「mask hole」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A disk for a lens cleaner has a construction wherein the countercurrent (4) is suppressed and the air flow is rectified to the lens (11) side to enhance the cleaning effect by covering a part of the through-hole (2) of a disk main body (1) for the cleaner with the mask body (20).例文帳に追加

本発明によるレンズクリーナー用ディスクは、クリーナー用ディスク本体(1)の貫通孔(2)の一部をマスク体(20)で覆うことにより、逆流(4)の発生を抑え、空気流をレンズ(11)側へ整流させてクリーニング効果を向上させる構成である。 - 特許庁

With the display part case 10 and a display mask 11 temporarily coupled to each other, the fixing member 50 is inserted into an opening 11d formed in the bottom 11c of the mounting part 11a, and the engagement edge part 63 of the engagement protrusion 60 is engaged with an engagement edge part 57 inside the engagement hole 56.例文帳に追加

表示部ケース１０と表示マスク１１とを仮結合させた状態で固定部材５０を取付部１１ａの底部１１ｃに形成されている開口部１１ｄに挿入し、係合突起６０の係合縁部６３が係合孔５６内部の係合縁部５７に係合される。 - 特許庁

A valve (relative area rate) which subtracts the minimum area rate from the area rate of each of sub-fields 20 is calculated, and the hole of an area corresponding to the relative area rate is formed in each of sub-fields on the mask 7, corresponding to each of sub-fields 20 on the wafer 8.例文帳に追加

各サブフィールド２０の面積率から前記最小面積率を差し引いた値（相対面積率）を算出し、ウェハ８上の各サブフィールド２０に対応するマスク７上の各サブフィールドに、前記相対面積率に対応する面積の孔を形成する。 - 特許庁

When a mask M provided with elastic plates M3, having a hole M3a for engaging with one of panel pins Pa, is loaded on the panel P provided with panel pins Pa, each position of the panel pins Pa is detected, and the elastic deformation amount for each elastic plate M3 is adjusted, depending on the detected result.例文帳に追加

パネルピンＰａを備えたパネルＰに、パネルピンＰａと係合する穴Ｍ３ａを有する弾性板Ｍ３を備えたマスクＭを装着するにあたり、パネルピンＰａの位置を検出し、その検出結果に応じて弾性板Ｍ３の弾性変形量を調節する。 - 特許庁

To take in a resist pattern of a metal base body as an image having high SN ratio to efficiently and precisely detect a hole defect of the resist pattern, in a manufacturing process for a shadow mask of a color picture tube.例文帳に追加

本発明は、カラー受像管のシャドウマスクの製造工程において、金属基体のレジストパターンをＳＮ比の高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精度良く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

As a pair of the through holes formed are disposed so as to make their positions differ from one hole to another in a horizontal direction as well as an up-and-down direction, respectively, the dampers always take respective actions of contact, sliding and moving apart surely for the both of a pair of passing holes in vibrating of a shadow mask.例文帳に追加

一対の貫通孔の位置が、上下方向のみならず水平方向にも相互に異なるために、シャドウマスクの振動時に制振子は常に一対の貫通孔の両方に対して確実に接触、摺動、離間の各動作を行なうことができる。 - 特許庁

Then, in accordance with an opening pattern of a stencil mask to be manufactured, a through hole corresponding to the opening pattern is formed by etching the second silicon oxide layer 2, second silicon layer 4, first silicon oxide layer 6, and first silicon layer 10 in order.例文帳に追加

次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。 - 特許庁

The polysilicon film 15 is then removed by etching through a mask having an opening of a specified pattern to bring about a state where the polysilicon film 15 exists only in a region having a specified area including the inner surface of the contact hole 4 (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、所定のパターンの開口を有するマスクを介したエッチングによりポリシリコン膜１５が除去されて、ポリシリコン膜１５がコンタクトホール４の内面を含む所定面積を有する領域にのみ存在する状態にされる（図２（ｂ））。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can make two different conductive type impurity regions of high concentration appear in a contact hole, even if the number of masks is reduced by the utilization of an interlayer insulation film as a channel contact mask.例文帳に追加

層間絶縁膜のチャネルコンタクトマスクとしての利用によりマスク数を減らしてもコンタクトホールに高濃度の異なる二つの導電型の不純物領域を出現させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming an etching mask capable of facilitating control of a pattern shape for forming an oblique hole in processing by oblique etching, to provide a method for manufacturing a three-dimensional structure, and to provide a method for manufacturing a three-dimensional photonic crystalline laser device.例文帳に追加

斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second insulating film 105 is etched, using the third insulating film 106 as a mask to form a wiring groove 108 and a via hole 109, and after a barrier metal 110 and a metal for wiring 111 are adhered, unwanted parts are removed to obtain a buried wiring.例文帳に追加

第３の絶縁膜１０６をマスクとして第２の絶縁膜１０５をエッチングして配線溝１０８とビアホール１０９を形成し、バリアメタル１１０と配線用メタル１１１を被着した後、不要部分を除去して埋め込み配線とする。 - 特許庁

In the method of adjusting the frequency of the piezoelectric device 11, a metal particle 19 is deposited only on the piezoelectric vibrator 14 via the mask 26 having an opening hole 31 to the shape of the piezoelectric vibrator 14 in the piezoelectric device 11 to adjust the frequency.例文帳に追加

圧電デバイス１１の周波数調整方法は、圧電デバイス１１の圧電振動片１４の形状に合わせた開口孔３１を有するマスク２６を介して、圧電振動片１４のみに金属粒子１９を蒸着させて、周波数の調整を行う。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which is exposed without mask films, by lessening the amount of a size shrinkage factor and improving matching precision at formation of a circuit in the manufacturing method of a printed wiring board filling a conduction hole with resin.例文帳に追加

本発明は、導通孔に樹脂を充填するプリント配線板の製造方法に於いて、プリント配線板の寸法収縮率変化量を少なくし、回路形成時の合わせ精度を向上し、尚かつマスクフィルム無しで露光を行う製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, the layout design of the mask patterns of the ROM module is executed so that the file name of the data file with the stored data recorded thereon can be visibly engraved on the inter-layer oxide film provided with a contact hole for determining the data value of the ROM module.例文帳に追加

更に、ＲＯＭモジュールのデータ値を決定づけるコンタクトホールが設けられる層間酸化膜に、格納データが記録されたデータファイルのファイル名が視認可能な態様で刻み込まれるように、ＲＯＭモジュールのマスクパターンのレイアウト設計を行う。 - 特許庁

A hole pattern is transferred to a photoresist film 6 on a wafer 4 by reduced projection exposure with an edge emphasized phase shifting resist mask RM1 having a phase shifting film 2 and a light shielding film 3 each comprising a resist film.例文帳に追加

位相シフト膜２および遮光膜３をレジスト膜で構成したエッジ強調型位相シフトレジストマスクＲＭ１を用いた縮小投影露光処理によってウエハ４上のフォトレジスト膜６にホールパターンを転写する。 - 特許庁

An N+type layer 7a having a smaller width than the variation width of a mask alignment accuracy in a photolithography process, is formed on the bottom surface of the first contact hole 9 and the first and second holes 9, 10 are filled with a tungsten layer 12 and so on.例文帳に追加

第１のコンタクトホール９の底面にフォトリソグラフィ工程のマスク合わせ精度のばらつき幅より小さい幅のＮ＋型層７ａを形成し、第１、第２のコンタクトホール９、１０内をタングステン層１２等で埋設する。 - 特許庁

To obtain a ball loading mask which is made so as to improve insertability and a loading rate of conductive balls by forming a ball guide portion to which R-shape working is performed by a side-spread phenomenon of plating, in a peripheral edge of a ball loading-side opening of a ball insertion hole.例文帳に追加

ボール挿入孔のボール搭載側開口周縁にめっきのサイドスプレット現象によるＲ形状加工が施されたボール案内部を形成することにより、導電性ボールの挿入性及び搭載率を向上させるようにしたボール搭載マスクを得る。 - 特許庁

A ball throwing-in method for mounting a ball on an electrode of a substrate uses a ball throwing-in device which comprises a loader-unloader unit 4, a flux printing unit 2 to print a flux on the substrate, a mask with an open hole corresponding to the electrode of the substrate or a bump, and a ball throwing-in unit 1.例文帳に追加

ローダ・アンローダ部４と、フラックスを基板に印刷するフラックス印刷部２と、基板の電極またはバンプに対応した孔が開口しているマスクと、ボール振込部１からなるボール振込装置を用いて、基板の電極にボールを搭載するボール搭載方法である。 - 特許庁

The mask 50 for inspection has a light shielding pattern 53 formed on the side of the rear surface of a transparent substrate 51, and the image 41' of a secondary light source 41 is formed on the side of the front surface of the transparent substrate 51 through a pin hole 55 formed in the light shielding pattern 50.例文帳に追加

検査用マスク５０は、透明基板５１の背面側に遮光パターン５３を備えており、この遮光パターン５０に形成されたピンホール５５により、２次光源４１の像４１´が透明基板５１の正面側に形成される。 - 特許庁

To provide a conductive paste which enables printing with a metal mask stencil having a hole size of 70 μm or smaller without causing clogging, and realizes a high-density conductive bump by containing a high content of conductive powder to form a conductive bump having a small size and excellent conductivity.例文帳に追加

孔径７０μｍ以下のメタルマスク版を用いて目詰まりすることなく印刷でき、導電性粉末の含有量を多くすることで導電性バンプの高密度化が可能となり、小径でも導電性が良好な導電性バンプを形成することができる導電性ペーストを提供すること。 - 特許庁

Thus, even when the thickness of a mask body 71 is 50-200 μm, the vapor incident obliquely on an edge part of a bottom surface 74 of the through-hole 72 can reach the substrate 7, and an organic thin film 8 having the uniform film thickness is formed.例文帳に追加

従って、マスク本体７１の厚さが５０μｍ以上２００μｍ以下と厚い場合であっても、貫通孔７２の底面７４縁部分に斜めに入射する蒸気も基板７に到達可能であり、膜厚均一な有機薄膜８が形成される。 - 特許庁

Etching treatment is carried out, by using a photoresist pattern 11 with an opening part 11a on the fuse element 3 and an opening part 1b on the metal wiring 7 as a mask and a trimming window opening part 9a, and a through-hole 9b are formed simultaneously in the interlayer insulation film 9 (B).例文帳に追加

ヒューズ素子３上に開口部１１ａ及びメタル配線９上に開口部１１ｂをもつフォトレジストパターン１１をマスクにしてエッチング処理を施し、層間絶縁膜９にトリミング窓開口部９ａとスルーホール９ｂを同時に形成する（Ｂ）。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which can reduce a memory cell area effectively while ensuring a margin for mask misregistration or the like in the formation of a gate wiring and a contact hole or the like.例文帳に追加

ゲート配線やコンタクトホール等の形成の際のマスクずれ等に対するマージンを確保しながら、メモリセル面積を効率的に縮小することが可能なＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a transfer mask includes steps of forming: an opening in a first substrate; a pattern forming part by bonding the first substrate in which the opening has been formed and a second substrate; and a charged particle beam through-hole in the pattern forming part.例文帳に追加

第１の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第１の基板と第２の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

The first metal layer is exposed by the anisotropic dry etching with the mesh type first metal layer as a mask from the side of the first metal layer 16, and a guide opening hole reaching the acoustic cavity of the silicon substrate is drilled on a clearance part of a part of a mesh.例文帳に追加

第１金属層１６側からはメッシュ状の第１金属層をマスクとして異方性ドライエッチングで第１金属層を露出させるとともにメッシュの一部の隙間部分はシリコン基板の音響キャビティーに達する案内開口の孔をあける。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

To eliminate short-circuiting of a wiring conductor layer and a wiring conductor layer formed on a resin insulation layer, by preventing laser light from reaching the wiring conductor layer, even if the resin insulation layer is irradiated with laser light through a pinhole in the dielectric layer of a mask and a cut hole is made.例文帳に追加

マスクの誘電体層にあるピンホールを通してレーザ光が樹脂絶縁層に照射され欠損孔が形成されても、配線導体層まで貫通しないようにして、配線導体層と樹脂絶縁層上に形成した配線導体層とがショートするのを解消すること。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent display having a life time of an element secured, without generating unevenness in the luminance by a voltage drop caused by an upper-part translucent electrode even in an enlarged size, and having a high production efficiency capable of forming an organic luminescent layer, without using a deposition mask having a precision open-hole pattern.例文帳に追加

素子の寿命を確保しつつ、上部透明電極に起因する電圧降下による発光輝度むらを大形化しても生じさせず、かつ精密な開孔パターンを持つ蒸着マスクを用いずに有機発光層形成可能な生産効率の高い有機ＥＬ表示装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of conducting patterning for forming a connection hole and an wiring groove by one lithography step by suppressing the complexity of a manufacturing step and using no mask which requires difficult manufacturing and a long manufacturing time.例文帳に追加

製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An anode electrode 10a and an interlayer insulating layer 10b are laminated in respective patterns by printing on a substrate 10, then a hole carrier layer 11, a luminescent layer 12, an electron carrier layer 13 and a cathode electrode 14 are laminated in this order by a vacuum deposition method using no metal mask.例文帳に追加

基板１０の上に、印刷によりアノード電極１０ａと層間絶縁層１０ｂとを、それぞれのパターンに積層した後に、正孔輸送層１１，発光層１２，電子輸送層１３，カソード電極１４を、この順序で、メタルマスクを用いない真空蒸着法にて積層する。 - 特許庁

A gate electrode is formed by using a resist film for the region where a contact hole is formed on the gate electrode and a mask for a gate electrode formation made of a first silicon nitride for the region where a contact hole is not formed on the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上にコンタクトホールを形成する領域にはレジスト膜、ゲート電極上にコンタクトホールを形成しない領域には第一の窒化シリコン膜からなるゲート電極形成用のマスク用いてゲート電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

An opening hole is provided on a substrate 30 by performing first plating treatment to the opening hole fills a conductive material 34 for providing the connection terminal, a brazing agent film 40 is provided by performing second plating treatment onto the upper surface of the connection terminal, and the seed electrode of a foundation film 24 used by the first plating treatment is dissolved by electrolyitc etching with the brazing film 40 as a mask.例文帳に追加

基板３０に開口穴を設け、その開口穴に第１メッキ処理を施すことで導電材３４を充填して接続端子を設け、接続端子の上面に第２メッキ処理を施すことで蝋剤膜４０を設け、第１メッキ処理で用いた下地膜２４のシード電極を、蝋剤膜４０をマスクとして電解エッチングにより溶解する。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁

Pattern connection of a soldered surface and a component surface is made excellent by subjecting a metal mask processing only to a component surface side land 3 of a through-hole 2 formed in the board, applying a cream solder 5, and soldering a chip component 6 by melting the cream solder 5 by reflowing and simultaneously solder-plating the through-hole 2.例文帳に追加

基板に形成したスルーホール２の部品面側ランド３のみにメタルマスク処理を施し、クリーム半田５を塗布し、リフローにより前記クリーム半田５を溶解させてチップ部品６を半田付けし、同時に前記スルーホール２にハンダメッキすることで、半田面、部品面のパターン接続を良好なものにする。 - 特許庁

In a mask 1 for transferring a hole pattern to a photoresist film spread on a semiconductor wafer by exposure using oblique lighting, a pseudo repetition area is formed by providing an anti-phase area 3A, an in-phase half-tone area 3B, and a light-shading area 4 around a real pattern 2H provided for transferring the hole pattern.例文帳に追加

半導体ウエハ上に塗布されたフォトレジスト膜に斜方照明を用いた露光処理によってホールパターンを転写するマスク１において、そのホールパターンを転写するための実パターン２Ｈの周囲に、逆相ハーフトーン領域３Ａ、同相ハーフトーン領域３Ｂおよび遮光領域４を設けることで擬似的な繰り返し領域を形成するようにした。 - 特許庁

To prevent the position of a via contact from deviating with repeat to metal wiring, even if deviation of alignment occurs in a mask pattern for forming a via hole in the case of designing the wiring width of the metal wiring and the diameter of the via hole which is connected with the upper surface of that metal wiring into the same dimension.例文帳に追加

金属配線の配線幅と、該金属配線の上面と接続されるビアホールの径とが同一寸法に設計される半導体装置の製造方法において、ビアホールを形成するためのマスクパターンにアライメントずれが発生しても、ビアコンタクトが金属配線に対して位置ずれしないようにする。 - 特許庁

After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。 - 特許庁

To provide a method of filling a hole bored in a printed wiring board with resin which is capable of easily filling the hole with the resin, preventing the printed wiring board from deteriorating in quality due to residues of air bubbles, dispensing with a mask material forming process to simplify a filling process, and reducing the manufacturing cost of the printed wiring board.例文帳に追加

樹脂の充填を容易に行うことができ、かつ気泡の残留に起因するプリント配線基板の品質低下を招くことがなく、更にマスク材を製作する工程を省略して充填工程を簡素化し、製造コストを削減することが可能なプリント配線基板の孔部充填方法を提供することにある。 - 特許庁

The pellicle structure consisting of a pellicle frame 3 and a pellicle plate 4 adhered atop the pellicle frame 3 has a gas introducing hole 1 for introducing the gas into the pellicle structure in the state that the pellicle structure is mounted to a mask 5 and a gas discharge hole 2 for discharge the gas from the inside of the pellicle structure.例文帳に追加

ペリクルフレーム３とペリクルフレーム３の上面に接着されたペリクル板４とからなるペリクル構造体であって、マスク５にペリクル構造体が装着された状態でペリクル構造体内部にガスを導入するためのガス導入孔１とペリクル構造体内部からガスを排出するためのガス排出孔２とを有する。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

This slot-type shadow mask, in which the slot holes of the slot hole arrangement unit block adjoining in the vertical direction (y) are connected by a penetrating bridge and the offset of the penetrating bridge 113L, is set with an offset amount of -X1 in the reverse direction to the offset amount X1, which has been set for the slot hole 111L.例文帳に追加

本発明のスロット型シャドウマスクは、垂直（ｙ）方向に隣接するスロット孔配列単位ブロックの前記スロット孔同士が貫通ブリッジで連結されており、貫通ブリッジ１１３Ｌのオフセットがスロット孔１１１Ｌに設定されているオフセット量Ｘ_1と逆方向のオフセット量−Ｘ_1が設定されているスロット型シャドウマスクである。 - 特許庁

An escape groove is formed in the outer circumference of the reference hole by providing insular correction mask portions at positions opposite to the (111) plane in the opening of the mask in the step of forming the mask, and then removing the correction mask portions 142a and 142c by etching the object substrate anisotropically in the step of forming the escape groove.例文帳に追加

基板に、基準孔よりも広い開口部１４１を有するマスク１４０を、前記開口部が前記基準孔３２に対向するように設けるマスク形成工程と、前記開口部を介して前記基板を異方性エッチングすることにより、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝３３を形成する逃げ溝形成工程を備え、前記マスク形成工程では、前記マスクの前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部を設け、前記逃げ溝形成工程で、当該補正マスク部１４２ａ、１４２ｃは、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされ除去されることにより、前記基準孔の外周に逃げ溝が形成される。 - 特許庁

To provide a method capable of using a rugged pattern formed according to an imprinting process as a mask for controlling a micropore production initiating position when performing micropore formation onto substrate material such as aluminum and silicon according to an electrochemical process and, thereby, efficiently and reliably forming a regular hole array structure.例文帳に追加

インプリントプロセスにより形成される凹凸パターンを利用し、その凹凸パターンを、アルミニウムやシリコン等の基材材料に電気化学プロセスにより細孔形成を行う際の細孔発生開始位置の制御を行うためのマスクとして使用することで規則的なホールアレー構造を効率良く確実に形成できるようにした手法を提供する。 - 特許庁

A patterned Al layer 22 is formed on the surface of a silicon substrate 21 for manufacturing the orifice plate, and the silicon substrate 21 is subjected to dry etching while using an Al layer 22 as a mask, thereby forming a hole 21a serving as a recessed part disposed at the position corresponding to a discharge opening on the surface of the silicon substrate 21 and forming a groove-shaped cut line 21d.例文帳に追加

オリフィスプレートを作製するためのシリコン基板２１の表面に、パターニングされたＡｌ層２２を形成し、Ａｌ層２２をマスクとしてシリコン基板２１のドライエッチングを行うことで、シリコン基板２１の表面における吐出口に対応する位置に配置された、凹部としての穴２１ａ、および溝状の切断ライン２１ｄを形成する。 - 特許庁