「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an operation management system for network-connected apparatus which can lighten a processing burden due to management by a management server without being conscious of difference of interface of each network-connected apparatus to be managed, and which can reduce traffic between the management server and the network-connected apparatus to be managed.例文帳に追加

各管理対象のネットワーク接続装置のインターフェースの差異を意識することなく、管理サーバの管理にかかる処理負担を軽減し、管理サーバと管理対象のネットワーク接続装置との間のトラフィックを軽減することが可能なネットワーク接続装置運用管理システムを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a multilayer thin film whereby the generations of cross-contaminations are prevented in the manufacture of the multilayer thin film having a hetero-structure of so laminating therein differen kinds of semiconductors, etc. as to join them to each other, and the compositive change in the interface between heterojunctions is made further more steep than conventional ones.例文帳に追加

異種の半導体等を積層して接合させたヘテロ構造を有する多層薄膜の製造においてクロスコンタミネーションの発生を防止し、ヘテロ接合界面の組成変化を従来よりも更に急峻にする事を可能にする多層薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrically conductive paste, by which a part of an external electrode will not be broken, by increasing connecting-strength of an interface in between a base metal component and a glass component, when it is used to form the external electrode of a ceramic electronic element, and to provide a ceramic electronic element using it.例文帳に追加

セラミック電子部品の外部電極を形成するのに用いた場合、卑金属成分−ガラス成分界面の接続強度を強くすることにより、外部電極の一部が剥離することがない導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。 - 特許庁

Foundation films 2 and 3 and a conductive film 4 are formed in this order on a glass substrate 1, a chloride fine particle 5 is mixed into the foundation film or onto the interface between the foundation and conductive films, and a projection 9 is formed at the upper section of the chloride fine particles on the surface of the conductive film.例文帳に追加

ガラス板１上に下地膜２，３と導電膜４とをこの順に形成し、下地膜内または下地膜と前記導電膜との界面に、塩化物微粒子５を混入させ、導電膜の表面において、塩化物微粒子の上方に凸部９を形成する。 - 特許庁

A high heat conductivity heat dissipating material 9, composed of a heat conducting mixed material 9b wrapped by flexible heat-resistant resin materials 9a, 9b, is interposed between the outer surface of the insulating substrates 2, 3, both blocks 5, 7 and the contact interface thereof.例文帳に追加

絶縁基板２、３の外面と両ブロック５、７、及び両ブロック５、７の接触界面には、耐熱性かつ柔軟性を有する樹脂材９ａ及び該樹脂材９ａに内包された熱伝導性の配合材９ｂからなる高熱伝導放熱材９が介在している。 - 特許庁

In the heat sink where a substrate 3a is interposed between fins 2a and 2a, interface is eliminated by diffusion bonding, and the fins and a base mount are bonded integrally, water channels are bored in the fins and the substrate and a horse coupling 4 is provided on one side face of the base mount 3.例文帳に追加

フィン２ａとフィン２ａの間に基材３ａを介在させ、拡散接合等にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなるヒートシンクにおいて、フィン及び基材に水が通る水路孔を穿設すると共に、基台３の一側面にホースを継ぐためのホース継手４を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.例文帳に追加

高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide a method of controlling adhesive power of a base film of an adhesive tape which can prevent an adhesive agent from transferring to a dicing frame in a dicing frame bonding portion and which has excellent separating property at an interface between an adhesive agent layer and the base film when a chip is separated in a wafer bonding portion.例文帳に追加

ダイシングフレームを貼合する部分において、ダイシングフレームへの粘転着剤の転着がなく、かつ、ウェハ貼合部分においてチップの剥離時に、粘接着剤層と基材フイルム界面で剥離性が優れる、粘接着テープの基材フィルムの粘接着力を制御する方法を提供する。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

A CPU and an ASIC exclusive for servo control are mounted on a motor controller; the ASIC exclusive for servo control has a servo control processing function for executing positional control, speed control, and current control, while having positional commands, speed commands, and torque commands as an interface between the CPU and the ASIC exclusive for servo control.例文帳に追加

モータ制御装置にＣＰＵとサーボ制御専用ＡＳＩＣを搭載し，サーボ制御専用ＡＳＩＣでは，位置制御と速度制御と電流制御のサーボ制御処理を備え，ＣＰＵとサーボ制御専用ＡＳＩＣのインターフェイスとして位置指令と速度指令とトルク指令とを備える。 - 特許庁

Since the interface S between the screen film 1 and reflective film 2 varies in the angle of light incidence along the circumferential edge of the screen film 1 and the states of light reflection, absorption, and transmission change to make the nameplate have a solid feeling like being embossed and sinking depending on the light incident angle.例文帳に追加

スクリーン皮膜１と反射皮膜２間の界面Ｓはスクリーン皮膜１の周縁にそって光の当たる角度が変化し、光の反射、吸収、透過の状態が変化するので、マークが光の当たる角度によって、浮き上がって見えたり、沈んで見えたりといった立体感を生み出す。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for semiconductor devices wherein a collector layer (3) consisting of at least a group III-V compound semiconductor, a base layer (4), and an emitter layer (5) are laminated and formed on a substrate (1), C density distribution in the base layer (4) is low near an interface between the emitter layer (5) and it.例文帳に追加

基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 - 特許庁

The attachment cartridge for fixing an existing recording head cartridge of other type to a recorder has a shape compatible with that of a dedicated recording head cartridge and has a function for converting the interface between the recording head cartridge of other type and the recorder and means for identifying the type of the recording head cartridge.例文帳に追加

他機種の既存の記録ヘッドカートリッジを記録装置に装着するためのアタッチメントカートリッジは、専用の記録ヘッドカートリッジと形状互換性をもち、他機種の記録ヘッドカートリッジと記録装置間のインターフェース変換機能および記録ヘッドカートリッジの種類を識別する手段を備える。 - 特許庁

To provide a power transmission belt and its manufacturing method eliminating the formation of scraps such as chips from cutting, grinding or polishing, preventing a pinhole from being formed near an interface between a cog crest part of a compressed rubber layer and an adhesive rubber layer and preventing early crack initiation during belt traveling.例文帳に追加

切削屑、研削屑、又は研磨屑のようなスクラップの発生を無くし、圧縮ゴム層のコグ山部と接着ゴム層との界面付近に発生するピンホールを阻止し、ベルト走行時における早期の亀裂発生を阻止した動力伝動用ベルトとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sealing plate 1 with simplified structure and the reduced number of components, easy to assemble and capable of securing an interface sealing property between a breather film 10 and a sealing plate main body 2 without using a sealing member such as a packing or the like.例文帳に追加

パッキン等のシール部材を併用しなくてもブリーザ膜１０および封口板本体２間の界面シール性を確保することができ、もって封口板１の構造を簡素化し、部品点数を削減し、製造・組立を容易化することができる封口板１を提供する。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.例文帳に追加

半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁

When making use of the interface device, an known exposure problem of the electric pins of the photomultiplier tube can be improved, an electric connection relationship between a photomultiplier tube and the circuit board can be protected, its destruction is prevented, and noises of high frequency can be reduced.例文帳に追加

本発明のインターフェース装置を利用すれば、公知の光電子倍増管の電気的ピンの露出問題を改善することができ、光電子倍増管と回路基板間の電気的連接関係を保護し、損壊を防止し、高周波数のノイズを減少させることができる。 - 特許庁

The part 150 calculates power consumption quantity to be consumed in the case of performing waiting reception for the predictive waiting time and notifies of the relation between the power consumption quantity and the residual quantity of a battery 51 detected by a battery residual quantity detecting means 71 through an interface part 3.例文帳に追加

制御部１５０は、予想待ち受け時間分の待ち受け受信を行った場合に消費する消費電力量を求め、この消費電力量と、電池残量検出手段７１により検出する電池５１の残量との関係をインターフェース部３を通じて報知する。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a semiconductor device which is improves in adhesion or the strength near an interface between a layer insulating film formed using a low dielectric constant film and other insulating film provided by being directly or indirectly laminated thereon.例文帳に追加

低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress warpage and distortion due to a dimensional change after molding, after hygroscopic treatment or after heat treatment by reducing anisotropy without deteriorating heat resistance and moldability, and to suppress the generation of cracks and peeling at the interface between a metal and a resin material by reducing thermal expansion coefficient.例文帳に追加

耐熱性や成形性を損なうことなく、異方性を低減することにより成形後、吸湿処理後、熱処理後の寸法変化による反りやひずみの発生を抑えるとともに、熱膨張係数を低減することでクラックの発生や金属と樹脂材料の界面の剥離を抑える。 - 特許庁

To provide a pressure sensitive adhesive sheet having a pressure sensitive adhesive layer which reduces total reflection of light at the interface between an optical film or an optical material and the pressure sensitive adhesive layer and does not reduce visibility even when plastic material is used as the optical material.例文帳に追加

光学フィルムや光学用部材と感圧性接着剤層との界面における光の全反射を低減することができ、光学用部材としてプラスチック部材が用いられていても視認性を低下させない感圧性接着剤層を有する感圧性接着シートを得る。 - 特許庁

In this method of preparing the sample for direct observation in the transmission electron microscope, of an interface between the iron oxide and solid carbon for analyzing the reduction process of the iron oxide by the solid carbon, the iron oxide which is an observation object is broken and carbon is deposited on the broken face.例文帳に追加

酸化鉄の固体炭素による還元過程を解析するために酸化鉄と固体炭素の界面を透過電子顕微鏡内で直接観察する試料の作製方法であって、観察対象物である酸化鉄を破断しその破断面に炭素を蒸着することとする。 - 特許庁

To prevent a side etching of the interface between layers of metal wiring and to reduce voids occurred when an interlayer insulation film is formed and to stabilize contact resistance even if a contact hole for connection with a metal wiring layered on the insulation film has a borderless structure.例文帳に追加

積層構造の金属配線界面のサイドエッチング発生を防止して、層間絶縁膜成膜時のボイドを抑制すると共に、その上層のメタル配線との接続のためのコンタクトホールがたとえボーダレス構造であっても、コンタクト抵抗を安定化させることを目的とする。 - 特許庁

In NMISQN and PMISQP each equipped with the gate insulating film 7 made of high-k material, channels are made at a position deeper than a contacting interface between the gate insulating film 7 and a p-type semiconductor layer 2a or an n-type semiconductor layer 2b.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ材料で形成されるゲート絶縁膜７を有するＮＭＩＳＱＮとＰＭＩＳＱＰにおいて、その動作時にチャネルがゲート絶縁膜７とＰ型半導体層２ａまたはＮ型半導体層２ｂとの接触界面よりも深い位置に形成されるようにする。 - 特許庁

In the laminate, a cushioning layer 3 comprising a rubbery elastic material or a rubber coated fabric formed by coating at least one surface of a fiber fabric with the rubbery elastic material is integrally interposed between a metal rod 1 and the resin material 2 at the molding interface X of them.例文帳に追加

積層体は、金属棒１と、樹脂材料２との成形界面Ｘには、ゴム状弾性材料または繊維の織布の少なくとも一方の面を前記ゴム状弾性材料でコートしたゴム引き布とした緩衝層３を介在させて一体的に構成してある。 - 特許庁

A laminated photonick crystal structure 7 possessing the optical waveguide is covered so as to wrap in one sheet of polyethylene film, and a contact interface between the laminated photonick crystal structure and the polyethylene film 15 is welded by heat, so that a film-shaped optical circuit sheet 8 covered with one polyethylene film is formed.例文帳に追加

光導波路を有する積層フォトニック結晶構造体７をポリエチレンフィルム１枚で包み込むように被覆し、積層フォトニック結晶構造体とポリエチレンフィルム１５との接触界面を熱融着させることで、１枚のポリエチレンフィルムで被覆したフィルム状光回路シート８を形成できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the subject structural body where a metallic cap is sealed via low-melting glass on a glass ceramic base in a surface-mounted type quartz oscillator or the like, causing no debonding at the seal interface between the low-melting glass and glass ceramic.例文帳に追加

表面実装型水晶振動子等におけるガラスセラミック製ベースに低融点ガラスを介して金属製のキャップを封止した封止構体において、低融点ガラスとガラスセラミックとの封止界面で剥離することがない低融点ガラスおよびガラスセラミック封止構体を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element manufacturing method that is capable of manufacturing an optical element having predetermined light distribution characteristics, without creating a density distribution in a transparent layer and without reducing yields, and that is capable of ensuring the flatness of the interface surface between a transparent layer of a microlouver and a light absorbing layer.例文帳に追加

透明層の密度分布を生じさせず、歩留まりの低下を来すことなく、かつ、マイクロルーバの透明層と光吸収層との境界面の平面度を確保することが可能な、所定の配光特性を有する光学素子を製造することができる光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the optical module has a package 1, that seals a semiconductor optical element 3 mounted on a lead frame 2 by a resin mold body 8, lens surfaces 5a and 5b having the function of collecting light on an interface between a resin and a gas are provided, at least at two points on the optical axis of the semiconductor optical element 3.例文帳に追加

リードフレーム２上に搭載された半導体光素子３を樹脂モールド体８により封止したパッケージ１を備えた光モジュールで、半導体光素子３の光軸上に、樹脂と気体の界面に集光機能を持たせたレンズ面５ａ，５ｂを、少なくとも２箇所に備えている。 - 特許庁

A SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid 45 in which inorganic compound particles 32 of a submicron size are dispersed and filled is coated on an interface between a glass and a glass or a metal, or a metal and a metal or a ceramic, and is caused to proceed a vitrified networking reaction, to complete vitrification hardening.例文帳に追加

サブミクロンサイズの無機化合物粒子３２を分散・充填したＳＩＲＡＧＵＳＩＴＡＬ—Ｂ４３７３（ヒートレスグラス）シリカ液体４５を、ガラスとガラスまたは金属、金属と金属またはセラミックスとの界面に塗布し、ガラス化ネットワーク反応を進行させガラス化硬化を完了させる。 - 特許庁

To provide a medical instrument coated with ceramics which is improved in insulation and antibacterial qualities as perfect ceramics at least with the outermost layer of a ceramics coating, while the interface (an initial coating layer) between an iron matrix and the ceramic coating is improved in adhesion quality as a layer mixed with both materials.例文帳に追加

鉄マトリックスとセラミック被膜の界面（初期被覆層）については両者の混合層として密着性を向上させる一方、セラミック被膜の少なくとも最表層については完全なセラミックとして絶縁性および抗菌性を向上させたセラミック被覆医療用器具を提供する。 - 特許庁

To provide a positive-type resist composition which is usable for forming patterns by using a high-energy ray having a wave length of 300 nm or shorter or an electron beam and can solve a problem of the occurrence of pattern exfoliation or pattern falling-down due to the penetration of a developing solution into an interface between the resist film and a substrate.例文帳に追加

３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成する際に使用できるレジスト組成物であって、レジスト膜と基板との界面に現像液が入り込み、パターンはがれやパターン倒れが生じるという問題を解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in connection reliability when mounted on a mounting substrate by suppressing growth of a brittle inter-metal compound formed on an interface between a bump and a conductive layer to prevent development of cracking and peeling at a periphery of the bump and, therefore, disconnection and shorting of a circuit.例文帳に追加

バンプと導電層との界面に形成される脆い金属間化合物の成長を抑制することにより、バンプ周辺でのクラックや剥離の進展、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性が向上した半導体装置を提供する。 - 特許庁

By utilizing the catalysis of the metal of the internal electrode 2 during the baking process, the heterogeneous metal sticking to the end part surface of the internal electrode is made to diffuse into the interface between the ceramic layer 1 and the internal electrode 2 with the internal electrode as a path, to fill a void 3 and a metal 5.例文帳に追加

この焼付過程で内部電極２金属の触媒作用を利用し、前記内部電極端部表面に付着させた異種金属を内部電極を経路としてセラミック層１と内部電極２の界面に拡散させ、空隙３を金属５で充填する。 - 特許庁

To provide a sheet for a front light eliminating damage and dirt of the surface thereof, easily enhancing contrast of an image, having a form by which various working can be easily performed on the surface and capable of preventing reflection of external light and the occurrence of Newton's rings at an interface between a liquid crystal display and the sheet.例文帳に追加

表面の損傷、汚れの問題を解消し、画像のコントラストの向上が容易で、表面に種々の加工をしやすい形状とし、ディスプレイ界面での外光反射やニュートンリング発生を防止可能なフロントライト用シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an image display device with a touch panel superior in a display grade, and easily reusing a display panel even when an adhesion error is caused in the image display device with the touch panel for integrally bringing an interface between the display panel and the touch panel into close contact with each other via a pressure sensitive adhesive layer.例文帳に追加

表示パネルとタッチパネルの界面を粘着剤層を介して密着させて一体化したタッチパネル付画像表示装置であって、表示品位がよく、接着ミス等が生じた場合にも表示パネルを容易に再利用可能なタッチパネル付画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

This digital interface function of high definition is simple, with which reciprocal interference of high frequency signals between each two core lines can be avoided, and all-automatization of welding is achieved with the less number of processes, a better effect of welding, a lower defective ratio, and high work efficiency.例文帳に追加

本発明の高解像度デジタルインタフェース機能は簡単で、各コアライン間の高周波数信号の相互干渉を避け、少ない工程で、溶接加工の全自動化を実現し、人力と物力を節約、溶接の効果も良く、溶接の不良率が低く、仕事効率が高い。 - 特許庁

To provide a technique for improving the convenience of a user interface device configured to display a screen to a user by reducing the average response time between input of operation for display of image by the user and the display of the corresponding image as much as possible.例文帳に追加

ユーザに対して画面を表示するようなユーザインタフェース装置において画像を表示する際に、ユーザが操作を入力してから、それに対応する画面が表示されるまでの平均応答時間を可及的に短縮し、使いやすさを向上するための技術を提供する。 - 特許庁

A lamp switch 23, a calling lamp 24a, a calling response lamp 24b, a data display device 25, a display changeover switch 27 and the control circuit 30 of the calling lamp device 21 which are unitized are respectively installed with a common interface exchangeable between the same components different in specification.例文帳に追加

ユニット化されたランプスイッチ２３、呼び出しランプ２４ａ、呼び出し応答ランプ２４ｂ、データ表示装置２５、表示切替スイッチ２７及び呼び出しランプ装置２１の制御回路３０は、それぞれに仕様の異なる同一構成部品間で交換することができる共通インターフェースを搭載する。 - 特許庁

Thus, unlike a conventional semiconductor device in which a side surface of a secondary wiring is exposed from a laminating interface between a semiconductor chip and a protection film, when a semiconductor wafer is divided into the semiconductor chips, a breakage or the like of a chipping and dicing blade does not occur, nor do beards, sags or the like of the secondary wiring occur.例文帳に追加

これによって、半導体チップと保護膜との積層界面から２次配線の側面が露出している従来の半導体装置のように、半導体ウェハから半導体チップに分割する際に、チッピング、ダイシングブレードの破損などが発生せず、２次配線のヒゲ、ダレなどが発生しない。 - 特許庁