「mask hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Printing paste 75 is led from the printing mask hole 53 into the central part of the bottomed via hole 63 and afterwards charged around the bottomed via hole 63 as tracking on the bottom of the bottomed via hole 63.例文帳に追加

印刷ペースト７５は、印刷マスク孔５３から有底ビア穴６３の中央部に導入され、その後、有底ビア穴６３の底部を這うようにして有底ビア穴６３の周囲に充填されていく。 - 特許庁

A moving position of an adsorbing head 212 is adjusted in such a manner that the position of the conductive ball inserting hole is coincident with that of the pad of the substrate 110 based on pad position information of the pad detecting device 160 and mask hole position information of the mask hole detecting device 220.例文帳に追加

パッド検出装置１６０のパッド位置情報及びマスク孔検出装置２２０のマスク孔位置情報に基づいて導電性ボール挿通孔の位置が基板１１０のパッドの位置と一致するように吸着ヘッド２１２の移動位置を調整する。 - 特許庁

A control section regards the reference hole for NC perforation pierced at the printed circuit board as the reference hole HH common to the front and the rear and aligns the mask MS for the front surface and mark MB for the rear surface of the mask films to the reference hole HH common to the front and the rear.例文帳に追加

制御部は、プリント基板に穿設されたＮＣ穴あけ用基準穴を表裏共通基準穴ＨＨと看做し、その表裏共通基準穴ＨＨにマスクフィルムの表面用マークＭＳおよび裏面用マークＭＢを位置合わせする。 - 特許庁

A mask 11 having an aperture part patterned equally to a pattern of a hole transport layer is arranged on a substrate 1 upper face, and from the upper face of the mask 11, a solution or a dispersion liquid of a material constituting the hole transport layer is sprayed and dried up for forming the hole transport layer.例文帳に追加

正孔輸送層のパターンと同一パターンの開口部を有するマスク１１を基板１上面に配置し、マスク１１上面より正孔輸送層を構成する材料の溶液または分散液を噴霧し、乾燥して前記正孔輸送層を形成する。 - 特許庁

This film forming mask includes a first mask 72 provided in a first opening hole 72a to open the whole of a first area overlapped planarly with a plurality of sub-pixels, and the second mask 73 layered onto the first mask 72 provided in a second opening hole 73a to open a second area that is a partial area in the first area.例文帳に追加

複数のサブ画素と平面的に重なる第１領域の全体が開口する第１開口孔７２ａが設けられた第１マスク７２と、第１マスク７２に積層され、第１領域において部分的な領域である第２領域が開口する第２開口孔７３ａが設けられた第２マスク７３と、を有する。 - 特許庁

In the shadow mask 7 including an area with holes 13 having a numerous holes 12 and an area without hole 14 formed at outer surroundings thereof, the shadow mask 9 is formed by the shadow mask 7, in which a length in horizontal direction of a welding line when the shadow mask 7 and a frame are welded is shorter than that of a portion for fastening the shadow mask 7.例文帳に追加

多数の開孔１２を有する有孔領域１３とその周囲に形成される無孔領域１４からなるシャドウマスク７において、シャドウマスク７とフレーム溶接時の溶接線の水平方向長さよりもシャドウマスク７をチャックする部分の水平方向長さの方が大きいシャドウマスク７によってシャドウマスク９を形成する。 - 特許庁

In another embodiment, the ventilation hole assembly includes a membrane fitted to a ventilation hole frame, and the ventilation hole assembly forms an insert for removably fitting a mask frame.例文帳に追加

別の実施形態では、通気孔アセンブリが、通気孔フレームに取り付けられた膜を備え、通気孔アセンブリが、マスク・フレームに着脱可能に取り付けることのできるインサートを形成する。 - 特許庁

At a shadow mask 9 arranged in a face panel 11, the diameter of an electron beam passing hole 22 is differentiated from that of either one of adjacent holes 22, preferably between the hole on a row in even number and the hole on a row in odd number.例文帳に追加

フェースパネル１１内に配置されるシャドウマスク１９の電子ビーム通過孔２２を、隣接する電子ビーム通過孔２２のいずれか１つ、好ましくは偶数列と奇数列間で電子ビーム通過孔の孔径を相違させる。 - 特許庁

To provide an exposure method which can expose patterns of contact hole arrays having fine hole diameters or the patterns intermingled with the isolated contact holes and the contact hole arrays with high resolution without exchanging a mask and an apparatus for the same.例文帳に追加

微細なホール径を持ち、コンタクトホール列のパターン、あるいは孤立コンタクトホールとコンタクトホール列とが混在するパターンを、マスクを交換せずに、高解像度で露光可能な露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a hole pattern having a round form by dry-etching a film to be etched using a hole pattern formed of a chemical amplification type resist as a mask in order to form the hole pattern.例文帳に追加

化学増幅型レジストによるホールパターンをマスクとしてドライエッチングを行って被エッチング膜によるホールパターンを形成し、丸型のホールパターン形状を得るようにする。 - 特許庁

The mask 1 includes the face body 2 with an inhalation hole 24, a filter medium 3 which is detachably attached to the face body 2 in front of the inhalation hole 24, and a shutter plate which enters in a retractable manner between the inhalation hole 24 and the filter medium 3.例文帳に追加

マスク１が、吸気孔２４を有する面体２と、吸気孔２４の前方において面体２に取り付け取り外し可能なろ過材３と、吸気孔２４とろ過材３との間に退却可能に進入するシャッター板とを含む。 - 特許庁

Thereafter, a mask in which the part equivalent to the through-hole formed in a position corresponding to the laminate is opened, is formed, etching is performed using the mask, the conductive material exposed from the mask is removed and the cavity is formed.例文帳に追加

その後、前記積層体に対応する位置に形成された貫通孔に相当する部分が開口したマスクを形成し、前記マスクを用いてエッチングし、当該マスクから露出する導電性材料を除去して前記空洞部を形成する。 - 特許庁

The conductive ball mounting apparatus comprises an array mask and the ball mounting means for supplying a conductive ball on the array mask, wherein the ball mounting means mounts the conductive ball in a mounting place of an object in which the conductive ball is mounted via a through-hole of the array mask.例文帳に追加

配列マスクと、配列マスク上に導電性ボールを供給するボール搭載手段とを備えて、ボール搭載手段で配列マスクの貫通孔を介して被搭載物の搭載箇所に搭載する導電性ボールの搭載装置とする。 - 特許庁

After that, the first mask layer of the first surface which is formed on the first resin layer of the first surface is removed, a second resin layer and a mask layer are formed on a second surface, and a conductive layer and an opening of a through hole of the second layer are covered with the second resin layer and the mask layer.例文帳に追加

その後、第１面の第一樹脂層に形成された、第１面のマスク層を除去し、第２面に第二樹脂層及びマスク層を形成して、第２面の導電層及び貫通孔開口部を第二樹脂層及びマスク層で覆う。 - 特許庁

To provide a pattern size measuring method for a photomask in which mask transfer characteristics are accurately predicted and OPC is accurately adjusted by correcting a hole pattern measured value of the mask by an SEM into a value matching actual mask pattern transfer and which has practically high reliability, and the photomask.例文帳に追加

ＳＥＭによるマスクのホールパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行うことができる実用的に信頼性が高いパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The shadow mask 100 on which a fluorescent pattern 103 is formed by patterning a fluorescent coating material prepared by incorporating fluorescent agent or luminous agent is produced on the side of a large hole opening mask 16a of the shadow mask.例文帳に追加

シャドウマスクの大孔開口マスク１６ａ側の大孔開口マスク１６ａ側に蛍光剤或いは蓄光剤を調合した蛍光体塗料をパターニング処理して蛍光体パターン１０３が形成されたシャドウマスク１００を作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a shadow mask capable of manufacturing a high quality shadow mask by eliminating nonuniform quality of a photosensitive film, film thickness variation of the photosensitive film, generating in the manufacture, and in addition nonuniform failure, hole defects, and pore size failure, of the shadow mask.例文帳に追加

本発明は、製造時に発生する感光膜のムラ品位悪化、感光膜の膜厚変動、更にはシャドウマスクのムラ不良、孔欠点不良及び孔径不良を無くし、高品位のシャドウマスクを製造し得るシャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

By the mask inspecting method of the present invention, the Si stencil mask 10 is irradiated with probe light from a laser light source 3 and a photodiode 5 detects a probe light 15 scattered by dust 13 sticking onto a hole part 9 of the mask 10.例文帳に追加

本発明のマスク検査方法は、Ｓｉステンシルマスク１０にレーザ光源３からプローブ光を当て、マスク１０の孔開き部９に付着したごみ１３によってプローブ光が散乱された光１５をフォトダイオード５で検出する。 - 特許庁

In the method of holding the mask in the vertical condition in which a conic hole 1a, V-groove 1b and plane area 1c provided on a mask and three projections provided to a mask chuck are respectively engaged and pushed, a pushing force of the conic portion becomes maximum.例文帳に追加

マスクに設けた円錐孔部１a 、Ｖ溝部１b 、平面部１c と、マスクチャックに設けた３つの突起部とをそれぞれ係合させて押し付け、マスクを縦にして保持する方法において、円錐部の押し付け力が最大であることを特徴とする。 - 特許庁

After a polysilicon film is formed on an inter-layer dielectric film as a mask pattern, self-aligned contact etching is performed on the inter- layer dielectric film with the mask pattern as an etching mask so that an inter- layer dielectric film pattern 22a having a contact hole exposing a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜上にマスクパターンとしてポリシリコン膜を形成した後、マスクパターンをエッチングマスクとして層間絶縁膜をセルフアラインコンタクトエッチングして半導体基板を露出するコンタクトホールを有する層間絶縁膜パターン２２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a mask by which defects in a fine pattern and a hole on a mask for exposure with charged particle rays are accurately detected and to provide an apparatus for inspecting a mask capable of shortening inspection time while ensuring high resolution.例文帳に追加

荷電粒子線露光用のマスク上の微小なパターンやホールの欠陥を高精度に検出するマスク検査方法を提供すると共に、高解像度でありながら検査時間の大幅な短縮が可能なマスク検査装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The via hole can be formed with a feature of a single mask, a protective layer, a bond pad, or other feature of the substrate which functions as a hard mask when a photomask is removed between the etching processes.例文帳に追加

ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。 - 特許庁

The drip film 1 can be easily manufactured by placing a mask having a hole of the diameter of 2 mm, performing the vapor deposition of the carbon vapor deposition film 3 from an upper surface thereof, and removing the mask.例文帳に追加

この点滴フイルム１は上記ポリプロピレンフイルム上に、直径２ｍｍの孔を有するマスクを載せ、その上面からカーボン蒸着膜３を蒸着した後、マスクを取り外すことにより容易に製作することができる。 - 特許庁

The via hole 3 penetrating through the predetermined region of a semiconductor substrate 1 is formed by etching from one surface to another surface of the semiconductor substrate 1 in applying the Bosch process with the use of a mask layer 2 as a mask.例文帳に追加

マスク層２をマスクとし、ボッシュプロセスを利用して半導体基板１の一方の面から他方の面方向へエッチングし、当該半導体基板１の所定領域を貫通するビアホール３を形成する。 - 特許庁

To prevent hole extension when forming a mask, and to prevent occurrence of color mismatching on a diagonal end of a shadow mask color cathode ray tube.例文帳に追加

マスク成形時における孔伸びを未然に防ぐことができ、シャドウマスク型カラー陰極線管の対角端部の色ずれの発生を防止することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, the first conductor layer having the holes is used as a mask and a hole 16 is formed to the base film through radiation of the laser beam via the mask.例文帳に追加

次いで、穴を設けた第１の導体層をマスクとして用い、そのマスク越しにレーザ光を照射してベースフィルムにホール１６を形成する。 - 特許庁

The ultraviolet ray setting resin layer where the hole pattern is formed is turned to a mask, the piezoelectric single crystal wafer is honed through the mask and the desired recess for the bulk wave measure is formed.例文帳に追加

この穴パターンが形成された紫外線硬化型樹脂層をマスクとし、このマスクを介して圧電単結晶ウェーハをホーニング加工して、所望のバルク波対策用凹部を形成する。 - 特許庁

By etching the lower part interlayer dielectric 67 using the hard mask 69 as an etching mask, a self-aligned contact hole 71, by which the semiconductor substrate 51 between the wiring patterns 60 is exposed, is formed.例文帳に追加

ハードマスク６９をエッチングマスクとして使用して、下部層間絶縁膜６７をエッチングして配線パターン６０の間の半導体基板５１を露出させる自己整列コンタクトホール７１を形成する。 - 特許庁

The modified SOG film mask 5 functions as an etching mask for forming a contact hole (viahole) 6 which leads to the conductive layer 2.例文帳に追加

この改質ＳＯＧ膜マスク５は、炭化水素膜３に、導電層２に通じるコンタクトホール（ビアホール）６を形成するためのエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁

The mask 60 has a hole 60a having nearly the same shape in an area where the mask 60 crosses with the light that is the illuminating light made incident through the illumination lens 30 and reflected by the reflection micro device 10.例文帳に追加

マスク６０は、マスク６０と照明レンズ３０を介して入射される照明光であって反射マイクロデバイス１０で反射される光とが交差する領域に、略同一形状を有する穴６０ａを有する。 - 特許庁

A mask R wherein a prescribed pattern is formed is illuminated under cross pole illumination conditions, a wafer W is exposed via a projection optical system PL by light IL projected from the mask, and a hole array is formed on the wafer.例文帳に追加

クロスポール照明条件下で所定のパターンが形成されたマスクＲを照明し、該マスクから射出される光ＩＬで投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光し、そのウエハ上にホールアレイを形成する。 - 特許庁

After removing the resist pattern, a wiring trench 43 and a via hole 42 are formed at the same time by using a hard mask 36 as a mask and using the upper etching stopper film 33 and the diffusing barrier film 30 as etching stoppers.例文帳に追加

レジストパターンを除去後、ハードマスク３６をマスクとし上側エッチングストッパ膜３３と拡散バリア膜３０をエッチングストッパとして、配線溝４３を形成すると同時にビアホール４２を開口する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method in which a hole in an excellent vertical processing shape is formed in a mask layer while preventing a bowing shape from being formed, and a remaining film amount as the mask layer is secured.例文帳に追加

ボーイング形状の発生を防止してマスク層に良好な垂直加工形状のホールを形成し、且つマスク層としての残膜量を確保することができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Next, by etching with using the second mask 10' and the first mask 9' as masks, the first insulating film 7 containing the hardening layer S is removed, whereby the connection hole 12 is dug down.例文帳に追加

次に、第２マスク１０’および第１マスク９’をマスクに用いたエッチングにより、硬化層Ｓを含む第１絶縁膜７を除去することで、接続孔１２を掘り下げることを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

One mask which is made of an insulating material and in which the diameter of a through-hole 2 on a cream solder imprinting surface side at least is made larger than the diameter of a substrate electrode 11 of a wiring substrate 10 is used as a printing mask 1.例文帳に追加

印刷マスク１として、絶縁性材料からなり、且つ、少なくとも、貫通孔２におけるクリームはんだ刷り込み面側の径を、配線基板１０の基板電極１１の径よりも大きくしたものを用いる。 - 特許庁

When CF_4 gas is not added to treatment gas (c), the amount of a deposition of deposit 310 at a mask opening is increased in the latter half of etching treatment when a hole is deep, and the aperture diameter Rc1 of the mask is made extremely narrow.例文帳に追加

処理ガスにＣＦ_４ガスを添加しない場合（ｃ），ホールが深くなっているエッチング処理の後半では，マスク開口部における付着物３１０の堆積量が多くなり，マスクの開口径Ｒｃ１は，極めて狭くなってしまう。 - 特許庁

The mask has a form to include a nose projection part (3), a nose bridge part (4) and a large hole for the area of nostrils (1) in order to prevent the mask from displacing out of place and also removing respiratory difficulties.例文帳に追加

また，マスクの形状はズレ防止と呼吸障害除去のため鼻の突起部分（３）と鼻筋（４）を設けるとともに，鼻孔の部分（１）に大きく穴を開ける。 - 特許庁

After a wiring trench pattern is formed in the hard mask, etching is performed from the top of the wiring layer insulating film 34 up to the midpoint of the via layer insulating film 31 by using the resist pattern as a mask, and a via hole 42 is formed halfway of the whole depth.例文帳に追加

ハードマスクに配線溝パターンを形成後、レジストパターンをマスクとして配線層絶縁膜３４の上面からビア層絶縁膜３１の中間までエッチングし、ビアホール４２を途中の深さまで開口する。 - 特許庁

In order to form a hole injection layer which is one of organic thin film layers forming an organic luminescent layer, a liquid organic luminescent layer material is applied from the opening part of a metal mask by a mask spray method.例文帳に追加

有機発光層を形成する有機薄膜層の一つである正孔注入層を形成するため、金属マスクの開口部から、液状の有機発光層材料をマスクスプレー法によって塗布する。 - 特許庁

The mask layer 102 is selectively removed to form a contact hole 103 at the mask layer 102, so that the selected part 101a of the heat-resistant metal oxide layer 101 is exposed.例文帳に追加

この水素処理を介して前記耐熱性金属酸化物層の選択した部分を半電導性酸化物層又は電導性酸化物層にコンバートする。 - 特許庁

A pillar-shaped mask material 14a is formed of resist or the like at a position where a contact hole is formed, and an interlayer insulating film 15 is formed by application on all the surface therearound, in other words in the area except the vicinity of the mask material 14a.例文帳に追加

コンタクトホールを形成する位置にレジスト等を用いて柱状のマスク材１４ａを形成し、この周囲、即ちマスク材１４ａを除く基板全面に層間絶縁膜１５を塗布形成する。 - 特許庁

Thus, the short axis length Sw of the hole 3a can be made smaller than the thickness Ft of the mask 3 without using a thick film to prevent the correction paste 5 from entering between the mask 3 and the substrate panel 1.例文帳に追加

したがって、厚いフィルムを使用することなく、孔３ａの開口部の短軸長Ｓｗをマスク３の厚さＦｔよりも小さくすることができ、修正ペースト５がマスク３と基板１の隙間に吸い込まれることを防止できる。 - 特許庁

An etching mask is formed on the surface of a copper-plated laminate, a circuit pattern 5 is formed, and a mask position ascertaining electrode pattern 13 is formed so as to surround a region where the through-hole 11c is formed.例文帳に追加

銅張積層板の表面にエッチング用マスクを形成して回路パターン５を形成するのと同時に、スルーホール１１ｃが形成されるべき領域を囲むようにマスク位置確認用電極パターン１３を形成する。 - 特許庁

A photocrosslinking resin layer and a mask layer are formed on a second surface, and a conductive layer and a through hole opening portion of the second surface are covered with the photocrosslinking resin layer and the mask layer.例文帳に追加

第２面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第２面の導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う。 - 特許庁

A photocrosslinking resin layer and a mask layer are formed on a first surface, and a conductive layer and a through hole opening portion of the first surface are covered with the photocrosslinking resin layer and the mask layer.例文帳に追加

第１面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第１面の導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う。 - 特許庁