「mc」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell MC of the nonvolatile memory has a selection gate electrode SG which is formed via an insulating film 17, and a memory gate electrode MG which is formed via an insulating film 21 composed of an ONO laminated film having a charge storage function, respectively, at the upper part of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

不揮発性メモリのメモリセルＭＣは、半導体基板１の上部に、絶縁膜１７を介して形成された選択ゲート電極ＳＧと、電荷蓄積機能を有するＯＮＯ積層膜からなる絶縁膜２１を介して形成されたメモリゲート電極ＭＧとを有している。 - 特許庁

When a mouse cursor mc is moved to the area of the data input field E 13 of 'paper length' in response to a mouse operation by a user on the image, the size of the data input field E13a is expanded to shift the data input field 13E to an active state in which a data input is available.例文帳に追加

その画面上において、ユーザによるマウスの操作を受けてマウスカーソルｍｃが「用紙長さ」のデータ入力欄Ｅ１３の領域に移動すると、そのデータ入力欄Ｅ１３ａのサイズを拡大して、そのデータ入力欄Ｅ１３をデータ入力可能なアクティブ状態に移行する。 - 特許庁

Further, among the two data read for a 1st operation, the DRAM data to be also used for the next operation are temporarily held in a hold circuit 21 of an operation unit OU, and then, the data are re-written to the memory cells MC in a non-volatile manner as new FeRAM data to prepare for the next arithmetic operation.例文帳に追加

さらに、最初の演算のために読み出した２つのデータのうち、次の演算にも使用するＤＲＡＭデータを、演算ユニットＯＵの保持回路２１に一時的に保持した後、次の演算に備えて、新たなＦｅＲＡＭデータとして、メモリセルＭＣに不揮発的に書き戻すようにしている。 - 特許庁

In the image print system PS, the digital still camera 12 extracts a reference frame image selected by a user and an adjacent frame image consecutive to the reference frame image in time series among still pictures included in a moving picture during reproduction, and writes reference image data and adjacent image data to a memory card MC.例文帳に追加

画像印刷システムＰＳでは、ディジタルスチルカメラ１２は、再生中の動画に含まれる静止画の中から、使用者によって選択された参照フレーム画像と該参照フレーム画像と時系列的に連続する隣接フレーム画像を抽出し、参照画像データと隣接画像データをメモリカードＭＣに書き込む。 - 特許庁

A programmable ROM block 20 provided in the integrated circuit device 10 has a memory cell MC in which a floating gate FG shared in each of gates of a writing/reading transistor 220 and an erasing transistor 230 is a single layer gate structure opposite to a control gate CG consisting of an impurity layer NCU via an insulation layer.例文帳に追加

集積回路装置１０に設けられたプログラマブルＲＯＭブロック２０は、書き込み／読み出しトランジスタ２２０及び消去トランジスタ２３０の各ゲートに共用されるフローティングゲートＦＧが、不純物層ＮＣＵより成るコントロールゲートＣＧと絶縁層を介して対向した単層ゲート構造であるメモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

Especially a circuit for evaluating a measurement signal of a thermocouple S1 used as a flame detector of a heating system of an automobile is composed by being equipped with an amplifier U1 for amplifying the measurement signal and a micro-controller MC into which the amplified measurement signal is inputted.例文帳に追加

本発明は熱電対（Ｓ１）の測定信号を評価する回路に関し、特に測定信号を増幅する増幅器（Ｕ１）と増幅された測定信号が入力されるマイクロコントローラ（ＭＣ）とを備えた自動車の暖房装置の炎検出器として使われる熱電対の測定信号を評価する回路に関する。 - 特許庁

Further, the transmission apparatus dynamically changes a modulation system and a channel coding rate in response to the communication state to each receiver when using the OFDM transmission means, and dynamically changes the modulation system, a channel coding rate, and a spread rate in response to the communication state to each receiver when using the MC-CDMA transmission means.例文帳に追加

また、ＯＦＤＭ送信手段を用いるとき、各受信装置に対する通信状態に応じて、変調方式及びチャネル符号化率を動的に変更し、ＭＣ−ＣＤＭＡ送信手段を用いるとき、各受信装置に対する通信状態に応じて、変調方式、チャネル符号化率及び拡散率を動的に変更する。 - 特許庁

A vehicle-to-vehicle communication apparatus Mc connected to an in-vehicle LAN as a vehicle-carried apparatus for vehicle-to-vehicle communications executes a vehicle-to-vehicle communication, using frequency modulated signals on two kinds of frequencies according to the intensity of an optical pulse signal transmitted between vehicle-carried apparatus M over an optical fiber F, based on this pulse signal.例文帳に追加

車車間通信用の車載装置として車内ＬＡＮに接続された車車間通信機Ｍｃは、光ファイバＦを介して車載装置Ｍ間を伝送される光パルス信号に基づき、その信号強度に応じた２種類の周波数にて周波数偏移変調された信号を用いて車車間通信を行う。 - 特許庁

When an intensity modulated light enters an optical sensor 9, a photodiode D of each picture element 90 photoelectrically converts the incident light to a signal current, an MOS transistor MC samples the signal current with a specified period, and signal charge corresponding to the sampled signal current is stored in a capacitor C.例文帳に追加

強度変調光が光センサ９に入射すると、各画素９０のフォトダイオードＤは入射光を信号電流に光電変換し、ＭＯＳトランジスタＭＣはその信号電流を所定の周期でサンプリングし、キャパシタＣにそのサンプリングされた信号電流に対応する信号電荷が蓄積される。 - 特許庁

The memory unit includes first wiring WR1, second wiring WR2, and a memory cell MC which is provided on the crossing part of the first wiring and the second wiring and includes a resistance change layer VR where resistance is changed by at least one of a voltage applied and a current energized through the first wiring and the second wiring.例文帳に追加

メモリ部は、第１配線ＷＲ１と、第２配線ＷＲ２と、第１配線と第２配線との交差部に設けられ、第１配線と第２配線とを介して印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する抵抗変化層ＶＲを含むメモリセルＭＣと、を有する。 - 特許庁

When a write operation or an erase operation on the memory cells MC is repeated a plurality of times, the current mirror circuit 2b sets the upper limit Icomp in the p-th write or erase operation higher than the upper limit Icomp in the q-th (q<p) write or erase operation.例文帳に追加

カレントミラー回路２ｂは、メモリセルＭＣに対する書込み動作又は消去動作が複数回繰り返し行われる場合に、ｐ回目の書き込み動作又は消去動作における上限値Ｉｃｏｍｐを、ｑ回目（ｑ＜ｐ）の書き込み動作又は消去動作における上限値Ｉｃｏｍｐよりも大きく設定する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array MA including memory cells MC arranged at respective crossing parts between a bit line BL and a word line WL, and a dummy word line DummyWL which is formed at wiring layer same as the word line WL and formed to cross the bit line BL in an upper part of a bit line driver 25.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの各交差部に配置されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡと、ワード線ＷＬと同一の配線層に形成され、ビット線ドライバ２５の上部の領域でビット線ＢＬと交差するように形成されたダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬとを備える。 - 特許庁

In this case, the data is written by adjusting a threshold voltage Vth to any one of the threshold voltage distribution A_2-D_2 at final storage processing, after the threshold voltage of a memory cell MC is adjusted within an initial voltage distribution A_1 having a voltage distribution width narrower than the voltage distribution width Vw of the threshold voltage distribution E.例文帳に追加

このとき、閾値電圧分布Ｅの電圧分布幅Ｖｗよりも狭い電圧分布幅を有する初期電圧分布Ａ_1内にメモリセルＭＣの閾値電圧を調整した後に、最終書込処理時の閾値電圧分布Ａ_2〜Ｄ_2の何れかに閾値電圧Ｖｔｈを調整することでデータを書込む。 - 特許庁

A graphic insertion unit 106 uses the change value Mc to execute processing for moving a composite position of left and right subtitle images in a horizontal direction when a subtitle image for left eyes and a subtitle image for right eyes generated by a graphic generation unit 114 are composited to an image for left eyes and an image for right eyes, respectively.例文帳に追加

グラフィック挿入部１０６では、グラフィック生成部１１４が生成した左眼用字幕画像と右眼用字幕画像を左眼用画像と右眼用画像にそれぞれ合成する際には変更値Ｍｃを用いて左右の字幕画像の合成位置を水平方向に移動させる処理を実行する。 - 特許庁

An output shaft of the motor 23 is attached with an electromagnetic brake 24, and a main control section MC incorporated in the body section stores a brake control means 101 that operates or releases the electromagnetic brake 24, and a reading control means 105 that permits or forbids the image reader 5 to read.例文帳に追加

モータ２３の出力軸には電磁ブレーキ２４が取り付けられており、また、本体部に内蔵されたメイン制御部ＭＣには電磁ブレーキ２４を作動又は解除するブレーキ制御手段１０１と画像読み取り装置５の読み取りを許可又は禁止する読み取り制御手段１０５とが格納されている。 - 特許庁

A control gate electrode film 103 includes a common connection part 1031 extending in a first direction, and an electrode configuration part 1032 projecting from the common connection part 1031 in the second direction and provided for each memory cell MC on an upper part or a lower part of the floating gate electrode film 109 via an inter-electrode insulation film 108.例文帳に追加

制御ゲート電極膜１０３は、第１の方向に延在する共通接続部１０３１と、共通接続部１０３１から第２の方向に突出し、フローティングゲート電極膜１０９の上部または下部に電極間絶縁膜１０８を介してメモリセルＭＣごとに設けられる電極構成部１０３２と、を有する。 - 特許庁

The cable 12 and the high-pressure water hose 16 are guided by a guide means 18 so that they pass through a shaft center Mc part of the chimney M, and the cable 12 and the high-pressure water hose 16 are synchronously driven in the vertical direction in the required tensile condition to drive the high-pressure water injector 15 in the vertical direction.例文帳に追加

それぞれ索条１２及び高圧水ホース１６が煙突Ｍの軸心Ｍｃ部分を通過するように案内手段１８で案内させ、索条１２及び高圧水ホース１６を所要の緊張状態で同期して上下駆動させることにより高圧水噴射器１４を上下駆動させる。 - 特許庁

The MRI apparatus 100 includes a transmission and reception coil 8 which receives an MR signal from the imaging section 14a of a subject 14 in a main scanning period MC; and a transmission and reception coil 10 which, during a navigator period NAV, transmits a navigator RF pulse Pnav to the subject 14 and receives a navigator echo from the subject 14.例文帳に追加

ＭＲＩ装置１００は、本スキャン期間ＭＣに被検体１４の撮像部位１４ａからＭＲ信号を受信する受信コイル８と、ナビゲータ期間ＮＡＶに、被検体１４にナビゲータＲＦパルスＰnavを送信するとともに、被検体１４からナビゲータエコーを受信する送受信コイル１０と、を有している。 - 特許庁

This semiconductor storage device has a multi-port memory and is provided with a plurality of memory cells MC arranged in a matrix-like state, a plurality of first word lines WLA0-WLAn connected to a first ports 13a, and a plurality of second word lines WLB0-WLBn connected to a second port 13b.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、マルチポートメモリを有しており、行列状に配置された複数のメモリセルＭＣと、第１ポート１３ａに接続された複数の第１のワード線ＷＬＡ０〜ＷＬＡｎと、第２ポート１３ｂに接続された複数の第２のワード線ＷＬＢ０〜ＷＬＢｎとを備えている。 - 特許庁

The high-pressure discharge lamp LA has a period wherein its end-to-end voltage is substantially set to zero immediately after lighting it, and is so controlled that a current flowing between both ends for connecting the discharge lamp LA in the period is substantially set to zero by a voltage detection circuit 5 and a control circuit MC.例文帳に追加

高圧放電灯ＬＡは、点灯直後に高圧放電灯電圧が実質的にゼロとなる期間を有するものであって、電圧検出回路５及び制御回路ＭＣにより、該期間の高圧放電灯ＬＡが接続される両端部間に流れる電流を実質的にゼロとなるように制御している。 - 特許庁

In each memory cell unit, a memory cell array consisting of a series connection in the array direction of a predetermined number of memory cell transistors MC capable of electrical writing and erasure of data has one end connected with a bit line BL through a first select gate transistor and the other end connected with a source line SL through a second select gate transistor SGS.例文帳に追加

各メモリセルユニットは、電気的なデータの書き込みおよび消去が可能な所定個のメモリセルトランジスタＭＣを列方向に直列に接続したメモリセル列の、その一端が第１の選択ゲートトランジスタを介してビット線ＢＬに接続され、他端が第２の選択ゲートトランジスタＳＧＳを介してソース線ＳＬに接続されている。 - 特許庁

This resin die 1 consists of an MC nylon of which the thermal deformation temperature at a load of 1.820 MPa specified in D-648 of ASTM ranges from 140°C to 300°C, and also, of which the Izod impact value with a notch being measured conforming to D-256 of ASTM satisfies a range from 40 J/m to 230 J/m.例文帳に追加

ＡＳＴＭのＤ−６４８に規定された荷重１．８２０ＭＰａでの熱変形温度が１４０℃以上３００℃以下で、かつＡＳＴＭのＤ−２５６に基づいて測定されるノッチ付きアイゾット衝撃値が４０Ｊ／ｍ以上２３０Ｊ／ｍ以下を満たすＭＣナイロンからなる樹脂型１。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes: a memory cell array MA in which the memory cells MC configured of a series connection of diodes Di and variable resistors VR are arranged at crossing parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL; and a control circuit for alternatively driving the bit line BL and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

The metallic card MC includes: the base card 1 including a glossy layer 10 to apply glossiness; a light transmissive printing layer (surface printing layer 2) constituted of pictures and other information printed on the surface of the base card 1; and a printing layer (back printing layer 3) printed on the back face of the base card 1.例文帳に追加

メタリックカードＭＣは、光沢層１０を含むことによって光沢を発するベースカード１と、ベースカード１の表面に印刷された絵柄その他の情報からなる光透過性の印刷層（表印刷層２）と、ベースカード１の裏面に印刷された印刷層（裏印刷層３）とを備えた構成とする。 - 特許庁

Each memory cell block MC has a plurality of memory cells consisting of a selection transistor Q and a ferroelectric capacitor C, a reference data storing memory cell consisting of a selection transistor QREF and a ferroelectric capacitor CREF, a read-out transistor QR, bit lines BL, sub-bit lines SBL, and a reset line RST.例文帳に追加

各メモリセルブロックＭＣは、選択トランジスタＱと強誘電体キャパシタＣとからなる複数のメモリセルと、選択トランジスタＱＲＥＦと強誘電体キャパシタＣＲＥＦとからなるリファレンスデータ格納メモリセルと、読み出しトランジスタＱＲと、ビット線ＢＬと、サブビット線ＳＢＬと、リセット線ＲＳＴとを有している。 - 特許庁

The magnetic circuit mc is composed of components including a stator core 10 which has a C-like or U-like cross section, with its end faces 10a facing each other, a coil 11 wound on the stator core 10, and an iron core 2c which is arranged between the end faces 10a of the stator core 10, to constitute the movable piece 2.例文帳に追加

磁気回路ｍｃは、断面Ｃの字状乃至コの字状をなしその端面１０ａ同士が対向する固定子コア１０と、固定子コア１０に巻回されるコイル１１と、固定子コア１０の端面１０ａ同士の間に配置され可動子２を構成する鉄心２ｃとを含む要素部品から構成されている。 - 特許庁

The voltage supply circuit 70 receives a test mode signal TE of a H level and supplies the threshold value voltage of the N channel MOS transistor 73 to the node 38 connected to a cell Vcc line of a memory cell MC 11, and receives a test mode signal TE of a L level, and supplies external power source voltage to the node 38.例文帳に追加

電圧供給回路７０は、Ｈレベルのテストモード信号ＴＥを受けてメモリセルＭＣ１１のセルＶｃｃ線に接続されたノード３８にＮチャネルＭＯＳトランジスタ７３のしきい値電圧を供給し、Ｌレベルのテストモード信号ＴＥを受けてノード３８に外部電源電圧を供給する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device composed of a memory cell array including a plurality of regular memory cells and a plurality of sense amplifier circuits, the memory cell array has regular memory cells MC to be used for write and read operation of desired data and a smoothing capacitor (specifically, dummy cells DMC to be used for smoothing capacitor) for reducing power source noise.例文帳に追加

複数の正規メモリセルを含むメモリセルアレイと複数のセンスアンプ回路からなる半導体記憶装置において、メモリセルアレイには、所望のデータの書込み及び読出し動作に利用する正規メモリセルＭＣと、電源ノイズを低減するための平滑容量（具体的には平滑容量に利用するダミーセルＤＭＣ）を有する。 - 特許庁

The composting treatment facility is provided with a kneading floor 3 installed with a kneading and conveying device 30 for continuously delivering the treatment objects Ma, already composted materials Mb and additive materials Mc under pressure kneading, a fermentation floor 4 disposed between the kneading floor 3 and a storage floor 1, and an unloading and conveying means 6.例文帳に追加

処理対象物Ｍａとコンポスト化処理終了物Ｍｂの一部と添加資材Ｍｃとを加圧混練しながら連続的に送り出す混練搬送装置３０の設置された混練フロア３と、混練フロア３と貯留フロア１との間に設けられる発酵フロア４と、荷揚げ搬送手段６とを備えている。 - 特許庁

Then, a substrate conveying signal 73 is transmitted from the main controller MC toward a heater PHP at a time t12 elapsed by a predetermined time T12 from an exposure complete time t11, the substrate W is conveyed from a substrate temporary placing part toward a heating plate, and a heating process is started at the heating plate.例文帳に追加

続いて、露光完了時刻ｔ１１から所定時刻Ｔ１２が経過した時刻ｔ１２において、メインコントローラＭＣから加熱部ＰＨＰに向けて基板搬送信号７３が送信されて、基板Ｗが基板仮置部から加熱プレートに向けて搬送されるとともに、当該加熱プレートにて加熱処理が開始される。 - 特許庁

To provide a double sided adhesive tape which is used for fixing a polishing cloth 13 for polishing the edge of a silicon wafer 15 to a MC nylon block 12 and can prevent that the double sided adhesive tape 14 for fixing the polishing cloth 13 to the board 12 is peeled from the block 12 during the polishing of the edge of the silicon wafer 15.例文帳に追加

シリコンウェハ１５のエッジ研磨用研磨布１３を、ＭＣナイロン製定盤１２に固着する両面粘着テープに関し、シリコンウェハ１５のエッジ研磨中に、研磨布１３を定盤１２へ固定している両面粘着テープ１４が定盤１２から剥離するのを防止することができる。 - 特許庁

The braking liquid pressure control device is equipped with a pressure booster valve PU** between a master cylinder MC and each wheel cylinder W**, a decompression valve PD** between the wheel cylinder and reservers RSf and RSr, and hydraulic pumps HPf and HPr for returning the brake fluid having flowed into the reservers (secondary circuit) via the decompression valve to the primary circuit between the master cylinder and the booster valve.例文帳に追加

この装置は、マスタシリンダＭＣとホイールシリンダW**との間の増圧弁ＰＵ**と、同ホイールシリンダとリザーバＲＳf，ＲＳrとの間の減圧弁ＰＤ**と、同減圧弁を介して同リザーバ（２次回路）に流入したブレーキ液を同マスタシリンダと同増圧弁との間の１次回路に戻すための液圧ポンプＨＰf，ＨＰrとを備える。 - 特許庁

An index value showing a correlation between not-yet-powered-on servers Ma and Mb and powered-on server Mc, Md and Me is calculated for each of the not-yet-powered-on servers Ma and Mb by referring to the installation position, CPU temperature and chassis temperature of each server in a data center 100.例文帳に追加

データセンタ１００内における各サーバの設置位置、ＣＰＵ温度およびシャーシ温度を参照して、電源未投入のサーバＭａ，Ｍｂごとに、電源未投入のサーバＭａ，Ｍｂと電源投入済のサーバＭｃ，Ｍｄ，Ｍｅとの間の発熱量の相関関係をあらわす指標値を算出する。 - 特許庁

The total value of the linear dimension of the first permanent-magnetic pole P1, and the ninth permanent-magnetic pole P9 that are measured in its shifting direction and that along a virtual line I accompanying the first to ninth permanent-magnetic poles P1 and P9 is made equal to the linear dimension L of the permanent magnet MC.例文帳に追加

移動方向に延び且つ第１及び第９の永久磁石磁極Ｐ１，Ｐ９に添う仮想線Ｉに沿って測定した、第１の永久磁石磁極Ｐ１の長さ寸法と第９の永久磁石磁極Ｐ９の長さ寸法の合計値を永久磁石ＭＣの長さ寸法Ｌと等しくする。 - 特許庁

The pellet type rubber material 10 comprises unvulcanized ethylene-propylene-nonconjugated diene copolymer rubber (EPDM) 11 and having a coating 12 of 0.5-30 μm thickness comprising methylcellulose (MC) or a methylcellulose derivative such as hydroxypropylmethylcellulose (HPMC) on the whole surface.例文帳に追加

加硫処理が行われていないエチレン−プロピレン−非共役ジエン共重合ゴム（ＥＰＤＭ）１１からなるゴム材料１０であって、メチルセルロース（ＭＣ）又はメチルセルロース誘導体（例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ））からなり、厚さが０．５〜３０μｍの皮膜１２を全面に有し、ペレット状であることを特徴とするゴム材料である。 - 特許庁

The process for preparing an organic acid or its derivative comprises subjecting a hydrocarbon substrate to oxidation treatment with the use of an MC-type homogenous catalyst selected from Co/Br, Mn/Br, Co/Mn/Br, and Co/Mn/M/Br and an O_2/CO_2 mixed gas oxidizing agent whose oxygen partial pressure is adjusted to 30-40%.例文帳に追加

Ｃｏ／Ｂｒ、Ｍｎ／Ｂｒ、Ｃｏ／Ｍｎ／Ｂｒ、Ｃｏ／Ｍｎ／Ｍ／Ｂｒの中から選択されたＭＣ型均一触媒、および酸素分圧が３０〜４０％に調節されたＯ_2／ＣＯ_2混合気体酸化剤を用いて炭化水素基質を酸化処理して有機酸またはその誘導体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A storage element (MC) is constituted of four variable resistance elements (VREa-VREd) arranged circularly, write-in bit lines (WBLa, WBLb) and digit lines (DLa, DLb) are current-driven, and a magnetic field having intensity in accordance with data of arithmetic operation and contents of arithmetic operation is applied to the variable resistance element.例文帳に追加

環状に配置される４個の可変抵抗素子（ＶＲＥａ−ＶＲＥｄ）で記憶素子（ＭＣ）を構成し、書込ビット線（ＷＢＬａ，ＷＢＬｂ）およびデジット線（ＤＬａ，ＤＬｂ）を電流駆動して、可変磁性体抵抗素子に演算データおよび演算内容に応じた強度の磁界を印加する。 - 特許庁

A still picture interpolation section 2 generates an interpolation signal IPS suitable for a still region, a moving picture interpolation section 3 generates an interpolation signal IPM suitable for a moving picture region from an interlace scanning input image signal S1 (luminance and color-difference signals), and an MC interpolation section 4 generates an interpolation signal IPMC on the basis of a motion vector MV through motion compensation signal processing.例文帳に追加

飛び越し走査の入力画像信号S1(輝度信号と色差信号)より、静止補間部２は静止領域に適した補間信号IPS、動画補間部３は動画領域に適した補間信号IPM、ＭＣ補間部４は動きベクトルMVをもとに動き補償の信号処理で補間信号IPMCを生成する。 - 特許庁

The structure 3 is lifted by reaction by applying downward pressing force to the pile 7 having the bearing power by the pile pressing power jack 31, and a filler Mc is filled and hardened in a clearance S generated between the foundation 4 of the lifted structure 3 and the ground surface 2, and the horizontal height of a structure 3 is corrected.例文帳に追加

支持力を持った杭７に、杭押圧用パワージャッキ３１により下方への押圧力を付与して反力により構造物３を持ち上げ、持ち上げられた構造物３の基礎４と地面２との間に生じる隙間Ｓに充填材Ｍｃを充填して硬化させ、構造物２の水平高さを修正する。 - 特許庁

The pulse light of a predetermined wavelength incoming from a light incoming position S1 by a light injecting means 10, reaches optical detecting positions D1, D2 through each optical path while scattering, to be detected by an optical detecting means 20.例文帳に追加

測定対象領域Mcと非測定対象領域Meを含む散乱吸収体Mに対し、光入射手段１０によって光入射位置Ｓ１より入射した所定波長のパルス光が、散乱しながらそれぞれの光路で光検出位置Ｄ１及びＤ２に達し、光検出手段２０にて検出される。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a plurality of memory cells MC having multiple port memories and arranged in a matrix, a plurality of first word lines WLA0-WLAn connected to a first port 13a, and a plurality of second word lines WLB0-WLBn connected to a second port 13b.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、マルチポートメモリを有しており、行列状に配置された複数のメモリセルＭＣと、第１ポート１３ａに接続された複数の第１のワード線ＷＬＡ０〜ＷＬＡｎと、第２ポート１３ｂに接続された複数の第２のワード線ＷＬＢ０〜ＷＬＢｎとを備えている。 - 特許庁

This recording medium driving device 5 has a bezel 51 having an opening part 511 capable of inserting the recording medium MC, and a pair of cover bodies 52 rotatably arranged in a closing position Cp for blocking up the opening part 511 and an opening position Op for opening the opening part 511, on the peripheral edge of the opening part 511 of the bezel 51.例文帳に追加

この記録媒体駆動装置５は、記録媒体ＭＣを挿入可能とする開口部５１１を有するベゼル５１と、ベゼル５１の開口部５１１周縁において、開口部５１１を閉塞する閉位置Ｃｐ、および開口部５１１を開放する開位置Ｏｐに回動自在に設けられた一対の蓋体５２とを備える。 - 特許庁

To provide alloy steel having high temperature corrosion resistance, wear resistance and toughness by controlling MC type carbides in melted alloy steel which has an economical advantage as well, and having cost effectiveness since expensive Co and powder steel are not used, to provide a screw for an injection molding machine using the alloy steel, and to provide an assembled component thereof.例文帳に追加

経済的にも優位な溶製合金鋼において、ＭＣ型炭化物を制御することにより、高温における耐食性、耐摩耗性、靭性を有し、かつ価格の高いCo、粉末鋼を使用することがなく経済性がよい合金鋼及びかかる合金鋼を用いた、射出成形機用のスクリューおよびその組立部品を提供。 - 特許庁

Sine multiplication signals Ms acquired by multiplying their detection signals by sine wave signals Ss at a multiplier 32S and cosine multiplication signals Mc acquired by multiplying the detection signals by cosine wave signals Sc at a multiplier 32C are each compared in magnitude with saw tooth waves of, for example, 256 times the frequency of the sine wave signals Ss at comparators 33S and 33C.例文帳に追加

この検出信号に、乗算器３２Ｓでサイン波信号Ｓｓが乗算されたサイン乗算信号Ｍｓおよび乗算器３２Ｃでコサイン波信号Ｓｃが乗算されたコサイン乗算信号Ｍｃは、それぞれコンパレータ３３Ｓ，３３Ｃでサイン波信号Ｓｓの例えば２５６倍の周波数の鋸波と大小比較される。 - 特許庁

A gate electrode 4c of the read transistor RTr is shared among a plurality of memory cells MC arrayed in a predetermined direction, and the gate electrode 4c is parted into a plurality of gate electrodes 10 which have an element isolation structure 2 being a stress relaxing structure for relaxing stress acting on an annular active region 3a and each have a gate length of ≤100 μm.例文帳に追加

リードトランジスタＲＴｒのゲート電極４ｃは、所定方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣに共有されており、ゲート電極４ｃは、素子分離構造２が環状の活性領域３ａに及ぼす応力を緩和する応力緩和構造であって、各々ゲート長が１００μｍ以下である複数のゲート電極１０に分断されている。 - 特許庁