「mask hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance the machining tolerance of a laser beam drilling apparatus drilling a hole through transferring an image of circular opened mask by suppressing the fluctuation of the spot diameter of a laser beam due to an astigmatism, and decreasing the variation in the from of a bored hole.例文帳に追加

円形開口マスクの像を転写することによって穴加工を行っているレーザ穴加工機において、非点収差を原因とするレーザビームのスポット径の変動を抑え、加工穴の形状変化を軽微なものとして、レーザ穴加工機の加工裕度を向上させる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.例文帳に追加

配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁

In the pattern correcting method, when correction paste 7 is applied to an open defect portion 2a of an electrode 2 using a film 3 with a hole 3a as a mask, the thickness Ft of the film 3 and the short-axis length Sw of the hole 3a are so related that Ft>Sw.例文帳に追加

このパターン修正方法では、孔３ａの開いたフィルム３をマスクとして電極２のオープン欠陥部２ａに修正ペースト７を塗布する場合に、フィルム３の厚さＦｔと孔３ａの短軸長Ｓｗとの関係をＦｔ＞Ｓｗにする。 - 特許庁

The contact holes 36 and 38 are respectively formed into a thin contact hole forming region A and a thick contact hole forming region B, both of which are provided on the lower diffusion layer 24 through dry etching by using a resist 34 as a mask.例文帳に追加

レジスト３４をマスクとしてドライエッチングを行い、下部配線層２６上の薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Ａにコンタクトホール３６を形成するとともに、下部拡散層２４上の厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Ｂにコンタクトホール３８を形成する。 - 特許庁

In a holed region of a shadow mask, many electron beam passing holes are arranged at prescribed pitches in the horizontal and vertical directions, and compose a vertical hole line group extending along a central vertical axis and a horizontal hole line group extending along a central horizontal axis.例文帳に追加

シャドウマスクの有孔領域には、水平・垂直方向に多数の電子ビーム通過孔が所定ピッチで配置され、中心垂直軸に沿って延びる垂直孔列群と中心水平軸に沿って延びる水平孔列群とを構成している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for using a mask material that has excellent dry etching resistance and can be formed at low temperature to achieve a fine via hole and a high yield in a semiconductor via hole-machining process, and achieving a high-performance ultra-high-frequency semiconductor device.例文帳に追加

半導体ヴィアホール加工工程において、ドライエッチング耐性良好、かつ低温において形成可能なマスク材料を使用することにより、ヴィアホール微細化や高歩留まり化を達成させ、高性能な超高周波半導体装置が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photo mask and a production method for semiconductor device, with which accuracy in the alignment of a via hole in a dual damassin structure and an upper wiring layer is improved and a recess or step is prevented from being generated by wiring materials in a hole for alignment.例文帳に追加

デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the screen mask 11, the cream solder 16 is coated via a pattern hole 11a formed corresponding to a land 15a on the land 15a formed on a mounting substrate 15, and a size L_1 of the pattern hole 11a is set larger than the size L_2 of the land 15a.例文帳に追加

実装基板１５に形成されたランド１５ａ上に、ランド１５ａに対応して形成されたパターン孔１１ａを介してクリーム半田１６を塗布するスクリーンマスク１１であって、パターン孔１１ａの大きさＬ_1をランド１５ａの大きさＬ_2よりも大きくする。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

For example, when an overcoat film 13 made of silicon nitride is dry-etched with the resist pattern 24 for forming a contact hole 15 formed on the overcoat film 13 as a mask to form the contact hole 15, the surface altered layer 24a is formed on the surface of the resist pattern 24.例文帳に追加

例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３をその上に形成されたコンタクトホール１５形成用のレジストパターン２４をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール１５を形成すると、レジストパターン２４の表面に表面変質層２４ａが形成される。 - 特許庁

A hole 104 is formed by selectively plasma etching an SiO_2 film 101 against a photoresist film 102 with the photoresist film 102 as a mask.例文帳に追加

フォトレジスト膜１０２をマスクとしフォトレジスト膜１０２に対して、ＳｉＯ_2膜１０１を選択的にプラズマエッチングしてホール１０４を形成する。 - 特許庁

Cream solder 4 on the print mask 5 is moved in one direction with a squeegee and supplied through the opening 5a into the through hole 1a.例文帳に追加

印刷マスク５上のクリームはんだ４をスキージにより一方向に移動させることによって開口部５ａを通してスルーホール１ａ内に供給する。 - 特許庁

Furthermore, a thermally polymerized hydrocarbon film 7 is formed on the modified SOG film mask 5, and a trench 8 communicating with the contact hole 6 is cut in the hydrocarbon film 7.例文帳に追加

更に、改質ＳＯＧマスク５の上に熱重合性炭化水素膜７が形成され、この炭化水素膜７には、コンタクトホール６に通じるトレンチ８が形成されている。 - 特許庁

To provide a mask for a blowout hole of car air-conditioner capable of catching pollen or other particulates effectively and of being removed simply when it is to be replaced or not necessary.例文帳に追加

効果的に花粉や微粒子をキャッチすることが可能になり、また交換や必要のないときには簡単に外すことが可能な、カーエアコン吹き出し口用マスクの提供。 - 特許庁

Lastly, the pre-coding layer and the filled layer are used as a mask to implant coding ion, thus the ion is implanted into a code region through the pre-coding hole.例文帳に追加

最後に、プリコーディング層および充填層をマスクとして使用してコーディングイオンの打ち込みが実施され、それによりイオンがプリコーディングホールを通ってコード領域に打ち込まれる。 - 特許庁

Since the part of the preliminary shaped hole 25 is subjected to laser machining and an orifice is formed by conducting the ink pressurizing chamber 24 side with the ink drop ejecting side, no mask is required.例文帳に追加

この場合、予備成形穴２５の部分にレーザー加工が施され、インク加圧室２４側とインク滴吐出側とが連通させられてオリフィスが形成されるので、マスクを使用する必要がない。 - 特許庁

To provide a method for mounting a solder ball and its equipment, wherein a solder ball can be surely supplied in a ball holding hole formed on a mask, and working efficiency can be improved.例文帳に追加

はんだボールをマスクに形成したボール保持穴に確実に供給することができるとともに、作業能率を向上させることができるはんだボールの搭載方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

A copper foil 17 formed on the surface of the resin sheet 16 is selectively removed by conformal treatment, thus forming a mask pattern for forming a via hole.例文帳に追加

そして、樹脂シート１６の表面に形成された銅箔１７をコンフォーマル加工により選択的に除去することにより、ビアホールを形成するためのマスクパターンを形成する。 - 特許庁

After a hole corresponding to a gate electrode pattern is formed at the silicon nitride film 16, the surface of amorphous silicon layer is selectively oxidized with the silicon nitride film 16 as a mask.例文帳に追加

シリコン窒化膜１６にゲート電極パターンに対応した孔を形成した後、シリコン窒化膜１６をマスクとしてアモルファスシリコン層１４の表面を選択酸化する。 - 特許庁

The resistor is formed using a split polysilicon process for opening a hole in a first polysilicon layer in order that an embedded contact mask 19 brings a second polysilicon layer into contact with the substrate.例文帳に追加

この抵抗は、埋込みコンタクトマスク１９が、第２のポリシリコン層を基板に接触させるために、第１のポリシリコン層内にホールを開口するスプリット・ポリシリコン・プロセスを用いて形成される。 - 特許庁

Next, by etching a photoresist pattern Fr2 formed on the layer insulation film 18 as a mask, a wiring groove 71 larger than the via hole 70 is formed in the internal element region.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１８の上に形成されたフォトレジスパターンＦr2をマスクとするエッチングにより、内部素子領域において、ヴィアホール７０よりも広い配線用溝７１を形成する。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

A through-hole penetrating the second insulating film is formed by etching the exposed part in the opening of the resist mask of the second insulating film.例文帳に追加

第２の絶縁膜のレジストマスクの開口部において露出した部分に対してエッチング処理を施して、第２の絶縁膜を貫通する貫通孔を形成する。 - 特許庁

To provide a mask for the solder coating of a through hole electrode which can prevent the solder from being applied outside the electrode and apply a stable amount of the solder to the electrode.例文帳に追加

スルーホール電極の外側にはんだが塗布されることを防止することができ、かつ、スルーホール電極に安定した量のはんだを塗布することができる、スルーホール電極のはんだコーティング用マスクを提供する。 - 特許庁

A metal mask 81 includes an opening 81b where a shielding body 81a is formed at a position corresponding to a through-hole formed on a printed wiring board.例文帳に追加

メタルマスク８１は、プリント配線基板に形成されたスルーホールに対応する位置に、遮蔽体８１ａが形成された開口部８１ｂを有する。 - 特許庁

The inspection pattern 400 is formed of a light transmission part 420 which is a contact hole and of a phase shifter 410 and exposure is performed by using this mask 100 for semiconductor manufacture to inspect whether there is a dimple.例文帳に追加

検査パターン４００は，コンタクトホールである光透過部４２０と，位相シフタ４１０とで形成し，この半導体製造用マスク１００を用いて露光を行いディンプル発生の有無を検査する。 - 特許庁

As a result, by the use of an etching mask 116 comprising the polysilicon film 112 and the polysilicon sidewall 114, a contact hole 118 having no shape failure can be formed.例文帳に追加

結果として，ポリシリコン膜１１２とポリシリコンサイドウォール１１４とからなるエッチングマスク１１６（図４）を用いて，形状不良のないコンタクト孔１１８（図４）を形成することができる。 - 特許庁

Thus, when a print mask for solder printing is manufactured, a plurality of print figures of the same shape, size and direction can be processed using a single through hole located on a light shield plate.例文帳に追加

これにより、半田印刷用の印刷マスクを製造する際、その形状、大きさ、向きが同じである複数の印刷図形に対しては、遮光板上にある単一の貫通孔を用いて加工処理を行うことができる。 - 特許庁

When the mask is detached, the magnet-pushing-up pin 44 is inserted into an open hole 34 right under the magnet holder 33, and pushes up the magnet 35 (c).例文帳に追加

マスクを取り外す際には、磁石ホルダ３３直下の貫通孔３４に磁石押し上げピン４４を挿通させ、磁石押し上げピン４４により磁石３５を押し上げる((c))。 - 特許庁

By performing the patterning of a conductor film being formed on a resin substrate 11, a conformal mask 12 with an opening 14 for drilling a hole in the resin substrate 11 and circuit wiring 13 are formed.例文帳に追加

樹脂基板１１に形成された導体膜をパターニングして、樹脂基板１１に孔を開けるための開口１４を有するコンフォーマルマスク１２と同時に回路配線１３を形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask having through-holes for forming a variety of irradiation regions in which a desired region on the surface of a semiconductor substrate is irradiated with ionized atoms having passed through the through-hole with high coincidence.例文帳に追加

多様な照射領域を形成可能な貫通孔を有するとともに、貫通孔を通過したイオン化原子が、半導体基板の表面の所望の領域によく一致して照射されるステンシルマスクを提供すること。 - 特許庁

Thereafter, an opening 124 is formed in the polysilicon film 121 and, thereafter, the etching of a second interlayer insulation film 118 is effected, employing the polysilicon film 121 as a mask to form a contact hole 125.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜１２１に開口１２４を形成した後、ポリシリコン膜１２１をマスクにして、第２の層間絶縁膜１１８のエッチングを行い、コンタクトホール１２５を形成する。 - 特許庁

To provide a processing method and a stencil mask for making a vertical-edge through hole, having a small diameter with respect to the thickness of thin film, in a thin film of stencil for an electron beam stepper and the like.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビームステッパー等のステンシルマスクの薄膜にその薄膜の厚さに対して径の小さな貫通孔を垂直エッジで形成できる加工方法並びにそのようなステンシルマスクを提供することにある。 - 特許庁

Here, the flexible wiring board 11 is provided with a land 7 and hole 8 for connection, and the solder connection process comprises a solder applying process for solder-printing with a mask and a solder reflow process for soldering with solder reflow.例文帳に追加

ここにフレキシブル配線基板１１には接続用のランド７及び穴８を設け、半田接続工程は、マスクを用いて半田印刷を行う半田塗布工程と、半田リフローにより半田付けする半田リフロー工程とを含む。 - 特許庁

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。 - 特許庁

A photo mask A has an inspection pattern 11 composed of hole groups arranged with regular spacings in directions X, Y, together with a pattern concerning a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

フォトマスクＡは半導体集積回路に関係するパターンと共に、Ｘ方向、Ｙ方向それぞれに規則性を持つ間隔で並べられた各ホール群でなる検査パターン１１を有する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

A surface protection layer 160 is formed to coat the metal layer 140 exposed by the solder mask 150 and the metal layer 140 positioned in the through hole 117a.例文帳に追加

表面保護層１６０が形成されて、ソルダーマスク１５０により露出された金属層１４０とスルーホール１１７ａ内に位置する金属層１４０とを被覆する。 - 特許庁

The contact hole on the p-type diffused layer 14 is covered with a photoresist mask to remove a part of the region implanted by the p-type dopants from the n-type diffused layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１４上のコンタクトホールをフォトレジストマスクで覆い、ｎ型拡散層１３からｐ型ドーパントを注入された領域の一部を除去する。 - 特許庁

A selective epitaxial silicon layer 68 is formed on the surface of the contact pad 62 exposed through the contact hole 66, so as to shield the insulated mask layer pattern 54 of the interconnect line 55.例文帳に追加

前記コンタクトホール６６を通じて露出されたコンタクトパッド６２の表面上に、前記配線５５の絶縁マスク層パターン５４を遮蔽するように選択的エピタキシャルシリコン層６８を形成する。 - 特許庁

To provide an etching method which forms a tapered via hole in a semiconductor substrate by using a metal mask and through a simple method.例文帳に追加

本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After forming an oxide film 12 on a substrate 10, dry etching is executed to the oxide film 12 with a resist pattern 13 as a mask and a contact hole 14 is formed.例文帳に追加

基板１０の上に酸化膜１２を形成した後、レジストパターン１３をマスクとして、酸化膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for designing a mask dimension at the formation of metallic wiring by etching for making the width of the metallic wiring smaller than that of an ohmic electrode, and making it larger than that of a contact hole.例文帳に追加

金属配線の幅を、オーミック電極の幅よりも小さく、かつ、コンタクトホールの幅よりも大きくできるように、金属配線をエッチングにより形成する際のマスク寸法の設計方法を提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a countercurrent by covering a part of a through-hole with a mask body and to increase an air flow to a lens side to enhance a cleaning effect.例文帳に追加

本発明は、貫通孔の一部をマスク体で覆って逆流の発生を防止し、レンズ側への空気流を増大させてクリーニング効果を向上させることを目的とする。 - 特許庁

After the conductive film 120 is selectively removed, the insulating resin film 122 is exposed and developed using the conductive film 120 as a mask to form a via hole to the insulating resin film 122.例文帳に追加

導電性膜１２０を選択的に除去した後、導電性膜１２０をマスクとして、絶縁樹脂膜１２２を露光し、現像して絶縁樹脂膜１２２にビアホールを形成する。 - 特許庁