フレーム４に折返し箇所２１を設けることで、フレーム４を低バネ定数（低剛性）にして、このフレーム４を電極膜２上に形成したピン（微小矢印の箇所にある）に固着することで、フレーム４と電極膜との接合界面での応力を低減する。 - 特許庁

The optical interface circuit 1000 which controls the optical variable attenuator 400 for attenuating the optical input signal IS by the control circuit 500 is provided with a resistor R1 forming a differentiating circuit with a coil (inductance L) included in the optical variable attenuator 400 between the control circuit 500 and the optical variable attenuator 400.例文帳に追加

光入力信号ISを減衰させる光可変減衰器400を制御回路500によって制御する光インタフェース回路1000において、制御回路500と光可変減衰器400との間に、光可変減衰器400に含まれるコイル(インダクタンスL)と微分回路を形成する抵抗R1を設ける。 - 特許庁

To prevent generation of large bending moment in a foundation pile by expecting rigid-coupling strength between the foundation pile and an upper structure to small-to-medium-scale earthquakes, while a slippage is generated on the contact interface of the foundation pile and the upper structure to a large-scale earthquake.例文帳に追加

中小規模の地震に対しては基礎杭と上部構造物との間に、剛結合的な強度が期待でき、一方、大規模の地震に対しては、基礎杭と上部構造物との接触界面に滑りを生じさせ、基礎杭に大きな曲げモーメントが発生しないようにすることを課題とする。 - 特許庁

In content copy processing between media, identification information (media ID) of copy destination media is acquired by using an API (application programming interface) whose processing is preliminarily defined, and the acquired media ID is transmitted to a server, and copy permission information is acquired from the server, and the copy processing of content is carried out under the control of the server.例文帳に追加

メディア間におけるコンテンツコピー処理において、コピー先メディアの識別情報（メディアＩＤ）を予め処理の規定されたＡＰＩを利用して取得し、取得したメディアＩＤをサーバに送信してサーバからコピー許可情報を取得し、サーバの管理下でコンテンツのコピー処理を行う。 - 特許庁

High-frequency transmission characteristics are used to perform quantitative, noncontact, and nondestructive evaluation of the generation and growth of thermo-growth oxides (for example, formed in an interface between a Thermal Barrier Coating (TBC) and a bond coating) which occur in the thermo barrier coating of a heat-resistant material having the thermo barrier coating applied onto a metal substrate.例文帳に追加

金属基材上に施された熱遮へいコーティングを有する耐熱性材料の当該コーティングに生成する熱成長酸化物（例えば、遮熱コーティング(TBC)/ボンドコート界面に形成される）の生成・成長を高周波伝送特性を使用して定量的に非接触・非破壊評価する。 - 特許庁

The apparatus is characterized by a tube system 50 for introducing the dense fluid to a level positioned at the upper part of a plate, preferably adjacent to a level of a plate 62, and the level lower than the level wherein the interface between the dense fluid and light fluid is formed from the outside of a reactor.例文帳に追加

前記装置は、反応器の外部から、濃い流体を、プレートの上方であって好ましくはプレート62のレベルにほぼ隣接して位置させられる、濃い流体と軽い流体との界面が形成されるレベルよりも低いレベルへ導入するチューブシステム50により特徴づけられる。 - 特許庁

The multi-functional card reader and its security system include a card reader 13, an ID controller 11 connecting the card reader 13 to an electric lock 4, a total system controller 9 for controlling the whole system and a communication interface processor 10 provided between the total system controller 9 and the ID controller 11.例文帳に追加

カードリーダ１３と、このカードリーダ１３と電気錠４が接続されたＩＤコントローラ１１と、システム全体を管理するシステム全体管理機器９と、このシステム全体管理機器９とＩＤコントローラ１１の間に設けられた通信インターフェースプロセッサ１０とを備える。 - 特許庁

The lens element and the reflection type light valve are placed under a condition that optical axes are parallel to each other, and a distance is provided between the optical axes so that the light incident upon the projection lens from unnecessary light components of the illuminating light reflected from an optical interface of the lens element is separated from an effective light component of the modulation light.例文帳に追加

レンズ素子と反射型ライトバルブとは、互いの光軸を平行にした状態で、レンズ素子の光学界面で反射する照明光の不要光成分のうち投写レンズに入射する光が変調光の有効光成分と分離されるように光軸間に距離が設けられる。 - 特許庁

A seal projection of an injection hole remaining in an extended portion 14 is cut, so that a portion with weak adhesion strength on the interface between a sealing material 18 and a substrate seal material remains within substrates 15, 13, while the sealing material 18 can be made to firmly adhere to the surfaces of the substrates 15, 13 outside the injection hole.例文帳に追加

延出部１４に残っていた注入孔のシール突起部を削ったことにより、封孔材１８とシール材界面の密着力の弱い部分が基板１５，１３内に留まり、注入孔の外側では封孔材１８が基板１５，１３表面と強く密着できた。 - 特許庁

This surface plasmon sensor 1 is provided with a dielectric prism 10, and a metal film 20, a measuring light L1 is made incident, under a condition where the light L1 is total-reflected on an interface S1 between the dielectric prism 10 and the metal film 20, and surface plasmons are excited on the surface of the metal film 20 in the sensor.例文帳に追加

表面プラズモンセンサ１は、誘電体プリズム１０と金属膜２０とを備えてなり、誘電体プリズム１０と金属膜２０との界面Ｓ１で全反射する条件で測定光Ｌ１が入射されて、金属膜２０の表面で表面プラズモンが励起されるセンサである。 - 特許庁

In this way, particularly in a MOS transistor, it is possible to increase the quality of the interface between the dielectric region and the semiconductor substrate, obtain the dielectric region impermeable to the impurity atom from the gate region, and obtain the thickness substantially equal to that of the stacked dielectric film.例文帳に追加

このように特にMOSトランジスタにおいては、誘電体領域と半導体基盤との界面が高品質化され、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域が得られ、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さが得られる。 - 特許庁