「mask hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the depositing beam 200 is passed through a depositing beam passage hole 71 on a depositing beam direction adjusting plate 70 and discharged in the direction of the shadow mask 101 as depositing beam with improved orientation.例文帳に追加

さらに蒸着ビーム２００は、蒸着ビーム方向調整板７０上の蒸着ビーム通過孔７１を通過して、指向性の高められた蒸着ビーム２１０となってシャドウマスク１０１の方向へ放射される。 - 特許庁

In this way, a shadow which will be inevitably cast by the upper edge of the opening of the through hole 8 when the thickness of the mask body 5 is increased is avoided, and the light-emitting layer 7 with a cross-sectional shape having an even height can be accurately formed.例文帳に追加

これにて、マスク本体５の板厚を大きくした場合に不可避の通孔８の開口上端縁による影をなくして、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形成することができる。 - 特許庁

An engaging part 2' is set to each side of a ribbon mask 1, which has an engaging part 21 at a lower part, and a hole 22, a hook 23 and a dogleg shaped knob part 11 at an upper part.例文帳に追加

リボンマスク１の両側に、下部に係合部２１を、上部に穴２２とフック２３及びく字状のツマミ部１１を備えた係止部品２’を設ける。 - 特許庁

The sputtering device 1 includes a mask part 12 for masking the substrate P so as to form, on the substrate P, the recording film M having an inner circumferential diameter equal to or smaller than a diameter of the center hole on the film F.例文帳に追加

スパッタリング装置１は、基板Ｐ上に、フィルムＦの中心穴の径以下の内周の径を有する記録膜Ｍが形成されるように、基板Ｐをマスクするマスク部１２を有する。 - 特許庁

By a series of these operations, a gloss-reducing processing part comprising fine protruded parts 17 or fine recessed parts is formed at a place where the mask parts or hole parts are present.例文帳に追加

これら一連の操作により、マスク部又はホール部のあった所に、微小凸部１７又は微小凹部からなる低グロス化用加工部を形成する。 - 特許庁

The method for adjusting the landing angle in the charged particle beam exposure system includes a step of disposing a minute point pattern 51 regarded as being substantially a point on a mask stage 11, and a step of disposing a minute first pin hole 61 on the surface of a wafer.例文帳に追加

マスクステージ１１上にほぼ点とみなせる微小な点パターン５１を配置し、ウェハ面上に微小な第１ピンホール６１を配置する。 - 特許庁

A resist film pattern 26B independent of the pattern of a beam passing hole 27 of a color selection mechanism is formed on the color selection mechanism, and the resist pattern 26B is used for a mask for exposure to form a fluorescent screen 44.例文帳に追加

色選別機構上に該色選別機構のビーム透過孔２７のパターンと独立したレジスト膜パターン２６Ｂを形成し、レジストパターン２６Ｂを露光用マスクに用いて蛍光面４４を作成する。 - 特許庁

Related to a protective mask 28, a region where the surface of an insulating film 24 is exposed is left at the edge of a contact hole 26, and a step 22 is covered with rounded cross section.例文帳に追加

保護マスク２８は、コンタクトホール２６の縁に絶縁膜２４の表面が露出する領域を残して、丸みを有する断面形状で段差２２を覆う。 - 特許庁

The second part 154 of the aperture penetrates at least one hole 168 of the mask layer 167 and the filling material 169, and extends to the first side 162.例文帳に追加

第２の部分１５４は、マスク層１６７の少なくとも１つの穴１６８および充填材料１６９を貫いて第１の側１６２へと延びている。 - 特許庁

The second diffusion layer 26 is provided in a through hole which is formed by removing a hard mask used for forming the silicon pillar 15A.例文帳に追加

第２の拡散層２６は、シリコンピラー１５Ａの形成に用いたハードマスクを除去することによって形成されたスルーホール内に設けられている。 - 特許庁

Further, anisotropic etching is performed by using the hard mask 52A, a wiring trench 62 of the wiring layer 66A is formed, the connection hole 60 is made to reach a wiring layer 46, and the wiring layer 46 is exposed.例文帳に追加

更に、ハードマスク５２Ａを用いて異方性エッチングを行い、配線層６６Ａの配線溝６２を形成し、かつ接続孔６０を配線層４６に到達させ、配線層４６を露出させる。 - 特許庁

In an airtight container 6, a substrate fixing sheet 5 stuck to a sheet ring 2 is placed and a substrate 4 to which a via hole mask 4 is stuck and an O-ring 8 are put on the sheet 5.例文帳に追加

気密容器６内に、シートリング２に貼り付けられた基板固定シート５を置き、その上に、ビアマスクを貼り付けた基板４とＯリング８を置く。 - 特許庁

Fe-Ni ALLOY STOCK FOR SHADOW MASK, EXCELLENT IN PROPERTY OF PIERCING BY ETCHING, SIMPLE METHOD FOR INCLUSION OBSERVATION, AND METHOD FOR DISCRIMINATING UNIFORMITY OF ELECTRON BEAM TRANSMISSION HOLE例文帳に追加

エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材並びに介在物の簡易観察方法および電子線透過孔均一性の判別方法 - 特許庁

A via hole 23 in a ceramic green sheet 21 applied with a carrier film 22 is filled with conductive paste 24 by printing from the carrier film 22 side using a metal mask 25.例文帳に追加

キャリアフィルム２２付のセラミックグリーンシート２１のビアホール２３に、該キャリアフィルム２２側からメタルマスク２５を用いて導体ペースト２４を穴埋め印刷する。 - 特許庁

An unburned ceramic sheet 10 supported by a support sheet 12 is covered with a mask 82 having the through hole 84 and sand 72 is made to collide with the sheet by a sand blast device 70.例文帳に追加

サポートシート１２に支持された未焼成セラミックシート１０を、貫通穴８４を有するマスク８２で覆い、サンドブラスト装置７０によりサンド７２を衝突させる。 - 特許庁

The etching processing method of the piezoelectric wafer forms a mask 18 with an opening 16 on an one face 12 of the piezoelectric wafer and another face 14, carries out etching of the opening 16, and forms a through-hole.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

To provide a color cathode-ray tube in which a shielding amount and a reflection amount of light or electron beam caused by a mask hole-opening are reduced, and a picture quality is improved.例文帳に追加

マスク開孔に起因する光あるいは電子ビームの遮蔽量および反射量を低減し、画像品位の向上したカラー陰極線管を提供することにある。 - 特許庁

The metal mask 1 is provided by forming a carving pattern opening 3 in a metallic substrate 2, and the small hole for the identification mark is additionally formed in a place except for a manufacturing place.例文帳に追加

メタルマスク１は、金属製基板２に刻印用のパターン開口３を形成してなるもので、製作場所以外の場所で、追加的に識別マーク用の小孔が形成される。 - 特許庁

Then, the resist film 42 and the anti-reflection 41 are removed off, and the groove pattern 40 and the hole pattern 43 are each transferred onto the insulating films 37 and 35 using the insulating film 38 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト膜４２，反射防止膜４１を除去し、絶縁膜３８をマスクとして溝パターン４０を絶縁膜３７に、孔パターン４３を絶縁膜３５に転写する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method in which a high mask selection ratio can be realized at a high etching rate in the plasma treatment method in which a hole working at a high aspect ratio to an insulating film is conducted.例文帳に追加

絶縁膜への高アスペクト比のホール加工を行うプラズマ処理方法において、高エッチングレートで高いマスク選択比を実現可能な、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the tapered through hole comprises the steps of forming a interlayer dielectric 2 and a first plasma nitride film 7 on a lower layer wiring 1, dry etching with a photoresist 3 as a mask, and forming a recess 8 on a surface of the dielectric 2.例文帳に追加

下層配線１上に層間絶縁膜２及び第１のプラズマ窒化膜７を形成し、フォトレジスト３をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁膜２の表面に凹部８を形成する。 - 特許庁

Pressure is applied on a pressurization chamber 1, where the pressurization means for varying pressure is connected, pressure is applied to the membrane 9 via a hole 8 on the blanks-fixing plate 3, and the membrane 9 of the mask blanks 2 is expanded.例文帳に追加

圧力可変の加圧手段が接続されている加圧チャンバー１に圧力を加え、ブランクス固定板３の穴８を通してメンブレン９に圧力をかけ、マスクブランクス２のメンブレン９部分を膨らませる。 - 特許庁

Since an opening 38 is opened with laser using an opening 32a of a copper foil 32 of the core substrate 30 as a conformal mask, a via hole 50 is appropriately connected to the chip capacitor 20.例文帳に追加

コア基板３０の銅箔３２の開口３２ａをコンフォーマルマスクとして、レーザで開口３８を穿設するため、バイアホール５０をチップコンデンサ２０と適切に接続することができる。 - 特許庁

The fluid channel forming plate 14 is selectively removed via a mask 42 to form a communication hole 18 and an ink pool 20 as shown in figures (B) and (C).例文帳に追加

次いで、（Ｂ）図及び（Ｃ）図に示すように、マスク４２を介して流路形成プレート１４を選択除去し、連通孔１８とインクプール２０を形成する。 - 特許庁

To enhance an aperture ratio by restraining a non-pixel opening part area derived from a wire connection structure of an auxiliary wiring and a common electrode through a through-hole, in a deposition mask, an organic electroluminescent display device, and their manufacturing method.例文帳に追加

蒸着マスク、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、その製造方法に関し、スルーホールを介した補助配線と共通電極の結線構造に由来する非画素開口部面積を抑制して、開口率を高める。 - 特許庁

Then a via hole 32 is formed by etching the interlayer insulating film 22 through the use of a resist film 23 as a mask and filled with a material which has etching speed faster than that of the interlayer insulting film to form an embedded film 24.例文帳に追加

そして、このレジスト膜２３をマスクとして層間絶縁膜２２をエッチングしてビアホール３２を形成し、ホール３２内を層間絶縁膜よりもエッチング速度が速い材料で埋め込むことにより埋込膜２４を形成する。 - 特許庁

In order to form an opening 71U of a connecting terminal to an IC chip using excimer laser, a mask 70 equipped with a hole 78a corresponding to the relevant terminal is used, so that the fine opening 71U can be formed exactly in a narrow pitch.例文帳に追加

ＩＣチップへの接続端子の開口７１Ｕをエキシマレーザで形成するため、当該端子に相当する通孔７８ａを備えるマスク７０を用いることで、微細な開口７１Ｕを狭ピッチで正確に形成することができる。 - 特許庁

To provide a light shielding device for efficiently making only the light required for projection pass without making the hole of a mask large in a video device using a reflection micro device.例文帳に追加

反射マイクロデバイスを使った映像装置において、マスクの穴を大きくすることなく、投影に必要な光だけを効率よく通す遮光装置を提供する。 - 特許庁

Then, a part of the n-GaN layer 11 is etched until the surface of the p-GaN layer 10 is exposed while using the SiO_2 film 12 as a mask so as to form the contact hole (Fig. 1c).例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2 膜１２をマスクとしてｎ−ＧａＮ層１１の一部をｐ−ＧａＮ層１０の表面が露出するまでエッチングし、コンタクトホールを形成する（図１ｃ）。 - 特許庁

Alternatively, the solder 7 is divided into a plurality thereof by the metal mask and stuck to the pad 3 excluding the port edge part of the upper end opening of the screw hole 5.例文帳に追加

又は、半田７がメタルマスクにより複数に分割されて、且つ、ビス穴５の上端開口部の口縁部を除いて、パッド３に付着したプリント配線基板とする。 - 特許庁

The photomask includes a fine pattern 53 in a mask pattern region corresponding to the formation of a hole He on an upper face of the optical path difference adjusting layer 57 which constitutes a color filter.例文帳に追加

カラーフィルタを構成する光路差調整層５７上面のホールＨｅの形成に対応したマスクパターン領域に微細パターン５３が設けられている。 - 特許庁

A resist pattern 5 is formed on the interlayer insulation film 2 by photoengraving, and a substrate is etched while the resist pattern 5 is used as a mask, so as to form a trench 6 connected with the via hole 3.例文帳に追加

層間絶縁膜２上に写真製版によりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をマスクとしたエッチングによりビアホール３に接続するトレンチ６を形成する。 - 特許庁

At least one adjusting hole (22 to 29, 41 to 44, 51 to 54, 81 to 86) of the mask plate 18 has dimensions enlarged to correspond to the dimensions of at least two detector elements (6.1 to 6.19).例文帳に追加

マスク板（１８）の少なくとも１つの調整孔（２２〜２９，４１〜４４，５１〜５４，８１〜８６）は、少なくとも２つの検出器要素（６．１〜６．１９）の寸法に合わされているように拡大された寸法を有する。 - 特許庁

A through-hole 28 for making the layers 22, 24 and 26 penetrate therethough is formed in the stencil mask 10 corresponding to a predetermined pattern.例文帳に追加

ステンシルマスク１０には、所定パターンに対応して、第１導電層２２、第１絶縁層２４及び第２導電層２６を貫通する貫通孔２８が形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a mask 1 for vapor deposition, a plurality of metallic thin films 10 are fixed to a frame 11 while applying the tension T thereto, and then, a plurality of through hole patterns 10A are formed in each metallic thin film 10.例文帳に追加

蒸着用マスク１の製造方法は、複数の金属薄膜１０を、張力Ｔを付加しつつ枠体１１に固着させたのちに、各金属薄膜１０に複数の透過孔パターン１０Ａを形成する。 - 特許庁

A positioning pin 23 is pressed to a stationary pin inserting hole 15a formed at the holder 61, and the mask 15 is fixed to a frame member 20 for manufacturing the battery.例文帳に追加

マスク保持部６１に形成された固定ピン挿通孔１５ａに位置決めピン２３を押し込み、電池製造用枠部材２０にメタルマスク１５を固定する。 - 特許庁

To provide a metal mask for easily forming a small hole for an identification mark even at a construction site of a sand blast, while holding sufficient strength.例文帳に追加

十分な強度を保持しながら、サンドブラストの施工現場等においても識別マーク用の小孔の形成を容易に行えるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

When a mouth and a nose are covered to be blocked with the mask 1 in respiration, the concentration of oxygen in gas staying in the respiratory gas storage portion 7 is slowly reduced while receiving outside air supplied from the outside air supply hole 9.例文帳に追加

マスク１を口や鼻を塞ぐように被せて呼吸すると、外気補給孔９からの外気補給を受けながら、呼吸気体格納部７に溜まる気体の酸素濃度がゆっくり低下する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer printed-wiring board wherein the accuracy of the alignment of a mask with a wiring board is increased in an exposure process, and the reliability of a via hole part is not lowered.例文帳に追加

露光工程でのマスクと配線板との位置あわせ精度を高め、バイアホールの信頼性が低下することがない多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A hole transport/injection layer or a light-emitting hole transport layer, with a high heat resistance having crosslinking group, having a pattern formed by mask exposure, can be effectively formed by using a hole transporting condensate with a high Tg formed by addition condensation of aromatic tertiary amine having a triarylamine structure and a carbonyl compound like aldehyde.例文帳に追加

トリアリールアミン構造を有する芳香族第三級アミンとアルデヒド等のカルボニル化合物との付加縮合により生成されるＴｇの高い正孔輸送性縮合物を用いると、耐熱性が高く、架橋基を有することもでき、マスク露光によるパターン形成した正孔輸送注入層や正孔輸送発光層を形成するのに効果がある。 - 特許庁

Then, the sidewall mask layer is removed, a first insulating film 23 is formed on the etching stopper film 21, a contact hole CH is bored to make the heavily- doped region exposed, second insulating films (24a and 25a) are formed on the inner wall of the contact hole CH, and an embedded electrode is formed inside the contact hole CH.例文帳に追加

次に、サイドウォールマスク層を除去し、エッチングストッパ膜の上層に第１絶縁膜２３を形成し、高濃度不純物含有領域を露出させるコンタクトホールＣＨを開口し、コンタクトホールの内壁面上に第２絶縁膜（２４ａ，２５ａ）を形成し、コンタクトホール内に埋め込み電極を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a transfer carrier comprises: a hole or recess formation step of forming a hole or a recess at least in a part of a substrate; a coating film formation step of forming a coating film by screen printing a coating liquid containing polydimethylsiloxane composition, which contains at least polydimethylsiloxane, after coating the hole or recess with a mask provided on a screen plate; and a calcination step of calcining the coating.例文帳に追加

基板の少なくとも一部に、穴部乃至凹部を形成する穴部乃至凹部形成工程と、前記穴部乃至凹部をスクリーン版に設けたマスクで被覆した後、少なくともポリジメチルシロキサンを含むポリジメチルシロキサン組成物を含有する塗布液を、スクリーン印刷して塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を焼成する焼成工程とを含む搬送キャリアの製造方法である。 - 特許庁

The inner diameter D_v of a via hole in a dielectric layer considered for the CAD data is converted into the outer diameter D_p of a via hole pattern in a photolithographic exposure mask as the CAM data, namely the outer diameter D_p smaller than the inner diameter Dv of the via hole.例文帳に追加

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径Ｄ_Ｖを、該ビアホール内径Ｄ_Ｖより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ_Ｐに、ＣＡＭデータとして変換する。 - 特許庁

The method for obtaining the stencil mask 100 comprises steps of forming an indium oxide thin film 11 on the supporting substrate 1 comprising a silicon wafer to manufacture the substrate 10 for the stencil mask, forming an opening 31 in the supporting substrate 1 by pattern-processing the supporting substrate 1 and the indium oxide thin film 11, and forming a charged beam transmitting hole 12 in the indium oxide thin film 11.例文帳に追加

シリコンウェハーからなる支持基板１上に酸化インジウム薄膜１１を形成してステンシルマスク用基板１０を作製し、支持基板１及び酸化インジウム薄膜１１をパターニング処理して支持基板１に開口部３１、酸化インジウム薄膜１１に荷電ビーム透過孔１２を形成してステンシルマスク１００を得る。 - 特許庁

The metal mask comprises a mask board 11 made of a metal thin plate, a paste passage hole 12 opened according to a predetermined pattern on the board 11, and a target mark 16 for aligning at the time of printing formed on the board in a predetermined positional relation to the holes 12.例文帳に追加

メタルマスクは、金属薄板からなるマスク基板１１と、このマスク基板１１に所定の印刷パターンに従って穿孔されたペースト通過孔１２と、このペースト通過孔１２に対して所定の位置関係でマスク基板１１上に形成された印刷時の位置合わせ用のターゲットマーク１６とを有する。 - 特許庁