「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, for example, when forming the solid electrolyte membrane on a positive electrode layer of a lithium battery, a resistance layer of hindering conduction of lithium is hardly formed on an interface between the positive electrode layer and the solid electrolyte membrane.例文帳に追加

そのため、例えば、リチウム電池の正極層の上に固体電解質膜を形成する場合、正極層と固体電解質膜との界面にリチウムの伝導を阻害する抵抗層が形成され難い。 - 特許庁

In the solar cell 1, a rectification barrier wall exhibiting diode characteristics is preferably formed on the interface between the semiconductor 4 and at least one of the first electrode 3 and the second electrode 5.例文帳に追加

太陽電池１では、第１の電極３または第２の電極５の少なくとも一方と半導体４との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。 - 特許庁

Then the interface between the semiconductor layer 13 and the base substrate 11 is irradiated with laser light to separate the semiconductor layer 13 from the base substrate 11 to form a nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、窒化物半導体基板を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer coating method which prevents an interface between layers from mixing by solvent diffusion even when using coating liquid having low viscosity, in the multilayer coating method using the organic solvent- based coating liquid.例文帳に追加

有機溶剤系の塗工液を用いた多層塗工方法において、低粘度の塗工液であっても層間の界面が溶剤拡散により混じらないようにした多層塗工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a developer carrier including a plural kinds of electrode members to which different voltages are applied, configured to prevent a leakage between the plural kinds of electrode members through an interface or toner.例文帳に追加

互いに異なる電圧が印加される複数種類の電極部材を備えた現像剤担持体において、その複数種類の電極部材間で界面やトナーを通じたリークが生じないようにする。 - 特許庁

The proton conductive composite film having a surface layer having favorable adhesion properties with an electrode is interposed between facing electrodes, and in this state, heat treatment is conducted to produce an MEA having a favorable joining interface.例文帳に追加

更に、電極と接着性の良い表面層を有するプロトン伝導性複合膜を対向電極間に挟持した状態で加熱処理して、接合界面が良好なＭＥＡを作製する。 - 特許庁

Further, the Cr film is formed having an area larger than the Ti or Ti compound film to prevent peeling caused at the interface between the both.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ膜またはＴｉ化合物膜とシリコン酸化膜との界面に生じる剥離を防止するため、Ｃｒ膜がＴｉ膜またはＴｉ化合物膜よりも大きな面積で形成された構造とする。 - 特許庁

An electric current flows between the electrodes 54, 55 by the contact, the current is detected with the ammeter 58, and the position of the upper interface of the raw material melt B is measured by the detection of the current.例文帳に追加

この接触により，電極５４，５５間に電流が流れ，電流計５８によって電流が検出され，その電流の検出により原料融液Ｂの上界面の位置が測定される。 - 特許庁

Among the protective layer 22 for carbon 21, a vicinity part of an interface between the protective layer 22 for carbon and the carbon 21 comprises silicon carbide, and a surface part of the protective layer 22 for carbon desirably comprises silicon oxide.例文帳に追加

カーボン保護層２２のうちカーボン保護層２２とカーボン２１との界面近傍部にはシリコンの炭化物を含み、カーボン保護層２２の表層部にはシリコンの酸化物を含むことが望ましい。 - 特許庁

On the interface between the ceramic part 15a and the inner wall surface 17 of the sidewall part 10d, a gap 16 is so formed that airtightness of a space forming the chip-mounting region is ensured.例文帳に追加

さらに、セラミック部１５ａと側壁部１０ｄの内壁面１７の界面には、前記チップ搭載領域を形成する空間の気密性が保持されるようにして隙間１６が形成されている。 - 特許庁

When the board selecting device selects the board, the communication control equipment establishes the communication between the signal transmitting/receiving part of the selected game control board and the signal transmitting/receiving part of the game interface device.例文帳に追加

通信制御装置は、基板選択装置が基板選択をしたら、選択したゲーム制御基板の信号送受信部とゲームインターフェース装置の信号送受信部との間の通信を確立する。 - 特許庁

A time division time slot given to one mobile station on an interface between a base station 5 and a mobile station 6 consists of a narrow band channel of 3.2 Kbps and a broad band channel of 32 Kbps.例文帳に追加

基地局５と移動局６との間のインタフェース上で、一つの移動局に与えられる時分割タイムスロットは３．２Ｋｂｐｓの低速チャネルと３２Ｋｂｐｓの高速チャネルとから構成されている。 - 特許庁

Then, in a state held at 800-850°C, the silicide layer is burned by wet oxidation method in the mixed atmosphere of the oxygen and the hydrogen in the state held at 800-850°C, and an oxide film is formed in the interface between the glass layer and the diffused layer.例文帳に追加

その後、８００〜８５０℃に保持した状態で酸素と水素の混合雰囲気中のウェット酸化法により、シリサイド層を燃焼させ、ガラス層と拡散層との界面に酸化膜を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a communication interface between a facility unit 300 and the relay unit 200 is not restricted and a facility coordination processing section 202 in correspondence to a connected facility is prepared so as to be compatible with a multi-protocol.例文帳に追加

また、設備装置３００と中継機２００との間の通信インタフェースについては特に限定せず、接続する設備に対応して設備連携処理部２０２を用意しマルチプロトコル対応可能とする。 - 特許庁

To provide an interactive interface for displaying a relationship between the result of the analysis of check data of blood or the like and the degree of health for spontaneous health care so that it is easily understandable for a client and a doctor.例文帳に追加

血液等の検査データを解析した結果と自発的健康管理のための健康度の関係をクライアントおよび医者などにわかりやすく表示するインタラクティブ・インタフェースを提供する。 - 特許庁

A movable contact is electrically coupled to the interface and the operating rod, in which the movable contact is movable between a first position in contact with the fixed contact and a second position separated from the fixed contact.例文帳に追加

可動接点はインターフェース及び動作ロッドに電気的に結合され、該可動接点は、固定接点と接触する第１の位置と、固定接点から離隔する第２の位置との間で移動可能である。 - 特許庁

To provide a wiring board equipped with a wiring layer, high in conductivity, even under a high frequency band of not lower than 1 GHz and that will not generate cracks or separation in an interface between the wiring layer and an insulating substrate.例文帳に追加

１ＧＨｚ以上の高周波帯でも導電率が高い配線層を具備し、配線層と絶縁基体との界面にクラックや剥離が発生することのない配線基板を提供する。 - 特許庁

To surely recognize the existence of a terminal device, when the terminal device is connected to a communication line, even if discrepancy of transmission rates occurs between the communication line and an interface part.例文帳に追加

通信回線とインタフェース部との間で伝送レートの不一致が生じても、通信回線に端末装置が接続されている場合に、確実に端末装置の存在を認識できるようにする。 - 特許庁

Since the second piezoelectric layer 72 contains the same lead zirconate titanate as a third piezoelectric layer 73 formed on the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 formed on the lower electrode 60, a composition unstable phase can be made hard to be generated in the vicinity of an interface between the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 and in the vicinity of an interface between the second piezoelectric layer 72 and the third piezoelectric layer 73.例文帳に追加

第２圧電体層７２が、下電極６０に形成された第１圧電体層７１および第２圧電体層７２上に形成される第３圧電体層７３と同じチタン酸ジルコン酸鉛なので、第１圧電体層７１と第２圧電体層７２との界面付近および第２圧電体層７２と第３圧電体層７３との界面付近で組成不安定相を生じにくくできる。 - 特許庁

A layer formed of polyethylene terephthalate is laminated on the front and rear surfaces of a layer formed of polyolefin, a void is densely formed on the interface between the layer formed of polyethylene terephthalate and the layer formed of polyolefin, the polyolefin is polyethylene or admar (R) SE800, and the sizes of the voids formed on the interface between the layer formed of polyethylene terephthalate are 5-100 μm.例文帳に追加

ポリオレフィンからなる層の表裏両面にポリエチレンテレフタレートからなる層が積層されており、該ポリエチレンテレフタレートからなる層の該ポリオレフィンからなる層との界面に空隙が密に形成されており、該ポリオレフィンがポリエチレンまたは三井化学株式会社のアドマーＳＥ８００であり、該ポリエチレンテレフタレートからなる層との界面に形成されている空隙の大きさが５〜１００μｍである易層間剥離性シート。 - 特許庁

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。 - 特許庁

The image recording device which has the image buffer 3 for one or more images has a control unit 20 to which the buffer 3 is connected and a buffer main body 3 individually and is provided with an interface unit 30 which mediates between the control unit 20 and buffer main body 3 between both.例文帳に追加

１画像分以上の画像バッファ３を持つ画像記録装置において、前記バッファ３を接続する制御ユニット２０とバッファ本体３を個別に持ち、制御ユニット２０とバッファ本体３の間に両者の仲介を行なうインタフェースユニット３０を設けて構成する。 - 特許庁

The read durability can be improved by introducing a thermally stable diffusion prevention layer between a signal reading layer comprising Sb or Te and a protection layer to block or regulate reaction due to temperature rise in the interface between the signal reading layer and the protection layer.例文帳に追加

本願発明においては、Ｓｂ又はＴｅから成る信号再生機能層と保護層との間に、熱的に安定な拡散防止層を導入することにより、信号再生機能層と保護層界面の昇温に伴う反応を阻止または抑制し、再生耐久性を上げることができる。 - 特許庁

To provide a power supply/demand system configured to provide charge/discharge control between a facility and a vehicle which can provide charge/discharge control between both by forming a universal interface even if facility side and vehicle side configurations are not prescribed ones.例文帳に追加

施設と車両との間で充放電制御を行うものにおいて、施設側および車両側の構成が予め規定されたものでない場合であっても、統一的なインターフェースを形成することで両者間での充放電制御を可能とする電力需給システムを提供する。 - 特許庁

The interface chip IF has a data input/output terminal 16, an input buffer 52 provided between the data input/output terminal and the through electrode TSVW, and an output buffer 51 provided between the data input/output terminal 16 and the through electrode TSVR.例文帳に追加

インターフェースチップＩＦは、データ入出力端子１６と、データ入出力端子と貫通電極ＴＳＶＷとの間に設けられた５２入力バッファと、データ入出力端子１６と貫通電極ＴＳＶＲの間に設けられた出力バッファ５１とを有する。 - 特許庁

The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.例文帳に追加

Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁

To prevent thermal fatigue from occurring owing to temperature variation in water supply nozzles or in thermal sleeves inside thereof by suppressing the effect of temperature variation disturbance on an interface between high-temperature and low-temperature water formed in an annular flow path between the supply nozzles and the thermal sleeves of a nuclear-reactor pressure vessel.例文帳に追加

原子炉圧力容器の給水ノズルとサーマルスリーブとの間の環状流路に形成される高低温水界面への温度変動外乱の影響を抑制し、温度変動による熱疲労が給水ノズルや、その内側のサーマルスリーブに生じることを防止する。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体装置は、ｐ型ＧａＮウエル層７と電子供給層８との界面に形成された２次元電子ガス１８を有し、２次元電子ガス１８とｎ型ＧａＮドリフト層６との間に、ｐ型ＧａＮウエル層７の導電型を反転させるＭＯＳ型ゲートを有する。 - 特許庁

To solve the problem that although Bi which is a main component of a joining material has a low ductility and is used as a joining material for a joining part between a power semiconductor element and a lead frame, peeling is easy to occur on the interface between a mold resin and the joining part when a repeated stress is applied by heat cycle.例文帳に追加

接合材料の主成分であるＢｉは、延性が低いことから、パワー半導体素子とリードフレームとの間の接合部の接合材料に用い、ヒートサイクルによる繰り返し応力が加わると、モールド樹脂と接合部との界面で剥離が発生しやすくなる。 - 特許庁

The graded semiconductor layer between a GaN layer 120 and an AlGaN layer 118 of the nitride-based semiconductor laser structure 100 reduces the threshold voltage of the laser structure by reducing the electric potential barrier at an interface between the GaN layer 120 and the AlGaN layer 118.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ構造１００のＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との間の勾配つき半導体層は、ＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との界面における電位障壁を低減することで、レーザ構造の閾値電圧を低減する。 - 特許庁

Consequently, by burning soot on the interface between the first electrode and an oxygen ion conductor (by a mixed potential reaction) at a controlled temperature of 300-550°C, a soot concentration in measuring gas can be detected by an electromotive force generated between both electrodes 9, 11.例文帳に追加

よって、３００℃〜５５０℃の温度に制御して、第１電極−酸素イオン導電体界面にて（混合電位反応によって）煤を燃焼させることにより、両電極９、１１間に発生する起電力によって、被測定ガス中の煤濃度を検出することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection circuit substrate which assures the sufficient adhesive strength of an interface between a conductor layer and a thermosetting adhesive layer to be laminated to enhance connecting strength between the conductor layer, and thereby manufactures the multilayer interconnection circuit substrate having high reliability.例文帳に追加

積層される導体層と熱硬化性接着剤層との界面の十分な接着強度を確保して、各導体層間での接続強度を高め、これによって、信頼性の高い多層配線回路基板を製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By this setup, the protective member is capable of effectively stopping matter from penetrating into the interface between the dissimilar layers, preferably between the insulating layer and the adhesive layer of the outer peripheral part of the wiring board, and concretely the wiring board is capable of restraining a reduction in adhesive strength and delamination after PCT.例文帳に追加

これにより、外周部の異種材料の層の界面、好ましくは絶縁層と接着層の層の界面に侵入する物質を堰き止める効果を有するものであり、具体的にはＰＣＴ後の密着強度の低下や界面剥離を抑えることが可能となる。 - 特許庁

The antireflection layer 138 has a refractive index n between the refractive index of the first layer and the refractive index of the second layer; and has a thickness of λ/4n when λ represents a wavelength of the light-emitting element, whereby a reflection loss at the interface between the barrier layer 137 and the organic intermediate layer 139 can be reduced.例文帳に追加

反射防止層１３８は、第１層の屈折率と、第２層の屈折率と、の間の屈折率ｎを備え、発光素子波長をλとした場合λ／４ｎの厚さを備えることで、バリア層１３７と有機中間層１３９界面での反射損失低減を可能とした。 - 特許庁

To provide a front luminescence organic electroluminescent display apparatus which suppresses the failure property in which brightness between pixels is unstable at an interface between a transparent electrode layer and a reflection layer forming a reflection electrode because of contact resistance, and also to provide a method of manufacturing the display apparatus.例文帳に追加

本発明は、反射電極を構成する透明電極層と反射層間の界面での不安定なコンタクト抵抗によるピクセル間の輝度が不均一になる不良特性を改善した前面発光有機電界発光表示装置及びこれの製造方法を提供する。 - 特許庁

By mounting electronic components 3 near the corners 6 of a semiconductor element 2, a resin 5 put between a substrate 12 and the semiconductor element 2 is caused to creep up on a clearance 14 between the semiconductor element 2 and the electronic components 3 to coat the interface 2e with the resin 5.例文帳に追加

電子部品３を半導体素子２の角部６近傍に装着することによって、基板１２と半導体素子２との間に充填した樹脂５を半導体素子２と電子部品３との間の隙間１４へ這い上がらせ、界面２ｅを樹脂５で覆うようにするものである。 - 特許庁

Further, the amount of the electric charges implanted into the interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1 at this time, so the current between the drain electrode 3 and source electrode 4 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1.例文帳に追加

しかも、このときゲート絶縁層１に印加される圧力に応じて、ゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に注入される電荷の量が変化するため、ゲート絶縁層１に印加される圧力に応じてドレイン電極３及びソース電極４間の電流が変化する。 - 特許庁

A non-adhesive layer 11 and an intermediate rubber layer 12 are arranged in order between a second inside carcass layer 8 and a buffer layer 9, and an interface between the non-adhesive layer 11 and the second inside carcass layer 8 is made to communicate with a leakage detecting means 3 disposed at a hose axial end.例文帳に追加

第２内側カーカス層８とバッファ層９との間に非接着層１１と中間ゴム層１２とを順に配置すると共に、非接着層１１と第２内側カーカス層８との界面をホース軸方向端部に設置された漏洩検知手段３に連通させる。 - 特許庁

With the heat treatment of the laminated structure of Mo/Pd, a Pd-Ga compound is formed at the interface between the Pd layer and the group-III semiconductor, carrier concentration of the group-III nitride semiconductor increases and thereby contact resistance between the electrode and the group-III nitride semiconductor is maintained to a lower value.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｐｄ積層構造体で熱処理することで、Ｐｄ層とＩＩＩ族窒化物半導体界面にＰｄ−Ｇａ化合物が形成されるとともに、ＩＩＩ族窒化物半導体のキャリア濃度が増大し、電極とＩＩＩ族窒化物半導体の間のコンタクト抵抗が低く保たれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As shown in figure 1 (c), anode electrodes 4a and 4b are pressed and hit with the tips of a pair of probes PI and P2 so that a pulse current is applied between the anode electrodes 4a and 4b, forming an ohmic junction at the junction interface between a P-type semiconductor layer 3 and the anode electrodes 4a and 4b.例文帳に追加

図１(c)に示すように、アノード電極４ａ，４ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、アノード電極４ａ，４ｂ間にパルス電流が印加されることにより、Ｐ型半導体層３およびアノード電極４ａ，４ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁

The length of a backflow preventive material layer between the inside diameter of the maximum circumscribed circle of the liquid container filled with a backflow preventive material corresponding to the wetting height of the backflow preventive material, or the width of the clearance between the inner wall of the container and the outer wall of a float, the tip part of the float and the liquid interface is regulated.例文帳に追加

逆流防止体の濡れ高さに応じて逆流防止体が充填される、液容器の最大外接円の内径または、液容器内壁と浮体外壁との隙間の幅と浮体の先端部と液界面との間である逆流防止体層の長さを規定する。 - 特許庁

The apparatus further has additional interfaces 3b to 3g or 6a to 6f for one of two lines, the faces being different from interfaces between the first connector and the lines, parallel to the direction along which electric current for the line flows, and different from a lateral interface between an insulating material and the line.例文帳に追加

この装置は、第１の接続体との線路の境界面とは異なり、かつ線路の電流が流れる方向に平行であって、絶縁材料と線路の横方向の境界面とは異なった、２つの線路の１つの追加の境界面３ｂから３ｇ；６ａから６ｆをさらに有する。 - 特許庁

A translucent material 15 having a high refractive index is filled between the one face 10a of the translucent substrate 10 and a support substrate 19 with the shielding conductive layer 18 formed thereon, so that no reflective interface exists between the translucent substrate 10 and the shielding conductive layer 18.例文帳に追加

また、透光性基板１０の一方面１０ａと、シールド用導電層１８が形成された支持基板１９との間には高屈折率の透光性材料１５が充填されているため、透光性基板１０とシールド用導電層１８との間には、反射性の界面が存在しない。 - 特許庁

Since there is no connection portion between the end surface of the via conductor 4 with a comparatively weak connecting strength and the external wiring 7a in the interface between the ceramic wiring substrate 1 and the lowest layer of the insulating resin layer 2, whose thermal stress tends to increase, the possibility of wire fracture is reduced.例文帳に追加

熱応力が大きくなるセラミック配線基板１と最下層の絶縁樹脂層２との界面に、比較的接続強度の弱いビア導体４の端面と外部配線７ａとの接続部を有さないので、配線が破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 - 特許庁