「mc」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of receiving an EON interruption signal from a tuner 24, a microcomputer(MC) 15 controls a switch 14 to electrically connect the audio input of the tuner 24 to an amplifier 13d.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１５は、チューナ２４からＥＯＮ割り込み信号を受信すると、スイッチ１４を制御し、チューナ２４のオーディオ入力と増幅器１３ｄとを電気的に接続する。 - 特許庁

The grain sizes of abrasive materials to be used are optimized according to the kinds of the abrasive materials so that the means length of micro-cracks MC formed along the cleavage plane of a lapped surface 14b becomes ≤1 μm.例文帳に追加

ラッピング面１４ｂの、劈開面に沿って発生するヒビＭＣの平均長さが１μｍ以下となるように、使用する研磨材の種別に応じてその粒度を最適化する。 - 特許庁

The socket is arranged such that an opening part is confronted with an insertion slot 81 so as to introduce the memory card MC from the insertion slot 81 opened in a side surface of the panel case 70.例文帳に追加

ソケットは、パネルケース７０の側面に開口した挿入口８１からメモリカードＭＣが導入されるように、開口部を前記挿入口８１に突き合わせる形で配置されている。 - 特許庁

The label L2 with a code is printed with a code Mc containing the information which is encoded corresponding to the price of a product M and can be read out by a code reading device.例文帳に追加

商品Ｍの価格に対応する符号化された情報であって、コード読取装置で読み取り可能な情報を含むコードＭｃが印字されたコード付ラベルＬ２に関する。 - 特許庁

The magnetic recording device comprises first to (n)th MTJ elements MC recording information, first to (n)th transistors TR connected respectively to the first to the (n)th MTJ elements.例文帳に追加

磁気記憶装置は、情報を記録する第１乃至第ｎＭＴＪ素子ＭＣと、第１乃至第ｎＭＴＪ素子とそれぞれ接続された第１乃至第ｎトランジスタＴＲと、を含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array layer 400 having electrically rewritable memory cells MC connected in series; a control circuit layer 200 disposed below the memory cell array layer 400 and controlling a voltage applied to the memory cells MC; and an interconnection portion 500 electrically connecting the control circuit layer 200 and the memory cell array layer 400.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能であり且つ直列に接続されたメモリセルＭＣを有するメモリセルアレイ層４００と、メモリセルアレイ層４００の下層に位置し且つメモリセルＭＣに印加する電圧を制御する制御回路層２００と、制御回路層２００とメモリセルアレイ層４００とを電気的に接続する接続配線部５００とを備える。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a memory cell array MA having memory cells MC arranged therein at respective intersections between bit lines BL and word lines WL, a plurality of memory blocks 1 in which the memory cell arrays MA are laminated, and a control circuit configured to apply a voltage to a selected memory cell MC positioned at an intersection between the selected bit line BL and the selected word line WL so that a certain potential difference is applied thereto.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣがビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、メモリセルアレイＭＡが積層された複数のメモリブロック１と、選択ビット線ＢＬ及び選択ワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう電圧を印加する制御回路とを備える。 - 特許庁

This memory is provided with a memory cell MC arranged as a normal unit WL being addressable, a memory cell MC arranged as at least one unit RWL1 to replace the normal unit, an address bus 3 to which an address ADR can be applied, a redundant circuit 1 for selecting a redundant unit RWL1 connected to this address bus 3, and a processing unit 2.例文帳に追加

アドレッシング可能なノーマルユニットＷＬとしてまとめられたメモリセルＭＣと、それらのノーマルユニットを置き換えるための少なくとも１つのユニットＲＷＬ１としてまとめられたメモリセルＭＣと、アドレスＡＤＲを印加可能なアドレスバス３と、このアドレスバス３に接続され冗長ユニットＲＷＬ１を選択するための冗長回路１と、処理ユニット２が設けられている。 - 特許庁

Concerning the image processing controller for electronic printer having plural interfaces for receiving image data supplied through the desired interface from the outside, storing these data in an incorporated memory and performing image processing, this device has a memory controller MC connected through a memory bus to a memory 3 for controlling access to the relevant memory and an input/output controller IOC for inputting/outputting image data.例文帳に追加

本発明は、複数のインターフェースを有し、外部から所望のインターフェース経由で供給される画像データを受信し、内蔵するメモリに格納し、画像処理を行う電子印刷装置用の画像処理コントローラにおいて、メモリ３にメモリバスを介して接続され当該メモリへのアクセスを制御するメモリコントローラMCと、画像データの入出力を行う入出力コントローラIOCとを有する。 - 特許庁

A memory control circuit 90 determines whether each expected value signal is written in each of a plurality of memory cells MC of nonvolatile memory based on input of expected value signal string containing a plurality of expected value signals based on whether a read signal string containing a plurality of read signals read from each of a plurality of memory cells MC match the expected value signal string.例文帳に追加

メモリ制御回路９０は、複数の期待値信号を含む期待値信号列の入力に基づいて不揮発性メモリの複数のメモリセルＭＣそれぞれに期待値信号それぞれが書き込まれたかどうかを、複数のメモリセルＭＣそれぞれから読み出された複数の読出信号を含む読出信号列が期待値信号列と一致するかどうかに基づいて判定する。 - 特許庁

This method comprises the steps of putting a working electrode having a potential window capable of detecting oxidation due to both cytosine (C) and methyl cytosine (mC), a counter electrode, and a reference electrode in an electrolyte solution sample containing DNA, applying a potential to the working electrode, measuring the electrolytic oxidation current of respective nucleic acid bases in the sample, electrochemically detecting and quantifying methylation in the DNA.例文帳に追加

ＤＮＡを含有する電解質溶液の試料中に、シトシン（C）とメチルシトシン（mC）両塩基に基づく酸化を検出可能な電位窓を酸化側に有する作用電極、対極及び参照電極を挿入し、作用電極に電位を印加して試料中の両各核酸塩基の電解酸化電流を測定することにより、ＤＮＡ中のメチル化を電気化学的に検出、定量する。 - 特許庁

The CPU 20 also determines whether or not a user (musician) equipped with a main device 100 is dancing to music based on the output VB of a vibration sensor 10 and the output MC of a microphone 21.例文帳に追加

さらにＣＰＵ２０は、振動センサ１０の出力ＶＢおよびマイク２１の出力ＭＣに基づき本装置１００を装着したユーザ（ミュージシャン）が音楽に合わせてダンス中か否かを判断する。 - 特許庁

Alternatively, the roll has an outer layer which has a structure with the dispersion of MC carbide of 20-60% in the area ratio and which has a Shore hardness of ≥90 in Shore hardness (Hs) and is made by the centrifugal casting.例文帳に追加

また、面積率でＭＣ炭化物が２０〜６０％分散した組織であり、ショア硬さ（Ｈｓ）が９０以上である遠心力鋳造されてなる外層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A bind management file BFILE including bind ID (BID) constituted of medium ID (MID) and added ID (AID) is previously encrypted by the medium ID (MID) and stored in a memory card MC.例文帳に追加

メディアＩＤ（ＭＩＤ）と追加ＩＤ（ＡＩＤ）とから構成されるバインドＩＤ（ＢＩＤ）を含むバインド管理ファイルＢＦＩＬＥを、メディアＩＤ（ＭＩＤ）により暗号化してメモリカードＭＣに保管しておく。 - 特許庁

The moving table 11 is moved in the direction of three axes by driving the motors MA, MB, MC and so the three-axis moving table comes to be lighter and compacter than a conventional laminated three axis moving table.例文帳に追加

モータＭＡ，ＭＢ，ＭＣを駆動することにより移動テーブル１１は３軸方向に移動し、従来の積層型の３軸移動テーブルと比較して軽量・コンパクトな３軸移動テーブルを実現できる。 - 特許庁

The composition formula is R_3-xBi_xFe_5-v-w-yMa_zMb_vMc_wRh_yO_12, where R denotes a rare earth element including yttrium; Ma denotes a bivalent positive element; Mb denotes a trivalent positive element; and Mc denotes a quadrivalent positive element.例文帳に追加

組成式は、Ｒ_3-x Ｂｉ_x Ｆｅ_5-v-w-y Ｍａ_z Ｍｂ_v Ｍｃ_w Ｒｈ_y Ｏ_12但し、Ｒはイットリウムを含む希土類元素、Ｍａは２価の陽性元素、Ｍｂは３価の陽性元素、Ｍｃは４価の陽性元素、で表される。 - 特許庁

A memory cell array 17a includes memory cells (first memory cells) MC, which store data, and retreat memory cells (second memory cells) RMC for data at the time of refreshing, the retreat memory cells being for temporally storing data at the time refreshing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１７ａは、データを記憶しているメモリセル（第１メモリセル）ＭＣとリフレッシュ時に一旦データを保持するためのリフレッシュ時データ用退避メモリセル（第２メモリセル）ＲＭＣとが含まれる。 - 特許庁

Operation models 22, 24 of air filling quantity in a cylinder are adapted to find an estimated intake pressure Pe on the basis of an intake flow rate Ms, and find a filling air quantity Mc from the estimated intake pressure Pe.例文帳に追加

筒内空気充填量の演算モデル２２，２４は、吸気流量Ｍｓに基づいて推定吸気圧Ｐｅを求め、この推定吸気圧Ｐｅから充填空気量Ｍｃを求めるモデルである。 - 特許庁

The receiver 2 includes: a plurality of MC-DS/CDMA reception means 22; a spatiotemporal transmission diversity decoding means 25; a parallel/serial conversion means 23; and a decoding de-interleave means 24.例文帳に追加

受信装置２は、複数のＭＣ−ＤＳ／ＣＤＭＡ受信手段２２と、時空間送信ダイバーシチデコーディング手段２５と、パラレル／シリアル変換手段２３と、デコーディングデインタリーブ手段２４とを有する。 - 特許庁

The MTJ memory cell MC has access transistors ATR which is turned on in response to the activation of corresponding word lines and tunnel magneto-resistive elements TMR whose electric resistance values are varied according to stored data.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルＭＣは、対応するワード線の活性化に応答してターンオンするアクセストランジスタＡＴＲと、記憶データに応じて電気抵抗が変化するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲとを有する。 - 特許庁

Until a frame to be a reference in decoding is received, the MC part 16 reproduces a frame received with a best effort and after the reference frame is received, ordinary decoding is recovered.例文帳に追加

ＭＣ部１６は、復号の際の基準となるフレームが受信されるまでの間、ベストエフォートで受信されたフレームの再生処理を行い、基準フレームが受信された後は、通常の復号処理に戻る。 - 特許庁

Both left and right surfaces of the web Mc and inner surface of upper and lower flanges Ma, Mb are respectively separately ground by grinding heads for left and right web surfaces and grinding heads 23, 24 for flange inner surfaces.例文帳に追加

左右のウエブ面用研削ヘッド２１，２２およびフランジ内面用研削ヘッド２３，２４によりウエブＭｃの左右両面および上下のフランジＭａ，Ｍｂの内面をそれぞれ個別に研削する。 - 特許庁

In each treatment unit 1-4, a cleanliness level corresponding to the measurement results of particle counters 41-44 out of prescribed three measured cleanliness levels MA-MC is set as a measured level.例文帳に追加

各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。 - 特許庁

A composite sound generation section at the notification sound compositing section 13 detects sound pressure in a sound collected by a microphone MC, analyzes a temporal change in the detected sound pressure to detect interruption in the sound.例文帳に追加

通知音合成部１３の合成音生成部は、マイクロホンＭＣで収音される音声の音圧を検出し、検出した音圧の時間的な変化を解析することによって音声の途切れを検出する。 - 特許庁

The reference current generating circuit G5 outputs a second reference current for reading out second bit data from the memory cell MC in accordance with the first bit data outputted from the latch circuit G4.例文帳に追加

基準電流生成回路Ｇ５は、ラッチ回路Ｇ４から出力される第１のビットデータに応じて、メモリセルＭＣから第２のビットデータを読み出すための第２の基準電流を出力する。 - 特許庁

The column control circuit 2 and the row control circuit 3 makes parasitic capacitance of the memory cells MC which are included in unit cell arrays MAT01-11 and in which re-writing is not performed accumulate the prescribed electric charges at a time t14.例文帳に追加

カラム制御回路２及びロウ制御回路３は、単位セルアレイＭＡＴ０１〜１１に含まれ且つ書き換えを行わないメモリセルの寄生容量に時刻ｔ１４で所定電荷を蓄積させる。 - 特許庁

A silicide layer 7s where an edge at the side of a memory gate electrode MG is prescribed with the sidewall 12A is formed on the upper surface of an n^+-type semiconductor region 5Sp for the source of the memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣのソース用のｎ^＋型の半導体領域５Ｓｐの上面には、メモリゲート電極ＭＧ側の端部が上記サイドウォール１２Ａで規定されるシリサイド層７ｓが形成されている。 - 特許庁

While, when the portable instrument 2 with the vehicular key receives the magnetic field from the loop antenna of a key cylinder, a voltage is generated in the common antenna 7 by an electromagnetic induction and a condenser 8 is charged and MC 3 can be operated.例文帳に追加

一方、車両キー付属携帯器２はキーシリンダのループアンテナから磁界を受けると、電磁誘導によって共用アンテナ７に電圧が発生し、コンデンサ８が充電され、ＭＣ３が動作可能となる。 - 特許庁

By pressing an adjacent white key 50-(k-1) or 50-(k+1) while pressing the white key 50-k, a specified parameter value (address) is increased or decreased at a unit of a prescribed coarse movement amount Mc.例文帳に追加

ここで、白鍵５０−ｋを押下したまま隣接する白鍵５０−（ｋ−１）または５０−（ｋ＋１）を押下すると、指定されるパラメータ値（アドレス）が、所定のCoarse移動量Ｍc単位で増減される。 - 特許庁

A memory card unit MC, having a memory card slot is provided separately from a mobile phone MS, and a BT wireless communication function is respectively provided to the mobile phone MS and the memory card unit MCU.例文帳に追加

携帯電話機ＭＳとは別にメモリカード用のスロットを備えたメモリカード・ユニットＭＣを設け、携帯電話機ＭＳ及びこのメモリカード・ユニットＭＣＵにそれぞれＢＴ無線通信機能を設ける。 - 特許庁

A differential LNA has first and second input MOS transistors (MT, MC), with differential inputs applied to their respective control gates and differential outputs taken at their respective drains.例文帳に追加

差動ＬＮＡは、第１および第２の入力ＭＯＳトランジスタ（ＭＴ、ＭＣ）を有し、それぞれの制御ゲートに印加した差動差動入力と、それぞれのドレインから抽出した出力を有する。 - 特許庁

In addition, the part area inside the second area MC corresponding to the relative position facing the reach position M1 in the first area 70 is recognized as a second corresponding partial area TB2.例文帳に追加

また、第１領域７０において到達位置Ｍ１に相対する相対位置に対応する、第２領域ＭＣの内部の部分領域が、第２対応部分領域ＴＢ２として認識される。 - 特許庁

The data retention time can be prolonged by reducing leak current at the memory cell MC by properly setting the first and second potentials VBLP and VBLR, so that an average consumption current for the data retention can be reduced.例文帳に追加

第１の電位ＶＢＬＰ及び第２の電位ＶＢＬＲを適切に設定することにより、メモリセルＭＣのリーク電流を抑え、情報保持時間を長くして消費電流を低減可能となる。 - 特許庁

In the semiconductor memory device (MC), the protection film (7) is made to function as a stopper on the side face of the spacer insulating film (9) when any section other than the spacer insulating film (9) is etched.例文帳に追加

そのような半導体記憶装置（ＭＣ）において、その保護膜（７）は、スペーサー絶縁膜（９）以外の部分をエッチングするときに、スペーサー絶縁膜（９）の側面のストッパーとして機能している。 - 特許庁

A read circuit 13 includes a current-voltage conversion circuit 20 for converting a cell current Icell of a memory cell MC to voltage data Vdata, and a sense amplifier 30 for comparing the voltage data Vdata and a reference voltage Vref.例文帳に追加

読み出し回路１３は、メモリセルＭＣのセル電流Ｉcellを電圧データＶdataに変換する電流電圧変換回路２０と、電圧データＶdataと基準電圧Ｖrefを比較するセンスアンプ３０を備える。 - 特許庁

This device, using the signal in the passenger evacuation, tells the position of the elevator cage 3 having a measuring circuit MC connected to a safety chain SC of a landing door in an elevator facility.例文帳に追加

本発明は、乗客の避難の場合、エレベータ設備の昇降場ドア安全チェーンＳＣに連結される測定回路ＭＣを備えるエレベータケージ３の位置を信号で伝える装置に関する。 - 特許庁

According to an embodiment, in a nonvolatile semiconductor storage device, memory strings each having a plurality of memory cells MC in a height direction of a sheet-like channel semiconductor film 111 are arranged substantially vertically on a substrate.例文帳に追加

実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置は、シート状のチャネル半導体膜１１１の高さ方向に複数のメモリセルＭＣを有するメモリストリングが基板上にほぼ垂直に配置される。 - 特許庁

In addition, a main center MC of the mask 41 is constantly projected on a center point CP of the rotating substrate W, so that a multilayer film ML deposited on the substrate W can be manufactured as designed.例文帳に追加

しかも、マスク４１の要点ＭＣが回転する基板Ｗ上の中心点ＣＰ上に常に投影されるので、基板Ｗ上に形成される多層膜ＭＬを設計通りのものとすることができる。 - 特許庁

In a memory cell MC included in a memory circuit 3 of a system LSI, the gate electrode 43 of an N-channel MOS transistor Q and the cell plate electrode 48 of a capacitor C are formed out of a single wiring layer.例文帳に追加

システムＬＳＩのメモリ回路部３に含まれるメモリセルＭＣにおいて、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱのゲート電極４３とキャパシタＣのセルプレート電極４８とを同一配線層で形成する。 - 特許庁

In relation to a pixel g representing an edge on the edge code image IC of the object, a mask M of a predetermined size is set on the edge code image MC of the model with reference to the coordinates corresponding to the pixel g.例文帳に追加

対象物のエッジコード画像ＩＣにおいて、エッジを示す画素ｇに着目し、モデルのエッジコード画像ＭＣ上で画素ｇに対応する座標を基準に所定大きさのマスクＭを設定する。 - 特許庁

The column control circuit 2 and the row control circuit 3 makes parasitic capacitance of the memory cell MC which is included in a unit cell array MAT00 and in which re-writing is not performed accumulate the prescribed electric charges at a time t 11.例文帳に追加

カラム制御回路２及びロウ制御回路３は、単位セルアレイＭＡＴ００に含まれ且つ書き換えを行わないメモリセルＭＣの寄生容量に、時刻ｔ１１で所定の電荷を蓄積させる。 - 特許庁

In a print system GH1, a television device 94 transmits print condition data XD, which includes an EEPROM 95 and a file Et read from a memory card MC, to a server 1 via the Internet IN.例文帳に追加

印刷システムＧＨ１では、テレビ装置９４が、ＥＥＰＲＯＭ９５やメモリカードＭＣから読み出したファイルＥｔを含む印刷条件データＸＤをインターネットＩＮを介してサーバ１に送信する。 - 特許庁

A CPU 161 selects image data selected by a user from a memory card MC, and displays image processing control information correlated to the selected image data on a liquid crystal display 19.例文帳に追加

ＣＰＵ１６１は、ユーザにより選択された画像データをメモリカードＭＣから選択するし、選択した画像データに関連付けられた画像処理制御情報を、液晶ディスプレイ１９上に表示する。 - 特許庁

To suppress the wear of a mechanical driving part by frequent search operations by executing work without starting a change (MC) and a tape recorder (DTR) of large access load when a user refers to contents.例文帳に追加

ユーザによるコンテンツ参照時に、アクセスの負荷が大きいチェンジャ（ＭＣ）およびテープレコーダ（ＤＴＲ）を起動することなく作業を行い、頻繁な検索動作による機械的駆動部の消耗を抑制する。 - 特許庁

The plurality of memory cells (MC) each include a first terminal (T1), a second terminal (T2), and a transistor (TR) having a source and a drain connected to the first terminal (T1) and the second terminal (T2), respectively.例文帳に追加

複数のメモリセル（ＭＣ）の各々は、第１端子（Ｔ１）と、第２端子（Ｔ２）と、第１端子（Ｔ１）及び第２端子（Ｔ２）のそれぞれにソース及びドレインが接続されたトランジスタ（ＴＲ）とを含む。 - 特許庁