「interface between」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which is improved in resistance to breaking of a wire resulting from peeling caused on an interface between a wiring pattern of a wiring substrate and a sealing pattern due to thermal stress generated in soldering packaging.例文帳に追加

はんだ付け実装での熱ストレスにより、配線基板の配線パターンと封止樹脂との界面で剥離が発生し、ワイヤーが切断することに対する耐性を向上せしめた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A clock output source is changed between clock output from the clock input/output terminal 24 of the synchronous type serial communication interface 20 and clock output from the terminal 28 of the general purpose input/output port 22.例文帳に追加

同期式シリアル通信インターフェース２０のクロック入出力端子２４からのクロック出力と、汎用入出力ポート２２の端子２８からのクロック出力との間で、クロック出力元を切り替えるようにした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a capacitor which can improve electrical characteristics by minimizing interface defect between a lower electrode and a dielectric film caused by invagination of impurities such as polymer during electrochemical deposition.例文帳に追加

電気化学蒸着の時、ポリマーなどの不純物の陷入による下部電極と誘電体膜との間の界面欠陥を最小化して電気的特性を向上させることのできるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative active material for a lithium secondary battery, having high interface stability between a negative electrode and an electrolyte and capable of using both of an aqueous binder and a nonaqueous binder, and to provide a manufacturing of the material.例文帳に追加

負極及び電解質の間の界面安定性が優れていて、水系及び非水系バインダーの両方を使用することができる、リチウム二次電池用負極活物質、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加

第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁

To suppress a formation of a silicon oxide in an interface between a titanium oxide and a silicon substrate and to suppress an increase in a leakage current in a semiconductor device having MOS transistors each having a titanium oxide gate insulating film.例文帳に追加

酸化チタンゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタが形成された半導体装置において、酸化チタンとシリコン基板との界面における酸化シリコンの形成を抑制し、かつリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12.例文帳に追加

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。 - 特許庁

To realize scanning of white or color original, without having to boost the interface signal, between controllers in a copy-print composite apparatus which requires plural times of scanning for formation of a color image.例文帳に追加

カラー画像形成に複数回数のスキャンを必要とする構成となっているコピー、プリント複合装置において、コントローラ間のインターフェース信号を増大させることなく、白黒、カラー原稿のスキャン動作を可能とする。 - 特許庁

To provide an optical control element which suppresses reflected light generated by an interface between a carbon nanotube and a body having a different refractive index from the carbon nanotube, and to provide an optical control unit using the optical control element.例文帳に追加

カーボンナノチューブと、このカーボンナノチューブと異なる屈折率を有するものとの界面で生ずる反射光を抑える光制御素子およびこの光制御素子を用いた光制御装置を実現することにある。 - 特許庁

Imprecisely located defects are imaged by milling a series of slices and performing a light, preferential etching to provide a topographical interface between materials having similar secondary electron emission characteristics.例文帳に追加

不正確に発見された欠陥が、一連のスライスをミリングし、軽い優先的エッチングを行って、類似する二次電子放出特性を有する材料間の形状的界面を提供することによって画像化される。 - 特許庁

To avoid the name collision of a control method used under an ACPI specification for defining a main run time interface between most operating system (OS) software and the system firmware/hardware of a modern computer.例文帳に追加

現代のコンピュータのほとんどのオペレーティングシステム（ＯＳ）ソフトウェアとシステムファームウェア／ハードウェアとの間の主要なランタイムインターフェースを定義するＡＣＰＩ仕様の下で使用される制御メソッドの名前の衝突を回避する。 - 特許庁

In the transistor, a carrier storing layer is also formed by utilizing the discontinuous section of a conduction band existing in the hetero interface between the layers 14n and 13n, and electrons run through the carrier accumulating layer by using the layer as a channel.例文帳に追加

このＳｉＧｅＣ層１４ｎとＳｉ層１３ｎとのヘテロ界面に存在する伝導帯の不連続部を利用したキャリア蓄積層が形成されており、このキャリア蓄積層をチャネルとして電子が走行する。 - 特許庁

To provide a method for preventing peeling in an interface between an insulating film layer of especially a low dielectric constant and a diffusion preventing film layer when wiring is formed on the insulating film layer of a low dielectric constant by a damascene method.例文帳に追加

低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a measurement device which can highly precisely measure a respiration rate in a state including the influence of oxygen supply from an interface between a liquid phase region and a gas phase region on the liquid phase region to the liquid phase in a culture tank.例文帳に追加

培養槽内部における液相領域と該液相領域の上の気相領域との界面から液相内への酸素供給の影響を含み、かつ、精度高く呼吸速度を計測可能とする。 - 特許庁

To provide a photoreceptor which resists deterioration of photoconductive layers, particularly a photoreceptor which maintains the integrity of an interface between a substrate and photoconductive layers over a long period of time and can extend the lifetime thereof.例文帳に追加

光導電層の劣化に抵抗するフォトレセプタ、特に長期にわたり基板と光導電層との間の界面の完全性を維持し、フォトレセプタの寿命を延長することができるフォトレセプタを提供する。 - 特許庁

In the molten metal vessel composed of the monolithic refractory 3, permanent brick 2 and an iron shell 1, in order from the inside, the monolithic refractory has the joining interface 4 between the monolithic refractories 3 over the whole thickness of the monolithic refractory 3.例文帳に追加

内側から順に不定形耐火物、パーマレンガおよび鉄皮からなる溶湯容器において、該不定形耐火物が不定形耐火物の全厚に亘る不定形耐火物同士の接合界面を有するものである。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which, when a CPU of which the interface is not disclosed is utilized for a controller of the image forming apparatus, performs image formation processing at high speed by appropriately exchanging data between a chip set and an engine of the CPU.例文帳に追加

インターフェースが公開されていないＣＰＵを画像形成装置のコントローラに利用する場合に、ＣＰＵのチップセットとエンジン部との間のデータ授受を適切におこない、高速に画像形成処理をおこなうこと。 - 特許庁

The core 201 and clads 202, 203 are configured so that a total reflection critical angle at an interface between the core 201 and clads 202, 203 is smaller than a Bragg angle caused by periodicity of the one-dimensional periodic structure.例文帳に追加

コア２０１とクラッド２０２，２０３は、コア２０１とクラッド２０２，２０３の界面での全反射臨界角が１次元周期構造の周期性に起因するブラッグ角よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁

In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified.例文帳に追加

コンタクト層６だけをストライプとして形成し、ストライプ幅Ｌ_１、長さＬ_２、コンタクト層と上部クラッド層５界面から活性層４までの厚さＬ_３、活性層の幅Ｌ_４を規定している。 - 特許庁

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

Utilizing the fact that the temperature of a wafer 15 increases abruptly at transition from a hardened layer to an unhardened layer during ashing, interface between the hardened layer and the unhardened layer is detected by providing a temperature probe 1 which makes contact with the wafer 15.例文帳に追加

アッシング中に硬化層から非硬化層に至るときウェハ１５の温度が急激に上昇することを利用して、ウェハ１５と接触する温度プロ−ブ１を設け、硬化層と非硬化層の界面を検出する。 - 特許庁

To improve sensitivity of a photodetector and prevent degradation of characteristics in an optical system of light pick-up by reducing reflection of incident light from an outside in an interface between a package surface in a light receiving side and an air layer.例文帳に追加

受光側のパッケージ表面と空気層との界面において、外部からの入射光の反射を低減して、受光素子の高感度化を図り、さらに、光ピックアップの光学系における特性劣化を防ぐ。 - 特許庁

To prevent occurrences of air bubbles on an adhesion interface between a double-side adhesive material and a rotating roller, and prevent a defect such as an adhesion failure and a display failure of a rubbing material, in a rubbing apparatus of a substrate for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用基板のラビング装置において、両面粘着材と回転ローラーの接着界面に発生する気泡を防止し、ラビング材の接着不良や表示不良といった不具合を防止する。 - 特許庁

To reduce stresses at a welded part of a cover and an interface part between a cover fixing surface and a cover body and restrict its deformation to improve durability when a forward or rearward bonding moment acts against an axle case.例文帳に追加

車軸ケースに前後曲げモーメントが作用した際に、カバー溶接部と、カバーの取付面部およびカバー本体部の境界部とにおける応力を低減させ、変形を抑えると共に耐久性を向上させる。 - 特許庁

The core 103, and the claddings 101, 102 are configured in such a manner that the critical angle for total reflection on an interface between the core 103 and the claddings 101, 102 is larger than a Bragg angle resulting from a periodicity of the one-dimensional periodic structure.例文帳に追加

コア１０３とクラッド１０１，１０２は、コア１０３とクラッド１０１，１０２の界面での全反射臨界角が１次元周期構造の周期性に起因するブラッグ角よりも大きくなるように構成されている。 - 特許庁

To effectively prevent cracking from occurring in the vicinity of a bonding interface between a heating base 11 and a support member 13, where a heating device has the heating base 11 and the support member 13 bonded to the heating base 11.例文帳に追加

加熱基体１１と、この加熱基体１１に接合された支持部材１３とを有する加熱装置において、加熱基体１１と、支持部材１３との接合部近傍にクラックが発生することを効果的に防止する。 - 特許庁

To provide a device monitoring control information transferring method capable of transmitting and receiving device monitoring control information corresponding to information to be transferred by an overhead of a SONET (synchronous optical network)/SDH (synchronous digital hierarchy) between devices that use ethernet as an interface.例文帳に追加

イーサネットをインタフェースとする装置間で、ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨのオーバーヘッドで転送される情報に対応する装置監視制御情報を送受信できる装置監視制御情報転送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method and a substrate processing apparatus for effectively forming a barrier layer including a high quality Ti film even under a low temperature and forming also a TiSi_x film, in a self-aligning manner, in an interface region between the Ti film and an underlayer thereof.例文帳に追加

低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成することができ，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉ_ｘ膜を形成することができる。 - 特許庁

A CPU 204 updates the object information stored by the storage medium 203 based on a result of comparison between the object information received by the communication interface 205 and the object information stored by the storage medium 203.例文帳に追加

ＣＰＵ２０４は、通信インタフェース２０５が受信したオブジェクト情報と、記憶媒体２０３が記憶するオブジェクト情報とを比較した結果に基づいて、記憶媒体２０３が記憶するオブジェクト情報の更新を行う。 - 特許庁

When the optical recording medium is irradiated with an optical beam, optical modulation is caused near the interface between the transparent layer 30 and the reflecting layer 40 and a translucent reflecting region 35 which acts as a recording spot is formed.例文帳に追加

光記録媒体が光学ビームに照射されると、透明層３０と反射層４０との界面近くに、光学変調を生じ、記録点として作用する半透明反射領域３５が形成される。 - 特許庁

The light reflected at the interface of the surface side is reflected at the reflecting face of the substrate 10 of high reflectivity, and emitted also from the surface of the light translucent sealing resin between the LED tips 11 as the reflected light.例文帳に追加

表面側の界面で反射した光は、基板１０表面の高反射率の反射面で反射し、ＬＥＤチップ１１間の透光性封止樹脂の表面からも反射光として出射される。 - 特許庁

The behavior of a light beam 330 and a light beam 330' is shown, the light beam 330 is mainly reflected at the interface between the air and a plastic on the surface 322 of a chamber 310, and the light beam 330' is mainly refracted at the surface 322.例文帳に追加

光線３３０および光線３３０’の挙動を示し、光線３３０は主に室３１０の表面３２２で空気／プラスチックインターフエースで反射し、かつ光線３３０’は表面３２２で概ね屈折する。 - 特許庁

Then, with an interface 812 between the first portion 808 and a second portion 810 as an etch stop plane, the second portion 810 is removed and the first portion 808 remains as a piezoelectric thin film as shown in Fig.3.例文帳に追加

すると、第１の部分８０８と第２の部分８１０との界面８１２がエッチストップ面となり、図３に示すように、第２の部分８１０が除去され第１の部分８０８が圧電体薄膜として残存する。 - 特許庁

To provide a method and a device quickly and easily measuring foam characteristics such as the position of the interface between a foam layer and a liquid layer, the volume of the foam layer, and the specific gravity in sparkling drink.例文帳に追加

発泡飲料における、泡沫層と液体層との界面の位置、泡沫層の体積、あるいは、比重といった泡沫特性を、迅速且つ簡便に測定することが可能な方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

It is desirable to further incorporate ≤15%, in total, of either or both of Sn and Si into the galvanizing layer, and further, it is desirable to provide a precoating layer containing either or both of Ni and Co to the interface between the galvanizing layer and base steel sheet.例文帳に追加

めっき層に更にＳｎ，Ｓｉの１以上を合計で１５％以下含有すること、更にはめっき層と地鉄の界面にＮｉ，Ｃｏの１以上を含有するプレめっき層を有することが望ましい。 - 特許庁

An interface 21 is supplied at least a part of internal signal which is transmitted and received between the flash memory and the controller, is configured to recognize it, and outputs the at least the part of internal signal of an input signal.例文帳に追加

インターフェース２１は、フラッシュメモリとコントローラとの間で授受される内部信号の少なくとも一部を供給され且つ認識可能に構成され、内部信号の少なくとも一部を入力信号として出力する。 - 特許庁

An integrated API (application program interface) management mechanism 34 manages correspondence between an integrated unique API and an individual unique API and accesses the individual unique API in response to access to the integrated unique AP from the application 20.例文帳に追加

統合ＡＰＩ管理機構３４は、統合固有ＡＰＩと個別固有ＡＰＩとの対応を管理しておき、アプリケーション２０からの統合固有ＡＰの呼び出しに応じて、個別固有ＡＰＩの呼び出しを行う。 - 特許庁

This battery 1 is equipped, between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15, with a buffer layer 16 for buffering deviation of lithium ions in the vicinity of the interface of these both layers, and the density of the positive electrode layer 13 is 70 to 90% of the theoretical density.例文帳に追加

この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備え、正極層13の密度が、理論密度の70〜90％である。 - 特許庁

By using the film deposition system having such a film deposition chamber, impurity contamination between the functional areas can be prevented and the organic film in which an energy gap in the interface is relaxed can be deposited.例文帳に追加

このような成膜室を有する成膜装置により、機能領域間の不純物汚染を防ぎ、さらに、界面におけるエネルギーギャップを緩和した有機化合物膜を形成することができるという成膜装置に関する。 - 特許庁

An emulator 2 loads a simple program which a CPU 11 of a target system 1 uses to perform communications between an interface part 14 for the emulator and a flash memory 12 into a free storage area of a RAM 13 of the target system 1.例文帳に追加

ターゲットシステム１のＣＰＵ１１が、エミュレータ用インターフェース部１４とフラッシュメモリ１２との通信を行うための簡易プログラムを、エミュレータ２がターゲットシステム１のＲＡＭ１３の空き記憶エリアにロードさせる。 - 特許庁

A heat source 43 that radiates heat toward the center of the lower surface of an ingot 25 in the silicon melt 12 below the solid/liquid interface 26 between the ingot 25 pulled up from the melt 12 and the silicon melt 12 is provided.例文帳に追加

シリコン融液１２から引上げられるインゴット２５とシリコン融液１２との固液界面２６より下方のシリコン融液１２中でインゴット２５下面の中心に向って放熱する熱源４３が設けられる。 - 特許庁

To form a resist pattern with high accuracy even on an underlayer film including a basic substance by controlling an oxygen deficiency/activity phenomenon at the interface between the underlayer film including a basic substance and a chemically amplified resist formed thereon.例文帳に追加

塩基性物質を含む下地膜とその上に形成される化学増幅型レジストとの界面における酸失活現象を抑制し、塩基性物質を含む下地膜上でも精度の高いレジストパターンを形成する。 - 特許庁

As an interface for exchanging image data between a memory controller for controlling the image memory for storing image data reading an original and external equipment, both SCSI and IEEE139 can be utilized.例文帳に追加

原稿を読み取った画像データを記憶する画像メモリを制御するメモリコントローラと外部機器との間で画像データのやり取りを行うインターフェイスとして、ＳＣＳＩとＩＥＥＥ１３９４の両方を利用できる。 - 特許庁