「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor memory chip (1), a frame decoder (3) for decoding the signal frames is arranged at a poststage of a receiving interface device (2), and an intermediate storage apparatus (4) is arranged between the frame decoder and a memory core (5).例文帳に追加

上記半導体メモリチップ（１）では、信号フレームを復号するフレームデコーダ（３）が受信インターフェースデバイス（２）の後段に配置され、上記フレームデコーダとメモリコア（５）間には中間記憶装置（４）が配置される。 - 特許庁

To improve resistance to electromigration, improve adhesion and reduce contact resistance, wiring resistance and the like by increasing the adhesion at an interface between copper wirings and connection plugs formed on them.例文帳に追加

銅配線とその上部に形成される接続プラグとの間の界面の密着性を高め、エレクトロマイグレーション耐性の向上、密着性の向上、およびコンタクト抵抗や配線抵抗の低減を図ること。 - 特許庁

The circuit 4 also selects a signal line 10 and enables a signal to be transmitted and received between the circuit 3 and a V.24 interface 13, when it receives a connection selection signal from the signal line 16.例文帳に追加

また、選択回路４は、信号線１６からの接続選択信号を受けている時に、信号線１０を選択しデータ処理回路３とＶ．２４インタフェース１３との信号の送受信を可能にさせる。 - 特許庁

Also, the interface device 22 is equipped with a variety of communication procedures which each communication infrastructure 23 has and executes operation (action) for converting a protocol between the client management system 21 and each communication infrastructure 23.例文帳に追加

また、インタフェース装置２２は各通信インフラ２３が有する多様な通信手順を備えており、顧客管理システム２１と各通信インフラ２３との間でプロトコルを変換する動作（作用）を実行する。 - 特許庁

In the etching processing (RIE) for forming the through-hole 106, the etching progresses only up to the interface between the silicon substrate 101 and buried oxide layer 102 along the depth of the silicon substrate 101.例文帳に追加

貫通孔１０６の形成のためのエッチング処理（ＲＥＩ）においては、シリコン基板１０１の深さ方向に、シリコン基板１０１と埋め込み酸化層１０２との界面までしかエッチングが進行しない。 - 特許庁

The angle of incidence when the light is incident on the interface between the substrate 1 and outside air is made smaller by an angle of the refraction than it is without the space layer, and components totally reflected beyond critical angle are greatly reduced.例文帳に追加

これにより、光が基板１と外気との界面に入射する際の入射角が、先に屈折された分だけ小さな角度となり、臨界角を超えて全反射する成分が大きく減少する。 - 特許庁

Baking treatment is applied to the laminate in a low-oxygen atmosphere wherein an oxygen content is 0.1 to 10 vol.%, and voids 4a, 4a' are formed on an interface between a ceramic element body 1 and the internal electrode 5a.例文帳に追加

そして、酸素含有量が０．１〜１０体積％の低酸素雰囲気で前記積層体に焼成処理を施し、セラミック素体１と内部電極５ａとの界面に空隙４ａ、４ａ′を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TFT including stable characteristics by cleaning an interface between a semiconductor film and a gate insulating film, an electrooptic device and a method for manufacturing them.例文帳に追加

半導体膜とゲート絶縁膜との界面を清浄化することにより特性の安定したＴＦＴを備えた半導体装置、電気光学装置、およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the interface between the measuring window 6 and the skin can be easily stabilized by existence of the optical matching agent, measuring time can be shortened, and multiple bodies can be measured in a short time.例文帳に追加

また、光学的マッチング剤の存在により、測定窓６と皮膚との界面は容易に安定させることができるので、測定時間が短縮でき、短時間で多数の検体を測定することが可能となる。 - 特許庁

To provide a protocol communications control device which identifies telephones and lines in a simple system to make connections between them by allocating an identification number to each individual interface.例文帳に追加

個々のインタフェースに固有の識別番号を割り付けて管理することにより、単純な構成で電話機と回線を識別し、識別した電話機と回線を接続するプロトコル通信制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a polycrystalline silicon film, which can improve long term reliability of a gate oxide film by reducing the interface roughness between a gate oxide film and the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

ゲート酸化膜と多結晶シリコン膜との間の界面ラフネスを低下させて、ゲート酸化膜の長期信頼性を向上させることができる多結晶シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The interface circuit is configured to switch a first mode to perform communication, based on a first protocol and a second mode to perform communication based on a second protocol between a master device and a slave device.例文帳に追加

この発明は、マスタ装置とスレーブ装置との間で、第１のプロトコルに基づく通信を行う第１のモードと、第２のプロトコルに基づく通信を行う第２のモードと、を切り換えるインターフェース回路である。 - 特許庁

If the shaping members 5 and 7 are in a hair shaping position, the hair-shaping slit between the shaping members 5 and 7 is undercut in the direction toward the interface section of the hair container connecting the teeth 5.例文帳に追加

整形部品５、７の間にある前記ヘア整形スリットが、整形部品５、７がヘア整形位置にある場合において、歯５を互いに接続する髪収容部の境界部の方向にアンダーカットされている。 - 特許庁

To provide a user interface system of a projector, which solves a compatibility problem between hardware and software on a computer and a video projector, which are physically connected to each other.例文帳に追加

コンピュータを映像プロジェクタに物理的に接続する場合、コンピュータおよび映像プロジェクタ上のハードウェアとソフトウェアとの間に互換性の問題を解決する投影装置のユーザ・インタフェース・システムを提供する。 - 特許庁

To improve the light take-out efficiency of light taken out of an element by reducing totally reflected light generated on the interface between a substrate as the element outermost surface and an air layer as a loss.例文帳に追加

損失となる素子最表面である基板と空気層との界面で生じる全反射される光を減らすことで、素子外部に取り出される光取出し効率を向上させることができる。 - 特許庁

The first low density substance layer 22 and the second low density substance layer 32 are stacked in the order in which they are directly in contact with each other at an interface between the multilayer film structure 20 and the upper stacked structure 30.例文帳に追加

多層膜構造２０と上部積層構造３０との界面において、第１の低密度物質層２２と第２の低密度物質層３２とが直接接するような積層順序とされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which has a region made from SiC having a single crystal structure and a support part made from silicon carbide, reducing electrical resistance in the interface between them.例文帳に追加

単結晶構造を有するＳｉＣから作られた領域と、炭化珪素から作られた支持部とを有し、かつ両者の界面の電気抵抗を低減することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

Then, a surface layer of the base region 2 is removed until the surface of the base region 2 becomes lower than the interface between the gate electrode 5 and the interlayer insulation film 7 by etching to form a first recess 6.例文帳に追加

そして、エッチングによって、ベース領域２の表面がゲート電極５と層間絶縁膜７との界面より低い位置になるまで、ベース領域２の表面層を除去し、第１凹部６を形成する。 - 特許庁

In the printed-wiring board, an insulating reinforcing layer containing a thermosetting resin having a minimum melt viscosity of 2,000 Pa s or more is mounted on an interface between an insulating base material that includes a wiring circuit and the insulating layer.例文帳に追加

配線回路を含む絶縁基材と絶縁層の界面に、２０００Ｐａ・ｓ以上の最低溶融粘度を有する熱硬化性樹脂が含まれている絶縁強化層を設けたプリント配線板。 - 特許庁

In this way, an electric resistance in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 can be reduced, and crystal quality of the epitaxial layer 22 can be improved.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。 - 特許庁

To reduce the amount of interface signals between a baseband unit and a remote radio unit while restraining a signal quality from deteriorating and restraining a scale of signal processing particularly in the remote radio unit form increasing in an OFDM radio.例文帳に追加

OFDM無線機において、信号品質の劣化や特にリモート無線ユニットにおける信号処理規模の増加を抑えつつ、ベースバンドユニットとリモート無線ユニット間のインタフェース信号量を低減する。 - 特許庁

When a solder is made to reflow, a Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and a solder composition metal is formed at an interface between a Ni layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46 (Fig.8 (B)).例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁

When a communication failure occurs between the opposing transmission devices 5-1, 5-2, interface boards 5-11, 5-21 transmit restart pulse towards the other transmission devices until the failure is recovered.例文帳に追加

対向伝送装置５−１，５−２との間で通信断の障害発生時に該障害が復旧するまで、インタフェース盤５−１１，５−２１から対向伝送装置に向けてリスタートパルスを送信する。 - 特許庁

The solid-oxide fuel cell 1 is formed so that cerium exists only in a region the depth of which from the interface between the ceria-based solid solution layer 2a and the stabilized zirconia layer 2b is less than 0.3 μm within the stabilized zirconia layer 2b.例文帳に追加

安定化ジルコニア層２ｂ内において、セリア系固溶体層２ａと安定化ジルコニア層２ｂとの界面から深さが０．３μｍ未満の領域にのみセリウムが存在するように形成する。 - 特許庁

An impact is applied to a laminate structure on the substrate, and the lower electrode is peeled on an interface between the itself and the low adhesion layer, and the dielectric thin film laminated on the peeled section of the lower electrode is selectively removed.例文帳に追加

基板上の積層構造に衝撃を与え、低密着層との界面において下部電極を剥離させ、下部電極の剥離部分に積層された誘電体薄膜を選択的に除去する。 - 特許庁

Since the center O2 of the control shaft is offset with respect to one side from a position immediately below the center O1 of the crankshaft, an interface 35 between the main bearing cap 23 and the bulkhead 22 is inclined correspondingly.例文帳に追加

コントロールシャフトの中心Ｏ２がクランクシャフトの中心Ｏ１の直下から一方にオフセットしているので、これに対応して、メインベアリングキャップ２３とバルクヘッド２２との接合面３５が傾斜している。 - 特許庁

To manufacture a large-sized hollow fiber membrane module having a large membrane area by potting molding without generating the non- penetration of a resin between membranes, the crack of a bonded and fixed part or the non-uniformity of the interface of the fixed part.例文帳に追加

膜面積の大きい大型中空糸膜モジュールを、膜間の樹脂不浸透、接着固定部のクラックあるいは固定部界面の不均一等を生じることなくポッティング成型する。 - 特許庁

Holding characteristics under a polarized state are enhanced by the improvement of the crystallizability of the first ferroelectric layer 6 and the elimination of an electric field in the vicinity of an interface between each ferroelectric layer 5, 6.例文帳に追加

第１の強誘電体層６の結晶性の向上と各強誘電体層５，６間の界面付近における電界の解消とにより、分極状態の保持特性が向上する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor for improving the flatness of gm and achieving lower distortion characteristics by minimizing a band gap difference on the interface between n-InGaAs and n-GaAs.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＧａＡｓとｎ−ＧａＡｓ界面でのバンドギャップ差を最小化させることで、ｇｍの平坦性を改善させ、より低歪みな特性を実現させることの出来る電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The present invention also includes an electronic apparatus comprising a heat source (12), a heat sink (14), and a layer (16) of the moisture resistant, thermally conductive interface material disposed between and in contact with the heat source (12) and the heat sink (14).例文帳に追加

さらには、熱源（１２）、ヒートシンク（１４）、ならびに熱源（１２）とヒートシンク（１４）の間に、そして接触して配置された耐湿性の、熱伝導性材料層（１６）からなる電子装置を含む。 - 特許庁

The thickness of the Al layer may be 5 μm or larger and an Fe-Al alloy layer or Fe-Al-Si alloy layer having a thickness of 1 μm or larger exists at the interface between the Al layer and the steel material.例文帳に追加

Ａｌ層の厚みが５μｍ以上であり、Ａｌ層と鋼材との界面に、厚みが１μｍ以上のＦｅ−Ａｌ合金層又はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金層を有しても良い。 - 特許庁

To provide an information recording medium, wherein high reliability and satisfactory repetitive rewriting performance are secured, even if an interface layer is not provided in between the recording layer and the dielectric layer.例文帳に追加

記録層と誘電体層との間に界面層を設けなくても、高い信頼性と良好な繰り返し書き換え性能が確保された情報記録媒体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spectrochemical analysis device for analyzing the state of the surface of a sample under presence of an atmosphere medium, and to provide a spectrochemical analysis device for analyzing the state of the interface between materials receiving friction.例文帳に追加

雰囲気媒体の存在下での試料表面の状態を分析する分光分析装置、及び摩擦を受けている材料の間の界面の状態を分析する分光分析装置を提供する。 - 特許庁

The second light deflection liquid crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a second direction.例文帳に追加

第２の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第２の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁

To provide a seamless belt that reduces smoothness of an interface between the seamless belt and a surface protective layer and thereby reduces glossiness of the belt surface so that the glossiness change associated with the use of the belt is suppressed.例文帳に追加

シームレスベルトと表面保護層との界面の平滑性を低くし、ひいてはベルト表面の光沢度を低減し、使用に伴う光沢度変化を抑制することができるシームレスベルトを提供すること。 - 特許庁

To realize data transmission by an appropriate data transmission mode according to various use environments, in an interface card for a medium for data communication between a information processor and the medium.例文帳に追加

情報処理装置とメディア媒体との間でデータ通信を行うためのメディア媒体用インタフェースカードにおいて、種々の使用環境に応じて好適なデータ伝送モードによるデータ伝送を実現する。 - 特許庁

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.例文帳に追加

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁

A fabric agent chip plays a part as an interface between a first memory controller on a first cell board in the computer system and another memory controller on another cell board in the computer system.例文帳に追加

ファブリックエージェントチップは、コンピュータシステムにおける第１のセルボード上の第１のメモリコントローラとコンピュータシステムにおける他のセルボード上の他のメモリコントローラとの間のインタフェースとしての役割を果たす。 - 特許庁

The front most surface of a lower electrode 1 is made of a TiAlN film 3, and an oxide-based film 4, containing titanium oxide and aluminum oxide, is provided on an interface in between the TiAlN film 3 and the oxide dielectric film 5.例文帳に追加

下部電極１の最表面をＴｉＡｌＮ膜３とし、ＴｉＡｌＮ膜３と酸化物誘電体膜５との界面にチタン酸化物及びアルミ酸化物を含む酸化物系膜４を設ける。 - 特許庁

A metal plating layer 4a is formed also on the interface between the protruded electrode 3 of a portion formed in a region on the insulating base member 1 on opposite sides of the conductive wiring 2 and the insulating base member 1.例文帳に追加

導体配線２の両側の絶縁基材１上の領域に形成された部分の突起電極３の絶縁基材１との界面にも、金属めっき層４ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reliably secure mutual bonding intensity at a contact interface between an insulating layer and a wire buried into the insulating layer, and also a method for manufacturing the semi conductor device.例文帳に追加

絶縁層とその絶縁層への埋め込み配線とが接触する界面における相互の密着強度を確実に確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The distance from the position at which the net doping concentration of the N^+ first buffer layer 2 is maximum to the interface between the P^+ collector layer 3 and the second buffer layer 12 is determined to be 5 μm or more to 30 μm or less.例文帳に追加

また、Ｎ^+第１バッファ層２のネットドーピング濃度が極大の位置から、Ｐ^+コレクタ層３と第２バッファ層１２との界面までの距離を、５μｍ以上３０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁

Accordingly, the concentration profile PF1_MG of the p-type dopant becomes steep in the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 close to the interface between the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 and the active layer 17.例文帳に追加

故に、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍のｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５でｐ型ドーパントの濃度プロファイルＰＦ１_Ｍｇが急峻になる。 - 特許庁

The first light deflection crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a first direction.例文帳に追加

第１の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第１の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁

Control lines 6A to 6N of a cell available signal and control lines 7A to 7N of an enable signal are individually connected between the ATM layer function 1 and respective groups of subscriber interface functions 2A to 2N.例文帳に追加

セルアベイラブル信号の制御ライン６Ａ〜６Ｎと、イネーブル信号の制御ライン７Ａ〜７Ｎは、ＡＴＭレイヤ機能１と加入者インタフェース機能２Ａ〜２Ｎの各グループとの間に個別に接続される。 - 特許庁