「mask hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid state image pickup further comprises a light shield mask 150 formed on the low-pass filter, microlenses 160, a seal resin 170, a window 180 in the light shield mask, a transparent conductive film 190, an antireflection film 195, a device hole 210, a lead 220 for dropping the transparent conductive film to GND, and a conductive paste 230 for connecting the lead.例文帳に追加

１５０はローパスフィルターに形成された遮光マスク、１６０はマイクロレンズ、１７０はシール樹脂、１８０は遮光マスクの窓部、１９０は透明導電膜、１９５は反射防止膜、２１０はデバイスホール、２２０は透明導電膜をＧＮＤに落とすリード、２３０はリードを接続する導電ペーストである。 - 特許庁

In the manufacturing method of a printed wiring board wherein a solder mask is formed by coating the surface of a base material having formed circuits and through holes with a liquid solder resist and by subjecting the solder resist to its exposure processing and its development processing, the solder resist remaining in each through hole after the formation of the solder mask is sublimated and removed by a laser.例文帳に追加

回路及びスルーホールを形成した基材の表面に、液状のソルダーレジストを塗布し、露光処理、現像処理をすることによってソルダーマスクを形成するプリント配線板の製造方法において、ソルダーマスクの形成後、スルーホール内に残存したソルダーレジストをレーザーにより昇華除去するものとした。 - 特許庁

A hole 17 is then made by exposing and developing the photosensitive polyimide film 16 on a bonding pad 11, a hole 18 is made by etching the non-photosensitive polyimide film 15 using the photosensitive polyimide film 16 as a mask, and the bonding pad 11 is exposed by etching the cover films 12, 13 and 14 using the non-photosensitive polyimide film 15 as a mask.例文帳に追加

まずカバー膜１２、１３、１４の上に非感光性ポリイミド膜１５を塗布し、次にその上に感光性ポリイミド膜１６を塗布し、次にボンディングパッド１１上の感光性ポリイミド膜１６を露光・現像して孔１７をあけ、次に感光性ポリイミド膜１６をマスクにして、非感光性ポリイミド膜１５をエッチングして孔１８をあけ、次に非感光性ポリイミド膜１５をマスクにしてカバー膜１２、１３、１４をエッチングしてボンディングパッド１１を露出させる。 - 特許庁

Also, the etching method of the thin plate comprises the process of forming the resist film of the prescribed pattern corresponding to an open hole to be etched on the thin plate as the mask, the process of etching the thin plate with the resist film as the mask and forming the open hole and the process of peeling the resist film by spraying the resist release agent to which the chemically stable particles are added.例文帳に追加

また、薄板上にエッチングしようとする開孔に対応する所定のパターンのレジスト膜をマスクとして形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記薄板をエッチングして開孔を形成する工程と、前記レジスト膜を、化学的に安定な微粒子が添加されたレジスト剥離剤をスプレーすることによって剥離する工程と、を備えることを特徴とする薄板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

With the use of a photosensitized polyimide instead of polyimide, a via hole, etc., required for multi layer or other application is provided by exposure and development through a mask with no etching dry film pasted nor laser process.例文帳に追加

ポリイミドの代わりに感光性ポリイミドを使用することによって、エッチング用ドライフィルムを貼ったり、レーザー処理しなくてそのままマスクを通して、露光、現像すれば多層化その他の用途に必要なビアホール等ができることになる。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole and a spacer capable of preventing a contact failure due to a mask misalignment, preventing void occurrences in an interlayer insulation film of an adjacent conducive patterns and reducing a parasitic capacitance between semiconductor devices.例文帳に追加

マスク誤整列によるコンタクト不良を防止し、隣接する導電膜パターン間の層間絶縁膜内にボイドが発生することを防止でき、導電膜パターン間の寄生キャパシタンスを減少させることのできる、半導体装置のコンタクト孔及びスペーサ形成方法を提供する。 - 特許庁

The thickness of the laminated films 12 stuck on the plastic plate 11 can be formed extremely thinly by the arrangement to make the processing easy at the time of forming a through-hole on the printing mask material 10 by emitting laser beam.例文帳に追加

これにより、該プラスチック板１１に貼付されたラミネートフィルム１２の厚みを極めて薄く形成することができるので、レーザービームを照射して上記印刷用マスク材１０に貫通開口部を形成する際の加工を容易化できる。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

Then, after the holes 34 for via hole formation are formed in the film 31 through etching using the film 32 as an etching resist, the via holes are formed in the insulating resin layer 27 with CO2 laser using the film 32 as a mask.例文帳に追加

次に、電解Ｃｕメッキ被膜３２をエッチングレジストとして用いて、無電解Ｃｕメッキ被膜３１にエッチングでビアホール形成用の孔を形成した後、電解Ｃｕメッキ被膜３２をマスクとして用いて、ＣＯ_2 レーザーで絶縁樹脂層２７にビアホールを形成する。 - 特許庁

After first exposure has been performed by using the exposure mask 1a, exposure can be completely performed since a photoresist in the contact hole is exposed twice, when second exposure is performed, by being shifted in the line direction by corresponding to a single row portion direction.例文帳に追加

この露光用マスク１ａを用いて所定位置で１回目の露光を行った後、１画素分行方向にずらして２回目の露光を行うと、コンタクトホール内のフォトレジストは２回露光されるため、完全に露光することができる。 - 特許庁

To decrease the aspect ratio of a contact hole in an SiO_2 cover layer when a fine capacitive element composed of an upper electrode, a dielectric, a lower electrode and a barrier layer is manufactured by etching using an SiO_2 hard mask formed on the upper electrode.例文帳に追加

上部電極／誘電体／下部電極／バリア層からなる微細な容量素子を、上部電極上に形成したＳｉＯ_2ハードマスクを用いてエッチングにより製造する際に、ＳｉＯ_2カバー層のコンタクト孔のアスペクト比を抑制する。 - 特許庁

Then, the entire piezoelectric substrate is covered with a cover mask 3 where plural opening holes 3a corresponding to respective electrode positions are formed and the opening hole 3a corresponding to the electrode provided with the frequency equal to or lower than the target value is selectively closed by a shielding member 4.例文帳に追加

次に、各電極位置に対応した複数の開口穴３ａを形成したカバーマスク３で圧電基板全体を覆い、目標値以下の周波数を有する電極に対応した開口穴３ａを遮蔽部材４によって選択的に閉じる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a photosensitive silazane film 52 is exposed and developed, and a hard mask 52A which is formed of the photosensitive silazane film 52 and regulates positions of a wiring pattern and a contact hole 60 of a wiring layer 66A is formed on an interlayer insulating film 50.例文帳に追加

本製造方法では、感光性シラザン膜５２を露光及び現像することにより、層間絶縁膜５０上に、配線層６６Ａの配線パターン及び接続孔６０の位置を規定する、感光性シラザン膜５２からなるハードマスク５２Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a solder print mask which does not close a through hole for insertion component when a solder coat is formed by printing cream solder on a hybrid substrate, and to provide a printed wiring board and a method for manufacturing a circuit board.例文帳に追加

混載基板に印刷によりクリーム半田を印刷して半田コートを形成する際に、挿入部品用の貫通孔を塞ぐことのない半田印刷マスク、プリント配線基板及び回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a color cathode-ray tube device capable of suppressing moire stripes, without having to especially change the arrangement of an open hole of a shadow mask by dispensing with countermeasures against moire in the color cathode-ray tube device itself, and a method for suppressing the moire.例文帳に追加

カラー陰極線管自体でのモアレ対策を不要とし、シャドウマスクの開孔の配列を格別変化させることなくモアレ縞を抑制できるカラー陰極線管装置およびそのモアレ抑制方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a structure which prevents local temperature rise of a workpiece at the part of a through-hole formed in a workpiece stage, in an aligner which performs alignment by detecting a mask alignment mark and a workpiece alignment mark.例文帳に追加

マスク・アライメントマークとワーク・アライメントマークとにより位置合わせを行う露光装置において、ワークステージに形成した貫通孔部分でワークに生じる局所的な温度上昇を防止した構造を提案することである。 - 特許庁

This method of generating at least one pattern on the upper surface of a support body 1 made of a substance showing first thermal conductivity includes a process of arranging a mask 7 made of a substance which shows second thermal conductivity and including at least one hole part 8 having a shape corresponding to the shape of the pattern.例文帳に追加

第１熱伝導率を示す物質から作られる支持体１の上面上に少なくとも１つのパターンを作成する方法は、第２熱伝導率を示し、且つ、パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも１つの孔部８を含む物質から作られるマスク７を配置する工程を含む。 - 特許庁

In this way, the phase inversion film has mutually different composition ratios in the thickness direction, and the halftone phase inversion blank mask having the phase inversion film, which has excellent adhesiveness, particle property, pin hole property, chemical resistance, exposure resistance, residual stress, and surface resistance, can be manufactured.例文帳に追加

これにより、位相反転膜に厚さ方向に相異なる組成比を持たせることによって、位相反転膜の接着力、パーチクル、ピンホール、耐化学性、耐露光性、残留応力、面抵抗特性の優秀なハーフトーン型位相反転ブランクマスクの製造ができる。 - 特許庁

A fifth insulating film 11, a fourth insulating film 10 and a third insulating film 9 formed on a first buried wiring 8, and a second insulating film 3 are etched by using a resist pattern 13 as a mask; and a contact hole 14 is formed on the first buried wiring 8.例文帳に追加

第一埋め込み配線８および第二絶縁膜３の上に形成した第五絶縁膜１１、第四絶縁膜１０、および第三絶縁膜９をレジストパターン１３をマスクとしてエッチングして、第一埋め込み配線８の上にコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

The sealing resin (3) with thixotropic properties, heat setting properties and insulating properties is filled into a resin flowing space (4) through a through-hole (2) by sliding a squeegee (5) along a metal mask plate (1), and the sealing resin (3) stuck on the periphery of a sliding component (120) is heat-cured.例文帳に追加

メタルマスク版（１）に沿ってスキージ（５）を摺動し、樹脂流入空間（４）へ通孔（２）を介してチキソ性と熱硬化性と絶縁性を有する封止樹脂（３）を充填し、摺動部品（１２０）の周囲に付着する封止樹脂（３）を加熱硬化させる。 - 特許庁

An orifice plate 58 is formed on the uppermost layer of a heating part 52, a common electrode 53, a discrete interconnection electrode 54, an ink supply trench 55, an ink supply hole 56, a barrier wall 57, and the like, formed on a chip substrate 51 and a metal mask film 63 is formed thereon by sputtering thus forming a pattern 63-1.例文帳に追加

チップ基板５１上の発熱部５２、共通電極５３、個別配線電極５４、インク供給溝５５、インク供給孔５６、隔壁５７等の最上層にオリフィス板５８を積層し、この上にメタルマスク膜６３をスパッタ成膜しパターン６３−１を形成する。 - 特許庁

A combination member A comprises the pulley 1 in which the throughhole 10 having a pair of opening ends 11, 12 is provided and the plug 30 to be press-fitted into the throughhole 10 to mask the inner peripheral surface 20 of the through hole 10 in the plating of the pulley 1 in the plating solution.例文帳に追加

組合せ部材Ａは、１対の開口端11，12を有する貫通孔10が設けられたプーリ１と、プーリ１にメッキ液によるメッキ処理が施される際に貫通孔10の内周面20をマスキングするために貫通孔10に圧入される栓30とから構成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask for vapor deposition is carried out by forming photoresist films 12a, 12b through reflection preventing films 30A, 30B on both side surfaces of a metal thin film 10 and exposing them to form a pattern of the passage hole 10A-1 on the photoresist films 12a, 12b.例文帳に追加

蒸着用マスク１の製造方法では、金属薄膜１０の両面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成したのち露光することにより、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンを形成する。 - 特許庁

Subsequently, a photosensitive organic material is formed on the interlayer insulating film 15, and the photosensitive organic material on a region separated from a contact hole CH2 is exposed via a mask 41 having a transmission part 41W and an extended transmission part 41C continuous with an end portion of the transmission part 41W.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１５上に、感光性有機材料を形成し、透過部４１Ｗ及びその端部と連続する拡張透過部４１Ｃを有したマスク４１を介して、コンタクトホールＣＨ２と離間した領域の感光性有機材料を露光する。 - 特許庁

To prevent the decomposition of a conductive layer formed by electroless plating, prevents the deterioration of the adhesion between conductive layers or between the conductive layer and a mask due to the decomposition, and reduces the inter-hole nonuniformity of the thickness of conductive layers formed on the side walls of holes.例文帳に追加

無電解めっきによって形成される導電層の変質を防止し、その変質による導電層間又は導電層とマスクとの間の密着性の低下を防止し、孔の側壁に形成される導電層の厚さの孔間ばらつきを低減する - 特許庁

At this point, the TFT and a wiring act as a mask, the photosensitive resin 10 lying on the TFT and the wiring is removed in an etching stage and a contact hole and a gently-sloping rugged pattern are formed on the drain electrode 8 and at the pixel aperture part, respectively.例文帳に追加

このとき、ＴＦＴおよび配線がマスクとして作用し、ＴＦＴおよび配線上の感光性樹脂層１０はエッチング工程で除去され、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に感光性樹脂層１０によるなだらかな凹凸パターンが、それぞれ形成される。 - 特許庁

The conductive paste contains a thermosetting resin and conductive powder having an average particle size d_50 of 2.2 μm or smaller and a tap density in the range of 4.6 to 6.5 g/cm^3, and is used in forming a conductive bump by printing with a metal mask stencil having a hole size of 70 μm or smaller.例文帳に追加

熱硬化性樹脂と、平均粒径ｄ_50が２．２μｍ以下かつタップ密度が４．６〜６．５ｇ／ｃｍ^3の導電性粉体とを含有し、孔径７０μｍ以下のメタルマスク版を用いた印刷による導電性バンプ形成用である導電性ペースト。 - 特許庁

In addition to an examining processing part 5 for pattern for examining the propriety by applying mask processing at the position of through hole or photo via/laser via, an examining processing part 6 for via is provided for recognizing a defect peculiar for the position of photo via/laser via.例文帳に追加

スルホールやフォトビア・レーザビアの位置にマスク処理を施して良否検査を行うパターン用検査処理部５に加えて，フォトビア・レーザビアの位置に特有な欠陥を認識するためのビア用検査処理部６を設けた。 - 特許庁

To provide a mask stage drive mechanism which has a three-degree of freedom configuration of X, Y and θ axes, a flat structure and also the optical path with a large hole diameter at the center and which also can realize a high accurate trajectory following performance and positioning.例文帳に追加

Ｘ軸、Ｙ軸、θ軸の３自由度構成で、偏平な構造を持つと共に中央に大口径の光路を有し、かつ高い軌跡追従性能と位置決め精度を実現することのできるマスクステージ駆動機構を提供すること。 - 特許庁

The holes 10N, 10S of the springs 8N, 8S arranged on Y axis of a long side frame 7a of the mask frame 7 and panel pins 5N, 5S corresponding to the long side frames are arranged so as to have a gap 11 in the axial direction of the hole.例文帳に追加

マスクフレーム７の対向する長辺フレーム７ａのＹ軸上に設けられたスプリング８Ｎ、８Ｓの孔１０Ｎ、１０Ｓと、これに対応するパネルピン５Ｎ、５Ｓとが、孔径方向において間隙１１を有するように設けられている。 - 特許庁

A material composed of two layers of an insulating base material 2 and adhesive polyimide 3 which differ in etching resistance is used as the insulating base material, and the hole 6 for conduction is formed by resin etching using a conductor layer on a higher etching-resistance side as a conformal mask.例文帳に追加

絶縁べ−ス材としてエッチング耐性が異なる絶縁べ−ス材２と接着性ポリイミド３との２層からなる材料を用い、エッチング耐性の高い側の導体層１をコンフォ−マルマスクとして樹脂エッチングして導通用孔６を形成する。 - 特許庁

The contact hole 4 can be surely opened without depending on an exposure condition of an exposure machine of a mirror projection system such as a scanning speed by specifying a design dimension for opening the used photo mask to be 4 μm or more.例文帳に追加

使用するフォトマスクの開口設計寸法を４μｍ以上とすることにより、ミラープロジェクション方式の露光機の露光条件例えばスキャンスピードに依存することなく、確実にコンタクトホール４を開口させることができる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a Cu wiring layer 2 formed on a semiconductor substrate 1 as a lower wiring layer and a groove 5 which becomes a via hole is opened in the insulating film 3 until the Cu wiring layer 2 appears by using a resist 4 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１上に下層配線層として形成されているＣｕ配線層２上に、層間絶縁膜３を形成し、レジスト４をマスクとしてヴィアホールとなる溝５をＣｕ配線層２があらわれるまで開口する。 - 特許庁

The additional hole also provides the solder bump outside the peripheral chip which is used for supporting a second shadow mask for sticking an additional material such as tin to a re-flowed solder bump, so that the tip is fitted to a plastic substrate at a low temperature.例文帳に追加

追加の穴は、低い温度でプラスチック基板にチップを装着するため、リフローされた半田バンプに錫などの追加材料を付着するための第２のシャドー・マスクを支持するのに使用できる、周辺チップの外側の半田バンプも提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and apparatus capable of improving a production yield with no increase in manufacturing costs by preventing a mask collapse without using Xe gas, even when forming a hole having a high aspect ratio.例文帳に追加

高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

A sheet having a through-hole 12 with a definite aperture ratio is fixed on a plate frame 3, and after the whole face of the sheet 2 is coated with a photosensitive emulsion 4 and is dried, a mask film on which a printing pattern is drawn is hermetically stuck under vacuum, it is irradiated with ultraviolet rays, and an unexposed part is developed and removed.例文帳に追加

版枠３に一定の開孔率の透孔１２を有するシート２を版枠３に固定し、シート２の全面に感光性乳剤４を塗布し乾燥した後、印刷パターンが描画されたマスクフィルムを真空密着し紫外線照射した後未露光部を現像除去する。 - 特許庁

Based on these relations, taper is generated when the interlayer insulating film 504 is etched with use of the patterned interlayer insulating film 202 as a mask, an aspect ratio of a via hole is reduced, and the interlayer insulating film 503 is favorably etched and removed.例文帳に追加

これらの関係により、パターニングされた層間絶縁膜２０２をマスクとして用いる層間絶縁膜５０４のエッチングの際のテーパの生成、ビアホールのアスペクト比の低減、層間絶縁膜５０３の良好なエッチング除去が得られる。 - 特許庁

When a wiring groove and a connection hole are formed by etching in the porous insulating film employed as the inter-layer insulating film, a permeation-preventive film 22 is formed on only the surface of the porous insulating film 20 exposed in an opening 21a of a mask layer 21 to prevent permeation into an antireflective film 23 and a resist 24.例文帳に追加

層間絶縁膜として採用するポーラス絶縁膜２０に配線溝と接続孔をエッチング加工する際に、マスク層２１の開口２１ａに露出したポーラス絶縁膜２０の表面上にのみ浸透防止膜２２を形成することで、反射防止膜２３やレジスト２４の浸透を防止する。 - 特許庁

The device 60 is equipped with a second mask 62 attached to the projection lens 40 on which reflected light from the reflection micro device 10 is made incident between the reflection micro device 10 and the projection lens 40 and having a second hole 62a in such positional relation that the reflected light is made to pass but the illuminating light does not pass.例文帳に追加

反射マイクロデバイス１０と反射マイクロデバイス１０からの反射光を入射する投影レンズ４０との間で投影レンズ４０に取り付けられ、反射光を通し照明光が通らない位置関係に第２穴６２ａを有する第２マスク６２を備える。 - 特許庁

The transfer mask includes a support layer 21 made of a single-crystal silicon and having an opening 26, and a thin film layer 24 on which a charged particle beam transmission hole 28 formed on the surface of the support layer 21 and communicated with the opening 26 is formed.例文帳に追加

本発明の転写マスク２９は、単結晶シリコンからなり開口部２６が形成されている支持層２１と、支持層２１の表面に形成され開口部２６と連通している荷電粒子線透過孔２８が形成されている薄膜層２４と、を具備する。 - 特許庁

Then after placing a resist 27 on the polysilicon 7, the gate 7c and the gate oxide film 6 of the peripheral transistor 50 are patterned by using the resist 27 as a mask, and the electrode layer 7b of the second layer and the insulating film 5 are removed to form a contact hole 12.例文帳に追加

そして、ポリシリコン７の上にレジスト２７を配置したのち、レジスト２７をマスクとして、周辺トランジスタ５０のゲート７ｃ及びゲート酸化膜６をパターニングすると共に、２層目の電極層７ｂ及び絶縁膜５を除去してコンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor element and its manufacturing method, the concentration gradient of impurities in the lateral direction of a conductive layer is controlled by forming the sectional shape of the hole of an oxide-film mask in a tapered shape, and the conductive layer having the gentle concentration gradient in the lateral direction is formed.例文帳に追加

酸化膜マスクの孔の断面形状をテーパ形状に形成することにより、導電層の横方向の不純物の濃度勾配を制御し、横方向の濃度勾配が緩やかな導電層を形成した半導体素子とその製造方法である。 - 特許庁

A side wall protective film 4 which is formed in a plasma etching process for forming a viahole 2a as the electric continuity hole in a silicon based oxide film 2 as the interlayer insulating film of a substrate is reformed so as to be easily dissolved in water in plasma treatment for eliminating a resist mask 3.例文帳に追加

基板の層間絶縁膜であるシリコン系酸化膜２に導通孔であるビアホール２ａを設けるためのプラズマエッチング工程で形成される側壁保護膜４を、レジストマスク３を除去するプラズマ処理において水に溶けやすく改質する。 - 特許庁

In succession, a plating resist layer 8 is formed on the electroless copper plating layer 3 except the inner circumferential surface 6a and peripheral part 6b of the through-hole 6, and an electroplating copper layer 4 is formed on the electroless copper plating layer 3 through the plating resist layer 8 as a mask.例文帳に追加

続いて、スルーホール部６の内周面６ａおよび周辺部６ｂの領域を除いて無電解銅めっき層３上にめっきレジスト８を形成した後、めっきレジスト８をマスクとして無電解銅めっき層３上に電解銅めっき層４を形成する。 - 特許庁