「mc」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The system comprises a controller 21 for controlling the aggregate MC 3 and a fiber discriminator 70 for detecting the discrimination signal D in optical fibers 7 and outputting a frequency of turning-on/off per unit time of the discrimination signal D.例文帳に追加

そして、集合ＭＣ３の制御部に制御装置２１と、光心線７において判別信号Ｄを検出し、判別信号Ｄの単位時間当たりのオン・オフの回数を出力する心線判別器７０とから構成する。 - 特許庁

The transmitter 1 includes: an encoding interleave means 12; a time space transmission diversity coding means 17; a pilot signal inserting means 14; a plurality of MC-DS/CDMA means 15; and a plurality of transmission antennas 16.例文帳に追加

送信装置１は、エンコーディングインタリーブ手段１２と、時空間送信ダイバーシチコーディング手段１７と、パイロット信号挿入手段１４と、複数のＭＣ−ＤＳ／ＣＤＭＡ送信手段１５と、複数の送信アンテナ１６とを有する。 - 特許庁

In a normal read operation, read voltage is applied to the control gate of the main body cell MC and the control gates of the reference cells RC03, RC13, RC23 of the reference current source circuit 32, reference current values for read-out Iread01, Iread12, Iread23 are compared with a cell current.例文帳に追加

通常の読み出し動作では、本体セルＭＣの制御ゲートと、基準電流源回路３２の参照セルＲＣ０３，ＲＣ１３，ＲＣ２３の制御ゲートに読み出し電圧を印加し、読み出し用基準電流値Ｉｒｅａｄ０１，Ｉｒｅａｄ１２，Ｉｒｅａｄ２３とセル電流を比較する。 - 特許庁

A write bit line WBL and a read bit line RBL are separately disposed in a memory cell MC, and a source line SL to which the memory cell is connected is constituted of the source impurity area 3 of the same conductive type as that of a substrate area.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ）に対し、書込ビット線（ＷＢＬ）および読出ビット線（ＲＢＬ）をそれぞれ別々に設け、またメモリセルの接続するソース線（ＳＬ）を、基板領域と同一導電型のソース不純物領域（３）で形成する。 - 特許庁

This device is provided with a valve means VM for prohibiting the assistance of a master cylinder piston MC by a hydraulic booster HB until the assistance limit of a negative pressure booster VB is reached and for permitting assistance by the hydraulic booster when the assistance limit of the negative booster is exceeded.例文帳に追加

負圧ブースタＶＢの助勢限界に達するまで液圧ブースタＨＢによるマスタシリンダピストンＭＣの助勢を禁止し、負圧ブースタの助勢限界を越えたときに液圧ブースタによる助勢を許容する弁手段ＶＭを備える。 - 特許庁

Information of the minimum delay margin Tmgn of a path passing through a trouble assumption portion, a machine cycle MC and a delay defect generation frequency DFG is supplied to find an index linked to quality of the circuit, and the quality of the circuit is determined based thereon.例文帳に追加

故障仮定個所を通るパスの最小遅延マージンＴmgn、マシンサイクルＭＣおよびディレイ欠陥発生頻度ＤＦＧの情報を与えて回路の品質にリンクした指標を求め、該回路の品質判定を行うように構成する。 - 特許庁

Cancellation current Ic having an antiphase against main current I flowing in a magnetic field generating circuit of an exciting coil is made to flow in a cancellation magnetic field generating circuit equipped with the cancellation exciting coil by an exciting circuit to generate a cancellation flux Mc.例文帳に追加

励磁回路により励磁コイルの磁場発生回路に流れる主電流Ｉと逆位相のキャンセル電流Ｉｃをキャンセル励磁コイルを備えたキャンセル磁場発生回路に流れるようにし、キャンセル磁束Ｍｃを発生させる。 - 特許庁

The loading unit 3 is located on the operating panel 2 while the center SC of the disk inserting port 2a in the length direction is deviated from the center MC of the disk 8 loaded to the loading unit 3 in the length direction of the disk inserting port 2a.例文帳に追加

ディスク挿入口２ａの長手方向中心ＳＣと、装着部３に装着されたディスク８の中心ＭＣとが、ディスク挿入口２ａの長手方向にズレた状態で、装着部３を操作パネル２に配置する。 - 特許庁

A memory cell MC is provided with a floating gate electrode 15a, a first inter-gate insulation film 16a arranged on the floating gate electrode 15a, and a control gate electrode 17a arranged on the first inter-gate insulation film 16a.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、フローティングゲート電極１５ａと、フローティングゲート電極１５ａ上に配置される第１ゲート間絶縁膜１６ａと、第１ゲート間絶縁膜１６ａ上に配置されるコントロールゲート電極１７ａとを有する。 - 特許庁

Each of a plurality of nonvolatile memory cells (MC) can store data in accordance with level of a threshold voltage, and the low threshold voltage level is regarded as a negative voltage area, and the high threshold voltage level is regarded as a positive voltage area.例文帳に追加

複数の不揮発性メモリセル（ＭＣ）のそれぞれは、閾値電圧レベルの高低に応じてデータを記憶することが可能であり、低い閾値電圧レベルは負電圧領域とされ、高い閾値電圧レベルは正電圧領域とされる。 - 特許庁

The 100% modulus Mi of the insulation rubber layer 7 is 150-300% of the 100% modulus Mc of a topping rubber of a carcass 6 and the JISA rubber hardness HSi of the insulation rubber layer is 115-150% of the JISA rubber hardness HSc of the topping rubber.例文帳に追加

このインシュレーションゴム層８の100%モジュラスＭｉは、カーカス６のトッピングゴムの100%モジュラスＭｃの１５０〜３００％、かつインシュレーションゴム層のＪＩＳＡゴム硬度ＨＳｉは、前記トッピングゴムのＪＩＳＡゴム硬度ＨＳｃの１１５〜１５０％である。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡを備える。 - 特許庁

When the mode is switched to a still image pickup mode using all effective pixels, the MC 7 changes the magnification of the lens 1 to β in accordance with the size of the reading area of the element 2.例文帳に追加

このモードから全有効画素を用いた静止画撮像モードに切り換えると、マイコン７は光学的なズームレンズ１の倍率を撮像素子２の読み出し領域の大きさに対応して、光学的なズームレンズの倍率をβに変更する。 - 特許庁

The memory cell array of the semiconductor memory device includes a plurality of first memory cells MC each having a structure sandwiching a dielectric material between two electrodes and arranged in an array form, and is divided into a plurality of specifiable areas.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のメモリセルアレイには、誘電体材料を２つの電極で挟んだ構造をそれぞれ有する複数の第１メモリセルＭＣがアレイ状に配置され、指定可能な複数の領域に区分されている。 - 特許庁

A sense amplifier SA10 compares a current flowing in the memory cell MC selected in accordance with voltage generated by the voltage generation circuit with a current outputted from a reference current generation circuit 21 in verifying the threshold voltage.例文帳に追加

センスアンプＳＡ１０は、閾値電圧のベリファイ時に、電圧生成回路により生成された電圧に応じて選択されたメモリセルＭＣに流れる電流と、基準電流生成回路２１から出力される電流とを比較する。 - 特許庁

To provide a compound that is useful for treatment, control or prevention of the diseases and disorders responsive to the activation of MC-4R, such as obesity, diabetes, sexual dysfunction, including erectile dysfunction and female sexual dysfunction.例文帳に追加

肥満、糖尿病、勃起不全および女性性的機能不全のような性的機能不全などのＭＣ−４Ｒの活性化に対して応答性の疾患および障害の治療、管理または予防において有用な化合物の提供。 - 特許庁

A specific mirror Mc, which makes illumination light EL incident on a reflecting mask R at a prescribed incident angle, is held by an illumination system holding mount 56 which is separated physically from a body 26 holding a projection unit PU.例文帳に追加

照明光ＥＬを反射型マスクＲに対して所定の入射角で入射させる特定ミラーＭｃが投影ユニットＰＵを保持するボディ２６とは物理的に分離した照明系保持架台５６で保持されている。 - 特許庁

The memory device includes: a memory cell MC configured by connecting a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive control unit (a reference voltage generation control circuit 14 is a principal part); and the sense amplifier 7.例文帳に追加

可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴをプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルＭＣと、駆動制御部（参照電圧発生制御回路１４が要部）と、センスアンプ７とを有する。 - 特許庁

The hydraulic pressure passage Hb supplying the output hydraulic pressure of the pressure regulating valve RG is connected to the hydraulic pressure system MH from a master cylinder MC to a wheel cylinder W1 or the like, and the solenoid on-off valve NC for opening and closing the hydraulic pressure passage is provided.例文帳に追加

マスタシリンダＭＣからホイールシリンダＷ１等に至る液圧系ＭＨに対し調圧弁ＲＧの出力液圧を供給する液圧路Ｈｂを接続し、この液圧路を開閉する電磁開閉弁ＮＣを設ける。 - 特許庁

The data of a read image or the like are transferred and stored in storage areas 2, 3 of an external strage device M and the data name and storing address of the stored data are written in a portable strage medium MC by a writing means 7.例文帳に追加

読み取り画像などのデータを外部記憶装置Ｍの記憶領域２，３に転送して格納するとともに、書き込み手段７によって、格納したデータのデータ名および格納先を可搬性記憶媒体ＭＣに書き込む。 - 特許庁

In the magnetic tape cartridge MC provided with the leader pin 13 attached to the tip of a magnetic tape MT and the leader pin spring 10 for locking the leader pin 13 in the cartridge case 1, the surface of the leader pin 13 is treated with soft nitriding.例文帳に追加

磁気テープＭＴの先端に取り付けられたリーダピン１３と、リーダピン１３をカートリッジケース１内で係止するリーダピンばね１０とを備えた磁気テープカートリッジＭＣであって、リーダピン１３の表面に軟窒化処理が施されている。 - 特許庁

The acrylic polymer fine particles comprise primary particles P having a core shell structure consisting of a core polymer C and a shell polymer S, wherein the primary particles P have an average particle diameter of 250 nm or larger; the core polymer C and the shell polymer S are copolymers of (meta)acrylic monomer mixtures Mc and Ms respectively; and the weight proportion of Mc to Ms is 10/90-90/10.例文帳に追加

コア重合体Ｃとシェル重合体Ｓからなるコアシェル構造を有する一次粒子Ｐからなるアクリル系重合体微粒子であり、該一次粒子Ｐの平均粒子径が２５０ｎｍ以上であり、コア重合体Ｃ及びシェル重合体Ｓは（メタ）アクリルモノマー混合物Ｍｃ及びＭｓの共重合体であり、かつＭｃとＭｓの重量比が１０／９０〜９０／１０である上記アクリル系重合体微粒子及び該微粒子を配合したプラスチゾルの提供。 - 特許庁

On the other hand, the receiver 2 has a plurality of receiving antennas 21 which are as many as the transmitting antennas of the transmitter, and a guard interval means 221 and an MC-CDMA receiving means 22 for reception signals received by the respective receiving antennas.例文帳に追加

一方、受信装置２は、送信装置の送信アンテナと同数の複数の受信アンテナ２１と、受信アンテナそれぞれによって受信した受信信号に対して、ガードインターバル手段２２１と、ＭＣ−ＣＤＭＡ受信手段２２とを有する。 - 特許庁

A write switch 26 connects common writing data lines WDB and WDBX for transmitting the corrected data INC to corresponding bit lines BL and BLX to write the corrected data back in the original memory cell MC reading data.例文帳に追加

書き込みスイッチ２６は、訂正データＩＮＣを元のデータを読み出したメモリセルＭＣに書き戻すために、訂正データＩＮＣが伝達される共通書き込みデータ線ＷＤＢ、ＷＤＢＸを対応するビット線ＢＬ、ＢＬＸに接続する。 - 特許庁

In the subject performance device MC, matrix switches mtSW each of which has a matrix display segment mtLED so arranged correspondingly to each of them in a matrix as to generate the sound generation data KC corresponding to the respective matrix switches mtSW.例文帳に追加

演奏装置ＭＣには、内部にマトリクス表示部ｍｔＬＥＤが対応して内装されたマトリクススイッチｍｔＳＷがマトリクス状に配列され、各マトリクススイッチｍｔＳＷに対応する発音データＫＣを生成可能に構成される。 - 特許庁

A marketing management apparatus 20 is installed on the side of a manager (manufacturing company MC) who manages the sales of parts and is connected to seller computers 31, 32 and 33 which are installed on the side of a parts sales company which manages the sales of parts through an intranet 11.例文帳に追加

販売管理装置２０は、部品の販売を管理する管理者（製造会社ＭＣ）側に設置され、イントラネット１１を介して、部品を販売する販売会社側に設置された販売者コンピュータ３１，３２，３３に接続されている。 - 特許庁

In the plasma treatment apparatus 1A, after a plasma treatment using a gas containing fluorine (F) is applied to the semiconductor wafer 3, the semiconductor wafer 3 is stored in the carrier 4 via a transfer chamber TRC, a load lock chamber L/L, and the EFEM chamber MC.例文帳に追加

プラズマ処理装置１Ａにおいて、半導体ウエハ３に対して、フッ素（Ｆ）を含むガスを用いたプラズマ処理を施した後、半導体ウエハ３を搬送室ＴＲＣ、ロードロック室Ｌ/ＬおよびＥＦＥＭ室ＭＣを介してキャリア４に収容する。 - 特許庁

To provide an improved voltage supplying means for a micro-controller MC, capable of reliably supplying electric energy to the micro-controller even under the standby operating condition of a ballast in particular on one hand and minimizing power loss on the other hand.例文帳に追加

一方では特に安定器のスタンバイ作動状態においてもマイクロコントローラに確実に電気エネルギーが供給され、他方では損失電力ができるだけ僅かであるような、マイクロコントローラに対する改善された電圧供給手段を提供する。 - 特許庁

Therefore, the voltage VPW of the P-type well PW and the voltage VWL of all the word lines WL in memory blocks MB not to be erased vary simultaneously, so that the threshold voltage of the memory cells MC not to be erased is prevented from varying.例文帳に追加

したがって、Ｐ型ウェルＰＷの電圧ＶＰＷと消去非対象のメモリブロックＭＢの全ワード線ＷＬの電圧ＶＷＬとが同時に変化するので、消去非対象のメモリセルＭＣのしきい値電圧が変化するのを防止できる。 - 特許庁

A well potential control part 13 drops N well potential or raises power supply potential of P channel field effect transistors M1 and M2 of a memory cell MC in the timing when the potential of a word line WL shifts to a low level from a high level in a writing cycle.例文帳に追加

ウェル電位制御部１３は、書き込みサイクル内においてワード線ＷＬの電位がハイレベルからロウレベルに移行するタイミングでメモリセルＭＣのＰチャンネル電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２のＮウェル電位を下降または電源電位を上昇させる。 - 特許庁

The influence of the coupling noises on the local bit line LBLRe is prevented and leak of charge from a memory cell MC is prevented, and the global bit line GBLRe functions as a shield; thus operation margin can be increased and charge/discharge current can be reduced.例文帳に追加

よって、ローカルビット線ＬＢＬＲｅへのカップリングノイズの影響を抑制してメモリセルＭＣの電荷のリークを防止し、グローバルビット線ＧＢＬＲｅをシールドとして機能させ、動作マージンの向上と充放電電流の削減が可能となる。 - 特許庁

The cell transistor evaluation section 51 has a cell transistor resistance determination circuit 51A to measure the resistances of the cell transistors Tr constituting the memory cells MC, and a cell transistor resistance determination control circuit 51B to control the cell transistor resistance determination circuit 51A.例文帳に追加

セルトランジスタ評価部５１は、メモリセルＭＣを構成するセルトランジスタＴｒの抵抗値を測定するセルトランジスタ抵抗判定回路５１Ａと、セルトランジスタ抵抗判定回路５１Ａを制御するセルトランジスタ抵抗判定制御回路５１Ｂとを備えている。 - 特許庁

In that case, the door motors MA, MB, and MC are repeatedly and periodically iterated in a drive rotation state (1/3 of one cycle) by the drive control signal and a non-drive idle state (2/3 of the cycle) by an idle control signal.例文帳に追加

このとき、ドアモータＭＡ，ＭＢ，ＭＣは、駆動制御信号による駆動回転状態（周期のうちの１／３期間）と空転制御信号による非駆動空転状態（周期のうちの２／３期間）とを周期的に繰り返し反復している。 - 特許庁

The process YonB generates a reference containing remote ID to an object on a salt-process in an initial processing 70 and holds the reference of the self- processes on the master management process MC by a process information setting request containing self-process ID.例文帳に追加

プロセスＹｏｎＢは、初期処理７０でまず自プロセス上のオブジェクトへのリモートＩＤを含む参照を作成した後、自身のプロセスＩＤを含むプロセス情報設定要求によりマスタ管理プロセスＭＣ上に自プロセスの参照を保持させる。 - 特許庁

A main circuit MC of a converter CV is a step up/down chopper circuit including a serially-connected body of main switches M1, M2, an inductor 16 which connects a junction of the serially-connected body and a high-voltage battery 12, and a capacitor 20 connected in parallel to the serially-connected body.例文帳に追加

コンバータＣＶの主回路ＭＣは、メインスイッチＭ１，Ｍ２の直列接続体と、その接続点と高電圧バッテリ１２とを接続するインダクタ１６と、直列接続体に並列接続されるコンデンサ２０とを備える昇降圧チョッパ回路である。 - 特許庁

The warning control processing sets reference time Tc and a reference threshold Mc according to the kind of section lines of the travelling lane (S150), and if the deviation time Td is not longer than the reference time Tc (YES, S170), the warning control processing generates a lane deviation warning (S180).例文帳に追加

そして、走行車線における区分線の種類に応じた基準時間Ｔｃ及び基準閾値Ｍｃを設定し（Ｓ１５０）、逸脱時間Ｔｄが基準時間Ｔｃ以内の場合（Ｓ１７０；ＹＥＳ）、車線逸脱警報を発生させる（Ｓ１８０）。 - 特許庁

Since processing allowed to possibly be changed depending on the machine kind of the MC can be completely removed from the upper driver 34, the transplantation of the device driver 32 can be improved and the productivity and maintenance of the upper driver 34 are especially improved.例文帳に追加

これにより、上位ドライバ３４からマイコンの機種に依存して変更される可能性のある処理が完全に除去されるため、デバイスドライバ３２の移植性が向上すると共に、特に上位ドライバ３４の生産性，保守性が向上する。 - 特許庁

A field sequencer 3 generates a field corresponding to work environment at each work stage based on user's profile, etc., retrieves multimedia containers mc required at each field from a multimedia data base 4 and presents them to the user with a trajectory of the field.例文帳に追加

場シーケンサ３は、利用者のプロファイル等に基づき各作業段階における作業環境に対応した場を生成し、マルチメディアデータベース４から各場で必要となるマルチメディアコンテナｍｃを検索し場の軌跡とともに利用者に呈示する。 - 特許庁

Both vertical surfaces of the web Mc and inner and outer surfaces of right and left flanges Ma, Mb are independently ground by grinding heads 21, 22 for vertical web surfaces, grinding heads 23, 24 for a flange inner surface and grinding heads 25, 26 for a flange outer surface.例文帳に追加

上下のウエブ面用研削ヘッド２１，２２、フランジ内面用研削ヘッド２３，２４およびフランジ外面用研削ヘッド２５，２６により、ウエブＭｃの上下両面並びに左右のフランジＭａ，Ｍｂの内面および外面をそれぞれ個別に研削する。 - 特許庁

An eject member 14 having a card reception section 14A and a lock nib section 14N for holding a card MC selectively is energized by a coil spring 16 and a return spring 12B, and is arranged at a base member 10 slidably and rotatably.例文帳に追加

カードＭＣを選択的に保持するカード受け部１４Ａおよびロック爪部１４Ｎを有するイジェクト部材１４が、コイルスプリング１６およびリターンスプリング１２Ｂに付勢されるもとで、ベース部材１０に摺動および回動可能に配されるもの。 - 特許庁

Accordingly, when the actual air flow rate passing through the intake valve changes according to the alcohol concentration AL in the fuel, the flow rate mc of air passing through the intake valve, which is calculated using the intake valve model, can be changed therewith.例文帳に追加

従って、燃料中のアルコール濃度ＡＬに対応して実際の吸気弁通過空気流量が変化したとき、それに合わせて上記吸気弁モデルを用いて算出される吸気弁通過空気流量ｍｃを変化させることができる。 - 特許庁

Every time the wave information is updated, a management control device MC retrieves the database DB with the selective condition information of the user as a retrieval key, and a wave information matching the selective condition information is reported to a corresponding user.例文帳に追加

そして、波情報を更新する度に、管理制御装置ＭＣが各利用者の選別条件情報を検索キーとしてデータベースＤＢ内を検索し、選別条件情報に合致する波情報があった利用者に対してその旨を通知する。 - 特許庁

Thereby, when the desired object is drawn in the prescribed range E later, an image of the desired object is overwritten on the mesh Mc from which the Z value is cleared even when the desired object is interrupted by an object B when looked from a viewpoint.例文帳に追加

これにより、その後、所定範囲Ｅ上に所望のオブジェクトを描画すれば、視点から見て、その所望のオブジェクトがオブジェクトＢにより遮られていたとしても、Ｚ値がクリアされたメッシュＭｃ上では所望のオブジェクトの画像が上書き描画される。 - 特許庁

Cell blocks MCB0, MCB1 constituted by connecting in series plural memory cells MC in which a ferroelectric capacitor C and a cell transistor T are connected in parallel between terminals N1 and N2 is formed along a pair of bit lines BBL, BL.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣとセルトランジスタＴを並列接続してなるメモリセルＭＣを端子Ｎ１，Ｎ２の間に複数個直列接続して構成されたセルブロックＭＣＢ０，ＭＣＢ１が対をなすビット線ＢＢＬ，ＢＬに沿って形成される。 - 特許庁

A system bus bridge(SBB) 402 is a multichannel bi-directional bus bridge and offers interconnection between a B bus (input-output bus) 405, a G bus (graphic bus) 404, an SC bus (processor local bus) 421 and an MC bus 422 by using a cross bus switch.例文帳に追加

システム・バス・ブリッジ（ＳＢＢ）４０２はマルチ・チャネル双方向バス・ブリッジであり、Ｂバス（入出力バス）４０５、Ｇバス（グラフィック・バス）４０４、ＳＣバス（プロセッサ・ローカル・バス）４２１およびＭＣバス４２２間の相互接続をクロス・バスイッチを用いて提供する。 - 特許庁