「mask hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 - 特許庁

This display device is provide with an aperture pattern NAR for dummy pixels, which has a drawing stress absorption hole suppressing pattern precision deterioration due to deformation of an aperture pattern by absorbing stress in a process wherein a mask part MSS is fixed to a frame FLM by applying tension, outside an aperture pattern DRA for pixels.例文帳に追加

マスク部ＭＳＳをテンションを印加してフレームＦＬＭに固定する工程で生じる応力を吸収し、開孔パターンの変形によるパターン精度劣化を抑制する引っ張り応力吸収孔を有するダミー画素用開孔パターンＮＡＲを画素用開孔パターンＤＡＲの外側に設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for its manufacturing by which no bowing is formed at the cross section of a via hole formed in the organic low-permittivity film, no lack of edges of an insulating film containing silicon used as an etching mask of the organic low-permittivity is generated and an organic low-permittivity film can be accurately etched.例文帳に追加

有機低誘電率膜に形成するビアホールの断面がボーイング形状になったり、有機低誘電率膜のエッチングマスクとして用いるシリコン含有絶縁膜が肩落ちすることがなく、有機低誘電率膜を精度よくエッチングすることができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The mouth sealing mask 170 for selectively supplying a mouth sealing material to a partial through hole 70a of a honeycomb structure 70 includes a disk-like profile, a plurality of through holes 170a, and a pair of orientation flats 170of1 and 170of2 which are set at the ends of a disk and separated circumferentially.例文帳に追加

ハニカム構造体７０の一部の貫通孔７０ａに選択的に封口材を供給するための封口用マスク１７０であって、円板状の外形と、複数の貫通孔１７０ａと、円板の端に設けられて円周方向に離間する一対のオリエンテーションフラット１７０ｏｆ１、１７０ｏｆ２と、を備える。 - 特許庁

The discrimination symbol 16a is provided, by arranging a mask 20 comprising a through-hole 22 for forming the bit mark on the wafer 10, where a photoresist film is formed, which is moved by a prescribed distance in horizontal direction from a reference point for exposure, and then removing by etching the exposed part or its surrounding or laminating a thin film on the part.例文帳に追加

このような識別記号１６ａは、まず、ビットマークを形成するための貫通孔２２を有するマスク２０を、フォトレジスト膜が形成されたウエハ１０上に配置し、基準点から水平方向に所定距離だけ移動させた後、露光させ、次いで、露光部分又はその周囲をエッチング除去するか、あるいは、その部分に薄膜を積層することにより得られる。 - 特許庁

After a water-repelling resin layer 11 is formed on the surface thereof, a photo resist layer 12 is formed thereon, to which halftone exposure is applied with a mask adjusted in the exposure amount, and then patterning is performed by etching so that contact holes 10b, 10c reaching the matrix circuit and a recessed part 10a are formed in a contact hole area.例文帳に追加

その表面に撥水性樹脂層１１を形成した後、その上にフォトレジスト層１２を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達するコンタクトホール１０ｂ，１０ｃと、凹所領域１０ａとが形成されるようにパターニングする。 - 特許庁

Main features of this method are that: a plurality of amorphous silicon islands and a plurality of contact holes are formed by using the same mask; each amorphous silicon island is used to form a channel of a transistor for controlling an LCD pixel in an active area; and each contact hole is used to control an anti-electrostatic-discharge protecting circuit around the active area.例文帳に追加

本方法の主要な特徴は、同じマスクを用いて複数のアモルファスシリコンアイランドと複数のコンタクトホールを形成し、各アモルファスシリコンアイランドはアクティブ領域内のＬＣＤ画素を制御するためトランジスタのチャネルを形成するのに用いられ、各コンタクトホールはアクティブ領域周囲の抗静電放電保護回路を制御するのに用いられる。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an insulating film; a step of forming a conductive film on the insulating film; a step of forming a pixel electrode with an aperture by patterning the conductive film; and a step of forming the contact hole for communicating with the insulating film through the aperture by an etching method using the pixel electrode with the aperture as an etching mask.例文帳に追加

絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 特許庁

This method includes a step of forming the resist film, through which an opening having an aspect ratio of 1.8-2.4 is made on the silicon oxide film and a step of forming a hole, having an aspect ratio of 4.0-4.5 through the silicon oxide film by etching the oxide film, using the resist film as a mask.例文帳に追加

このエッチング方法は、シリコン酸化膜上にアスペクト比が１．８〜２．４の開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングすることにより、該シリコン酸化膜にアスペクト比が４．０〜４．５のホールを形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

While an anti-reflection film 9 and a resist pattern 10 are formed on the second interlayer dielectric 8, a capacitor hole 11 is formed between the surface of the second interlayer dielectric 8 and a position-controlled bottom face 11a in the first interlayer dielectric 5 through the stopper film 7 by dry etching process using the resist pattern 10 as a mask.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜８上に反射防止膜９とレジストパターン１０を形成し、このレジストパターン１０をマスクとしたドライエッチングにより第２の層間絶縁膜８の表面からストップ膜７を貫通して第１の層間絶縁膜５内に、底面１１ａの位置が制御されたキャパシタホール１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel having reflection plates with which a reflection plate forming material is exposed by one operation with optimum exposure in simultaneously applying photolithography to the reflection plate forming material existing on an interlayer film and in a contact hole, and further a distance between mutually adjacent reflection plates close to a mask designed value is materialized within a short time period.例文帳に追加

層間膜上及びコンタクトホール内の反射板形成材料に対して同時にフォトリソグラフィー法を適用する際、一括して最適露光量で露光でき、しかも短時間でマスク設計値に近い隣接する反射板間距離を実現できる反射板を有する表示パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

More specifically, at first, the ball arrangement mask is pasted to the rectangular frame by tension via a flexible sheet, and has a mount region where a through hole for inserting balls is provided according to the mounted part of an object to be mounted formed in a prescribed arrangement pattern and a non-mount region for surrounding the mount region.例文帳に追加

第１に、枠状フレームに可撓性のシートを介して張力をかけて貼り付けられ、所定の配列パターンに形成された被搭載物の搭載箇所に対応してボール挿入用の貫通孔が設けられた搭載領域と、その搭載領域を囲む非搭載領域とを有するボール配列マスクとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring substrate and a burying mask of the printed wiring substrate, in which even when the diameter of a through-hole and a recess is reduced and further they are disposed so that a distance between these centers is at a narrow pitch, a resinous paste can precisely be filled without imperfection in burying nor inclusion of bubbles (voids).例文帳に追加

前記貫通孔や凹所の直径が小径化し、また、これらの中心間距離が狭ピッチで配置されている場合でも、穴埋めが不完全になることなく、気泡（ボイド）を含むことなく、また精度よく樹脂ペーストを充填することができるプリント配線板の製造方法およびプリント配線板の穴埋用マスクを提供する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 2 laminating a first etching stopper layer 2a, a porous first dielectric constant film 2b, a first cap layer 2c, is formed on a lower layer wiring 1, and a via-hole 4 is also formed with the dry etching method using a resist mask 3 by utilizing a fluorocarbon gas including a large amount of carbon such as C_4F_8.例文帳に追加

下層配線１上に第１エッチングストッパー層２ａ、多孔質の第１低誘電率膜２ｂおよび第１キャップ層２ｃの積層した第１層間絶縁膜２を形成し、Ｃ_４Ｆ_８のような炭素含有量が多いフルオロカーボンガスを用いレジストマスク３を使用したドライエッチングによりビアホール４を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, a compound semiconductor single crystal represented by a general formula, InxCayAlzN (wherein, x+y+z=1; 0≤x≤1; 0≤y≤1; 0≤z≤1), is selectively grown on a semiconductor silicon substrate equipped with a mask having a through-hole with a circle conversion diameter of ≤1 μm.例文帳に追加

円換算直径が１μｍ以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region.例文帳に追加

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

When using the photosensitive dry film resist, by light-shielding only the holes to be filled by a film mask or a straight drawing device and executing full exposure, the dry film resist of a hole part to be filled is removed in development processing, and only the holes desired to be filled are selectively exposed with high accuracy equivalent to a pattern forming technology.例文帳に追加

感光性ドライフィルムレジストを使用する場合には、フィルムマスクまたは直描装置にて埋める穴部のみを遮光し全面露光することで、現像処理にて埋める穴部のドライフィルムレジストが除去され、パターン形成技術と同等の高精度で埋めたい穴のみを選択的に露出させることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing it comprises the steps of printing a solder paste 11P, after disposing a mask 21 having a shape for covering each through-hole 22 thereof a part of an opening 9A of the corresponding recess 9 and reflowing the printed solder paste 11P, to form the solder bump 11.例文帳に追加

そして、その製造方法は、いずれの透孔２２も、対応する凹部９の開口９Ａの一部がマスク２１で隠れる形状にされたマスク２１を、配線基板本体２の上面２Ａ上に配置して、ハンダペースト１１Ｐを印刷する印刷工程と、印刷されたハンダペースト１１Ｐをリフローして、ハンダバンプ１１を形成するリフロー工程と、を備える。 - 特許庁

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。 - 特許庁

The knife member 64 moves while it is brought into contact with the mask plate 54 only in one direction of a lamination direction of the ceramic laminate, flattens the external electrode material discharged from the nozzle 63 only in one direction, and applies it to a side of the ceramic laminate through the through hole 541.例文帳に追加

へら部材６４は、セラミック積層体の積層方向の一方向のみにおいてマスク板５４に接触しながら移動し、ノズル６３から吐出される外部電極材料を上記一方向のみに平坦に延ばしながら貫通穴５４１を介してセラミック積層体の側面に塗布するよう構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique of a printed wiring board whereby, when forming a solder mask in the manufacture of the printed wiring board, it is made possible that any through hole is not blocked by a solder resist remaining therein even in the case of the diameter thereof being small, and the peeling phenomenon of the solder resist existent on the surface of the base material of the printed wiring board can be eliminated.例文帳に追加

プリント配線板の製造において、ソルダーマスクを形成する際に、小径のスルーホールであってもスルーホール内にソルダーレジストが残存して閉塞されないようにできるとともに、基材表面のソルダーレジストの剥離現象を解消することができるプリント配線板の製造技術を提供する。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁

During an interval from a time when laser beams are emitted from a RF exciting laser emitter to a time when the laser beams are finally condensed, a laser mask is interposed, and the laser beams which are different in an energy density between a center part and an outer peripheral part are emitted, whereby it is possible to form a curved surface in a hole processing or a groove processing.例文帳に追加

ＲＦ励起方式のレーザー発振装置から発振されたレーザービームが最終的に集光されるまでの間に、レーザーマスクを介在させ中央部と外周部でエネルギ−密度の異なるレーザービ−ムを発生させる事により、孔加工や溝加工において曲面付けすることを可能にする。 - 特許庁

Since the cleaning device 1 can make the suction port 21 correspond to the range of a pattern hole 7 formed on the mask 2 easily by the rotation, attachment/detachment, insertion, and exchange of the adjusting means 19 to the container 18, the removal of the creamy solder C is possible for all the masks 2.例文帳に追加

また、前記クリーニング装置１は、前記調整手段１９を前記吸引用容器１８に対して回動・着脱・挿嵌・交換することで容易に前記マスク２上に形成されたパターン孔７の範囲に前記吸引口２１を合わせることができるので、あらゆるマスク２に対してクリームはんだＣの除去が可能である。 - 特許庁

A transparent glass substrate 7 formed with a transparent conductive membrane is placed and set on a stage, and a laser beam is irradiated on the transparent conductive membrane formed on the transparent glass substrate 7 corresponding to an electrode pattern for one cell through a mask 5 with a hole formed having a part corresponding to a discharge gap 11 formed at a center.例文帳に追加

透明導電性膜が形成された透明ガラス基板７をステージ上に載置し、１セル分の電極パターンに対応し、放電ギャップ部１１に対応する部分が中央部に設けられた孔が形成されているマスク５を介して、透明ガラス基板７上に形成された透明導電性膜にレーザ光を照射する。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

In an electron beam aligning stencil mask in which membranes 11, 12 formed with patterns which should be transferred to an inductive substrate via through holes 21, 22 of a pattern form are supported by a support member, at least one pattern 41 out of the patterns formed with a single through hole is divided and disposed in a plurality of regions 11, 12.例文帳に追加

パターン状の貫通穴２１、２２により感応基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレン１１、１２が支持部材により支持されてなる電子線露光用ステンシルマスクにおいて、単一の貫通孔により形成されるパターンのうち少なくとも一つのパターン４１が分割されて、複数の領域１１、１２に配置されていることを特徴とする電子線露光用ステンシルマスク。 - 特許庁

The mask 1, in which a window hole 1a corresponding to the shape of a photographic image plane is bored, is mounted on the front of the photographing lens 2 and is used together with the lens hood 3, thus the shielding effect of the harmful incident light from the outside of the field is enhanced.例文帳に追加

本発明は、レンズ鏡筒前部のフィルター取り付け枠２ａが、ピント合わせやズーミング時に回転しない方式の撮影レンズに用いるフレアーカットマスク１であって、撮影画面の形状に対応する窓穴１ａを開けたフレアーカットマスク１を、撮影レンズ２の前面に取り付け、レンズフード３と併用することにより、視野外からの有害な入射光の遮断効果をより高めたものである。 - 特許庁

A method for manufacturing the substrate for the liquid discharge head includes: the step of forming etching mask patterns on the first and second faces of a silicon substrate; the step of forming a leading hole in an etching region of the silicon substrate; and the step of anisotropic etching the silicon substrate from both the first and second faces.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板の第１面および第２面にエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板のエッチング領域に先導孔を形成する工程と、前記シリコン基板を第１面および第２面の両面から異方性エッチングする工程と、を含むことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the mesh member for screen printing, a plurality of holes are made in the metal foil by etching and the mesh member for screen printing is manufactured in the condition that, after applying the photoresist on the metal foil having the thickness of 5-50 μm, an energy amount when the shape of the hole on an exposure mask is exposed is 120-240 mJ/cm^2.例文帳に追加

本発明のスクリーン印刷用メッシュ部材の製造方法は、エッチングによって金属箔に多数の孔開け加工してスクリーン印刷用メッシュ部材を製造するに当り、厚さが５〜５０μｍの金属箔にフォトレジストを塗布した後に、露光用マスクに描画した孔の形状を露光するときのエネルギー量を１２０〜２４０ｍＪ／ｃｍ^2として操業する。 - 特許庁

The shadow mask is formed by arranging through holes 2a, 2b having back side hole parts 4a, 4b formed at the side that electron beam comes in, and front side hole parts 3a, 3b formed at the side that electron beam goes out, and forms beam spots with prescribed shape on an irradiated surface.例文帳に追加

電子ビームが入射する側の裏側孔部４ａ、４ｂと、電子ビームが出射する側の表側孔部３ａ、３ｂとから形成される貫通孔２ａ、２ｂを配列してなり、被照射面に所定形状のビームスポットを形成するシャドウマスクにおいて、そのシャドウマスクの周辺部に形成された表側孔部３ｂを、シャドウマスクの中心から延びる仮想線と直交する方向Ｐの開孔幅Ｔがシャドウマスクの中心に形成された表側孔部３ａの開孔幅Ｓよりも小さく形成されてなる略楕円形状とすることによって、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas.例文帳に追加

半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。 - 特許庁