「lower third」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A first conductor 27 to a fourth conductor 30 are spirally wound, the first, second, third and fourth conductors 27, 28, 29, 30 are disposed approximately in parallel, and the magnetic permeability of a second insulator layer 22 is set lower than those of a first insulator layer 21 and a third insulator layer 23.例文帳に追加

第１の導体２７乃至第４の導体３０を渦巻き状とし、第１の導体２７と第２の導体２８および第３の導体２９と第４の導体３０はほぼ並行に配置され、加えて、第２の絶縁体層２２が第１の絶縁体層２１、第３の絶縁体層２３よりも透磁率を低くしたものである。 - 特許庁

A first layer 7 coming into contact with the base member 2 and third layers 13 being lower most layers in the plurality of bosses 10 in the electroconductive layer 9 are formed by functional plating respectively, and fourth layers 14 being the layers other than the third layers 13 in the plurality of bosses 10 are formed by electroforming.例文帳に追加

導電層９においてベース部材２に接する第１の層７と複数の突起１０における最下層である第３の層１３とは各々機能めっきによって形成され、複数の突起１０における第３の層１３以外の層である第４の層１４は電鋳によって形成されている。 - 特許庁

Partition walls 11 and 12 are arranged in an intermediate portion and a lower end side portion of one header pipe 1 to form a first passage, a second passage and a third passage in a heat exchanger body 10, and a coupling member 5 for coupling the header pipe 1 with a liquid receiver body 20 is joined to a common region of the second and third passages in the header pipe 1.例文帳に追加

一方のヘッダーパイプ１の中間部位及び下端側部位に仕切壁１１，１２を設け、熱交換器本体１０に第１流路と第２流路及び第３流路を形成し、ヘッダーパイプ１と受液器本体２０を連結する連結部材５をヘッダーパイプ１の第２及び第３流路の共有領域に接合する。 - 特許庁

When a lower electrode, first, second, and third ferroelectric films, and an upper electrode are formed in order (steps S1 to S5), the first and third ferroelectric films are formed thinner than the second ferroelectric film by adding predetermined elements, and the second ferroelectric film is formed without adding such elements.例文帳に追加

下部電極、第１，第２，第３の強誘電体膜および上部電極を順に形成する際（ステップＳ１〜Ｓ５）、第１，第３の強誘電体膜は、所定の元素を添加して、第２の強誘電体膜より薄く形成し、第２の強誘電体膜は、そのような元素を添加せずに形成する。 - 特許庁

Then, the article information demodulated from the first bar code, and changed information demodulated from the third bar bode are output to the supervising device, when one is the first bar code, and when the other is the third bar code of which the figure number is lower than the that in the first bar code, and recorded with the changed information of the article information.例文帳に追加

これに対し、一方が第１のバーコードであり、他方が第１のバーコードより桁数が少なく商品情報の変更情報が記録された第３のバーコードであるときには、第１のバーコードから復調された商品情報と第３のバーコードから復調された変更情報とを上位装置に出力する。 - 特許庁

This circuit is provided with a pair of third switching elements 10, 11 operated so that the other end of a magnetic head 6 of which a current source is separated by a pair of first switching elements 3, 4 for a fixed time after switching the first switching elements 3, 4 constituting a lower side arm is connected to a third power source end 20.例文帳に追加

下側アームを構成する第１のスイッチング素子対３，４の切り換わり後の一定時間に第１のスイッチング素子対３，４によって電流源が切り離された磁気ヘッド６の他端を第３の電源端子２０に接続するよう動作する第３のスイッチング素子対１０，１１を備えた。 - 特許庁

In configuring the lower electrode 13x of the non-linear element 10x and a tantalum wiring 13y thereof, a second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y which contain no nitrogen are laminated over a first tantalum layer 131x and a lower tantalum layer 131y which contain nitrogen, and a nitrogen-containing third tantalum layer 133x and a lower tantalum layer 133y are formed thereon.例文帳に追加

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘおよびタンタル配線１３ｙを構成するにあたって、窒素含有の第１タンタル層１３１ｘおよび下層タンタル層１３１ｙの上層に、窒素を含有しない第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙを積層し、その上層に窒素含有の第３タンタル層１３３ｘおよび下層タンタル層１３３ｙを形成する。 - 特許庁

In dehumidifying heating operation, when the temperature Tam outside of the cabin is a predetermined temperature T1 or lower, or when the temperature Thex of a refrigerant flowing out of an outdoor heat exchanger 22 is a predetermined temperature T2 or lower and when the detecting temperature Te of a cooling air temperature sensor 44 becomes the temperature Tet-β or lower, a third solenoid valve 25c is closed.例文帳に追加

除湿暖房運転時において、車室外の温度Ｔａｍが所定温度Ｔ１以下の場合、または、室外熱交換器２２から流出する冷媒の温度Ｔｈｅxが所定温度Ｔ２以下の場合で、冷却空気温度センサ４４の検出温度Ｔｅが温度Ｔｅｔ−β以下となった場合に第３電磁弁２５ｃを閉鎖するようにしている。 - 特許庁

The chip 4 as a workpiece is held in a chip holding space 121 composed of the first conical hole 12 formed to the holder lower plate 1, and the third conical hole 22 formed to the holder upper plate 2 under a movable state.例文帳に追加

ホルダー下板１に設けられた第１の円錐孔１２と、ホルダー上板２に設けられた第３の円錐孔２２とからなるチップ保持空間１２１に、被処理物であるチップ４が可動状態で保持されている。 - 特許庁

A first elastic member 23 extended along with the lower edge 13 of the front body sheet 2 crosses a third elastic member 39 of the pad 4 near the top part 42 and falls down toward the back side of the diaper 1.例文帳に追加

前胴周りシート２の下縁１３に沿って延びる第１弾性部材２３が頂部４２の近傍でパッド４の第３弾性部材３９と交差するとともに、おむつ１の後方へ向かって下降している。 - 特許庁

A P-type fourth semiconductor layer 15 is formed on an inner surface of the fourth recess part 53a so as to generate a fifth recess part 54a being smaller than the fourth recess part 53a; and has a fourth impurity concentration lower than the third impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第４半導体層１５は、第４凹部５３ａの内面にそれより小さい第５凹部５４ａを生じるように形成され、第３不純物濃度より低い第４不純物濃度を有する。 - 特許庁

In the lower part thereof a third, a fourth, and a fifth board 9, 11, 13 are installed reducing the diameters gradually, and each of them is fitted with a plurality of light emitting diodes 19, 21, 23 in such a way as directed down gradually.例文帳に追加

更にその下部には徐々に径の小さくなる第３、第４、第５基盤９、１１、１３が設けられ、夫々に複数の発光ダイオード１９、２１、２３が徐々に下側に向くように取り付けられる。 - 特許庁

A first etching stopper film 107, a first interlayer insulating film 106, a second etching stopper film 105, a second interlayer insulating film 104 and a third interlayer insulating film 103 are stacked on a lower wiring layer 108.例文帳に追加

下層配線層１０８上に第一エッチングストッパ膜１０７、第一層間絶縁膜１０６、第二エッチングストッパ膜１０５、第二層間絶縁膜１０４、および第三層間絶縁膜１０３を積層する。 - 特許庁

A height of the lower layer plug 15 is made to be a third or less of a contact hole 13 and approximately 50 nm, thereby preventing the copper in the upper layer plug 16 from diffusing toward the silicon substrate 1 while reducing a resistance value.例文帳に追加

下層プラグ１５の高さをコンタクトホール１３の１／３以下で、５０ｎｍ程度とすることで、抵抗値を低下させつつも上層プラグ１６の銅がシリコン基板１側に拡散するのを防止することができる。 - 特許庁

After the sub assembly is inserted into a wedge hole 31 on the lower surface of the moving column member 3, the third wedge 65 is fixed to the moving column member 3 with two bolts 651, thereby completing the assembly work for the column clamp 6.例文帳に追加

このサブアセンブリを移動コラム部材３下面のウェッジ穴３１に挿入した後、第３ウェッジ６５を２本のボルト６５１によって移動コラム部材３に固定すれば、コラムクランプ６の組み付け作業が完了する。 - 特許庁

The fixing bolts 36a and 36b are set at positions of substantially equal distance to the print head 31 in the horizontal direction, and the third fixing bolt 36c is set at a position deviated from the center of the print head 31 at the lower end part of the base 33.例文帳に追加

前記固定ボルト36a、36bは印字ヘッド31を中心として水平方向に略等距離の位置に設定し、前記第３固定ボルト36c は、ベース33の下端部であって、印字ヘッド31の中心から外れた位置に設定する。 - 特許庁

The sensor chip 3 is a rectangular shaped plate in a planar view, and on the lower surface 32 a first junction 321, a second junction 322 and a third junction 323 having a circular shape are arranged separately each other.例文帳に追加

センサーチップ３は、平面視形状が長方形の板状をなし、下面３２には、互いに離間しかつ円形状をなす第１の接合部３２１、第２の接合部３２２および第３の接合部３２３が設定されている。 - 特許庁

When the surrounding environment temperature is in the third temperature range lower than the second temperature range, proceed to a step 140 to set the rotating speed of the compressor motor 71 to the rotating speed increased by 6% from the basic rotating speed.例文帳に追加

更に、周囲環境温度が第２温度範囲より低い第３温度範囲であるとステップ１４０に進み、コンプレッサモータ７１の回転数を基本回転数より６％アップさせた回転数に設定する。 - 特許庁

To enhance the response of an evaporator, while reducing the size thereof, by heating third and fourth fluids up to an appropriate temperature to be lower than the temperature of a second fluid, without having to increase heat exchangers in the fuel cell as a whole.例文帳に追加

燃料電池全体での熱交換器を増やす事なく、第三、第四の流体を、第二の流体の温度よりも低い適正温度に迄加温し、エバポレータの小型化と応答性との向上を図る。 - 特許庁

An N^--type first drain offset region 112, an N^--type second drain offset region 113, and an N^--type third drain offset region 114 are formed in a P-type semiconductor substrate 111 in this order from the lower.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１１内に下から順にＮ^- 型の第１ドレインオフセット領域１１２、Ｎ^- 型の第２ドレインオフセット領域１１３、及びＮ^- 型の第３ドレインオフセット領域１１４が形成されている。 - 特許庁

The guide ring 13 is sandwiched by a circular second correction mold 33 and a disc-like third correction mold 35 from upper and lower sides.例文帳に追加

しかる後、製造作業者は、案内輪１３を筒状の第１矯正型３１内に嵌入させ、円環状の第２矯正型３３と円盤状の第３矯正型３５とにより案内輪１３を上下から挟圧させる。 - 特許庁

A step in which the upper side is wider than the lower side is formed at the boundary between the inner surface of a second through hole and the inner surface of a third through hole, or in the inner surface of the second through hole.例文帳に追加

そして、前記第２貫通ホールの内面と前記第３貫通ホールの内面との境界、又は、前記第２貫通ホールの内面には、上側が下側よりも太くなるような段差が形成されている。 - 特許庁

The first clad region 111 and the third clad region 113 have a plurality of sub-medium regions 102 composed of sub-medium having the refractive index lower than the refractive index of a main medium 101 in the main medium 101.例文帳に追加

第１クラッド領域１１１および第３クラッド領域１１３は、主媒質１０１中に、この主媒質１０１より低い屈折率を有する副媒質からなる複数の副媒質領域１０２を有する。 - 特許庁

A removing process step of removing the lower clad layer and the upper clad layer to the form of belts 50 and 51 from the top of the substrate 1 along a position cut in the fourth step during the third step and the fourth step.例文帳に追加

第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程で切断される位置に沿って、下部クラッド層および上部クラッド層を基板１上から帯５０，５１状に除去する除去工程を行う。 - 特許庁

After the inner part of the packaging film 10 is filled with a product, the packaging film 10 is horizontally sealed in a direction orthogonal to the feeding direction by a lower side region of the horizontal sealer 25 to form a third seal portion 13.例文帳に追加

それから、包装フィルム１０の内部へ製品を充填した後、横シーラ２５の下側領域によって、包装フィルム１０を繰り出し方向と直交する方向に横シールして第３シール部１３を形成する。 - 特許庁

Each of cores 41, 51 of second and third heat exchangers 40, 50 disposed at widthwise opposite ends is formed to have a height lower than that of a core 31 of the first heat exchanger 30 disposed at the center.例文帳に追加

幅方向の両端に配置された第２及び第３の熱交換器４０，５０のコア４１，５１の高さは、中央に配置された第１の熱交換器３０のコア３１の高さよりも低く形成されている。 - 特許庁

A side wall 75 is disposed with a gap held between it and a first guide member 71, a second guide member 72, a third guide member 73, a first opposed member 74, a second opposed member 76 and a lower frame 77.例文帳に追加

側壁７５は、第１ガイド部材７１、第２ガイド部材７２、第３ガイド部材７３、第１対向部材７４、第２対向部材７６、および下部フレーム７７との間に間隙をおいた状態で配設される。 - 特許庁

The other switching gas Gs branched at the branching part 93 is always passed through a third resistance pipe 83 having a resistance value lower than that of the first resistance pipe 81 to be supplied to a branching part 91.例文帳に追加

一方、分岐部９３で分岐されたスイッチングガスGsの他方は、常に、第１抵抗管８１よりも小さい抵抗値を有する第３抵抗管８３を通過して分岐部９１に供給されるようにする。 - 特許庁

When the loaded-time congestion decision threshold value has been selected in a step S23, ECU 9 judges 40 km/h or less, in a third gear stage or lower, and 30 km/h or less, in a fourth gear stage or higher as congestion.例文帳に追加

また、ＥＣＵ９は、ステップＳ２３で負荷時渋滞判定閾値が選択されていた場合、ギヤ段が３速以下では４０ｋｍ／ｈ以下、ギヤ段が４速以上では３０ｋｍ／ｈ以下で渋滞と判定する。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

A second layer sheet 52 is laminated and formed on an upper surface of a first layer sheet 51, and a third sheet 53 having a lower frame and a fourth sheet having an upper frame are laminated and formed on the second layer sheet 52 in said order.例文帳に追加

第１層シート５１上面には第２層シート５２が積層形成され、第２層シート５２上に下枠体を有する第３シート５３、上枠体を有する第４シートの順で積層形成される。 - 特許庁

The third and fourth cooling air ventilating passages 51b and 51d are formed on an outer periphery of the iron core of the stator and a lower half periphery to ventilate part of the cooling air taken in from the cooling air inlet 21.例文帳に追加

第３及び第４の冷却通風路５１ｂ，５１ｄは、ステータ鉄心の外周であって下側半周部分に形成され、冷却風導入口２１から取り入れられた冷却風の一部を通風する。 - 特許庁

In this case, the first wire 11 is formed in a first layer in a crossing region AR1, and formed in the first layer, a second layer lower than the first layer, and a third layer between the first and second layers in peripheral regions AR2.例文帳に追加

ここで、第１配線１１は、交差領域ＡＲ１では第１層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第１層より下層の第２、及び第１，第２層間の第３層に形成する。 - 特許庁

Additionally, the first electrode layer is connected to the third one by a connection hole 311, and the drain electrode of the switch TFT is directly connected to the MIS type PD lower electrode 303, thus achieving the low-resistance contact.例文帳に追加

また、第１の電極層と第３の電極層を接続孔３１１で接続し、スイッチＴＦＴのドレイン電極とＭＩＳ型ＰＤ下部電極３０３とを直接接続することで、低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁

His titles shifted from Shoshiinoge (Senior Fourth Rank, Lower Grade) in 932, Dazai gonno sochi in 935, and Jusanmi (Junior Third Rank) in 936, and he became Chunagon while serving as Dazai gonno sochi in 939 before passing away on March 25, 941 in Dazai-fu (the governmental office with the jurisdiction of Kyushu, Iki, and Tsushima). 例文帳に追加

承平(日本)2年（932年）正四位下に昇叙され、同5年大宰権帥、同6年従三位になり、天慶2年（939年）大宰権帥のまま中納言に任ぜられ、天慶4年2月20日大宰府で薨去した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A plurality of P-type third impurity layers 111A with a concentration lower than that of a surrounding region are formed in a region on the semiconductor substrate 101 below respective word line electrodes 110 each in a self-aligning manner.例文帳に追加

さらに、半導体基板１０１における各ワード線電極１１０の下方の領域には、周囲よりも濃度が低いＰ型の複数の第３の不純物層１１１Ａがそれぞれ自己整合的に形成されている。 - 特許庁

Then, a third reflecting surface 14d comprising a vertical plane perpendicular to the optical axis Ax is disposed below the light emitting element 12, and its lower edge 14d1 is set as a focal line of the parabolic cylinder surface.例文帳に追加

その際、発光素子１２の下方に、光軸Ａｘと直交する鉛直平面からなる第３反射面１４ｄを配置し、その下端縁１４ｄ１を上記放物柱面の焦線として設定する。 - 特許庁

A compact display unit is present at a lower part, and when a first stage and a second stage reach specific temperature set values, in addition, when a third stage and a fourth stage reach specific degrees of vacuum, the vacuum gauge has a function for transmitting signals to the outside.例文帳に追加

その下部に小型の表示器があり一段目と二段目は特定の温度設定値に達した時、また三段目と四段目は特定の真空度に達した時、外部に信号を送出する機能を持つ。 - 特許庁

Upon completion of the connecting work, the wire feed pipe 33 is moved to a process position positioned at more upward portion than a wire detection sensor 36 and at a lower portion of a wire disposal mechanism portion 50, thus maintaining a third position at the time of processing.例文帳に追加

結線完了後、ワイヤ送りパイプ３３を、ワイヤ検出センサ３６よりも上方であって、且つ、ワイヤ廃棄機構部５０の下部に位置される加工位置に移動させ、加工時においてもその第３の位置を維持する。 - 特許庁

This side part 23 is furnished with a first surface 25 to ground on the lower step surface F1, a second surface connected to this first surface 25 and a third surface 27 positioned between these first and second surfaces 25, 26.例文帳に追加

このサイドパーツ２３は、下段面Ｆ１に接地する第１の面２５と、この第１の面２５に連設された第２の面と、これら第１及び第２の面２５，２６の間に位置する第３の面２７とを備える。 - 特許庁

A mold package 10 has an upper surface 11 and a lower surface 12 disposed opposite to each other, a first side surface 13 and a second side surface 14 disposed opposite to each other, and a third side surface 15 and a fourth side surface 16 disposed opposite to each other.例文帳に追加

モールド外被１０は、相対向する上面１１と下面１２、相対向する第１側面１３と第２側面１４、および相対向する第３側面１５と第４側面１６を有する。 - 特許庁

While a U-shaped part formed with a second vertical piece 9, a second horizontal piece 10 and a third vertical piece 11 elastically deforms, a lower part of the second horizontal piece 10 moves in the bottom part direction of a housing 2.例文帳に追加

第２垂直片９、第２水平片１０及び第３垂直片１１で形成されるＵ字形状部分は弾性変形しつつ、第２水平片１０の下部はハウジング２の底部方向に移動する。 - 特許庁

In a second process, a number of spacers 11 are formed on the lower surface of the substrate 26, in a third process, the spacers 11 of the substrate 26 are bonded to a semiconductor wafer 32 in which a number of solid state imaging elements 9 are provided.例文帳に追加

第２工程では、ガラス基板２６の下面に多数のスペーサー１１を形成し、第３工程では、多数の固体撮像素子９が設けられた半導体ウエハ３２にガラス基板２６のスペーサー１１を接合する。 - 特許庁

An integrating sphere 20 has a third aperture 26 on the position facing to none of a first aperture 24 on the upper end, a second aperture 25 on the position opposite to the first aperture 24 on the lower end, and the first and the second apertures 24, 25 on the side.例文帳に追加

積分球２０は、上端の第１開口２４、下端の第１開口２４の対向位置の第２開口２５、側面の第１、第２開口２４，２５のいずれにも対向しない位置の第３開口２６を有する。 - 特許庁

Also, the upward movement of a second protuberance section 52 of the protective member 5 is regulated by the lower surface of the first door main body 1 so that the second protuberance section 52 cannot be slipped off from a recessed groove 31 of the third door main body 3.例文帳に追加

また、上記保護部材５の第２の突起部５２は、上記第１の扉本体１の下面によって、上記第３の扉本体３の凹溝３１から抜け出ないように上方向の移動を規制されている。 - 特許庁